JPH03102824A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH03102824A JPH03102824A JP24013489A JP24013489A JPH03102824A JP H03102824 A JPH03102824 A JP H03102824A JP 24013489 A JP24013489 A JP 24013489A JP 24013489 A JP24013489 A JP 24013489A JP H03102824 A JPH03102824 A JP H03102824A
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- JP
- Japan
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- dry etching
- gas
- chamber
- reaction products
- etching
- Prior art date
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- Pending
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造工程で用いられるドライエッチング装
置に関し、 チャンバー内に堆積する反応生底物を効率良く除去する
ことを目的とし、 ドライエッチング装置のチャンバー内に、エッチングに
よる反応生戊物が堆積し易い部分に向けて該反応生戊物
を分解除去するガスを噴射させるノズルを設けて或るよ
うに構或する。
置に関し、 チャンバー内に堆積する反応生底物を効率良く除去する
ことを目的とし、 ドライエッチング装置のチャンバー内に、エッチングに
よる反応生戊物が堆積し易い部分に向けて該反応生戊物
を分解除去するガスを噴射させるノズルを設けて或るよ
うに構或する。
本発明は半導体装置の製造工程で用いられるドライエッ
チング装置に関する。
チング装置に関する。
近年、半導体装置の高集積化に伴い、製造装置内の発塵
が製品の歩留りに影響するところから、その防止処置が
要求されている。その為にも装置をセルフクリーニング
させる必要がある。
が製品の歩留りに影響するところから、その防止処置が
要求されている。その為にも装置をセルフクリーニング
させる必要がある。
第３図に従来のドライエッチング装置を示す。
これは不銹鋼などで形或したチャンバー１に真空排気口
２．２′が設けられ、内部にはチャンバー１と絶縁物３
．３′により絶縁された上部電極４と下部電極５とが設
けられている。また上部電極４にはエッチング用ガス導
入口６が設けられている。また上部電極４はアース７に
、下部電極５は高周波電源８にそれぞれ接続している。
２．２′が設けられ、内部にはチャンバー１と絶縁物３
．３′により絶縁された上部電極４と下部電極５とが設
けられている。また上部電極４にはエッチング用ガス導
入口６が設けられている。また上部電極４はアース７に
、下部電極５は高周波電源８にそれぞれ接続している。
そしてチャンバー１内を真空にして、エッチング用ガス
９を導入し、上部電極４と下部電極５との間に高周波電
圧を印加することによりエッチング用ガスをプラズマ化
し、下部電極５上に載置した被エッチング物１０をエッ
チングできるようになっている。
９を導入し、上部電極４と下部電極５との間に高周波電
圧を印加することによりエッチング用ガスをプラズマ化
し、下部電極５上に載置した被エッチング物１０をエッ
チングできるようになっている。
上記従来のドライエッチング装置では、装置の使用に伴
って反応生成物が生じ、それがチャンバー１の内壁に付
着し堆積する。この堆積物は剥落して発塵の原因となり
、さらにこの発塵によって被エッチング物のエッチング
時にエッチング残りのような欠陥を生じさせる原因とな
る。従ってこの堆積物は発塵の原因となる前に除去し、
チャンバー内をクリーニングする必要がある。
って反応生成物が生じ、それがチャンバー１の内壁に付
着し堆積する。この堆積物は剥落して発塵の原因となり
、さらにこの発塵によって被エッチング物のエッチング
時にエッチング残りのような欠陥を生じさせる原因とな
る。従ってこの堆積物は発塵の原因となる前に除去し、
チャンバー内をクリーニングする必要がある。
従来、ドライエッチング装置のクリーニングは、チャン
バー１内を大気圧状態にした上でアルコールや酸などを
使用したウェット処理により行なっていた。
バー１内を大気圧状態にした上でアルコールや酸などを
使用したウェット処理により行なっていた。
しかし上記のクリーニング方法では、作業に時間を要し
、装置の稼動率を低下させるという問題がある。またこ
の作業は人間が行うために人体からの発塵等によりゴミ
をチャンバー１内に持ち込む危険もある。また、従来の
ウエットクリーニングでは、チャンバー内に堆積した反
応生戊物を完全に除去することは困難である等の問題が
あった。
、装置の稼動率を低下させるという問題がある。またこ
の作業は人間が行うために人体からの発塵等によりゴミ
をチャンバー１内に持ち込む危険もある。また、従来の
ウエットクリーニングでは、チャンバー内に堆積した反
応生戊物を完全に除去することは困難である等の問題が
あった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、チャンバー内に堆積
する反応生戊物を効率良く除去することができるドライ
エッチング装置を提供することを目的とする。
する反応生戊物を効率良く除去することができるドライ
エッチング装置を提供することを目的とする。
上記目的を達或するために、本発明のドライエッチング
装置では、ドライエッチング装置のチャンバー１内にエ
ッチングによる反応生成物１１が堆積し易い部分に向け
て該反応生成物１１を分解除去するガスを噴射させるノ
ズル１３を設けて成ることを特徴とする。
装置では、ドライエッチング装置のチャンバー１内にエ
ッチングによる反応生成物１１が堆積し易い部分に向け
て該反応生成物１１を分解除去するガスを噴射させるノ
ズル１３を設けて成ることを特徴とする。
真空排気口２．２′からチャンバー１内を排気しながら
、ノズル１３から反応生成物を除去するガス１２を噴出
させることにより、反応生成物１１を分解除去し、真空
排気口２，２′から外部に排出することができる。
、ノズル１３から反応生成物を除去するガス１２を噴出
させることにより、反応生成物１１を分解除去し、真空
排気口２，２′から外部に排出することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
本実施例は、同図に示すように、真空排気口２．２′を
有するチャンバー１内にエッチング用ガス導入口６を有
する上部電極４と、高周波電源８に接続した下部電極５
とが設けられていることは第３図で説明した従来例と同
