JPH0279430A - Method of drying wafer - Google Patents
Method of drying waferInfo
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- JPH0279430A JPH0279430A JP23110788A JP23110788A JPH0279430A JP H0279430 A JPH0279430 A JP H0279430A JP 23110788 A JP23110788 A JP 23110788A JP 23110788 A JP23110788 A JP 23110788A JP H0279430 A JPH0279430 A JP H0279430A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、ウェハの乾燥方法に関し、更に詳しくは半
導体シリコンウェハやガラスフォトマスク等の表面に付
着した水滴を除去、乾燥させるための方法に係るもので
ある。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for drying a wafer, and more specifically to a method for removing and drying water droplets attached to the surface of a semiconductor silicon wafer, a glass photomask, etc. This is related.
[発明の概要]
本発明は、ウェハの乾燥方法において、ウェハをスピン
ナー乾燥するに際し、相対湿度80%以上の雰囲気で乾
燥を行なうことにより、水滴の自然乾燥を防止し、水が
蒸発してウェハ上に溶解物が残留してできるウォターマ
ークの発生を防止すると共に、ウェハに静電荷が帯電す
るのを防止するようにしたものである。[Summary of the Invention] In a wafer drying method, the present invention prevents natural drying of water droplets by drying the wafer in an atmosphere with a relative humidity of 80% or more when drying the wafer using a spinner. This prevents the formation of water marks caused by residual dissolved matter on the wafer, and also prevents the wafer from being electrostatically charged.
[従来の技術]
従来、この種のウェハの乾燥方法としては、例えば、実
公昭62−21002号及び実公昭62−2IQ03号
公報に開示されたものがある。[Prior Art] Conventionally, this type of wafer drying method is disclosed in, for example, Japanese Utility Model Publication No. 62-21002 and Japanese Utility Model Publication No. 62-2IQ03.
これら両者とも、ウェハを回転させて水滴を遠心力で振
り切るスピンナー乾燥法を用いるものであって、例えば
、第2図に示す如く、ケーシングl内のロータ2にウェ
ハ3を支持し、このロータ2を高速回転させて水滴を吸
気口4側から排気口5側に流れる空気にのせてケーシン
グl外へ水を排除させるようになっている。Both of these methods use a spinner drying method in which the wafer is rotated and water droplets are shaken off by centrifugal force.For example, as shown in FIG. is rotated at high speed to place water droplets on the air flowing from the intake port 4 side to the exhaust port 5 side, thereby expelling the water out of the casing l.
また、他の方法としては、高純度のイソプロピルアルコ
ール(I PA)の蒸気にウェハを晒し、蒸留されたイ
ソプロピルアルコールをウェハに凝縮させてウェハ表面
上の水がイソプロピルアルコールに置換されるのを待ち
、次にイソプロピルアルコールを蒸発させて、ウェハを
乾燥させるIPA乾燥が知られている。Another method is to expose the wafer to high-purity isopropyl alcohol (IPA) vapor, allow the distilled isopropyl alcohol to condense on the wafer, and wait for the water on the wafer surface to be replaced by isopropyl alcohol. IPA drying is known in which the wafer is then dried by evaporating isopropyl alcohol.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような従来の乾燥方法においては、
以下のような問題点がある。[Problems to be solved by the invention] However, in such conventional drying methods,
There are the following problems.
