JPH0278636A - ｃ↓２炭化水素の製造方法およびその装置 - Google Patents
ｃ↓２炭化水素の製造方法およびその装置Info
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- JPH0278636A JPH0278636A JP63227495A JP22749588A JPH0278636A JP H0278636 A JPH0278636 A JP H0278636A JP 63227495 A JP63227495 A JP 63227495A JP 22749588 A JP22749588 A JP 22749588A JP H0278636 A JPH0278636 A JP H0278636A
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- JP
- Japan
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- methane
- oxygen
- hydrocarbons
- producing
- porous body
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメタンの酸化カップリング反応によるＣｚ炭化
水素の製造方法およびその装置に関する４〔従来の技術
〕 従来、メタンの酸化カップリング反応により、メタンよ
り直接Ｃ２化合物すなわぢエタン、エチレンなどを製造
する方法が種々提案されている。
水素の製造方法およびその装置に関する４〔従来の技術
〕 従来、メタンの酸化カップリング反応により、メタンよ
り直接Ｃ２化合物すなわぢエタン、エチレンなどを製造
する方法が種々提案されている。
特開昭６１−３０６８８号公報には、固体電解質に印加
電圧をかけ酸素を透過させてその酸素とメタンなどの低
級炭化水素からその炭素数以上の炭素数を有する炭化水
素例えばエタン、エチレンなどを製造する方法が開示さ
れているが、メタンからの０２炭化水素への選択率は９
０％以下に過ぎない。しかもメタン側に酸素ガスが存在
している。
電圧をかけ酸素を透過させてその酸素とメタンなどの低
級炭化水素からその炭素数以上の炭素数を有する炭化水
素例えばエタン、エチレンなどを製造する方法が開示さ
れているが、メタンからの０２炭化水素への選択率は９
０％以下に過ぎない。しかもメタン側に酸素ガスが存在
している。
特開昭６２−６１９３３号公報には、塩基性担体、例え
ば酸化マグネシウムに担持した酸化鉛触媒の存在下、メ
タンの分子状酸素による酸化的カップリング反応によっ
て炭素数２以上の炭化水素を合成する方法が開示されて
いる。しかしながら、Ｃ２炭化水素の選択率は約８５％
以下に過ぎないものである。
ば酸化マグネシウムに担持した酸化鉛触媒の存在下、メ
タンの分子状酸素による酸化的カップリング反応によっ
て炭素数２以上の炭化水素を合成する方法が開示されて
いる。しかしながら、Ｃ２炭化水素の選択率は約８５％
以下に過ぎないものである。
Ｃｈｅｍ、ＬｅＬｔ、、 ３ １ ９ 〜３ ２
２ 頁 （１９８５年）には、安定化ジルコニアを応
用したメタンの酸化カップリング反応について報告され
ているが、Ｃ２炭化水素への選択率は実質上５０％程度
以下に過ぎないものである。
２ 頁 （１９８５年）には、安定化ジルコニアを応
用したメタンの酸化カップリング反応について報告され
ているが、Ｃ２炭化水素への選択率は実質上５０％程度
以下に過ぎないものである。
従来、メタンより直接エタン、エチレンなどの０２炭化
水素を製造する方法が数多く試みられているが、従来の
方法ではＣ２炭化水素の選択率が低くまだ満足すべき状
態にないのが現状である。
水素を製造する方法が数多く試みられているが、従来の
方法ではＣ２炭化水素の選択率が低くまだ満足すべき状
態にないのが現状である。
しかも酸化剤として高価な純酸素を用いる必要がある。
安価な酸化剤である空気を用いると生成ガス中に多量の
窒素が混入し、未反応原料のメタンあるいは生成炭化水
