JPH03131574A - 快削性窒化アルミニウム焼結体 - Google Patents
快削性窒化アルミニウム焼結体Info
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- JPH03131574A JPH03131574A JP1270912A JP27091289A JPH03131574A JP H03131574 A JPH03131574 A JP H03131574A JP 1270912 A JP1270912 A JP 1270912A JP 27091289 A JP27091289 A JP 27091289A JP H03131574 A JPH03131574 A JP H03131574A
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- sintered body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高熱伝導、高強度、高電気絶縁性、切削加工
性に優れた快削性窒化アルミニウムに関するものである
。
性に優れた快削性窒化アルミニウムに関するものである
。
[従来の技術]
窒化アルミニウム焼結体は酸化アルミニウム等に比べて
熱伝導率が10倍近く高いため、半導体の放熱基板やパ
ッケージ材等の電子材料として注目されている。
熱伝導率が10倍近く高いため、半導体の放熱基板やパ
ッケージ材等の電子材料として注目されている。
このような用途に使用される窒化アルミニウム焼結体に
要求される特性は高熱伝導率であるとともに高強度が要
求される。
要求される特性は高熱伝導率であるとともに高強度が要
求される。
窒化アルミニウムは本質的には難焼結性であるため焼結
体の強度と高熱伝導率を得るため、希土類酸化物等を焼
結助剤として用いることが特開昭60−127267号
公報等に開示されている。
体の強度と高熱伝導率を得るため、希土類酸化物等を焼
結助剤として用いることが特開昭60−127267号
公報等に開示されている。
さらに高い熱伝導率を得るために、窒化アルミニウムに
Y、0.を0.1〜10重量部と、B、Ti、Zr又は
Taの炭化物のうち少なくとも一種を0.1〜5重量部
を混合して非酸化性雰囲気で焼成する方法が特開昭62
−128971号公報に開示された。
Y、0.を0.1〜10重量部と、B、Ti、Zr又は
Taの炭化物のうち少なくとも一種を0.1〜5重量部
を混合して非酸化性雰囲気で焼成する方法が特開昭62
−128971号公報に開示された。
上記公報にはB、Ti、Zrの炭化物は窒素雰囲気中で
焼成すると炭素を遊離し窒化物となり、遊離した炭素は
不純物酸素の除去に効果があること、B。
焼成すると炭素を遊離し窒化物となり、遊離した炭素は
不純物酸素の除去に効果があること、B。
Ti、ZrまたはTaの炭化物または窒化物がY、0.
と粒界相に共存していると、粒界によるフォノン散乱が
生じにくいので熱伝導率が向上することが記載されてい
る。
と粒界相に共存していると、粒界によるフォノン散乱が
生じにくいので熱伝導率が向上することが記載されてい
る。
また、上記公報にはB、Ti 、Zr、Taの炭化物が
5wt%を越えると粒界の炭化物が多くなり過ぎ、逆に
フォノン散乱が増大して熱伝導率が低下するともに相対
密度が低下し好ましくない旨の記載があり、実質的には
上記炭化物の添加量は5wt%以下に制限されるもので
あった。
5wt%を越えると粒界の炭化物が多くなり過ぎ、逆に
フォノン散乱が増大して熱伝導率が低下するともに相対
密度が低下し好ましくない旨の記載があり、実質的には
上記炭化物の添加量は5wt%以下に制限されるもので
あった。
[発明が解決すべき課題]
最近、曲げ強度および機械加工性の優れた窒化アルミニ
ウム焼結体として、窒化アルミニウムに窒化ほう素(以
下BNという)および2人族または3A族金属化合物を
添加含有された複合焼結体が特開昭60−195059
号に開示された。
ウム焼結体として、窒化アルミニウムに窒化ほう素(以
下BNという)および2人族または3A族金属化合物を
添加含有された複合焼結体が特開昭60−195059
号に開示された。
上記の窒化アルミニウム焼結体は薄層状のBNが粒界に
存在するものである。このような焼結体の機械加工性が
優れる原因は薄層状の結晶粒が切削加工時において外部
から加わる力を吸収して窒化アルミニウムの破壊を防ぐ
ことによるものと上記公報では推定している。
存在するものである。このような焼結体の機械加工性が
優れる原因は薄層状の結晶粒が切削加工時において外部
から加わる力を吸収して窒化アルミニウムの破壊を防ぐ
ことによるものと上記公報では推定している。
しかし、BNを添加することによって機械加工性を上げ
た焼結体では、機械加工性は向上するがBN量が多くな
