JPH0289060A - Method for forming minute resist pattern - Google Patents
Method for forming minute resist patternInfo
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は微細レジストパターンの形成方法に関するも
のであり、特に、ＬＳＩの製造プロセスにおけるリソグ
ラフィによる微細パターンの形成方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for forming a fine resist pattern, and in particular to a method for forming a fine pattern by lithography in an LSI manufacturing process.
［従来の技術］
リソグラフィとは、集積回路の非常に微細な回路パター
ンを半導体基板上に塗布された感光性材料であるレジス
ト膜上に転写する技術であり、紫外光線を使ったフォト
リソグラフィを初め、電子ビームリソグラフィ、Ｘ線リ
ソグラフィ、イオンビームリソグラフィなどがある。[Prior art] Lithography is a technology that transfers extremely fine circuit patterns of integrated circuits onto a resist film, which is a photosensitive material coated on a semiconductor substrate, and includes photolithography using ultraviolet light. , electron beam lithography, X-ray lithography, ion beam lithography, etc.
第６Ａ図、第６Ｂ図および第６Ｃ図は、光りソグラフィ
によって微細レジストパターンを形成する、従来の工程
を断面図で示したものである。FIGS. 6A, 6B, and 6C are cross-sectional views of a conventional process for forming a fine resist pattern by photolithography.
第６Ａ図を参照して、半導体基Ｅｌの上にレジスト２（
たとえば、ノボラック樹脂溶液に感光剤を混合したポジ
型レジスト）を−様に塗布し、乾燥する。次いで、第６
Ｂ図を参照して、フォトマスク３をレジスト膜２上に接
近させて、紫外線５を魚射し、露光する。次いで、第６
Ｃ図を参照して、フォトマスク３のパターンによる露光
部分をアルカリ溶液等で現像して溶解すると、微細レジ
ストパターン４が半導体基板１上に形成される。Referring to FIG. 6A, a resist 2 (
For example, a positive resist consisting of a novolac resin solution mixed with a photosensitizer) is applied in a uniform manner and dried. Then, the sixth
Referring to Figure B, the photomask 3 is brought close to the resist film 2, and ultraviolet rays 5 are emitted to expose it. Then, the sixth
Referring to Figure C, when the exposed portion of the pattern of the photomask 3 is developed and dissolved with an alkaline solution or the like, a fine resist pattern 4 is formed on the semiconductor substrate 1.
その後、この微細レジストパターン４をマスクにエツチ
ングなどを行なって、集積回路を制作してゆく。最近の
ＬＳＩの進歩は、この微細加］−技術に負うところが大
きい。Thereafter, etching is performed using this fine resist pattern 4 as a mask to produce an integrated circuit. Recent advances in LSIs are largely due to this micro-machining technology.
［発明が解決しようとする課題］
従来のりソゲラフイエ程は以上のように構成されている
。しかしながら、半導体基板１の反り、半導体基板１の
段差および露光機（図示せず）のレンズフォーカスのば
らつきによる焦点ずれ等を考慮し、第６Ｂ図に示す露光
時において、露光を多少過剰に行ない、安定した幅寸法
をＨする微細レジストパターン４を形成するのが通常で
ある。[Problems to be Solved by the Invention] The conventional seaweed gelatinette is configured as described above. However, in consideration of the warping of the semiconductor substrate 1, the difference in level of the semiconductor substrate 1, and the focus shift due to variations in lens focus of the exposure machine (not shown), the exposure is slightly excessively carried out at the time of exposure shown in FIG. 6B. Usually, a fine resist pattern 4 having a stable width dimension H is formed.
ところが、露光を過剰に行なうと、光の回り込みを生じ
、第７図（第７図は、半導体基板１上に形成された現像
後の微細レジストパターンとフォトマスクのパターンと
の関係を示したものである。However, excessive exposure causes light to wrap around, and as shown in FIG. It is.
