JPH03101523A - High frequency amplifier circuit - Google Patents
High frequency amplifier circuitInfo
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- JPH03101523A JPH03101523A JP23922489A JP23922489A JPH03101523A JP H03101523 A JPH03101523 A JP H03101523A JP 23922489 A JP23922489 A JP 23922489A JP 23922489 A JP23922489 A JP 23922489A JP H03101523 A JPH03101523 A JP H03101523A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、携帯用無線電話機等の小型無線送信機に搭載
される高周波増幅回路に関し、高価で大きいアイソレー
タを用いずに、アンテナ部からの反射波を増幅器に伝え
ないようにして増幅器の異常発振を防ぎ、増幅器を常に
安定に動作させることを目的とし、
入力端子(3)と出力端子(4)と、
第1の電源(GND)と第2の電源(vDD)と第3の
電源(Vcc、)と、
入力端が該入力端子(3)に接続され、出力端の一端が
該出力端子(4)に接続され、該出力端の他端が該第1
の電源(GND)に接続されたトランジスタ(Q0)と
、
該第3の電源(VGG)と該第1の電源(C,ND)と
の間に設けられ、該トランジスタ(口。)にバイアスを
供給するバイアス手段と、
該入力端子(3)と該第1の電源(GND)との間に設
けられ、該入力端子(3)から入力される信号を減衰さ
せるインピーダンス手段(R2,C1)と、該トランジ
スタ(Q0)で増幅する周波数の信号は、該出力端子(
4)に出力し、当該周波数以外の信号は、該第1の電源
(GND)側に通過させるように、該出力端子(4)に
接続された該トランジスタ(Q0)の出力端に、一端が
接続されたインダクタンス手段(RFC)と、
該インダクタンス手段(RFC)の他端に接続されたイ
ンピーダンス手段(R4、C2)及び容量(C3)及び
該第2の電源(v0)とにより高周波増幅回路を構成す
る。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention relates to a high frequency amplification circuit installed in a small radio transmitter such as a portable radio telephone. The purpose is to prevent abnormal oscillation of the amplifier by not transmitting the signal to the input terminal (3), the output terminal (4), the first power supply (GND), and the second power supply. (vDD) and a third power supply (Vcc,), an input end is connected to the input terminal (3), one end of the output end is connected to the output terminal (4), and the other end of the output end is connected to the output terminal (4). 1st
A transistor (Q0) connected to the power supply (GND) of impedance means (R2, C1) provided between the input terminal (3) and the first power source (GND) and attenuating the signal input from the input terminal (3); , the frequency signal amplified by the transistor (Q0) is output to the output terminal (
4), and one end is connected to the output terminal of the transistor (Q0) connected to the output terminal (4) so that signals other than the frequency concerned are passed to the first power supply (GND) side. A high frequency amplification circuit is created by the connected inductance means (RFC), the impedance means (R4, C2) and capacitance (C3) connected to the other end of the inductance means (RFC), and the second power supply (v0). Configure.
本発明は、携帯用無線電話機等の小型無線送信機に搭載
される高周波増幅回路に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a high frequency amplification circuit installed in a small radio transmitter such as a portable radio telephone.
第3図は、従来の無線送信機の電力増幅器より後段の構
成をブロック図にして示したものである。FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of a stage subsequent to the power amplifier of a conventional radio transmitter.
送信部31の前段で音声等が変調された信号は、送信部
31の増幅器32で電力増幅され、アイソレータ33.
共用器34を介して、アンテナ及びマツチング回路を備
えたアンテナ部36から電波として出射される。The signal modulated with audio or the like before the transmitting section 31 is power amplified by the amplifier 32 of the transmitting section 31, and then sent to the isolator 33.
Via the duplexer 34, the signal is emitted as a radio wave from an antenna section 36 including an antenna and a matching circuit.
共用器34は、送信周波数と受信周波数との差を利用し
て、送信部31からの送信信号をアンテナ部36へ伝え
、アンテナ部36からの受信信号を受信部35へ伝える
一種のフィルターとして働く。The duplexer 34 utilizes the difference between the transmitting frequency and the receiving frequency to transmit the transmitted signal from the transmitting section 31 to the antenna section 36, and functions as a kind of filter that transmits the received signal from the antenna section 36 to the receiving section 35. .