スピンナー乾燥法にあっては、ウェハを、撥水性を有す
るテフロンキャリアに乗せることが多く、この場合ウェ
ハに空気との摩擦により静電気が生じ、テフロンキャリ
アが絶縁体であるため、ウェハに空気との摩擦で生じた
静電気が帯電するという問題点があった。また、回転に
より水滴がウェハ表面から振り切られる前に、水が蒸発
し、溶解物がウェハ表面に残留し所謂ウォータマークが
できる問題点がある。なお、ウォータマークの防止対策
としては、回転を2段階にして、先ず低速で回わした後
、高速回転を行なうことや、ケーシング内に固定翼を設
け、振り飛ばされた水滴が再びウェハに戻ってこないよ
うに気流を工夫する対策が講じられているが、根本的な
解決を図ることはできない問題があった。In the spinner drying method, the wafer is often placed on a water-repellent Teflon carrier. In this case, static electricity is generated on the wafer due to friction with the air, and since the Teflon carrier is an insulator, the wafer is placed on a water-repellent Teflon carrier. There was a problem in that static electricity generated by friction was charged. Another problem is that water evaporates before the water droplets are shaken off from the wafer surface due to rotation, and dissolved matter remains on the wafer surface, resulting in so-called watermarks. Measures to prevent watermarks include two-step rotation, first at low speed and then high-speed rotation, and by installing fixed blades inside the casing to prevent water droplets from returning to the wafer. Measures have been taken to improve airflow to prevent this from happening, but there are problems that cannot be fundamentally resolved.
一方、IPA乾燥法においては、凝縮したIPA中の不
純物が蒸発後に残る問題があり、また、トレンチなどの
ように、段差の奥に入った水の置換が完全に行なえない
などの問題点がある。On the other hand, the IPA drying method has the problem that impurities in the condensed IPA remain after evaporation, and there are also problems such as the inability to completely replace water that has entered the depths of steps such as trenches. .
本発明は、このような諸問題に着目して成されたもので
あって、ウォータマークができず、しかも静電気が滞り
にくいウェハの乾燥方法を得んとするものである。The present invention has been made in view of these problems, and aims to provide a method for drying wafers that does not cause watermarks and is less likely to accumulate static electricity.
[課題を解決するための手段]
そこで、本発明は、ウェハをスピンナー乾燥するに際し
、相対湿度80%以上の雰囲気で乾燥を行なうことを、
その解決手段としている。[Means for Solving the Problems] Therefore, the present invention provides the following features: When drying a wafer with a spinner, drying is performed in an atmosphere with a relative humidity of 80% or more.
This is the solution.
[作用]
相対湿度80%以上の雰囲気中でウェハをスピンナー乾
燥することにより、水の蒸発がほとんど無い状態で水滴
を振り切る作用がある。[Function] By drying the wafer with a spinner in an atmosphere with a relative humidity of 80% or more, there is an effect of shaking off water droplets with almost no water evaporation.
[実施例]
以下、本発明に係るウェハの乾燥方法の詳細を図面に示
す実施例に基づいて説明する。[Example] Hereinafter, details of the wafer drying method according to the present invention will be described based on an example shown in the drawings.
第1図は、本発明を適用した乾燥装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a drying device to which the present invention is applied.
図中、10は略円筒形状のケーシングであり、上端面中
央に吸気口10aが、下端面周縁部に排気口10bが設
けられている。そして、ケーシング内O内には、複数の
ウェハIfが収納、支持される円筒形状のロータ12が
回転駆動軸13により回転可能に設けられている。In the figure, 10 is a substantially cylindrical casing, and an intake port 10a is provided at the center of the upper end surface, and an exhaust port 10b is provided at the periphery of the lower end surface. Inside the casing O, a cylindrical rotor 12 that accommodates and supports a plurality of wafers If is rotatably provided by a rotary drive shaft 13.
また、ロータ12の側壁には、多数の孔12aが開設さ
れており、ロータ12が回転した場合にウェハ11から
振り切られた水滴をロータ12の外へ排出できるように
なっている。ケーシングlO内には、ロータI2を周回
する位置に複数の固定翼14がケーシングlOと一体に
配設されている。Further, a large number of holes 12a are formed in the side wall of the rotor 12 so that water droplets shaken off from the wafer 11 when the rotor 12 rotates can be discharged to the outside of the rotor 12. A plurality of fixed blades 14 are integrally disposed within the casing 1O at positions that revolve around the rotor I2.