）を参照して、フォトマスク３のパターン３ａの幅寸法
（Ｌｒ＋）よりも小さい幅寸法（Ｌ、）の微細レジスト
パターン４が得られる。微細レジストパターンのｍ寸ｍ
ＬＲとフォトマスク３のパターン３ａの幅寸法Ｌ０の差
（Ｌ、−ｔ、ｒｌ）はＣＤロス（Ｃｒｉｔｉｃａｌ
ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ １ｏｓｓ）と呼ばれ、通常は負
の値を示す。), a fine resist pattern 4 having a width (L, ) smaller than the width (Lr+) of the pattern 3a of the photomask 3 is obtained. Fine resist pattern m dimension
The difference (L, -t, rl) between LR and the width dimension L0 of the pattern 3a of the photomask 3 is the CD loss (critical
dimension 1oss) and usually indicates a negative value.
このように、従来のりソゲラフイエ程では、フォトマス
ク３のパターン３ａの寸法通りのレジストパターン４が
得られず、解像力が悪いという結論につながっていた。As described above, in the conventional adhesive processing, the resist pattern 4 having the same dimensions as the pattern 3a of the photomask 3 could not be obtained, leading to the conclusion that the resolution was poor.
このことは、ＬＳＩ回路の設計を行なう時点で、大きな
問題となっていた。This has been a major problem when designing LSI circuits.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、フォトマスクのパターンの寸法通りの（ＣＤ
ロスが０）、または、それより少し太い（ＣＤロスが正
）微細レジストパターンが得られる、微細レジストパタ
ーンの形成方法を提供することを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems.
It is an object of the present invention to provide a method for forming a fine resist pattern that can obtain a fine resist pattern with zero loss or slightly thicker (positive CD loss).
［課題を解決するための手段］
この発明にかかる微細レジストパターンの形成方法は、
基板上にリソグラフィにより微細レジストパターンを形
成する工程と、前記基板上に形成された上記微細レジス
トパターンの側壁に単分子膜を形成し、それによって前
記微細レジストパターンの幅方向の寸法を大きくする工
程と、を含む。[Means for Solving the Problems] A method for forming a fine resist pattern according to the present invention includes:
a step of forming a fine resist pattern on a substrate by lithography; and a step of forming a monomolecular film on the sidewalls of the fine resist pattern formed on the substrate, thereby increasing the dimension in the width direction of the fine resist pattern. and, including.
［作用］
この発明によれば、基板上に形成された微細レジストパ
ターンの側壁にｔｌｔ分子膜を形成し、これによって上
記微細レジストパターンの幅方向の寸法を大きくするの
で、ＣＤロスが０または正の微細レジストパターンが得
られ、解像力が実質的に向上する。[Function] According to the present invention, a TLT molecular film is formed on the sidewall of a fine resist pattern formed on a substrate, thereby increasing the dimension in the width direction of the fine resist pattern, so that the CD loss is zero or positive. A fine resist pattern is obtained, and the resolution is substantially improved.
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１Ａ図〜第１Ｃ図は、この発明の一実施例の原理を断
面図で示したものである。FIGS. 1A to 1C are sectional views showing the principle of an embodiment of the present invention.
第１Ａ図を参照して、半導体基板１の上にリソグラフィ
法により微細レジストパターン４が形成されている。図
中、ＬＭはフォトマスクのパターンの幅寸法であり、Ｌ
、は微細レジストパターンの幅寸法である。ここに、微
細レジストパターン幅寸法（Ｌ、）は、フォトマスクの
パターンの幅・ｊ°法（ＬＭ）よりも小さくなっている
。Referring to FIG. 1A, a fine resist pattern 4 is formed on a semiconductor substrate 1 by lithography. In the figure, LM is the width dimension of the photomask pattern, and L
, is the width dimension of the fine resist pattern. Here, the fine resist pattern width dimension (L, ) is smaller than the photomask pattern width/j° method (LM).
第１Ｂ図を参照して、微細レジストパターン４を含む半
導体基板１上に、ラングミュア・プロジェット法により
、均一に、単分子膜であるＬＢ成膜を形成する。Referring to FIG. 1B, a monomolecular LB film is uniformly formed on the semiconductor substrate 1 including the fine resist pattern 4 by the Langmuir-Prodgett method.