また、アイソレータ33は、アンテナ部36の破損等に
よりアンテナ部の負荷が変動した場合、インピーダンス
ずれにより生じる反射波を、送信部31の増幅器32に
伝えないためのものである。Further, the isolator 33 is provided to prevent reflected waves generated due to impedance deviation from being transmitted to the amplifier 32 of the transmitting section 31 when the load on the antenna section changes due to damage to the antenna section 36 or the like.
もし、アイソレータがなく、この反射波が増幅器32に
入ってしまうと、増幅器32は不安定になり、信号周波
数以外の異常発振を起こしてしまう場合がある。If there is no isolator and this reflected wave enters the amplifier 32, the amplifier 32 will become unstable and may cause abnormal oscillation at frequencies other than the signal frequency.
携帯用電話機等の無線機は、野外で使用されることが多
いため、外部に露出しているアンテナ部を破損すること
が多い。Since wireless devices such as mobile phones are often used outdoors, the antenna portion exposed to the outside is often damaged.
そこで、アイソレータ33は、アンテナ部36が破損し
、その負荷が変動した場合でも、反射波を増幅器32に
伝わるのを防ぎ、増幅器32が異常発振するのを防ぐう
えで、必要不可欠なものであった。Therefore, even if the antenna section 36 is damaged and its load fluctuates, the isolator 33 is indispensable in order to prevent reflected waves from being transmitted to the amplifier 32 and to prevent the amplifier 32 from abnormally oscillating. Ta.
しかしながら、アイソレータは無線機を構成する他の部
品に比べて高価であり、またその大きさも他の部品に比
べて大きいため、無線機を小型化するうえで障害になる
という問題があった。However, since the isolator is more expensive than other parts constituting the radio, and its size is also larger than other parts, there is a problem in that it becomes an obstacle to downsizing the radio.
従って本発明は、高価で大きいアイソレータを用いずに
、アンテナ部からの反射波により増幅器が異常発振する
のを防ぎ、増幅器を常に安定に動作させることを目的と
する。Therefore, it is an object of the present invention to prevent the amplifier from abnormally oscillating due to reflected waves from the antenna section and to always operate the amplifier stably without using an expensive and large isolator.
上記目的を達成するために本発明は、
入力端子(3) と出力端子(4)と、第1の電源(G
ND)と第2の電源(VDD)と第3の電源(VCC)
と、
入力端が該入力端子(3)に接続され、出力端の一端が
該出力端子(4)に接続され、該出力端の他端が該第1
の電源(GND)に接続されたトランジスタ(Q0)と
、
該第3の電源(VGG)と該第1の電源(GND)との
間に設けられ、該トランジスタ(Q0)にバイアスを供
給するバイアス手段と、
該入力端子(3)と該第1の電源(GND)との間に設
けられ、該入力端子(3)から入力される信号を減衰さ
せるインピーダンス手段(R2,CI) と、該トラン
ジスタ(Q0)で増幅する周波数の信号は、該出力端子
(4)に出力し、当該周波数以外の信号は、該第1の電
源(GND)側に通過させるように、該出力端子(4)
に接続された該トランジスタ(Q、)の出力端に、一端
が接続されたインダクタンス手段(RFC)と、
該インダクタンス手段(RFC)の他端に接続されたイ
ンピーダンス手段(R4,C2)及び容量(C3)及び
該第2の電源(VDD)とにより高周波増幅回路を構成
する。In order to achieve the above object, the present invention provides an input terminal (3), an output terminal (4), and a first power supply (G
ND), second power supply (VDD), and third power supply (VCC)
and an input end is connected to the input terminal (3), one end of the output end is connected to the output terminal (4), and the other end of the output end is connected to the first
a transistor (Q0) connected to the power supply (GND) of impedance means (R2, CI) provided between the input terminal (3) and the first power source (GND) and for attenuating the signal input from the input terminal (3); and the transistor. The signal at the frequency amplified by (Q0) is output to the output terminal (4), and the signal at a frequency other than the frequency is passed through the output terminal (4) to the first power supply (GND) side.
an inductance means (RFC), one end of which is connected to the output end of the transistor (Q,), and an impedance means (R4, C2) and a capacitor (R4, C2) connected to the other end of the inductance means (RFC). C3) and the second power supply (VDD) constitute a high frequency amplification circuit.