素との分離に多大のコストを必要とする。
窒素が混入し、未反応原料のメタンあるいは生成炭化水
素との分離に多大のコストを必要とする。
本発明は、空気などの安価な酸化剤を使用しながらメタ
ンより０２炭化水素を、直接、かつ、実質上１００％の
極めて高い選択率でしかも窒素ガスおよび酸素ガスを混
入させることなく製造する方法およびその装置を提供す
ることを目的とするものである。
ンより０２炭化水素を、直接、かつ、実質上１００％の
極めて高い選択率でしかも窒素ガスおよび酸素ガスを混
入させることなく製造する方法およびその装置を提供す
ることを目的とするものである。
本発明は、第１に多孔質体よりなる支持体を介して一方
にメタンまたはメタン含有ガスを流通させ、他方に酸素
ガスまたは酸素含有ガスを流通させるに際して、該多孔
質体を介して両ガスが相互に透過しなくなるまで該多孔
質体を、マグネシア担持酸化鉛触媒で被覆した状態で、
該両ガスをそれぞれ流通させつつ、酸素側から該触媒を
透過してメタン側へ供給される酸化鉛格子酸素アニオン
によってメタンの酸化カンプリング反応を行なわせるこ
とを特徴とするＣ２炭化水素の製造方法を提供するもの
である。
にメタンまたはメタン含有ガスを流通させ、他方に酸素
ガスまたは酸素含有ガスを流通させるに際して、該多孔
質体を介して両ガスが相互に透過しなくなるまで該多孔
質体を、マグネシア担持酸化鉛触媒で被覆した状態で、
該両ガスをそれぞれ流通させつつ、酸素側から該触媒を
透過してメタン側へ供給される酸化鉛格子酸素アニオン
によってメタンの酸化カンプリング反応を行なわせるこ
とを特徴とするＣ２炭化水素の製造方法を提供するもの
である。
本発明は、第２にメタンの酸化カップリング反応により
Ｃ２炭化水素を製造するための装置であって、酸素また
は酸素含有ガス供給域、メタンまたはメタン含有ガス供
給域、多孔質体よりなる支持体、およびマグネシア担持
酸化鉛触媒よりなり、両ガスが相互に透過しなくなるま
で該多孔質体が該触媒で被覆されており、該両ガス供給
域が該触媒被覆多孔質体を介して分離されていることを
特徴とする上記Ｃ２炭化水素の製造装置を提供するもの
である。
Ｃ２炭化水素を製造するための装置であって、酸素また
は酸素含有ガス供給域、メタンまたはメタン含有ガス供
給域、多孔質体よりなる支持体、およびマグネシア担持
酸化鉛触媒よりなり、両ガスが相互に透過しなくなるま
で該多孔質体が該触媒で被覆されており、該両ガス供給
域が該触媒被覆多孔質体を介して分離されていることを
特徴とする上記Ｃ２炭化水素の製造装置を提供するもの
である。
本発明に用いられる支持体を構成する多孔質体は、例え
ばアルミナ、シリカ、マグネシアなどの多孔質体であっ
て平均細孔径５〜５０００ｎｍ、好ましくはｌＯ〜１１
０００ｎであり、５ｎｍ未満では酸素ガスの触媒膜への
到達が不十分で好ましくなく、５０００ｎｍを超えると
触媒膜の安定支持が困難となりで好ましくない。
ばアルミナ、シリカ、マグネシアなどの多孔質体であっ
て平均細孔径５〜５０００ｎｍ、好ましくはｌＯ〜１１
０００ｎであり、５ｎｍ未満では酸素ガスの触媒膜への
到達が不十分で好ましくなく、５０００ｎｍを超えると
触媒膜の安定支持が困難となりで好ましくない。
該多孔質体の膜厚はＯ，１〜５０龍、好ましくは１〜Ｉ
ｏｎであり、０．１ ｔｍ未満では該多孔質体の強度が
不十分で好ましくなく、５０ｍｍを超えると酸素含有ガ
スの通過速度が遅く、好ましくない。
ｏｎであり、０．１ ｔｍ未満では該多孔質体の強度が
不十分で好ましくなく、５０ｍｍを超えると酸素含有ガ
スの通過速度が遅く、好ましくない。
本発明に用いられる支持体は、例えば上記多孔質体の管
であって、例えばその内側に酸素または酸素含有ガス供
給域を設け、その外側にメタンまたはメタン含をガスの
供給域を設けることができるがその逆でもよい。
であって、例えばその内側に酸素または酸素含有ガス供
給域を設け、その外側にメタンまたはメタン含をガスの
供給域を設けることができるがその逆でもよい。
本発明に用いられる支持体を構成する多孔質体は、使用