排気口10aには、吸気パイプI5が導通するように接
続されていて、上流側から清浄空気が導入されるように
なっている。また吸気パイプ15の中間部は縮径部15
aとなっており、この縮径部15a内には水供給装置1
6から純水を供給するノズル16aが配されている。こ
のように縮径部15aと水供給装置16とが噴霧装置1
7を構成しており、縮径部15aの上流側にはスロット
ルバルブ18が配設され、下流側にはHEPAフィルタ
等を応用したミストセパレータ19が配設されている。An intake pipe I5 is electrically connected to the exhaust port 10a, so that clean air is introduced from the upstream side. In addition, the middle part of the intake pipe 15 has a reduced diameter part 15.
a, and a water supply device 1 is installed in this reduced diameter portion 15a.
A nozzle 16a for supplying pure water from 6 is arranged. In this way, the reduced diameter portion 15a and the water supply device 16 are connected to the spray device 1.
A throttle valve 18 is provided on the upstream side of the reduced diameter portion 15a, and a mist separator 19 using a HEPA filter or the like is provided on the downstream side.
さらに、スロットルバルブ18の上流側には、加熱ヒー
タ20が設けられていて、予め加熱させた空気を噴霧装
置17へ供給することにより霧を水蒸気化させるように
なっている。なお、水蒸気化しきれなかった霧はミスト
セパレータ19で捕捉されるようになっている。Further, a heater 20 is provided upstream of the throttle valve 18, and supplies preheated air to the spray device 17 to vaporize the mist. Note that the mist that cannot be completely vaporized is captured by the mist separator 19.
かかるミストセパレータ19と前記吸気口101との間
には、吸気パイプ15に、流速センサ21、温度センサ
22及び湿度センサ23が設けられている。A flow rate sensor 21, a temperature sensor 22, and a humidity sensor 23 are provided in the intake pipe 15 between the mist separator 19 and the intake port 101.
また、ケーシングlO内にも、固定翼14の外側の空間
に、温度センサ24及び湿度センサ25が配されている
。さらに、ケーシングlOの外側には、低温ヒータ26
が配設されている。Furthermore, a temperature sensor 24 and a humidity sensor 25 are disposed within the casing IO in a space outside the fixed blade 14. Furthermore, a low temperature heater 26 is provided on the outside of the casing lO.
is installed.
このような構成において、先ず、ウェハ11をロータ1
2の支持部(図示省略)に支持し、吸気パイプ15側か
らケーシング10内に水蒸気が混じった空気を導入させ
、ケーシング10内の相対湿度が80%以上になったら
回転駆動軸13を、駆動してロータ12を回転させる。In such a configuration, first, the wafer 11 is placed on the rotor 1.
2 support part (not shown), and introduce air mixed with water vapor into the casing 10 from the intake pipe 15 side, and when the relative humidity in the casing 10 reaches 80% or more, the rotary drive shaft 13 is driven. to rotate the rotor 12.
このように、ケーシング10内の雰囲気を相対湿度80
%以上にすることにより、ウニ/%11表面の水滴は蒸
発しにくくなり、遠心力による振り切りのみで水滴を飛
ばすこととなり、水に溶けていた不純物がウェハに残る
ことがなくなる。なお、相対湿度は、80%以上、特に
100%近い湿度で確実に水の蒸発を抑制する。In this way, the atmosphere inside the casing 10 is adjusted to a relative humidity of 80
% or more, water droplets on the surface of sea urchin/%11 become difficult to evaporate, and the water droplets are blown off only by shaking off by centrifugal force, so that impurities dissolved in water do not remain on the wafer. Note that the evaporation of water is reliably suppressed when the relative humidity is 80% or more, especially when the humidity is close to 100%.
このような相対湿度は、流速センサ21.温度センサ2
2,24.湿度センサ23,25の検出値に基づき、加
熱ヒータ20.スロットルバルブ18、水供給装置、空
気導入量等を制御することにより調節することができる
。Such relative humidity is measured by the flow rate sensor 21. Temperature sensor 2
2,24. Based on the detected values of the humidity sensors 23 and 25, the heaters 20. It can be adjusted by controlling the throttle valve 18, water supply device, air introduction amount, etc.