るに従って熱伝導率の低下が著しく、10wt%のBN
を添加した場合、125W/mK以下の熱伝導率しか得
ることができなかった。
た焼結体では、機械加工性は向上するがBN量が多くな
るに従って熱伝導率の低下が著しく、10wt%のBN
を添加した場合、125W/mK以下の熱伝導率しか得
ることができなかった。
本発明の目的は機械加工性精度に優れ、高熱伝導性、高
曲げ強度をも有する窒化アルミニウム焼結体を提供する
ことである。
曲げ強度をも有する窒化アルミニウム焼結体を提供する
ことである。
[課題を解決するための手段]
本発明は窒化アルミニウム(以下AINという)96〜
70wt%、炭化ほう素(以下B4Cという)1〜15
wt%、酸化ディスプロシウム(以下Dy1Osという
)3〜15wt%を焼成してなる焼結体であって、AI
Nを主相とし、粒界相にBN相が存在することを特徴と
する快削性窒化アルミニウム焼結体である。
70wt%、炭化ほう素(以下B4Cという)1〜15
wt%、酸化ディスプロシウム(以下Dy1Osという
)3〜15wt%を焼成してなる焼結体であって、AI
Nを主相とし、粒界相にBN相が存在することを特徴と
する快削性窒化アルミニウム焼結体である。
本発明はDy、0.とB、Cを含有させたAIN粉を焼
結することによりBNを添加した場合あるいはBNと炭
素(以下Cとする)を複合添加した場合に比べて結晶粒
径が極めて小さくなり、快削性、高強度、耐チッピング
性に優れた焼結体が得られること、B4CがBNに換算
して30wt%程度含有されても曲げ強度が殆ど低下せ
ず、しかも100W/m K以上の極めて熱伝導率の高
いAIN基板が得られることを見出したことによるもの
である。
結することによりBNを添加した場合あるいはBNと炭
素(以下Cとする)を複合添加した場合に比べて結晶粒
径が極めて小さくなり、快削性、高強度、耐チッピング
性に優れた焼結体が得られること、B4CがBNに換算
して30wt%程度含有されても曲げ強度が殆ど低下せ
ず、しかも100W/m K以上の極めて熱伝導率の高
いAIN基板が得られることを見出したことによるもの
である。
本発明においてDyxOsおよびB4C中のCは焼成時
に焼成雰囲気中へ拡散するため、正確な焼結体組成を知
ることが困難であり焼結原料配合組成で限定した。B、
Cは窒素雰囲気で焼成することによってB4Cはほとん
ど窒化されBNに変化するがB−C−Hのアモルファス
相も存在しても良い。
に焼成雰囲気中へ拡散するため、正確な焼結体組成を知
ることが困難であり焼結原料配合組成で限定した。B、
Cは窒素雰囲気で焼成することによってB4Cはほとん
ど窒化されBNに変化するがB−C−Hのアモルファス
相も存在しても良い。
また1本発明はAIN:96〜69wt%、B4C:1
〜15wt%、Dy20j:3〜15wt%、(、:
1wt%以下を焼成してなる焼結体であって、AINを
主相とし、粒界相にBN相が存在する快削性AIN焼結
体である。
〜15wt%、Dy20j:3〜15wt%、(、:
1wt%以下を焼成してなる焼結体であって、AINを
主相とし、粒界相にBN相が存在する快削性AIN焼結
体である。
このようにCを1wt%以下添加するのはB、Cとして
Cを全量加える場合より少量のCを単独で加える場合の
ほうが、DYiOsの焼成雰囲気への拡散効果が優れて
おり、B、CとCを複合添加した場合は、B、C単独添
加の場合より更に高熱伝導率を保持できることを見出し
たためである。
Cを全量加える場合より少量のCを単独で加える場合の
ほうが、DYiOsの焼成雰囲気への拡散効果が優れて
おり、B、CとCを複合添加した場合は、B、C単独添
加の場合より更に高熱伝導率を保持できることを見出し
たためである。
また、これらの焼結体のうち84Cが5〜10wt%添
加されてなる場合、特に優れた機械加工性を有する焼結
体となり好ましい。
加されてなる場合、特に優れた機械加工性を有する焼結
体となり好ましい。
上述の結晶粒の微細化による快削性、高強度、高熱伝導
率の両立は以下のように考えられる。
率の両立は以下のように考えられる。
B4Cが窒化する反応式を示す。
84C+2N、→4BN+C(1)
ここで遊離するCは、AIN内の不純物酸素を系外へ除
去するため熱伝導率が向上する。
去するため熱伝導率が向上する。
このような不純物酸素の除去は84Cに限らず他の炭化
物でも起こるが、特にB4Cの場合、B4CがすべてB
Nに変わった場合、その比重の差から体積は2倍程度に
なる。この粒界相でのBNの成長は上記(1)式に基づ
いて進行するため、BNが成長しながら微細に残留した
空隙が消費され、しかもAINの粒成長が抑制されるこ
とになり、緻密な焼結体となって、快削性、耐チッピン
グ性、高熱伝導率と高強度が得られたと推測できる。
物でも起こるが、特にB4Cの場合、B4CがすべてB
Nに変わった場合、その比重の差から体積は2倍程度に