されるガスが相互に透過しなくなるまでマグネシア担持
酸化鉛触媒で被覆され、両ガス供給域は該触媒被覆多孔
質体を介して相互に分離されている。
されるガスが相互に透過しなくなるまでマグネシア担持
酸化鉛触媒で被覆され、両ガス供給域は該触媒被覆多孔
質体を介して相互に分離されている。
本発明におけるメタンの酸化カップリング反応は、メタ
ンと酸素との通常の供給モル比は１００／１〜１／２の
範囲にあるが、メタン含有ガスと酸素含有ガスは分離さ
れた反応ゾーンへ供給されるため、その供給モル比に制
限はない。メタン供給域と酸素供給域との差圧が０〜５
気圧好ましくは０〜１気圧の範囲の条件下６００〜９０
０℃、好ましくは７００〜８００℃でおこなわれる。
ンと酸素との通常の供給モル比は１００／１〜１／２の
範囲にあるが、メタン含有ガスと酸素含有ガスは分離さ
れた反応ゾーンへ供給されるため、その供給モル比に制
限はない。メタン供給域と酸素供給域との差圧が０〜５
気圧好ましくは０〜１気圧の範囲の条件下６００〜９０
０℃、好ましくは７００〜８００℃でおこなわれる。
該モル比が１００／１未満ではメタン転化率が低くなる
ため好ましくなく、１／２を超えると酸素の利用効率が
低く、好ましくない。該差圧が５気圧を超えると触媒膜
の破壊の恐れがあり好ましくない。該反応温度が６００
℃未満では反応速度が低くて好ましくなく、９００℃を
超えるとメタンの熱的分解が進行し、Ｃ２炭化水素生成
量活性および選択率が低下するので好ましくない。
ため好ましくなく、１／２を超えると酸素の利用効率が
低く、好ましくない。該差圧が５気圧を超えると触媒膜
の破壊の恐れがあり好ましくない。該反応温度が６００
℃未満では反応速度が低くて好ましくなく、９００℃を
超えるとメタンの熱的分解が進行し、Ｃ２炭化水素生成
量活性および選択率が低下するので好ましくない。
本発明のメタンの酸化カップリング反応においては、供
給される酸素ガス、すなわち分子状酸素は、前記触媒被
覆多孔質体を介してメタンまたはメタン含有ガスと分離
されているため直接反応して炭酸ガスなどを生ずること
なく、触媒被覆体を格子酸素の形で透過して、透過酸素
の形でメタンと接触して反応が行なわれる。
給される酸素ガス、すなわち分子状酸素は、前記触媒被
覆多孔質体を介してメタンまたはメタン含有ガスと分離
されているため直接反応して炭酸ガスなどを生ずること
なく、触媒被覆体を格子酸素の形で透過して、透過酸素
の形でメタンと接触して反応が行なわれる。
本発明によれば、メタンより直接Ｃ２炭化水素を、実質
上１００％の選択率で製造することができる方法および
その装置が提供される。
上１００％の選択率で製造することができる方法および
その装置が提供される。
本発明によれば、酸素含有ガスとして空気を用いた場合
でも生成系から窒素および酸素を分離する過程を必要と
することなく、メタンより直接Ｃ２炭化水素を実質上１
００％の選択率で製造することができる方法およびその
装置が提供される。
でも生成系から窒素および酸素を分離する過程を必要と
することなく、メタンより直接Ｃ２炭化水素を実質上１
００％の選択率で製造することができる方法およびその
装置が提供される。
実施例１
本発明の方法および装置の１例について、第１ａ〜ＩＣ
図により以下説明する。第１ａ図は、本発明を説明する
ための本発明の固定床常圧流通式装置の概略断面図であ
り、第１ｂ図は第１ａ図の部分７の拡大図であり、第１
Ｃ図は第１ｂ図の部分ＩＯの想像拡大図である。
図により以下説明する。第１ａ図は、本発明を説明する
ための本発明の固定床常圧流通式装置の概略断面図であ
り、第１ｂ図は第１ａ図の部分７の拡大図であり、第１
Ｃ図は第１ｂ図の部分ＩＯの想像拡大図である。
支持体ｌとして、長さ約３０ｃｍ、外径４龍、内径１．
５Ｎ、平均細孔径５００ｎｍのアルミナ多孔質体ＣＴＤ
Ｋ製のダイナセラム（ＤＹＮＡＣＥＲＡＭ） ）の管を
用いた。該支持体１のうち反応温度のかかる部分（５ｃ
ｍ程度）以外を高温用シール材（東亜合成化学製アロン
セラミック）でコーティングした後、反応ガスのもれに
