JPH0298985A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0298985A JPH0298985A JP63251114A JP25111488A JPH0298985A JP H0298985 A JPH0298985 A JP H0298985A JP 63251114 A JP63251114 A JP 63251114A JP 25111488 A JP25111488 A JP 25111488A JP H0298985 A JPH0298985 A JP H0298985A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 16
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
-
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- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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-
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高い周波数の変調を可能とする之めの半導体
レーザ装置に関するものである。
レーザ装置に関するものである。
第４図は例えばＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ８ＩＪＴＴ１ｉＲ
８Ｖｏ１．２１ Ｎｏ、７ Ｐ、２９７に記載され几高
い周波数の変調が可能な半導体レーザ装置を示す断面図
である。
８Ｖｏ１．２１ Ｎｏ、７ Ｐ、２９７に記載され几高
い周波数の変調が可能な半導体レーザ装置を示す断面図
である。
図において、（１）はｎ−ＩｎＰ基板、（２）はＩｎＧ
ａＡｓＰ（ＤＶ−ザ活性層、 １３１＃−ｔＰ−ＩｎＰ
ｎチクド層、（４）はＰ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層、（５）はオーばツク電画、＋６）、＋７１Ｖｉそれ
ぞれ電流を阻止する次めの第１絶縁層、第２絶縁層であ
る。
ａＡｓＰ（ＤＶ−ザ活性層、 １３１＃−ｔＰ−ＩｎＰ
ｎチクド層、（４）はＰ −ＩｎＧａＡｓＰコンタクト
層、（５）はオーばツク電画、＋６）、＋７１Ｖｉそれ
ぞれ電流を阻止する次めの第１絶縁層、第２絶縁層であ
る。
次に動作について説明する。ｎ−ＩｎＰ基板１】）上に
レーザ活性Ｎ（２）、Ｐ−ＩｎＰｎツクド層（３）、Ｐ
−Ｉ ｎＧａＡａＰコンタクト層（４）全成長させた
後、レーザ活性層（２）近傍のみ２残して、他をエツチ
ングし、その後、第１絶縁層（６）、第２絶縁層（７）
を回りに埋め込み２オーミツクｉｔ （ｉ （５）ｋ形
成する。半導体レーザに高い周波数の変調をかける場合
、レーザ活性層（２）に効率工〈信号を入力するために
は、レーザ活性層（２）以外の部分に寄生容量を介して
リークする成分を甑力低減しなければならない。第４図
に示す欄造でげ、レーザ活性層＋２１の近傍以外は比較
的厚い絶縁層で埋め込まれているため、寄生容量は小さ
く、高い周波数の変調が可能となっている。
レーザ活性Ｎ（２）、Ｐ−ＩｎＰｎツクド層（３）、Ｐ
−Ｉ ｎＧａＡａＰコンタクト層（４）全成長させた
後、レーザ活性層（２）近傍のみ２残して、他をエツチ
ングし、その後、第１絶縁層（６）、第２絶縁層（７）
を回りに埋め込み２オーミツクｉｔ （ｉ （５）ｋ形
成する。半導体レーザに高い周波数の変調をかける場合
、レーザ活性層（２）に効率工〈信号を入力するために
は、レーザ活性層（２）以外の部分に寄生容量を介して
リークする成分を甑力低減しなければならない。第４図
に示す欄造でげ、レーザ活性層＋２１の近傍以外は比較
的厚い絶縁層で埋め込まれているため、寄生容量は小さ
く、高い周波数の変調が可能となっている。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、レーザ活性層の近傍以外はすべてエツチングしな
ければならず、精度の高いエツチング技術が要求され、
また、レーザ活性層近傍を絶縁層で埋め込むため、レー
ザ活性層にストレスが加わるという問題点があった。
ので、レーザ活性層の近傍以外はすべてエツチングしな
ければならず、精度の高いエツチング技術が要求され、
また、レーザ活性層近傍を絶縁層で埋め込むため、レー
ザ活性層にストレスが加わるという問題点があった。
この発明は上記の工うな問題点を解決するためになされ
たもので、比較的容易な方法で寄生容ｌ七を低減し友高
い周波数のｆ調が可能な半導体レーザ装＠を得ることを