様であり、本実施例の要点は上部電極４に、その背後の
チャンバー内壁に向って反応生戊物を分解除去すること
ができる例えば０３等のガス１２を噴出する複数個のノ
ズル１３を設けたことである。この複数個のノズル１３
は第２図にその詳細を示すようにガス噴射方向を反応生
成物１１の堆積し易い方向に向けて設けられるようにそ
れぞれ半球状の突起１４に孔あけされている。また各ノ
ズル１３はガス通路１５を経てガス供給口ｌ６に接続さ
れている。
有するチャンバー１内にエッチング用ガス導入口６を有
する上部電極４と、高周波電源８に接続した下部電極５
とが設けられていることは第３図で説明した従来例と同
様であり、本実施例の要点は上部電極４に、その背後の
チャンバー内壁に向って反応生戊物を分解除去すること
ができる例えば０３等のガス１２を噴出する複数個のノ
ズル１３を設けたことである。この複数個のノズル１３
は第２図にその詳細を示すようにガス噴射方向を反応生
成物１１の堆積し易い方向に向けて設けられるようにそ
れぞれ半球状の突起１４に孔あけされている。また各ノ
ズル１３はガス通路１５を経てガス供給口ｌ６に接続さ
れている。
このように構或された本実施例は従来のドライエッチン
グ装置と同様に被エッチング物１０のドライエッチング
を行なうことができるが、その際に生ずる反応生成物ｌ
１はエッチング時のエッチングガスの流れにより第１図
に示すように、上部電極４の背後のチャンバー内壁に堆
積し易い。この堆積した反応生成物１１は主に有機物で
あることが判明している。そこで本実施例ではその堆積
した反応生成物１１に向ってノズル１３から反応生底物
を分解するガスとして０３ガス１２を噴射する。０３ガ
スは周知のように有機物を分解することができるので、
反応生成物１１は容易に分解除去され真空排気口２．２
′から外部に排出される。
グ装置と同様に被エッチング物１０のドライエッチング
を行なうことができるが、その際に生ずる反応生成物ｌ
１はエッチング時のエッチングガスの流れにより第１図
に示すように、上部電極４の背後のチャンバー内壁に堆
積し易い。この堆積した反応生成物１１は主に有機物で
あることが判明している。そこで本実施例ではその堆積
した反応生成物１１に向ってノズル１３から反応生底物
を分解するガスとして０３ガス１２を噴射する。０３ガ
スは周知のように有機物を分解することができるので、
反応生成物１１は容易に分解除去され真空排気口２．２
′から外部に排出される。
このようにしてチャンバー１内を人手を要さずに効率良
くクリーニングすることができる。
くクリーニングすることができる。
以上説明した様に、本発明によれば、有機物を主とする
反応生成物を完全に除去できるばかりでなく、装置を長
時間停止させることなくクリーニングすることが可能と
なる。
反応生成物を完全に除去できるばかりでなく、装置を長
時間停止させることなくクリーニングすることが可能と
なる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の実施例の上部電極を示す断面図、
第３図は従来のドライエッチング装置を示す図である。
図において、
１はチャンバー、
２，２′は真空排気口、
３．３′は絶縁物、
４は上部電極、
５は下部電極、
６はエッチング用ガス導入口、
７はアース、
８は高周波電源、
９はエッチング用ガス、
１０は被エッチング物、
Ｕは堆積物、
１２は反応生戊物を分解除去するガス、１３はノズル、
１４は半球状の突起、
１５はガス通路、
１６はガス供給口
を示す。
Claims (1)
- １、ドライエッチング装置のチャンバー（１）内に、エ
ッチングによる反応生成物（１１）が堆積し易い部分に
向けて該反応生成物（１１）を分解除去するガスを噴射
させるノズル（１３）を設けて成ることを特徴とするド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24013489A JPH03102824A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24013489A JPH03102824A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102824A true JPH03102824A (ja) | 1991-04-30 |
Family
ID=17055008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24013489A Pending JPH03102824A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03102824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0553469A2 (de) * | 1992-01-27 | 1993-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur schnellen und schonenden Reinigung von insbesondere beim Abscheiden und Ätzen von Schichten auf Siliziumsubstraten verwendeten Reaktionskammern durch Plasmaätzen |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP24013489A patent/JPH03102824A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0553469A2 (de) * | 1992-01-27 | 1993-08-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur schnellen und schonenden Reinigung von insbesondere beim Abscheiden und Ätzen von Schichten auf Siliziumsubstraten verwendeten Reaktionskammern durch Plasmaätzen |
| EP0553469A3 (en) * | 1992-01-27 | 1994-11-23 | Siemens Ag | Plasma-etching process for the rapid and damage-free cleaning of reaction chambers and principally in the deposition or etching of layers on silicon substrats |
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