くい濃度として硝酸マグネシウムの飽和水溶液を塗布し
、６００℃で空気焼成した。ここで漏れ込みおよび触媒
担体の重量のチエツクを行ない、漏れがなければ次に、
あればもう−度繰り返すという操作を行ない、酸化マグ
ネシウム被覆１１を形成した。その後、酸化鉛として均
一な膜を生成しやすい２０％程度の硝酸鉛水溶液をその
上に塗布し、同様に焼成、チエツクおよび操り返しの操
作を行なって酸化鉛被覆１２を形成し、触媒を塗布した
支持体１を得た。この触媒を塗布した支持体Ｉを外径８
龍、内径６１ｍの石英管２の内部に挿入して本発明の装
置とした。この装置において例えばメタン人口４より支
持体１の外側、すなわちメタン供給域８にメタンを流通
させ、一方散素人口５より支持体１の内側、すなわち酸
素供給域９に酸素ガスを流通させ、加熱炉３で反応温度
に加熱下に反応を行ない、生成ガス出口６よりの生成ガ
スを分析に供した。第１ｃ図において１３は支持体１を
構成する多孔質体の細孔を示す。
５Ｎ、平均細孔径５００ｎｍのアルミナ多孔質体ＣＴＤ
Ｋ製のダイナセラム（ＤＹＮＡＣＥＲＡＭ） ）の管を
用いた。該支持体１のうち反応温度のかかる部分（５ｃ
ｍ程度）以外を高温用シール材（東亜合成化学製アロン
セラミック）でコーティングした後、反応ガスのもれに
くい濃度として硝酸マグネシウムの飽和水溶液を塗布し
、６００℃で空気焼成した。ここで漏れ込みおよび触媒
担体の重量のチエツクを行ない、漏れがなければ次に、
あればもう−度繰り返すという操作を行ない、酸化マグ
ネシウム被覆１１を形成した。その後、酸化鉛として均
一な膜を生成しやすい２０％程度の硝酸鉛水溶液をその
上に塗布し、同様に焼成、チエツクおよび操り返しの操
作を行なって酸化鉛被覆１２を形成し、触媒を塗布した
支持体１を得た。この触媒を塗布した支持体Ｉを外径８
龍、内径６１ｍの石英管２の内部に挿入して本発明の装
置とした。この装置において例えばメタン人口４より支
持体１の外側、すなわちメタン供給域８にメタンを流通
させ、一方散素人口５より支持体１の内側、すなわち酸
素供給域９に酸素ガスを流通させ、加熱炉３で反応温度
に加熱下に反応を行ない、生成ガス出口６よりの生成ガ
スを分析に供した。第１ｃ図において１３は支持体１を
構成する多孔質体の細孔を示す。
分析はメタン側で行ない、酸素含有ガス側の分析は、物
質収支および漏れ込みをモニターするにとどめた。支持
体１の内側と外側の圧力差は、反応域の後方に水柱差圧
計を設けて測定し、最高２０重量Ｈ，ｏ以内に抑えてい
る。
質収支および漏れ込みをモニターするにとどめた。支持
体１の内側と外側の圧力差は、反応域の後方に水柱差圧
計を設けて測定し、最高２０重量Ｈ，ｏ以内に抑えてい
る。
反応ガスの多孔質体通過、すなわち漏れ込みは、支持体
１の内側に酸素含有ガス、外側に不活性ガス（窒素、ヘ
リウムなど）を流し、外側で窒素および酸素をモニター
することにより３周べた。
１の内側に酸素含有ガス、外側に不活性ガス（窒素、ヘ
リウムなど）を流し、外側で窒素および酸素をモニター
することにより３周べた。
実施例２
本発明におけるメタンの酸化カップリング反応が格子酸
素によるものであることを実証するために以下の実験を
行なった。
素によるものであることを実証するために以下の実験を
行なった。
実施例１の装置を用い、反応温度７５０℃、メタン側流
ｆｆ１１００ｃｃ／分（メタン含量９９％以上）、酸素
側２＋を量３０ ｃｃ ７分（Ｍ素ガス約２０％、残り
窒素）の条件下、支持体１の外側にメタンを流しながら
支持体１の内側の酸素含有ガスを窒素と切り替える、パ
ルス導入操作を行なった。その結果を第２図に示す。第
２図に示されるように、酸素のオン・オフに応答するＣ
２炭化水素の生成が認められ、オフ後２０分程度で０２
炭化水素は全く生成しなくなった。したがって、反応に
使用されている酸素は酸素含有ガスから供給され、酸化
鉛中の酸素イオンによる反応で使用されていることが実
証された。
ｆｆ１１００ｃｃ／分（メタン含量９９％以上）、酸素
側２＋を量３０ ｃｃ ７分（Ｍ素ガス約２０％、残り