第1図を用いて本発明の詳細な説明する。 The present invention will be explained in detail using FIG.
第1図は、送信部の電力増幅回路を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a power amplification circuit of a transmitter.
図において、Qoはトランジスタであり、R1−R4は
抵抗であり、01〜C4はコンデンサであり、RF C
(Radio F requency Co11
)はマイクロストリップラインにより精密にインダクタ
ンスが形成された素子である。このマイクロストリップ
ラインは、所望とする送信周波数の波長(λ)の4分の
1(λ/4)以下の長さに形成されている。In the figure, Qo is a transistor, R1-R4 are resistors, 01-C4 are capacitors, and RF C
(Radio Frequency Co11
) is an element whose inductance is precisely formed by a microstrip line. This microstrip line is formed to have a length equal to or less than one-fourth (λ/4) of the wavelength (λ) of the desired transmission frequency.
本発明の回路は基本的に、入力側安定化回路1゜トラン
ジスタQ0.出力側安定化回路2の3つの部分で構成さ
れる。The circuit of the present invention basically consists of an input side stabilizing circuit 1° transistor Q0. The output side stabilization circuit 2 is composed of three parts.
まず、入力側安定化回路1の接続関係とその動作を説明
する。First, the connection relationship and operation of the input side stabilizing circuit 1 will be explained.
入力側安定化回路1の入力端子3には、音声等が変調さ
れた信号が入力され、この入力端子3は、トランジスタ
Q、のゲートに接続される。A signal modulated with audio or the like is input to an input terminal 3 of the input side stabilizing circuit 1, and this input terminal 3 is connected to the gate of a transistor Q.
コンデンサC4は、VGGに乗っているノイズを除去す
るもので、VGliとGNDとの間に設けられる。Capacitor C4 removes noise on VGG, and is provided between VGli and GND.
また、VGGとGND間に設けられた抵抗R1〜R3は
、VGGを抵抗分圧してトランジスタQo駆動用の動作
点を決めている。Further, resistors R1 to R3 provided between VGG and GND divide VGG into resistive voltages to determine the operating point for driving the transistor Qo.
そして、コンデンサC1は、一端が抵抗R2を介して入
力端子3に接続され、他端がGNDに接続されている。One end of the capacitor C1 is connected to the input terminal 3 via the resistor R2, and the other end is connected to GND.
入力端子3とGNDとの間は、コンデンサCIと抵抗R
2によって接続されているので、トランジスタQ0に印
加される入力信号の一部は、このコンデンサC1と抵抗
R2を介してGND側に逃げていく。つまり、入力信号
が減衰するわけである。A capacitor CI and a resistor R are connected between input terminal 3 and GND.
2, a part of the input signal applied to the transistor Q0 escapes to the GND side via the capacitor C1 and resistor R2. In other words, the input signal is attenuated.
トランジスタQ0は、所望とする送信周波数でゲインが
最大になるように設定されているため、上記減衰した入
力信号のうち、所望とする送信周波数の信号は、有効に
増幅されるが、上記減衰した入力信号のうち、所望とし
ない周波数の信号は、はとんど増幅されることがない。Since the transistor Q0 is set so that the gain is maximized at the desired transmission frequency, the signal at the desired transmission frequency among the attenuated input signals is effectively amplified, but the attenuated signal at the desired transmission frequency is effectively amplified. Of the input signals, signals with undesired frequencies are rarely amplified.
従って、所望とする周波数の送信信号は、それほど低下
させずに、ノイズだけを効果的に除去してやることがで
きる。Therefore, only the noise can be effectively removed without significantly lowering the transmission signal of the desired frequency.
また、トランジスタQ0の異常発振の原因となる低周波
成分は、抵抗R2,コンデンサC1からなるインピーダ
ンスが低インピーダンスに見えるので、トランジスタQ
、が、異常発振するのを防げる。In addition, the low frequency component that causes abnormal oscillation of transistor Q0 is caused by the impedance of resistor R2 and capacitor C1 appearing to be low impedance.
, can prevent abnormal oscillation.
次に、出力側安定化回路2の接続状態とその動作を説明
する。Next, the connection state and operation of the output side stabilizing circuit 2 will be explained.