ラングミュア・プロジェット法によるＬａ膜とは、水面
上の単分子膜を基板上に累積した超薄膜をいい、Ｉ、Ｌ
ａｎｇｍｕｉｒとに、Ｂｌｏｄｇｅｔｔにより開発され
た方法なのでこの呼名がある。Ｌａ膜の特徴は、他の超
薄膜作製法と異なり、常温常圧の温和な条件の下での膜
作製という点にある。したがって、成膜段階における分
子の分解などが生じない。水面上の単分子膜は、半導体
等の清浄で平滑な基板表面に、１層ずつ移し取り、累積
することができる。また、基板表面に多少の凹凸があっ
ても、難なく薄膜を基板上に形成できる。その方法は垂
直浸漬法と水平・付青法に分けられるが、本発明ではい
ずれの方法であってもよい。A La film produced by the Langmuir-Prodgett method is an ultra-thin film obtained by accumulating a monomolecular film on a water surface on a substrate.
Angmuir has this name because it is a method developed by Blodgett. A feature of the La film is that, unlike other ultra-thin film production methods, the film is produced under mild conditions of room temperature and normal pressure. Therefore, decomposition of molecules does not occur during the film formation stage. The monomolecular film on the water surface can be transferred and accumulated layer by layer onto the surface of a clean and smooth substrate such as a semiconductor. Furthermore, even if the substrate surface has some irregularities, a thin film can be formed on the substrate without difficulty. The method can be divided into a vertical dipping method and a horizontal dipping method, but either method may be used in the present invention.
垂直浸漬法では固体状態にある中分子膜を過って基板を
垂直に上下する。一方、水平付着法は水面に対して基板
を水平に保持し、そのまま単分子膜に接触させて基板上
に移し取る。In the vertical immersion method, the substrate is vertically moved up and down past the middle molecular film in a solid state. On the other hand, in the horizontal deposition method, the substrate is held horizontally with respect to the water surface, and the monomolecular film is brought into contact with the monomolecular film and transferred onto the substrate.
代表的成膜分子には、直鎖飽和脂肪酸（ステアリン酸、
アラキン酸、ベヘン酸等）、またはベンゼン環を含むフ
ェノール樹脂等の高分子がある。Typical film-forming molecules include linear saturated fatty acids (stearic acid,
arachidic acid, behenic acid, etc.) or phenolic resins containing benzene rings.
Ｌａ膜の評価には、Ｘ線解析、電子線解析、表面粗さ測
定、赤外吸収スペクトル、ラマンスペクトル等、これま
で一般に用いられている測定法が好ましく採用される。For evaluation of the La film, measurement methods commonly used up to now, such as X-ray analysis, electron beam analysis, surface roughness measurement, infrared absorption spectrum, and Raman spectrum, are preferably employed.
ＬＢ膜を何層にも積重ねて形成し、約０．１〜０．２μ
ｍの厚みのものを得る。次に、第１ｃ図を参照して、Ｏ
，ガスを用いる反応性イオンエツチング７を行なって、
半導体基板ｌの表面に付否したＬＢＢｏ３除去する。こ
のとき、微細レジストパターン４の頂上に形成れている
ＬＢ膜も除去されるが、微細レジストパターン４の側壁
に形成されたＬＢ膜は残されるために、もとの微細レジ
ストパターンの幅寸法（Ｌ、）よりも太い幅１法（Ｌ、
’）を合する微細レジストパターンが得られる。Formed by stacking many layers of LB film, approximately 0.1 to 0.2μ
Obtain one with a thickness of m. Next, referring to FIG. 1c, O
, perform reactive ion etching 7 using gas,
LBBo3 attached to the surface of the semiconductor substrate l is removed. At this time, the LB film formed on the top of the fine resist pattern 4 is also removed, but the LB film formed on the side wall of the fine resist pattern 4 is left, so the width dimension of the original fine resist pattern ( Width 1 method (L, ) thicker than L,
') A fine resist pattern is obtained.
第２Ａ図〜第２Ｃ図は、ハーフミクロン以下の幅寸法を
有する微細レジストパターンに上記実施例を適用した場
合の工程図である。FIGS. 2A to 2C are process diagrams when the above embodiment is applied to a fine resist pattern having a width dimension of half a micron or less.