窒素）の条件下、支持体１の外側にメタンを流しながら
支持体１の内側の酸素含有ガスを窒素と切り替える、パ
ルス導入操作を行なった。その結果を第２図に示す。第
２図に示されるように、酸素のオン・オフに応答するＣ
２炭化水素の生成が認められ、オフ後２０分程度で０２
炭化水素は全く生成しなくなった。したがって、反応に
使用されている酸素は酸素含有ガスから供給され、酸化
鉛中の酸素イオンによる反応で使用されていることが実
証された。
実施例３
実施例１の装置を用い、反応温度を変えてメタンの酸化
カップリング反応を行なった。得られた結果を第１表に
示す。第１表に示されるように生成物はＣ２炭化水素の
みで炭酸ガスなどは生成せず、メタンより直接Ｃ２炭化
水素が実質上１００％の選択率で得られることを示して
いる。メタン転化率が低いのはメタンの接触時間が約０
．２秒と短いためおよび反応における律速過程が酸素の
触媒内拡数であるためと考えられ、その結果としてメタ
ン側の触媒表面は還元された金属鉛になっていた。高温
はどメタン転化率およびＣ２炭化水素生成量が増大する
傾向が認められる。
カップリング反応を行なった。得られた結果を第１表に
示す。第１表に示されるように生成物はＣ２炭化水素の
みで炭酸ガスなどは生成せず、メタンより直接Ｃ２炭化
水素が実質上１００％の選択率で得られることを示して
いる。メタン転化率が低いのはメタンの接触時間が約０
．２秒と短いためおよび反応における律速過程が酸素の
触媒内拡数であるためと考えられ、その結果としてメタ
ン側の触媒表面は還元された金属鉛になっていた。高温
はどメタン転化率およびＣ２炭化水素生成量が増大する
傾向が認められる。
第 １ 表
触媒量：０．１５ｇ（反応部分）、流量：１００ｃｃ／
ｍｉｎ本モル基準 実施例４ 実施例１の装置を用い、メタン側の流量を変動させて実
験を行なった。得られた結果を第２表に示す。
ｍｉｎ本モル基準 実施例４ 実施例１の装置を用い、メタン側の流量を変動させて実
験を行なった。得られた結果を第２表に示す。
実施例５
実施例１の装置を用い、反応温度を変えて実験を行なっ
た。得られた結果を第３表に示す。
た。得られた結果を第３表に示す。
実施例６
実施例１の装置を用い、酸素側の酸素濃度を変動させて
実験を行なった。得られた結果を第３図に示す。
実験を行なった。得られた結果を第３図に示す。
第１ａ図は本発明を説明するための装置の概略断面図で
あり、第１ｂ図は第１ａ図の部分７の拡大図であり、第
１Ｃ図は第１ｂ図の部分１０の想像拡大図である。第２
図は酸素ガスの供給をオン・オフした場合の反応時間と
０２炭化水素の収率（％）との関係を示すグラフである
。第３図は酸素濃度と０２炭化水素の収率との関係を示
すグラフである。
あり、第１ｂ図は第１ａ図の部分７の拡大図であり、第
１Ｃ図は第１ｂ図の部分１０の想像拡大図である。第２
図は酸素ガスの供給をオン・オフした場合の反応時間と
０２炭化水素の収率（％）との関係を示すグラフである
。第３図は酸素濃度と０２炭化水素の収率との関係を示
すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多孔質体よりなる支持体を介して一方にメタンまた
はメタン含有ガスを流通させ、他方に酸素ガスまたは酸
素含有ガスを流通させるに際して、該多孔質体を介して
、両ガスが相互に透過しなくなるまで該多孔質体をマグ
ネシア担持酸化鉛触媒で被覆した状態で、該両ガスをそ
れぞれ流通させつつ、酸素側から該触媒を透過してメタ
ン側に供給される酸化鉛格子酸素アニオンによって、メ
タンの酸化カップリング反応を行なわせることを特徴と
するＣ＿２炭化水素の製造方法。 ２、該多孔質体が平均細孔径５〜５０００ｎｍおよび膜
厚０．１〜１０ｍｍを有する請求項１記載のＣ＿２炭化
水素の製造方法。 ３、該支持体が多孔質管であって、該管の内側および外
側の何れかに該両ガスのいずれか一方をそれぞれ流通さ
せる請求項１記載のＣ＿２炭化水素の製造方法。 ４、該メタンの酸化カップリング反応が６００〜９００
℃の温度で行なわれる請求項１記載のＣ＿２炭化水素の