出力側安定化回路2のトランジスタQaの出力側の一端
はGND側に接続され、他端は出力端子4に接続されて
いる。One end of the output side of the transistor Qa of the output side stabilizing circuit 2 is connected to the GND side, and the other end is connected to the output terminal 4.
出力端子4側に接続されたトランジスタQ0の出力端は
、RFCの一端に接続されている。そして、RFCの他
端は、抵抗R4と02とを介してGNDに接続され、ま
たC、3を介してGNDに接続され、また直接VDIに
接続されている。このVDDにより、トランジスタQ0
へのバイアス電源が供給されている。The output end of the transistor Q0 connected to the output terminal 4 side is connected to one end of the RFC. The other end of RFC is connected to GND via resistors R4 and 02, and also to GND via C, 3, and directly to VDI. With this VDD, transistor Q0
Bias power is supplied to the
トランジスタQ0から通常の所望とする高周波の信号が
出力された場合、コンデンサC3によってRFCはGN
Dとショートの状態で、かつRFCは所望とする信号の
λ/4に形成されているので、所望とする信号はRFC
で反射されてしまい、図中に示したA点よりGND側へ
は流れない。When a normal desired high frequency signal is output from transistor Q0, RFC is connected to GN by capacitor C3.
Since it is shorted to D and RFC is formed at λ/4 of the desired signal, the desired signal is RFC
Therefore, it does not flow from point A shown in the figure to the GND side.
従って、トランジスタQ0が安定に動作し送信する周波
数の信号を出力している場合は、その信号はGND側へ
は流れず、出力端子4に出力される。Therefore, when the transistor Q0 operates stably and outputs a signal at the frequency to be transmitted, the signal does not flow to the GND side but is output to the output terminal 4.
次に、トランジスタQ0が、異常発振を起こしはじめ、
所望とする送信周波数より低周波の信号が出力された場
合、RFCは所望とする信号のλ/4に形成されている
ので、それ以外の信号は、RFCで反射されずに通過す
ることになる。このRFCを通過してきた信号は、抵抗
R4とコンデンサC2(例えばR4は50Ωの抵抗)を
通ってGND側に流れる。Next, transistor Q0 begins to cause abnormal oscillation,
If a signal with a lower frequency than the desired transmission frequency is output, the RFC is formed at λ/4 of the desired signal, so other signals will pass through without being reflected by the RFC. . The signal that has passed through the RFC flows to the GND side through a resistor R4 and a capacitor C2 (for example, R4 is a 50Ω resistor).
従って、アンテナ部の破損等により生じた反射波が、ト
ランジスタQ、に入力されても、送信する周波数以外の
信号は、GND側に流れて除去されるため、トランジス
タQ0が異常発振を起こすことはない。Therefore, even if reflected waves caused by damage to the antenna section are input to transistor Q, signals at frequencies other than those to be transmitted will flow to the GND side and be removed, so transistor Q0 will not cause abnormal oscillation. do not have.
以上のように本発明では、入力側安定化回路1で、入力
信号のノイズを除去し、さらに出力側安定化回路2で、
トランジスタQ0が異常発振を起こした場合発生する低
周波ノイズを除去している。As described above, in the present invention, the input side stabilization circuit 1 removes noise from the input signal, and the output side stabilization circuit 2 removes noise from the input signal.
Low frequency noise generated when transistor Q0 causes abnormal oscillation is removed.
第2図を用いて本発明の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第2図中、第1図と同じ部分には同じ番号を付しである
。In FIG. 2, the same parts as in FIG. 1 are given the same numbers.
図中、Ql及びQ2はトランジスタであり、R1−R7
は抵抗であり、01〜C8はコンデンサであり、RFC
,及びRF C1(Radio Frequency
Co11 )は、マイクロストリップラインにより
精密にインダクタンスが形成された素子である。In the figure, Ql and Q2 are transistors, and R1-R7
is a resistor, 01 to C8 are capacitors, and RFC
, and RF C1 (Radio Frequency
Co11) is an element whose inductance is precisely formed by a microstrip line.
第2図に示したように、一実施例では第1図にしめした
回路を2段にして、全体としてゲインを高くしたもので
ある。As shown in FIG. 2, in one embodiment, the circuit shown in FIG. 1 is made into two stages to increase the overall gain.
まず、第1段目の増幅回路の接続状態とその動作につい
て説明する。First, the connection state and operation of the first stage amplifier circuit will be explained.
