JPH0249411A - チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は無電解メッキ電極を有するチタン酸バリウム系
半導体磁器コンデンサに関するものである。

（従来の技術） 従来より半導体磁器コンデンサの電極には、銀が専ら用
いられてきたが、銀が非オーム性を示すため半導体磁器
との間に新たな直列の容量を発生し、この直列容量によ
り、半導体磁器コンデンサとしての全体の容量を減少す
るという問題点かあった。この問題点を解決するにあた
って、特開昭５３−９６４６４号公報によれば、チタン
酸ストロンチウム系半導体磁器の表面に、オーム性接触
をする無電解ニッケルメッキ電極を対向させて付与し熱
処理を行うことが記載されている。

（発明が解決しようとする課題） しかし、これらの半導体磁器の表面に無電解ニッケル電
極を有するコンデンサは、熱処理のために表面に酸化し
たニッケル層が形成されるために、リード線を直接半田
付けして接続させる場合、半田付は性の低下を来すこと
があった。このために、あらかじめニッケル電極上に銀
電極を重層付与する必要があり、製造工程が増えること
及び銀を使用するために、製造原価が高くなるという問
題点が生じた。

一方、ニッケルの酸化を防止して半田付は性を改良した
ニッケル・ボロン合金メッキが開発され、特開昭６３−
６０５０１号公報にチタン酸バリウム系半導体磁器より
なるサーミスタへの適用が開示されている。しかしなが
ら、このニッケル・ボロン合金無電解メッキ電極メッキ
にしても、メ・フキ後に２００℃以上の熱処理をしなけ
れば、半導体磁器素体とメッキとの接着性を回復するこ
とができないという問題点をもっている。即ち、従来の
無電解メッキ法で半導体磁器素体に安定した電極を形成
するには、熱処理工程が不可欠で、そのための製造設備
、エネルギー、工数が、コストの増加及び歩留りの低下
を来していた。

本発明は、熱処理工程を経なくてもコンデンサの諸性能
が従来法と同等以上の無電解メッキ電極を有する還元再
酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁器コ
ンデンサを得ることを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、ニッケル・スズ・ボロン合金又はニッケル・
タングステン・ボロン合金の無電解メッキ電極を対向付
与させた還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム
系半導体磁器からなるコンデンサで、メッキ後の熱処理
が不要となるという極めて優れた効果を有するものであ
る。本発明により、電極とリード線の半田付けが容易で
かつその経時安定性にも優れ、又従来の無電解ニッケル
メッキに優るとも劣らない電気特性を有し、さらに製造
工程において占める割合の大きな熱処理工程を省略可能
にしたコンデンサを提供することが出来るようになった
。

本発明におけるニッケル・スズ・ボロン合金の無電解メ
ッキは、例えばニッケル塩、ホウ水素化ナトリウムまた
はジメチルアミンスズ・ポランを含む水溶液に、還元剤
としてスズ酸−グルコン酸錯体を添加したメッキ液によ
り行われ、還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウ
ム系半導体磁器コンデンサ素体の表面にニッケル・スズ
・ボロンの三成分の合金を析出する。

また、本発明におけるニッケル・タングステン・ボロン
合金の無電解メッキは、例えばニッケル塩、ホウ水素化
ナトリウムまたはジメチルアミンスズ・ボランを含む水
溶液に、還元剤としてタングステン酸−グルコン酸錯体
を添加したメッキ液により行われ、還元再酸化型又は粒
界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサ素体
の表面にニッケル・タングステン・ボロンの三成分の合
金を析出する。これらの合金の成分、析出量により、還
元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系半導体磁
器コンデンサ素体との密着性及びそれと関連する電気特
性、さらに半田付は性が影響を受ける。

（発明の効果） 本発明の還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム
系半導体磁器コンデンサは、ニッケル・スズ・ボロン合
金又はニッケル・タングステン・ボロン合金の無電解メ
ッキを対向付与してなることを特徴としているために、
メッキ析出後の熱処理が必要無くなり、製造面において
極めて優れている。又熱処理が必要な従来の無電解ニッ
ケル・ボロン合金メッキ法によるものと比較して優ると
も劣らない電気特性を有し、かつ電気特性と半田付は性
の経時安定性にも優れたものである。

（実施例） 次に実施例によって本発明をさらに具体的に説明する。

ＢａＴｉ０＊　１００モル、Ｔｉ０ｚ　５モル、Ｌａ、
０，２モル及びＣｕ００．１０重量％からなる粉を、ポ
リビニールアルコール水溶液を加えて造粒し、１．Ｏｔ
／ｃｍ”の加圧で乾式プレスにより直径１０ｍｍφ、厚
さ０．５ｍｍの円板状に成形した。この成形体を１３５
０°Ｃの温度で２時間焼成した後、水素１５容量％、窒
素８５容量％からなる還元性雰囲気で９００〜１２５０
　　°Ｃの温度で２時間熱処理して、半導体磁器を得た
。次に大気中で８００〜１２００°Ｃで２時間熱処理す
ることにより表層に誘電体層を有するチタン酸バリウム
系半導体磁器コンデンサ素体を製造した。次にこの半導
体磁器コンデンサ素体をフッ化水素酸と硝酸の混合水溶
液により表面エツチングし、超音波洗浄した後、塩酸酸
性第一スズ溶液からなるエンプレートセンシタイザ−４
３２（メルラックス（株）の商品名）に浸漬して撹拌し
、取り出して水洗する。次に、塩化パラジウム水溶液か
らなるエンプレードアクチベータ４４０（メルラックス
（株）の商品名）に浸漬撹拌した後、水洗する。次に無
電解メッキ液であるエンプレートＮｉ　４２７（メルラ
ックス（株）の商品名）の１００ｇ＃！に対して、５ｇ
／２のスズ酸−グルコン酸錯体又はタングステン酸−グ
ルコン酸錯体を混合した７０°Ｃの溶液に３０分間浸漬
撹拌することにより、半導体素子の全面にニッケル・ス
ズ・ボロン合金又はニッケル・タングステン・ボロン合
金を析出させた。分析の結果、ニッケル・スズ・ボロン
の重量比率は８８／９／１２、ニッケル・タングステン
・ボロンの重量比率は８７／１０／３であった。次に、
これらの円盤の周側面のニッケル・スズ・ボロン合金又
はニッケル・タングステン・ボロン合金を研磨して除去
し、チタン酸バリウム系半導体磁器コンデンサを得た。

又、比較例は、本発明と同一の方法によって得られた半
導体磁器素体に、無電解メッキ液にスズ酸−グルコン酸
錯体又はタングステン酸−グルコン酸錯体を混合しない
ことが実施例と違うだけで、残りの作業方法は、全て実
施例と同一の方法により、半導体素子の全面にニッケル
・スズ・ボロン合金を析出させ、次に２００″Ｃで１時
間熱処理し、最後に周側面のニッケル・スズ・ボロン合
金を研磨して除去したものを用いた。表中の測定値は、
いずれも試料３０個の平均値である。

第１表から明らかなように、本発明のものでは、熱処理
を行わなくても従来のものと変わらない電気特性及び半
田付は性を有しながら、かつそれらの経時安定性が優れ
ていることが判明した。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．ニッケル・スズ・ボロン又はニッケル・タングステ
   ン・ボロン合金の無電解メッキ電極を有することを特徴
   とする還元再酸化型又は粒界絶縁型チタン酸バリウム系
   半導体磁器コンデンサ。