製造方法。 ５、メタンの酸化カップリング反応によりＣ＿２炭化水
素を製造するための装置であって、酸素または酸素含有
ガス供給域、メタンまたはメタン含有ガス供給域、多孔
質体よりなる支持体、およびマグネシア担持酸化鉛触媒
よりなり、両ガスが相互に透過しなくなるまで該多孔質
体が該触媒で被覆されており、該両ガス供給域が該触媒
被覆多孔質体を介して分離されていることを特徴とする
上記Ｃ＿２炭化水素の製造装置。 ６、該多孔質体が平均細孔径５〜５０００ｎｍおよび膜
厚０．１〜１０ｍｍを有する請求項５記載のＣ＿２炭化
水素の製造装置。 ７、該支持体が多孔質管であって、該管の内側および外
側の何れかに両ガスのいずれか一方をそれぞれ流通させ
る請求項５記載のＣ＿２炭化水素の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227495A JPH07103048B2 (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ｃ▲下２▼炭化水素の製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63227495A JPH07103048B2 (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ｃ▲下２▼炭化水素の製造方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278636A true JPH0278636A (ja) | 1990-03-19 |
| JPH07103048B2 JPH07103048B2 (ja) | 1995-11-08 |
Family
ID=16861783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63227495A Expired - Lifetime JPH07103048B2 (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ｃ▲下２▼炭化水素の製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07103048B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7087801B2 (en) | 1999-09-02 | 2006-08-08 | Haldor Topsoe A/S | Process for catalytic selective oxidation of a hydrocarbon substrate |
| JP2012515785A (ja) * | 2009-01-26 | 2012-07-12 | ルムス テクノロジー インコーポレイテッド | オレフィン製造用断熱反応器 |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP63227495A patent/JPH07103048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7087801B2 (en) | 1999-09-02 | 2006-08-08 | Haldor Topsoe A/S | Process for catalytic selective oxidation of a hydrocarbon substrate |
| JP2012515785A (ja) * | 2009-01-26 | 2012-07-12 | ルムス テクノロジー インコーポレイテッド | オレフィン製造用断熱反応器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07103048B2 (ja) | 1995-11-08 |
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