なる。この粒界相でのBNの成長は上記(1)式に基づ
いて進行するため、BNが成長しながら微細に残留した
空隙が消費され、しかもAINの粒成長が抑制されるこ
とになり、緻密な焼結体となって、快削性、耐チッピン
グ性、高熱伝導率と高強度が得られたと推測できる。
一方、DYiOsは焼結助剤として作用し、上記BNで
占められない粒界相を覆い、且つA18粒内への酸素の
拡散を抑制し、緻密で熱伝導率の高いAIN焼結体を得
ることに作用している。このD!/gosの量は焼結時
に雰囲気中に拡散すると考えられ好ましい添加量は7〜
12wシ%である。
占められない粒界相を覆い、且つA18粒内への酸素の
拡散を抑制し、緻密で熱伝導率の高いAIN焼結体を得
ることに作用している。このD!/gosの量は焼結時
に雰囲気中に拡散すると考えられ好ましい添加量は7〜
12wシ%である。
[実施例]
本発明を実施例に基づき詳細に説明するが本発明はこれ
ら実施例にかぎられるものではない。
ら実施例にかぎられるものではない。
(実施例1)
AIN粉末に第1表に示す原料組成のDy*Os粉末お
よびB、C,BN、 BN+Cのいずれか1つを混合し
たもの、およびB化合物を添加しないもの焼結原料とし
てナイロン製のポットを有するボールミルを用い、エタ
ノールを分散剤として24時間混合した。得られたスラ
リーを80℃で24時間乾燥後、造粒した。
よびB、C,BN、 BN+Cのいずれか1つを混合し
たもの、およびB化合物を添加しないもの焼結原料とし
てナイロン製のポットを有するボールミルを用い、エタ
ノールを分散剤として24時間混合した。得られたスラ
リーを80℃で24時間乾燥後、造粒した。
造粒粉末をLton/cm”で成形し、窒素雰囲気中で
1900℃×10時間にて常圧焼結した。
1900℃×10時間にて常圧焼結した。
ここでは、試料No、1の84C9を基準として、試料
No、3ではBN量をB量で試料No、1と同量とし、
試料No、4ではBN量をB量で試料No、lと同量と
し、さらにC量を試料N001と同量とした。
No、3ではBN量をB量で試料No、1と同量とし、
試料No、4ではBN量をB量で試料No、lと同量と
し、さらにC量を試料N001と同量とした。
得られた焼結体の組織写真を第1図に示した。
なお、本発明の焼結体N011をX線回折装置により分
析したところD!/i0s、AINと六方晶窒化硼素(
BN)が検出されたが最初に添加したB4Cはこの分析
では検出できなかった。また、粒界相に微量のB−C−
Hのアモルファス相の存在が示唆された。
析したところD!/i0s、AINと六方晶窒化硼素(
BN)が検出されたが最初に添加したB4Cはこの分析
では検出できなかった。また、粒界相に微量のB−C−
Hのアモルファス相の存在が示唆された。
第1図より本発明の84Gを添加した焼結体は結晶粒径
が他の焼結体の半分程度になっていること及び薄層状の
BNがBN単独で添加した場合よりも明らかに均一に分
散していることが判る。
が他の焼結体の半分程度になっていること及び薄層状の
BNがBN単独で添加した場合よりも明らかに均一に分
散していることが判る。
第1表
実施例1で作成した焼結体から3 X 4 X 40m
mの試験片を切り出し、曲げ強度を4点曲げ、スパン3
0mmのJIS規格によって測定した。
mの試験片を切り出し、曲げ強度を4点曲げ、スパン3
0mmのJIS規格によって測定した。
また、同じ焼結体から1OnonφX3+nmtの試験
片を切り出し、理学電機製レーザーフラッシュ法熱定数
測定装置(PS−7)を用いて室温における熱定数を測
定した。
片を切り出し、理学電機製レーザーフラッシュ法熱定数
測定装置(PS−7)を用いて室温における熱定数を測
定した。
さらに、この焼結体をダイヤモンド製の研削砥石(商品
名MD325N100M40;三菱金属)により切り込
みm4rnm、研削速度100mm/min、、回転数
500Orpmで200+am分の研削加工行いをチッ
ピング量を測定し、加工精度を評価した。
名MD325N100M40;三菱金属)により切り込
みm4rnm、研削速度100mm/min、、回転数
500Orpmで200+am分の研削加工行いをチッ
ピング量を測定し、加工精度を評価した。
これらの結果を第2表に示す。
第
表
第2表より、本発明のB4Cを添加した場合はBN+C
と略同様の高い熱伝導率が得られることがわかる。
と略同様の高い熱伝導率が得られることがわかる。
また、どの試料よりも優れた曲げ強度と優れた加工精度
を有する事が判った。
を有する事が判った。
(実施例2)
D)’gos添加量を7wt%としB4Cを0〜20w
t%残部AINを原料として、実施例1と同様に焼結体
を作成した。また、比較例としてB4Cの代りにBNを
Bに換算して等量分を添加した焼結体を作成した。
t%残部AINを原料として、実施例1と同様に焼結体
