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JPH0236612A - Optical coupling type relay circuit - Google Patents

Optical coupling type relay circuit

Info

Publication number
JPH0236612A
JPH0236612A JP63186567A JP18656788A JPH0236612A JP H0236612 A JPH0236612 A JP H0236612A JP 63186567 A JP63186567 A JP 63186567A JP 18656788 A JP18656788 A JP 18656788A JP H0236612 A JPH0236612 A JP H0236612A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control transistor
state
high resistance
voltage
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63186567A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shuichiro Yamaguchi
周一郎 山口
Yukio Iitaka
幸男 飯高
Takeshi Matsumoto
武志 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP63186567A priority Critical patent/JPH0236612A/en
Publication of JPH0236612A publication Critical patent/JPH0236612A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To make the switching operation stable against the fluctuation of an input signal by providing a hysteresis characteristic to an operating point where an output MOSFET is switched from the OFF state into the ON state and an operating point where an output MOSFET is switched from the ON state into the OFF state. CONSTITUTION:A normally ON type control TR 4 with different conduction type from that of a control TR 3 is connected in series with an impedance element biasing the normally ON control TR 3 into the high resistance state. When the control TR 3 is biased into the high resistance state, the voltage across the control TR 3 biases the control TR 4 into the high resistance state. Then a hysteresis characteristic is obtained at the operating point where the ON state and the OFF state of the output MOSFET 7 are switched. Thus, even if the input signal is fluctuated near the operating point, the stable switching operation is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光結合方式を用いて入出力間を電気的に絶縁
した光結合型のリレー回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optically coupled relay circuit in which input and output are electrically isolated using an optical coupling method.

[従来の技術] 第2図は従来の光結合型のリレー回路(特願昭61−2
55023号)の回路図である。この回路にあっては、
入力端子1.、I、間に接続された発光ダイオード1が
発生する光信号を、フォトダイオードアレイ2が受光し
て光起電力を発生し、この光起電力を抵抗5を介して出
力用MO8FET7のゲー1−・ソース間に印加するも
のである。
[Prior art] Figure 2 shows a conventional optically coupled relay circuit (Japanese Patent Application No. 1986-2).
55023) is a circuit diagram. In this circuit,
Input terminal 1. .・It is applied between sources.

出力用MO8FET7のドレイン及びソースは出力端子
0 + 、 02にそれぞれ接続されている。出力用M
O8FET7のゲート及びソースには、デプリーション
モードのMOSFETよりなる制御用トランジスタ3の
トレイン及びソースがそれぞれ接続されており、この制
御用トランジスタ3のゲート・ソース間は抵抗5の両端
に接続されている。
The drain and source of the output MO8FET 7 are connected to output terminals 0 + and 02, respectively. M for output
The train and source of a control transistor 3 made of a depletion mode MOSFET are connected to the gate and source of the O8FET7, respectively, and the gate and source of the control transistor 3 are connected to both ends of a resistor 5. There is.

抵抗5の両端には、エンハンスメントモードのMOSF
ETのドレイン及びソースがそれぞれ接続されており、
このMOSFETのドレインとゲートは共通接続されて
、電圧規制要素6となっている。
Enhancement mode MOSF is connected to both ends of resistor 5.
The drain and source of ET are connected respectively,
The drain and gate of this MOSFET are commonly connected to form a voltage regulating element 6.

発光ダイオード1が入力信号に応答して光信号を発生し
、この光信号を受光してフォトダイオードアレイ2に光
起電力が発生すると、ノーマリ・オン型の制御用トラン
ジスタ3のドレイン・ソース間を介して抵抗5に光電流
が流れ、抵抗5の両端に電圧が発生する。この電圧によ
り、制御用トランジスタ3が高抵抗状態にバイアスされ
るので、出力用MO3FET7のゲート・ソース間にフ
ォトダイオードアレイ2の光起電力が印加されて、出力
用MO3FET7はオン状態となる。
The light emitting diode 1 generates an optical signal in response to an input signal, and when this optical signal is received and a photovoltaic force is generated in the photodiode array 2, a voltage is generated between the drain and source of the normally-on control transistor 3. A photocurrent flows through the resistor 5 through the resistor 5, and a voltage is generated across the resistor 5. This voltage biases the control transistor 3 to a high resistance state, so the photovoltaic force of the photodiode array 2 is applied between the gate and source of the output MO3FET 7, and the output MO3FET 7 is turned on.