目的とする。
たもので、比較的容易な方法で寄生容ｌ七を低減し友高
い周波数のｆ調が可能な半導体レーザ装＠を得ることを
目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置はボンディングバンド
（電極）下の厚い絶縁層をレーザ活性層から比較的離れ
た部分に形成したものである。
（電極）下の厚い絶縁層をレーザ活性層から比較的離れ
た部分に形成したものである。
この発明に２ける厚い絶縁層は、ポンディングパッド（
［極）下の寄生容量を低減する効果があり、しかもＶ−
ザ活性層から比較的離れた部分に形成する之め、加工が
容易であり、レーザ活性層にストレスを与えることがな
い。
［極）下の寄生容量を低減する効果があり、しかもＶ−
ザ活性層から比較的離れた部分に形成する之め、加工が
容易であり、レーザ活性層にストレスを与えることがな
い。
以下、この発明の一実施例を第１図ないし第３図につい
て説明する。
て説明する。
第１図は半導体レーザ装置の断面図、＠２図は半導体レ
ーザ装置の斜視図、第３図１ａｌ〜ｆＣ１は半導体レー
ザ装置のＭ造フローを示す断面図である。
ーザ装置の斜視図、第３図１ａｌ〜ｆＣ１は半導体レー
ザ装置のＭ造フローを示す断面図である。
図に２いて、ｌｒｌ〜（４）は第４図の従来例に示した
ものと同等であるので説明を省略する。
ものと同等であるので説明を省略する。
αＱはレーザ活性Ｊｖ／Ｉ［２１から離れた部分に形成
され九厚い絶ａ層、Ｑｌ）は絶縁層ａ１上Ｖζ形成され
たポンディングパッド（ＩＣ極） 、 ＜８）にレーザ
活性層ｒ２１に効率よく電流を注入するための電流ブロ
ック層、（９）けレーザ活性層＋２】を眠気的に分離す
るための分離麿である。８８３図１ａｌに示すごとく１
通常のレーザ構造を作製した後、第３図ｆｂｌに示すご
とく１分１ｍ溝（９）及びレーザ活性層（２）から離れ
ｔ部分に絶縁層００を埋め込む友めの溝を形成する。次
に第３図ｔｅｌに示すごとく絶縁層αＱを埋め込み、最
後に絶縁層α０上にバターニングしてボンディングバン
ド（電極）αυを形成する。
され九厚い絶ａ層、Ｑｌ）は絶縁層ａ１上Ｖζ形成され
たポンディングパッド（ＩＣ極） 、 ＜８）にレーザ
活性層ｒ２１に効率よく電流を注入するための電流ブロ
ック層、（９）けレーザ活性層＋２】を眠気的に分離す
るための分離麿である。８８３図１ａｌに示すごとく１
通常のレーザ構造を作製した後、第３図ｆｂｌに示すご
とく１分１ｍ溝（９）及びレーザ活性層（２）から離れ
ｔ部分に絶縁層００を埋め込む友めの溝を形成する。次
に第３図ｔｅｌに示すごとく絶縁層αＱを埋め込み、最
後に絶縁層α０上にバターニングしてボンディングバン
ド（電極）αυを形成する。
次に動作について説明する。半導体レーザに高り周波数
の変調をかける場合にレーザ活性層１２＋に効率工く信
号を入力する九めには、レーザ活性層（２）以外の部分
の寄生容量の低減が必要である。この構造での寄生容量
は、レーザ活性層（２）脇の電流ブロック層（８）及び
ポンディングパッド０η下に王に存在する。しかしボン
ディングバンドＯＤ下の寄生容量は７ｆ！、磁層０ｑの
厚さ及び誘電率に依存するｔめ絶縁物のポリイばとなど
を用いるととｒこエリ十分寄生各ｆを低減できる。第４
図に示す従来例においては、レーザ活性層１２１脇のブ
ロック層の代りに第１絶縁層（６）がｔＲ，ブロックの
効果を兼ねている定め、この実施例エリも全体の寄生容
量は小ざいが一般に電流ブロック層（８）の寄生容量エ
リもポンディングパッド０η下の寄生容量が比較的大き
いので、寄生容量低減の効果は大きく異ならず、この実
施例でも高い周波数の変調が可能となる。
の変調をかける場合にレーザ活性層１２＋に効率工く信
号を入力する九めには、レーザ活性層（２）以外の部分
の寄生容量の低減が必要である。この構造での寄生容量
は、レーザ活性層（２）脇の電流ブロック層（８）及び
ポンディングパッド０η下に王に存在する。しかしボン
ディングバンドＯＤ下の寄生容量は７ｆ！、磁層０ｑの
厚さ及び誘電率に依存するｔめ絶縁物のポリイばとなど
を用いるととｒこエリ十分寄生各ｆを低減できる。第４
図に示す従来例においては、レーザ活性層１２１脇のブ
ロック層の代りに第１絶縁層（６）がｔＲ，ブロックの
効果を兼ねている定め、この実施例エリも全体の寄生容
量は小ざいが一般に電流ブロック層（８）の寄生容量エ
リもポンディングパッド０η下の寄生容量が比較的大き
いので、寄生容量低減の効果は大きく異ならず、この実
施例でも高い周波数の変調が可能となる。
なお、上記実施例では、絶縁層αＱにポリイミドなどの
絶縁物を用いているが、絶縁層ＱＱＩＣＦｅドーグＩｎ
Ｐなどの半導体絶縁ｎを用いても同様な効果が得られる
。
絶縁物を用いているが、絶縁層ＱＱＩＣＦｅドーグＩｎ