第２Ａ図を参照して、半導体基板１上に、０゜１７５
ｌｔ ｍの幅寸法を有する微１＋１ルジストパターン４
がＱ、２２５μｍの間隔をおいて形成されている。Referring to FIG. 2A, on the semiconductor substrate 1,
Fine 1+1 Lugist pattern 4 with width dimension of lt m
are formed at intervals of 225 μm.
第２Ｂ図を参照して、微細レジストパターン４を含む゛
ｉ導体基板１上に、ラングミュア・プロジェット法によ
り、均一にＬＢＢｏ３形成する。ＬＢ膜の材料としては
、上述のとおり、ステアリン酸等の有機物またはベンゼ
ン環を含むフェノール樹脂等の高分子が適切である。Ｌ
Ｂ膜を何層にも枯重ねて形成し、０．０２５μｍの厚み
のものを得る。Referring to FIG. 2B, LBBo 3 is uniformly formed on i-conductor substrate 1 including fine resist pattern 4 by the Langmuir-Prodgett method. As mentioned above, suitable materials for the LB film are organic substances such as stearic acid or polymers such as phenol resin containing a benzene ring. L
The B film is formed in many layers to obtain a film with a thickness of 0.025 μm.
次に、第２Ｃ図を参照して、０２ガスを用いる反応性イ
オンエツチングにより、半導体基板１の表面に付着した
ＬＢ膜を除去する。このとき、微細レジストパターン４
の頂上に形成されているＬＢ膜も除去されるが、微細レ
ジストパターン４の側壁に形成されたＬＢ［は残される
。こうして、半導体基板１上に、０．２μｍの幅寸法を
有する微細レジストパターン４が、０．２μｍの間隔を
おいて、形成される。この微細レジストパターン４はフ
ォトマスクのパターンの幅寸法に近づいており、結局、
解像力が実質的に向上したことを意味する。Next, referring to FIG. 2C, the LB film attached to the surface of the semiconductor substrate 1 is removed by reactive ion etching using O2 gas. At this time, the fine resist pattern 4
The LB film formed on the top of the fine resist pattern 4 is also removed, but the LB film formed on the side wall of the fine resist pattern 4 is left behind. In this way, fine resist patterns 4 having a width dimension of 0.2 μm are formed on the semiconductor substrate 1 at intervals of 0.2 μm. This fine resist pattern 4 approaches the width dimension of the photomask pattern, and as a result,
This means that the resolution has been substantially improved.
第３Ａ図および第３Ｂ図は、上記実施例の方法が解像力
の向上につながることを説明するための図である。第３
Ａ図を参照して、リソグラフィ法により、半導体基板１
上に微細レジストパターン４が、０．５μｍの間隔をお
いて形成されている。FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining that the method of the above embodiment leads to an improvement in resolution. Third
Referring to Figure A, a semiconductor substrate 1 is formed by lithography.
Fine resist patterns 4 are formed thereon at intervals of 0.5 μm.
第３Ｂ図は、上記微細レジストパターン４の側壁に０．
１〜０．１５μｍのＬＢ膜を形成したものの断面図であ
る。第３Ａ図と第３Ｂ図を参照して、ＬＢＢｏ３微細レ
ジストパターン４の側壁に形成されることによって、微
細レジストパターン４の間隔が０．５μｍから０ 、
２〜０ 、 ３ μｔｎに縮まっていることがわかる。FIG. 3B shows that the sidewall of the fine resist pattern 4 has a 0.
FIG. 2 is a cross-sectional view of an LB film formed with a thickness of 1 to 0.15 μm. Referring to FIGS. 3A and 3B, by forming the LBBo3 fine resist pattern 4 on the side wall, the interval between the fine resist patterns 4 is from 0.5 μm to 0,
It can be seen that it has shrunk to 2 to 0.3 μtn.
このことは、微細レジストハターン４の間隔が、フォト
マスクのパターンの間隔に近づいていることを意味し、
解像力が実質的に向上したことを示す。This means that the spacing between the fine resist patterns 4 is approaching the spacing between the photomask patterns,
This indicates a substantial improvement in resolution.
第４Ａ図および第４Ｂ図は、この発明の他の実施例を断
面図で示したものである。FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views of another embodiment of the invention.