発光ダイオード1への入力信号が遮断されると、フォト
ダイオードアレイ2の光起電力が消失し、抵抗5の両端
電圧が消失するので、ノーマリ・オン型の制御用トラン
ジスタ3は低抵抗状態に戻り、出力用MO3FET7の
ゲーl−・ソース間の蓄積電荷を放電させるので、出力
用MO8FET7はオフ状態となる。
When the input signal to the light emitting diode 1 is cut off, the photovoltaic force of the photodiode array 2 disappears, and the voltage across the resistor 5 disappears, so the normally-on control transistor 3 returns to a low resistance state. Since the accumulated charge between the gate L- and the source of the output MO3FET7 is discharged, the output MO8FET7 is turned off.

なお、電圧規制要素6はゲートをドレインに接続された
エンハンスメントモードのMOSFETよりなり、抵抗
5の両端に発生する電圧をスレショルド電圧以下に制限
している。
Note that the voltage regulating element 6 is composed of an enhancement mode MOSFET whose gate is connected to the drain, and limits the voltage generated across the resistor 5 to below a threshold voltage.

[発明が解決しようとする課題] ところで、従来の一最的な電磁リレーでは、入力信号が
動作点(感動電流値)に達して一度オンしてしまえば、
その動作点において入力信号のレベルが多少変動しよう
とも入力信号がある限りはオンし続け、入力信号が動作
点をかなり下回ってからオフするというヒステリシス特
性を持っていた。
[Problem to be solved by the invention] By the way, in the best conventional electromagnetic relay, once the input signal reaches the operating point (sensing current value) and turns on,
Even if the level of the input signal fluctuates somewhat at the operating point, it remains on as long as there is an input signal, and has a hysteresis characteristic in which it turns off only when the input signal drops considerably below the operating point.

このヒステリシス特性を有することにより、電磁リレー
のスイッチングは非常に安定なものであった。しかしな
がら、第2図に示す光結合型のリレー回路にあっては、
入力信号が動作点付近において変動すると、スイッチン
グが不安定となり、オン状態とオフ状態の中間状態を生
じやすいという問題があった。
Due to this hysteresis characteristic, the switching of electromagnetic relays is extremely stable. However, in the optically coupled relay circuit shown in Fig. 2,
When the input signal fluctuates around the operating point, switching becomes unstable and an intermediate state between an on state and an off state tends to occur.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、入力信号が動作点付近で変動し
ても、安定なスイッチング動作が可能な光結合型のリレ
ー回路を提供することにある。
The present invention has been made in view of these points, and its purpose is to provide an optically coupled relay circuit that is capable of stable switching operation even when the input signal fluctuates around the operating point. It's about doing.

[課題を解決するための手段] 本発明に係る光結合型のリレー回路にあっては、上記の
課題を解決するために、第1図に示すように、入力信号
に応答して光信号を発生する発光ダイオード1と、発光
ダイオード1の光信号を受光するように配置されたフォ
トダイオードアレイ2と、フォトダイオードアレイ2の
光起電力をゲート・ソース間に印加されて、ドレイン・
ソース間の導通状態と非導通状層が切替わる出力用のM
○SFF、T7と、出力用のMOSFET7のゲーI〜
・ソース間の蓄積電荷の放電経路を構成するノーマリ・
オン型の第1の制御用トランジスタ3と、第1の制御用
トランジスタ3を介してフォトダイオードアレイ2の光
電流を通電されて第1の制御用トランジスタ3を高抵抗
状態にバイアスする電圧を発生するインピーダンス要素
(抵抗5)と、第1の制御用トランジスタ3とは導電型
が異なり、前記インピーダンス要素(抵抗5)に直列的
に接続されて、第1の制御用トランジスタ3が高抵抗状
態にバイアスされたときに、第1の制御用トランジスタ
3の両端電圧にて高抵抗状態にバイアスされるノーマリ
・オン型の第2の制御用トランジスタ4と、前記インピ
ーダンス要素(抵抗5)と第2の制御用トランジスタ4
の直列回路に並列接続された電圧規制要素6とから成る
ことを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] In order to solve the above problems, the optically coupled relay circuit according to the present invention transmits an optical signal in response to an input signal, as shown in FIG. The generated light emitting diode 1, the photodiode array 2 arranged to receive the optical signal of the light emitting diode 1, and the photovoltaic force of the photodiode array 2 are applied between the gate and source, and the drain and
M for output where conductive state and non-conductive layer between sources are switched
○SFF, T7 and output MOSFET7 gate I~
- Normally, which constitutes a discharge path for accumulated charge between sources.
The photocurrent of the photodiode array 2 is passed through the on-type first control transistor 3 and the first control transistor 3 to generate a voltage that biases the first control transistor 3 to a high resistance state. The impedance element (resistance 5) and the first control transistor 3 have different conductivity types, and are connected in series to the impedance element (resistance 5), so that the first control transistor 3 is in a high resistance state. A normally-on type second control transistor 4 which is biased to a high resistance state by the voltage across the first control transistor 3 when biased, the impedance element (resistance 5) and the second control transistor 4. Control transistor 4
The voltage regulating element 6 is connected in parallel to the series circuit of the voltage regulating element 6.