以上、実施例について説明したが、この他に各種の設計
変更が可能である。Although the embodiments have been described above, various other design changes are possible.
例えば、上記実施例においては、噴霧装置17で霧を発
生させているが、超音波を利用した霧発生装置等を用い
ても勿論よい。また、水蒸気を別の手段を用いて吸気パ
イプ15内に供給してもよい。For example, in the embodiment described above, the mist is generated by the spray device 17, but it goes without saying that a mist generator using ultrasonic waves or the like may also be used. Alternatively, water vapor may be supplied into the intake pipe 15 using another means.
[発明の効果]
以上の説明で明らかなように、本発明に係るウェハの乾
燥方法においては、相対湿度80%以上という高い雰囲
気中でスピンナー乾燥させたことにより、ウェハ表面の
水分が蒸発せず、回転による振り切りのみで水分を除去
するため、水分中の不純物がウェハ表面に凝集して付着
するウォータマークが出来るのを防止する効果がある。[Effects of the Invention] As is clear from the above explanation, in the wafer drying method according to the present invention, water on the wafer surface does not evaporate by drying with a spinner in an atmosphere with a high relative humidity of 80% or more. Since water is removed only by shaking off by rotation, it is effective to prevent impurities in the water from agglomerating and adhering to the wafer surface, resulting in water marks.
そのため、ウェハが用いられる半導体装置などの性能を
向上させる効果がある。Therefore, it has the effect of improving the performance of semiconductor devices and the like in which the wafer is used.
また、このような高い湿度中で乾燥させることにより、
従来におけるような空気(比較的乾いた)との摩擦によ
る静電気の帯電が生じるのを防止する効果がある。In addition, by drying in such high humidity,
This has the effect of preventing static electricity from forming due to friction with the air (relatively dry) as in the conventional case.
第1図は本発明に係るウェハの乾燥方法を適用した乾燥
装置を示す断面図、第2図は従来例を示す断面図である
。
11・・・ウェハ、12・・・ロータ、15・・・吸気
パイプ、17・・・噴霧装置、19・・・ミストセパレ
ータ。
ちづアミ 来 ゼリ
第2図FIG. 1 is a sectional view showing a drying apparatus to which a wafer drying method according to the present invention is applied, and FIG. 2 is a sectional view showing a conventional example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Wafer, 12... Rotor, 15... Intake pipe, 17... Spraying device, 19... Mist separator. Chizuami Ki Zeri Figure 2
Claims (1)
0%以上の雰囲気で乾燥を行なうことを特徴するウェハ
の乾燥方法。(1) When drying the wafer with a spinner, the relative humidity is 8
A wafer drying method characterized by drying in an atmosphere of 0% or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23110788A JPH0279430A (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Method of drying wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23110788A JPH0279430A (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Method of drying wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0279430A true JPH0279430A (en) | 1990-03-20 |
Family
ID=16918410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23110788A Pending JPH0279430A (en) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | Method of drying wafer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0279430A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (en) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer cleaning appts. associated with prod. cassette - handles wafers set upright in portable rack for mechanised transport between isopropyl alcohol cleaning and drying stations |
KR100284348B1 (en) * | 1996-02-23 | 2001-04-02 | 가네꼬 히사시 | Method of storing a resistor-applied wafer and method of forming a resistor pattern |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP23110788A patent/JPH0279430A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4332857A1 (en) * | 1992-09-25 | 1994-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor wafer cleaning appts. associated with prod. cassette - handles wafers set upright in portable rack for mechanised transport between isopropyl alcohol cleaning and drying stations |
DE4332857C2 (en) * | 1992-09-25 | 1999-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor cleaning device |
KR100284348B1 (en) * | 1996-02-23 | 2001-04-02 | 가네꼬 히사시 | Method of storing a resistor-applied wafer and method of forming a resistor pattern |
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