Ｐなどの半導体絶縁ｎを用いても同様な効果が得られる
。
以上の工うにこの発明に工れば、ボンディングバンド下
に厚い絶縁層を設けることにエリ寄生容量が低減できる
ため高い周波数による変調が可能となり、絶縁層ｆＶ−
ザ活性層から比較的離れた部分に形成するため加工が容
易であり、レーザ活性層にストレスを与えることがない
という効果がある。
に厚い絶縁層を設けることにエリ寄生容量が低減できる
ため高い周波数による変調が可能となり、絶縁層ｆＶ−
ザ活性層から比較的離れた部分に形成するため加工が容
易であり、レーザ活性層にストレスを与えることがない
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図はこの発明の一実施例に関するもの
で第１図は半導体レーザ装置の断面図、第２図は半導体
レーザ装置の斜視図２第３図１ａｌ〜ｆｃｌｌｌ−を半
導体レーザ装置の製造フローを示す断面図、第４図は従
来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図に２いて、ｆｌｌｎｎ−ＩｎＰ基板、＋２１ＦｊＬ／
−ザ活性層、（３）はＰ−ＩｎＰクランド層、 ＋４）
ｌ”ｔ Ｐ −ＩｎＧａＡｓＰ ニア ７タクト層、（
８）は電流ブロック層、（９）は分離麿、 Ｑ（１ｆｌ
絶ｆｆ１７ｍ、ｃｌ］Ｊｒｊボンディングバンドである
。 な２、図中、同一符号は同一、又は相当部分金示す。 代塀人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図
で第１図は半導体レーザ装置の断面図、第２図は半導体
レーザ装置の斜視図２第３図１ａｌ〜ｆｃｌｌｌ−を半
導体レーザ装置の製造フローを示す断面図、第４図は従
来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図に２いて、ｆｌｌｎｎ−ＩｎＰ基板、＋２１ＦｊＬ／
−ザ活性層、（３）はＰ−ＩｎＰクランド層、 ＋４）
ｌ”ｔ Ｐ −ＩｎＧａＡｓＰ ニア ７タクト層、（
８）は電流ブロック層、（９）は分離麿、 Ｑ（１ｆｌ
絶ｆｆ１７ｍ、ｃｌ］Ｊｒｊボンディングバンドである
。 な２、図中、同一符号は同一、又は相当部分金示す。 代塀人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- レーザ活性層から離れた比較的広い領域において、ボン
ディングパッド部分とその下に厚い絶縁層を有すること
を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63251114A JPH0298985A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63251114A JPH0298985A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298985A true JPH0298985A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17217862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63251114A Pending JPH0298985A (ja) | 1988-10-05 | 1988-10-05 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0298985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403986B1 (en) | 1994-09-28 | 2002-06-11 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1988
- 1988-10-05 JP JP63251114A patent/JPH0298985A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403986B1 (en) | 1994-09-28 | 2002-06-11 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6790697B2 (en) | 1994-09-28 | 2004-09-14 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical semiconductor device and method of fabricating the same |
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