を作成した。また、比較例としてB4Cの代りにBNを
Bに換算して等量分を添加した焼結体を作成した。
作成した焼結体の熱伝導率、曲げ強度および最大チッピ
ング量をそれぞれ第2図、第3図および第4図に示した
。
ング量をそれぞれ第2図、第3図および第4図に示した
。
第2図、第3図より、高熱伝導率と高曲げ強度を両立す
るにはB、Cの添加量が15wt%以下が好ましく、第
4図より加工精度を保つためには1wt%以上の添加が
好ましいことが分かる。さらに、これらの図より高熱伝
導率、高曲げ強度、加工精度を両立するにはB、C量は
5〜lowt%が好ましいことがわかる。
るにはB、Cの添加量が15wt%以下が好ましく、第
4図より加工精度を保つためには1wt%以上の添加が
好ましいことが分かる。さらに、これらの図より高熱伝
導率、高曲げ強度、加工精度を両立するにはB、C量は
5〜lowt%が好ましいことがわかる。
(実施例3)
第3表に示す組成で残部AIN粉からなる試料を作成し
、実施例1と同様の焼結を行った。第3表に原料組成と
焼結体組成を示し、実施例2と同様に測定した曲げ強度
、熱伝導率、チッピング性測定した。結果を第4表に示
す。
、実施例1と同様の焼結を行った。第3表に原料組成と
焼結体組成を示し、実施例2と同様に測定した曲げ強度
、熱伝導率、チッピング性測定した。結果を第4表に示
す。
試料5〜9では走査型電子顕微鏡の観察からDy、。
、は殆ど残留せず、第1図で示した試料lと略同じ粒径
のAIN結晶粒と粒界層のBN薄層状結晶よりなる焼結
体が得られた。
のAIN結晶粒と粒界層のBN薄層状結晶よりなる焼結
体が得られた。
第
表
第
表
第4表より、Cの添加量は1wt%を越えるとCを添加
しない場合よりも熱伝導率、加工精度、曲げ強度ともに
劣化するため、好ましいCの添加範囲は1wt%以下で
あり、この範囲において優れた加工精度と曲げ強度を得
ることができることがわかる。
しない場合よりも熱伝導率、加工精度、曲げ強度ともに
劣化するため、好ましいCの添加範囲は1wt%以下で
あり、この範囲において優れた加工精度と曲げ強度を得
ることができることがわかる。
(実施例5)
実施例1に示す試料lと同じB、C組成2.8wt%で
、Dy20.量を1.3,5,7,9,11,13,1
5wt%と変えた試料を作成し、実施例1と同様の焼成
を行い焼結体を得、曲げ強度を測定した。結果を第5図
に示した。
、Dy20.量を1.3,5,7,9,11,13,1
5wt%と変えた試料を作成し、実施例1と同様の焼成
を行い焼結体を得、曲げ強度を測定した。結果を第5図
に示した。
第5図よりD)’i 0sの添加量は3−15wt%で
100W/mK以上の熱伝導率が得られ好ましいことが
わかる。また、特に好ましいDVm Osの添加量は7
〜12wt%であることがわかる。
100W/mK以上の熱伝導率が得られ好ましいことが
わかる。また、特に好ましいDVm Osの添加量は7
〜12wt%であることがわかる。
[発明の効果]
本発明によれば、高熱伝導率、高強度、優れた機械加工
性を備えたAIN焼結体が得られ、半導体基板や半導体
基板を覆うキャップ部、各種放熱装置を所定の形状に容
易に機械加工できる。
性を備えたAIN焼結体が得られ、半導体基板や半導体
基板を覆うキャップ部、各種放熱装置を所定の形状に容
易に機械加工できる。
第1図は本発明例及び比較例の焼結体の粒子構造を示す
組織図、第2図は本発明の熱伝導率を示す図、第3図お
よび第5図は本発明は曲げ強度を示す図、第4図は本発
明の切削性を示す図である。 魔2 (比較例) 240O N、 3 (比較例) 240O N+14 (比較例) 2400 B4C(wt’10) 第 図 84 C(W t ’10) 第 図 10 5 0 84C(wt’/、) 第 図 Dy2O3(”A/ t ”10)
組織図、第2図は本発明の熱伝導率を示す図、第3図お
よび第5図は本発明は曲げ強度を示す図、第4図は本発
明の切削性を示す図である。 魔2 (比較例) 240O N、 3 (比較例) 240O N+14 (比較例) 2400 B4C(wt’10) 第 図 84 C(W t ’10) 第 図 10 5 0 84C(wt’/、) 第 図 Dy2O3(”A/ t ”10)
Claims (3)
- (1)窒化アルミニウム96〜70wt%、炭化ほう素
1〜15wt%、酸化デイスプロシウム3〜15wt%
を焼成してなる焼結体であって、窒化アルミニウムを主
相とし、粒界相に窒化ほう素相が存在することを特徴と
する快削性窒化アルミニウム焼結体。 - (2)窒化アルミニウム96〜69wt%、炭化ほう素
1〜15wt%、酸化ディスプロシウム3〜15wt%
、炭素1wt%以下を焼成してなる焼結体であって、窒
化アルミニウムを主相とし、粒界相に窒化ほう素相が存
在することを特徴とする快削性窒化アルミニウム焼結体