入力側安定化回路1の入力端子3には、音声等が変調さ
れた信号が入力され、この入力端子3は、トランジスタ
Q、のゲートに接続される。A signal modulated with audio or the like is input to an input terminal 3 of the input side stabilizing circuit 1, and this input terminal 3 is connected to the gate of a transistor Q.
コンデンサC4は、VGGに乗っているノイズを除去す
るもので、VaaとGNDとの間に設けられる。Capacitor C4 removes noise on VGG, and is provided between Vaa and GND.
また、VGGとGND間に設けられた抵抗R1〜R3は
、VGGを抵抗分圧してトランジスタQ、駆動用の動作
点を決めている。Further, resistors R1 to R3 provided between VGG and GND divide VGG into resistive voltages to determine the operating point for driving the transistor Q.
そして、コンデンサC1は、一端が抵抗R2を介して入
力端子3に接続され、他端がGNDに接続されている。One end of the capacitor C1 is connected to the input terminal 3 via the resistor R2, and the other end is connected to GND.
入力端子3とGNDとの間は、コンデンサCIと抵抗R
2によって接続されているので、トランジスタQ、に印
加される入力信号の一部は、このコンデンサC1と抵抗
R2を介してGND側に逃げていく。つまり、入力信号
が減衰するわけである。A capacitor CI and a resistor R are connected between input terminal 3 and GND.
2, a part of the input signal applied to the transistor Q escapes to the GND side via the capacitor C1 and resistor R2. In other words, the input signal is attenuated.
トランジスタQ1は、所望とする送信周波数でゲインが
最大になるように設定されているため、上記減衰した入
力信号のうち、所望とする送信周波数の信号は有効に増
幅されるが、上記減衰した入力信号のうち、所望としな
い周波数の信号は、はとんど増幅されることがない。従
って、所望とする周波数の送信信号は、それほど低下さ
せずに、ノイズだけを効果的に除去してやることができ
る。Since the transistor Q1 is set so that the gain is maximized at the desired transmission frequency, the signal at the desired transmission frequency among the attenuated input signals is effectively amplified; Among the signals, signals at undesired frequencies are rarely amplified. Therefore, only the noise can be effectively removed without significantly lowering the transmission signal of the desired frequency.
また、トランジスタQ、の異常発振の原因となる低周波
成分は、抵抗R2,コンデンサC1からなるインピーダ
ンスが低インピーダンスに見えるので、トランジスタQ
、が、異常発振するのを防げる。In addition, the low frequency component that causes abnormal oscillation of transistor Q is caused by the impedance of resistor R2 and capacitor C1 appearing to be low impedance.
, can prevent abnormal oscillation.
そして、トランジスタQ、の出力側の一端はGND側に
接続され、他端は結合コンデンサC8を介して、トラン
ジスタQ2のゲートに接続されている。One end of the output side of the transistor Q is connected to the GND side, and the other end is connected to the gate of the transistor Q2 via a coupling capacitor C8.
トランジスタQ2のゲートに接続されているトランジス
タQ、の出力端は、RFC,の一端に接続されている。The output terminal of transistor Q, which is connected to the gate of transistor Q2, is connected to one end of RFC.
その他端は、コンデンサC5を介してGND側に接続さ
れ、また直接vIIに接続されている。このVDI)l
により、トランジスタQ、はバイアスを供給されてい
る。The other end is connected to the GND side via a capacitor C5 and directly to vII. This VDI)l
Therefore, transistor Q is supplied with a bias.
トランジスタQ!から所望とする信号が出力された場合
、コンデンサC5によってRF CtはGNDとショー
トの状態で、かつRFC,は所望とする信号のλ/4に
形成されているので、その信号はRFC,で反射されて
しまい、図中に示したB点よりGND側へは流れない。Transistor Q! When a desired signal is output from the capacitor C5, the RF Ct is shorted to GND and RFC is formed at λ/4 of the desired signal, so the signal is reflected by RFC. Therefore, it does not flow from point B shown in the figure to the GND side.