第４Ａ図を参照して、半導体基板１上に、リングラフィ
法により微細レジストパターン４を形成し、微細レジス
トパターン４の側壁にＬＢＢｏ３形成する。次いで、第
４Ｂ図を参照して、遠紫外キュア８とポストベーク９（
１５０〜２００℃）を施し、もとの微細レジストパター
ン４とＬＢＢｏ３の架橋を行なう。このような架橋処理
を行なうことにより、ＬＢ膜の耐ドライエツチング性が
向上する。Referring to FIG. 4A, a fine resist pattern 4 is formed on the semiconductor substrate 1 by a phosphorography method, and LBBo3 is formed on the sidewall of the fine resist pattern 4. Next, with reference to FIG. 4B, deep ultraviolet cure 8 and post bake 9 (
150 to 200° C.) to crosslink the original fine resist pattern 4 and LBBo3. By performing such a crosslinking treatment, the dry etching resistance of the LB film is improved.
第５Ａ図〜第５Ｃ図は、この発明のさらに他の実施例に
かかる工程を断面図で表わしたものである。FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing steps according to still another embodiment of the present invention.
第５Ａ図を参照して、半導体基板１上にリソグラフィ法
により微細レジストパターン４を形成する二微細レジス
トパターン４が形成された後、表面に０２ガスを用いる
プラズマ処理またはオゾン処理を施し、微細レジストパ
ターン４の表面にＣＯ□Ｈ等の極性Ｊ！１０を形成する
。このとき、半導体基板１の表面には極性基１０は形成
されない。Referring to FIG. 5A, after two fine resist patterns 4 are formed on a semiconductor substrate 1 by lithography, the surface is subjected to plasma treatment using 02 gas or ozone treatment to form fine resist patterns. Polar J! such as CO□H on the surface of pattern 4! form 10. At this time, polar groups 10 are not formed on the surface of semiconductor substrate 1.
次に、第５Ｂ図を参照して、ラングミュア・ブロジェッ
ト法によりＬＢＢｏ３形成する。このとき、ＬＢＢｏ３
極性基１０に対応するように配向するが、半導体基板１
の表面には極性基が存在しないため、そこにはＬＢ膜は
形成されない。第５Ｃ図は、このようにして形成された
微細レジストパターンを模式的に表わしたものである。Next, referring to FIG. 5B, LBBo3 is formed by the Langmuir-Blodgett method. At this time, LBBo3
Semiconductor substrate 1 is oriented to correspond to polar group 10.
Since there are no polar groups on the surface, no LB film is formed there. FIG. 5C schematically shows the fine resist pattern thus formed.
この微細レジストパターンはフォトマスクのパターンの
幅寸法に近づいており、結局、解像力が実質的に向上し
たことを意味する。第１Ａ図〜第１Ｃ図にかかる実施例
では、ＬＢ膜形成後に、０２ガスを用いる反応性イオン
エツチングにより半導体基板表面に存するＬＢ膜を除去
したが、本実施例では、このような工程は不要となる。This fine resist pattern approaches the width dimension of the photomask pattern, which ultimately means that the resolution has been substantially improved. In the example shown in FIGS. 1A to 1C, after the LB film was formed, the LB film existing on the surface of the semiconductor substrate was removed by reactive ion etching using 02 gas, but in this example, such a step is unnecessary. becomes.
なお、上記実施例においては、半導体基板の表面に接触
してレジストパターンを形成したものについて説明した
が、半導体基板の表面上に形成された絶縁膜上あるいは
金属層上にレジストパターンを形成したものであっても
適用できる。In the above embodiments, the resist pattern was formed in contact with the surface of the semiconductor substrate, but it is also possible to form the resist pattern on an insulating film or a metal layer formed on the surface of the semiconductor substrate. It can be applied even if
また、上記実施例では単分子膜としてＬＢ膜を例示した
が、この発明はこれに限られるものでなく、他の方法で
作った薄膜であっても、実施例と同様の効果を実現する
。Further, in the above embodiments, an LB film was used as an example of a monomolecular film, but the present invention is not limited to this, and even thin films made by other methods can achieve the same effects as in the embodiments.