。 - (3)炭化ほう素は5〜10wt%添加されてなること
を特徴とする請求項1及至2に記載の快削性窒化アルミ
ニウム焼結体
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1270912A JPH03131574A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 快削性窒化アルミニウム焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1270912A JPH03131574A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 快削性窒化アルミニウム焼結体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03131574A true JPH03131574A (ja) | 1991-06-05 |
Family
ID=17492720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1270912A Pending JPH03131574A (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 快削性窒化アルミニウム焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03131574A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1314707A2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-05-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
JP2008156142A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JP2015221941A (ja) * | 2006-08-09 | 2015-12-10 | ロバルマ, ソシエダッド アノニマRovalma, S.A. | 鋼、工具鋼、特に熱間加工鋼の熱伝導度の調整方法、並びに鋼製品 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1270912A patent/JPH03131574A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1314707A2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-05-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
EP1314707A3 (en) * | 2001-11-26 | 2003-10-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
US6884742B2 (en) | 2001-11-26 | 2005-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum nitride ceramics, members for use in a system for producing semiconductors, corrosion resistant members and conductive members |
JP2015221941A (ja) * | 2006-08-09 | 2015-12-10 | ロバルマ, ソシエダッド アノニマRovalma, S.A. | 鋼、工具鋼、特に熱間加工鋼の熱伝導度の調整方法、並びに鋼製品 |
JP2016128609A (ja) * | 2006-08-09 | 2016-07-14 | ロバルマ, ソシエダッド アノニマRovalma, S.A. | 鋼、工具鋼、特に熱間加工鋼の熱伝導度の調整方法、並びに鋼製品 |
JP2016156088A (ja) * | 2006-08-09 | 2016-09-01 | ロバルマ, ソシエダッド アノニマRovalma, S.A. | 鋼、工具鋼、特に熱間加工鋼の熱伝導度の調整方法、並びに鋼製品 |
JP2008156142A (ja) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Tokuyama Corp | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
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