従って、トランジスタQ、により増幅された所望とする
送信周波数の信号は、トランジスタQ2のゲートに入力
され、GND側に逃げることはない。なお、RFC,は
マイクロストリップラインで形成されたインダクタンス
素子なので、直流分はよく通し、Vt1DIからの電圧
をトランジスタQ、に与えることができる。Therefore, the signal of the desired transmission frequency amplified by transistor Q is input to the gate of transistor Q2, and does not escape to the GND side. Incidentally, since RFC is an inductance element formed by a microstrip line, direct current can pass through it well, and the voltage from Vt1DI can be applied to transistor Q.
次に、第2段目の増幅回路の接続状態とその動作につい
て説明する。Next, the connection state and operation of the second stage amplifier circuit will be explained.
第1段目のトランジスタQ、により増幅された信号は、
第2段目のトランジスタQ!のゲートに入力される。The signal amplified by the first stage transistor Q is
Second stage transistor Q! input into the gate.
なお、抵抗R5〜R7及びコンデンサC6,C7の働き
は、前述の抵抗R1〜R3及びコンデンサC4,CIと
全く同様である。The functions of the resistors R5 to R7 and capacitors C6 and C7 are exactly the same as those of the resistors R1 to R3 and capacitors C4 and CI described above.
トランジスタQ2の出力側の一端はGND側に接続され
、他端は出力端子4に接続される。出力端子4は、さら
にアンテナ部に接続されている。One end of the output side of the transistor Q2 is connected to the GND side, and the other end is connected to the output terminal 4. The output terminal 4 is further connected to an antenna section.
このアンテナ部の負荷インピーダンスは例えば50Ωと
低い値である。The load impedance of this antenna section is as low as 50Ω, for example.
出力端子4側に接続されたトランジスタQ、の出力端は
、RFC,の一端に接続されている。そして、RFC,
の他端は、抵抗R4と02とを介してGNDに接続され
、またC3を介してGNDに接続され、また直接VDD
に接続されている。このvoにより、トランジスタQ!
へのバイアス電源が供給されている。The output end of the transistor Q connected to the output terminal 4 side is connected to one end of the RFC. And RFC,
The other end is connected to GND through resistors R4 and 02, and also connected to GND through C3, and directly connected to VDD.
It is connected to the. With this vo, transistor Q!
Bias power is supplied to the
トランジスタQ2から通常の所望とする周波数の信号が
出力された場合、コンデンサC6によってRFCtはG
NDとショートの状態で、かつRFC,は所望とする信
号のλ/4に形成されているので、その信号はRFC!
で反射されてしまい、図中に示した0点よりGND側へ
は流れない。When a normal desired frequency signal is output from transistor Q2, RFCt becomes G due to capacitor C6.
Since it is shorted to ND and RFC is formed at λ/4 of the desired signal, the signal is RFC!
Therefore, it does not flow toward the GND side from the 0 point shown in the figure.
従って、トランジスタQ2が安定に動作し送信する周波
数の信号を出力している場合は、その信号はGND側へ
は流れず、出力端子4に出力される。Therefore, when the transistor Q2 operates stably and outputs a signal at the frequency to be transmitted, the signal does not flow to the GND side but is output to the output terminal 4.
次に、トランジスタQzが、異常発振を起こしはじめ、
所望とする送信周波数の信号より低周波の信号が出力さ
れた場合、RFCzは所望とする周波数の信号のλ/4
に形成されているので、それ以外の信号は、RFC!で
反射されずに通過することになる。このRFC,を通過
してきた信号は、抵抗R4とコンデンサC2(例えばR
4は50Ωの抵抗)を通ってGND側に流れる。特に、
低周波成分は、抵抗R4とコンデンサC2からなるイン
ピーダンスが低インピーダンスに見えるので、よりGN
D側に流れやすい。Next, transistor Qz begins to cause abnormal oscillation,
If a signal with a lower frequency than the signal with the desired transmission frequency is output, RFCz is λ/4 of the signal with the desired frequency.
The other signals are RFC! It will pass through without being reflected. The signal that has passed through this RFC is connected to a resistor R4 and a capacitor C2 (for example, R
4 is a 50Ω resistor) and flows to the GND side. especially,
For low frequency components, the impedance made up of resistor R4 and capacitor C2 appears to be low impedance, so the GN is more
It easily flows to the D side.
従って、アンテナ部の破損等により生じた反射波が、ト
ランジスタQ!に入力されても、送信する周波数以外の
信号は、GND側に流れて除去されるため、トランジス
タQ2が異常発振を起こすことなない。Therefore, the reflected waves caused by damage to the antenna section, etc., are transmitted to the transistor Q! Even if the signal is input to the transmitter, signals other than the frequency to be transmitted flow to the GND side and are removed, so that the transistor Q2 does not cause abnormal oscillation.