[作用] 本発明にあっては、出力用MO3FET7のゲート・ソ
ース間蓄¥?を電荷の放電経路を構成するノ−マリ・オ
ン型の第1の制御用トランジスタ3を高抵抗状態にバイ
アスするためのインピーダンス要素と直列に、第1の制
御用トランジスタ3とは導電型が異なるノーマリ・オン
型の第2の制御用トランジスタ4を接続し、第1の制御
用トランジスタ3が高抵抗状態にバイアスされたときに
、第1の制御用トランジスタ3の両端電圧にて、第2の
制御用トランジスタ4を高抵抗状等にバイアスするよう
にしたから、第1の制御用トランジスタ3が高抵抗状態
となって、出力用MOSFET7がオン状態になったと
きには、第2の制御用トランジスタ4は高抵抗状態とな
る。したがって、第1の制御用トランジスタ3のバイア
ス抵抗が実質的に高くなったことになり、入力信号が多
少変動しても第1の制御用トランジスタ3は高抵抗状態
には戻らず、出力用MO3FET7がオフ状態に戻るこ
とはない。
[Function] In the present invention, the gate-source storage of the output MO3FET7 is is connected in series with an impedance element for biasing the normally-on type first control transistor 3 constituting a charge discharge path to a high resistance state, and has a conductivity type different from that of the first control transistor 3. When the normally-on type second control transistor 4 is connected and the first control transistor 3 is biased to a high resistance state, the voltage across the first control transistor 3 causes the second control transistor 4 to be connected. Since the control transistor 4 is biased to a high resistance state, when the first control transistor 3 is in a high resistance state and the output MOSFET 7 is turned on, the second control transistor 4 is biased to a high resistance state. becomes a high resistance state. Therefore, the bias resistance of the first control transistor 3 has become substantially high, and even if the input signal fluctuates somewhat, the first control transistor 3 does not return to the high resistance state, and the output MO3FET 7 never returns to the off state.

また、第2の制御用トランジスタ4が低抵抗状態に戻る
ぐらいに入力信号のレベルが低下したときには、第1の
制御用トランジスタ3のバイアス抵抗が実質的に低くな
ったことになり、第1の制御用トランジスタ3が低抵抗
状邪に戻るので、出力用MO3FET7のゲート・ソー
ス間蓄積電荷の放電経路が構成され、出力用MOSFE
T7はオフ状態となるものである。
Further, when the level of the input signal decreases to such an extent that the second control transistor 4 returns to a low resistance state, the bias resistance of the first control transistor 3 has become substantially low, and the first control transistor 4 has a low resistance. Since the control transistor 3 returns to a low resistance state, a discharge path for the accumulated charge between the gate and source of the output MO3FET 7 is formed, and the output MO3FET 7
T7 is in an off state.

したがって、本発明にあっては、出力用MO3FET7
のオン状態とオフ状態が切替わる動作点にヒステリシス
特性が得られるものであり、出力用MO3FET7のス
イッチング動作が安定するしのである。
Therefore, in the present invention, the output MO3FET7
A hysteresis characteristic is obtained at the operating point where the on-state and off-state are switched, and the switching operation of the output MO3FET 7 is stabilized.

[実施例] 第1図は本発明の一実施例の回路図である。リレー入力
端子1.、I、には、発光ダイオード1が接続されてい
る0発光ダイオード1が発生する光信号はフォトダイオ
ードアレイ2にて受光される。
[Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. Relay input terminal 1. A light emitting diode 1 is connected to , I. An optical signal generated by the light emitting diode 1 is received by the photodiode array 2 .