［発明の効果］
この発明によれば、基板上に形成された微細レジストパ
ターンの側壁に単分子膜を形成し、これによって上記微
細レジストパターンの幅方向の寸法を大きくするので、
ＣＤロスが０または正の微細レジストパターンが得られ
、解像力が実質的に向上する。そのため、現在の集積度
より一段と高い集積度を有するＤＲＡＭ笠の半導体装置
の開発を促進することができる等の効果を奏する。[Effects of the Invention] According to the present invention, a monomolecular film is formed on the sidewall of a fine resist pattern formed on a substrate, thereby increasing the dimension in the width direction of the fine resist pattern.
A fine resist pattern with zero or positive CD loss is obtained, and the resolution is substantially improved. Therefore, it is possible to promote the development of a DRAM cap semiconductor device having a higher degree of integration than the current degree of integration.
第１Ａ図、第１Ｂ図および第１Ｃ図は本発明の一実施例
である微細レジストパターン形成方法の原理を断面図で
示したものである。
第２Ａ図、第２Ｂ図および第２Ｃ図は、本発明の一実施
例をハーフミクロン以下の微細レジス！・パターンに応
用したときの工程を断面図で示したものである。
第３Ａ図および第３Ｂ図は、上記実施例の方法が解像力
の向上につながることを説明するための図である。
第４Ａ図および第４Ｂ図は、この発明の他の実施例を断
面図で示したものである。
第５Ａ図、第５Ｂ図および第５Ｃ図は、この発明のさら
に他の実施例に係る工程を断面図で示したものである。
’ｊｊ’、 ６ Ａ図、第６Ｂ図および第６Ｃ図は、従
来の微細レジストパターン形成方法の工程を断面図で示
したものである。
第７図は、従来の微細パターン形成工程において生じる
問題点を説明するための断面図である。
図において、１は半導体基板、２はレジスト、３はフォ
トマスク、４は微細レジストパターン、５は紫外線、６
はＬＢ膜である。
なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
第２Ａ図
第２Ｂ図FIGS. 1A, 1B, and 1C are cross-sectional views showing the principle of a method for forming a fine resist pattern according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2A, 2B, and 2C show an embodiment of the present invention with a fine resist of half a micron or less!・This is a cross-sectional diagram showing the process when applied to patterns. FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining that the method of the above embodiment leads to an improvement in resolution. FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views of another embodiment of the invention. FIGS. 5A, 5B, and 5C are cross-sectional views showing steps according to still another embodiment of the present invention. 'jj', 6A, 6B, and 6C are cross-sectional views showing the steps of a conventional method for forming a fine resist pattern. FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining problems that occur in the conventional fine pattern forming process. In the figure, 1 is a semiconductor substrate, 2 is a resist, 3 is a photomask, 4 is a fine resist pattern, 5 is an ultraviolet ray, 6
is an LB film. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Figure 2A Figure 2B
Claims (1)
成する工程と、 前記基板上に形成された前記微細レジストパターンの側
壁に単分子膜を形成し、それによって前記微細レジスト
パターンの幅方向の寸法を大きくする工程と、を含む微
細レジストパターンの形成方法。[Scope of Claims] A step of forming a fine resist pattern on a substrate by lithography, and forming a monomolecular film on a side wall of the fine resist pattern formed on the substrate, thereby forming a monomolecular film in the width direction of the fine resist pattern. A method for forming a fine resist pattern, comprising: increasing the dimensions of the resist pattern.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63242004A JP2565754B2 (en) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | Method for forming fine resist pattern |
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| JPH0289060A true JPH0289060A (en) | 1990-03-29 |
| JP2565754B2 JP2565754B2 (en) | 1996-12-18 |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173842A (en) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Canon Inc | Pattern formation method |
| JPS62229246A (en) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Canon Inc | Formation of pattern |
| JPS62293242A (en) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and material for forming pattern |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63242004A patent/JP2565754B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60173842A (en) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | Canon Inc | Pattern formation method |
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| JPS62293242A (en) * | 1986-06-12 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and material for forming pattern |
Also Published As
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|---|---|
| JP2565754B2 (en) | 1996-12-18 |
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