以上のように本発明の一実施例では、トランジスタQ2
が安定に動作し送信する周波数の信号を出力している場
合は、その信号はGND側へは流れず、出力端子4に出
力される。As described above, in one embodiment of the present invention, the transistor Q2
If it operates stably and outputs a signal at the frequency to be transmitted, the signal does not flow to the GND side and is output to the output terminal 4.
また、アンテナ部の破損等により生じた反射波が、トラ
ンジスタQ2に入力されても、トランジスタQ2が異常
発振を起こすことなない。Further, even if a reflected wave caused by damage to the antenna section or the like is input to the transistor Q2, the transistor Q2 will not cause abnormal oscillation.
つまり、トランジスタQ、の入力側で、入力信号の低周
波ノイズをGND側に流してトランジスタQ、の動作を
安定させ、さらに、トランジスタQ2の出力側で、トラ
ンジスタQ2が異常発振を起こした場合発生する低周波
ノイズを除去している。In other words, on the input side of transistor Q, the low frequency noise of the input signal is passed to the GND side to stabilize the operation of transistor Q, and furthermore, on the output side of transistor Q2, if transistor Q2 causes abnormal oscillation. It removes low frequency noise.
なお、一実施例では、2つのトランジスタを用いて増幅
を2段で行っているが、全体として所望のゲインを得る
ためには、1段目のゲインを2段目のゲインより高く設
定した方が効果的である。Note that in one embodiment, amplification is performed in two stages using two transistors, but in order to obtain the desired overall gain, it is recommended to set the gain of the first stage higher than the gain of the second stage. is effective.
その理由は以下に述べるとおりである。The reason is as described below.
前述したように、一実施例のトランジスタは、所望とす
る送信周波数でゲインが最大になるように設定されてい
るため、それ以外の周波数の信号成分は、はとんど増幅
されない。As described above, the transistor in one embodiment is set so that the gain is maximized at the desired transmission frequency, so signal components at other frequencies are rarely amplified.
従って、1段目では十分ゲインを上げて、所望とする送
信周波数の信号も、ノイズ成分の信号も両方増幅してや
る。Therefore, in the first stage, the gain is sufficiently increased to amplify both the desired transmission frequency signal and the noise component signal.
そして、2段目ではコンデンサC6と抵抗R6によって
、入力信号をGND側に逃がして、入力信号を減衰させ
てやることより、所望とする信号のゲインはそれほど下
げずに、ノイズだけを効果的に除去してやることができ
る。In the second stage, the input signal is released to the GND side using the capacitor C6 and the resistor R6, and the input signal is attenuated. This effectively reduces the noise without reducing the gain of the desired signal. You can remove it.
具体的には、第2図の回路において、例えば抵抗R2を
300Ω、抵抗R6を160Ωといった具合に、入力端
とGNDに接続されたコンデンサC1,C6との間の抵
抗R2,R6の値を調節してやることで実現できる。Specifically, in the circuit shown in Fig. 2, the values of the resistors R2 and R6 between the input terminal and the capacitors C1 and C6 connected to GND are adjusted so that, for example, the resistor R2 is 300Ω and the resistor R6 is 160Ω. It can be achieved by doing this.
さらに、2段目の入力部分の抵抗R6の値を小さく設定
できることにより、アンテナ部の低いインピーダンス(
例えば50Ω)に近付けることができ、トランジスタQ
2の動作を安定にすることができる。Furthermore, by being able to set the value of resistor R6 in the second stage input section to a small value, the antenna section has a low impedance (
For example, the transistor Q
The second operation can be stabilized.
またこの際、トランジスタQ、、Q、にバイアスする電
源VDDI + ”DD2の値を適宜変えてもよい。Further, at this time, the value of the power supply VDDI + "DD2 biasing the transistors Q, , Q, may be changed as appropriate.
以上本発明を一実施例により説明し、図中トランジスタ
としてFETを用いたが、バイポーラ型であってもよい
。The present invention has been described above with reference to one embodiment, and FETs are used as transistors in the drawings, but bipolar transistors may also be used.
また、一実施例では増幅器の段数を2段で説明したが、
さらに多段にしてもよい。In addition, in one embodiment, the number of stages of the amplifier was explained as two stages, but
It is also possible to have multiple stages.
以上説明したように本発明によれば、アイソレータを用
いずに、アンテナ部からの反射波によって、増幅器が異
常発振するのを防止することができるという効果を奏す
る。As explained above, according to the present invention, it is possible to prevent abnormal oscillation of the amplifier due to reflected waves from the antenna section without using an isolator.
従って、高価で、大きな部品であったアイソレータを用
いないため、無線機の低コスト化、小型化に寄与すると
ころが大きい。Therefore, since an isolator, which is an expensive and large component, is not used, this greatly contributes to lower cost and smaller size of radio equipment.
第1図は、本発明の詳細な説明する回路図で、第2図は
、本発明の一実施例を説明する回路図で、第3図は、従
来の無線機の構成を示すブロック図である。
Q0〜Q2・・・・・・・・・トランジスタR0〜R1
・・・・・・・・・抵抗FIG. 1 is a circuit diagram explaining the present invention in detail, FIG. 2 is a circuit diagram explaining an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of a conventional radio device. be. Q0~Q2......Transistor R0~R1
·········resistance
Claims (1)
3の電源(V_G_G)と、 入力端が該入力端子(3)に接続され、出力端の一端が
該出力端子(4)に接続され、該出力端の他端が該第1
の電源(GND)に接続されたトランジスタ(Q_0)
と、 該第3の電源(V_G_G)と該第1の電源(GND)
との間に設けられ、該トランジスタ(Q_0)にバイア
スを供給するバイアス手段と、 該入力端子(3)と該第1の電源(GND)との間に設
けられ、該入力端子(3)から入力される信号を減衰さ
せるインピーダンス手段(R2、C1)と、該トランジ
スタ(Q_0)で増幅する周波数の信号は、該出力端子
(4)に出力し、当該周波数以外の信号は、該第1の電
源(GND)側に通過させるように、該出力端子(4)
に接続された該トランジスタ(Q_0)の出力端に、一
端が接続されたインダクタンス手段(RFC)と、 該インダクタンス手段(RFC)の他端に接続されたイ
ンピーダンス手段(R4、C2)及び容量(C3)及び
該第2の電源(V_D_D)とを有することを特徴とす
る高周波増幅回路。[Claims] An input terminal (3), an output terminal (4), a first power source (GND), a second power source (V_D_D), and a third power source (V_G_G), and the input terminal is the input terminal. (3), one end of the output terminal is connected to the output terminal (4), and the other end of the output terminal is connected to the first output terminal (4).
Transistor (Q_0) connected to the power supply (GND) of
and the third power source (V_G_G) and the first power source (GND)
a bias means provided between the input terminal (3) and the first power supply (GND) and supplying a bias to the transistor (Q_0); The impedance means (R2, C1) that attenuates the input signal and the signal of the frequency amplified by the transistor (Q_0) are output to the output terminal (4), and signals other than the frequency are output to the first terminal. Connect the output terminal (4) so that it passes to the power supply (GND) side.
An inductance means (RFC) whose one end is connected to the output terminal of the transistor (Q_0) connected to the transistor (Q_0), and an impedance means (R4, C2) and a capacitor (C3) connected to the other end of the inductance means (RFC). ) and the second power supply (V_D_D).
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP23922489A JP2911919B2 (en) | 1989-09-14 | 1989-09-14 | High frequency amplifier circuit |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03101523A true JPH03101523A (en) | 1991-04-26 |
JP2911919B2 JP2911919B2 (en) | 1999-06-28 |
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ID=17041596
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000028673A1 (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency radio circuit |
JP4926722B2 (en) * | 2004-02-11 | 2012-05-09 | ヌジラ、リミテッド | Power amplifier with stabilizing network |
-
1989
- 1989-09-14 JP JP23922489A patent/JP2911919B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2000028673A1 (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency radio circuit |
US6472952B1 (en) | 1998-11-10 | 2002-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna duplexer circuit with a phase shifter on the receive side |
JP4926722B2 (en) * | 2004-02-11 | 2012-05-09 | ヌジラ、リミテッド | Power amplifier with stabilizing network |
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JP2911919B2 (en) | 1999-06-28 |
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