フォトダイオードアレイ2の正極端は、出力用MO8F
ET7のゲートに接続されている。出力用MO9FET
7のドレインは出力端子O3に接続され、ソースは出力
端子o2に接続されている。
The positive end of photodiode array 2 is MO8F for output.
Connected to the gate of ET7. MO9FET for output
The drain of 7 is connected to the output terminal O3, and the source is connected to the output terminal o2.

この出力端子0 + 、 02には直流電源と負荷の直
列回路〈図示せず)が接続され、直流電源の極性は出力
端子O1が出力端子0.よりも高電位となるように接続
されるものである。
A series circuit (not shown) of a DC power supply and a load is connected to the output terminals 0 + and 02, and the polarity of the DC power supply is such that output terminal O1 is output terminal 0. It is connected so that the potential is higher than that of the

フォトダイオードアレイ2の負極端には、デプリーショ
ンモードのNチャンネルMOSFETよりなる制御用ト
ランジスタ3のゲートが接続されている。制御用トラン
ジスタ3のトレインはフォトダイオードアレイ2の正極
端に接続されており、ソースは出力用MO3FET7の
ソースに接続されると共に、デプリーションモードのP
チャンネルMO3FETよりなる第2の謂御用トランジ
スタ4のソース・トレイン間及び抵抗うを介してフォト
ダイオードアレイ2のQ極端に接続されている。
The negative terminal of the photodiode array 2 is connected to the gate of a control transistor 3 consisting of a depletion mode N-channel MOSFET. The train of the control transistor 3 is connected to the positive end of the photodiode array 2, and the source is connected to the source of the output MO3FET 7, and the P in depletion mode.
It is connected to the Q terminal of the photodiode array 2 between the source and train of a second so-called official transistor 4 consisting of a channel MO3FET and via a resistor.

制御用トランジスタ4のゲートは、フォトダイオードア
レイ2の正極端に接続されている。
The gate of the control transistor 4 is connected to the positive end of the photodiode array 2.

以下、この回路の動作について説明する。リレー入力端
子II、I2間に入力信号が印加されると、発光ダイオ
ード1は入力信号のレベルに応じた光信号を発生する。
The operation of this circuit will be explained below. When an input signal is applied between relay input terminals II and I2, light emitting diode 1 generates an optical signal according to the level of the input signal.

この光信号はフォトダイオードアレイ2にて受光され、
フォトダイオードアレイ2は光信号のレベルに応じた光
電流を発生する。
This optical signal is received by photodiode array 2,
The photodiode array 2 generates a photocurrent depending on the level of the optical signal.

この光ZK、は、ノーマリ・オン型の制御用トランジス
タ3及び4と抵抗5を介して流れ、抵抗5の両端に図示
された極性の電圧が発生する。この電圧により、まず、
ノーマリ・オン型の制御用トランジスタ3が高抵抗状態
にバイアスされる。このため、出力用MO3FET7の
ゲート・ソース間容重にフォトダイオードアレイ2から
の光電流が流レテ、出力用MO8FET7のグー1−−
’/−ス間電圧が上昇し、出力用MO3FET7はオン
状誓となる。フォトダイオードアレイ2は、この出力用
MO3FET7がオン状態となり得るような個数のフォ
トダイオードを直列接続して成るものである。同時にノ
ーマリ オン型の制御用トランジスタ3のドレイン・ソ
ース間電圧が上昇するので、ノーマリ・オン型の第2の
制御用トランジスタ4のゲート・ソース間電圧も上昇す
ることになり、制御用トランジスタ4は高抵抗状態にバ
イアスされる。したがって、第1の制御用トランジスタ
3のバイアス抵抗は、抵抗5と制御用トランジスタ4の
ドレイン・ソース間の高抵抗とを加算した抵抗値となり
、実質的に抵抗値が上昇したことになる。
This light ZK flows through the normally-on control transistors 3 and 4 and the resistor 5, and a voltage of the polarity shown is generated across the resistor 5. With this voltage, first,
The normally-on control transistor 3 is biased to a high resistance state. Therefore, the photocurrent from the photodiode array 2 flows through the gate-source capacity of the output MO3FET7, and the output MO8FET7
The voltage between '/- is increased, and the output MO3FET 7 is turned on. The photodiode array 2 is made up of a number of photodiodes connected in series so that the output MO3FET 7 can be turned on. At the same time, since the drain-source voltage of the normally-on control transistor 3 increases, the gate-source voltage of the normally-on second control transistor 4 also increases, and the control transistor 4 increases. Biased to high resistance state. Therefore, the bias resistance of the first control transistor 3 has a resistance value that is the sum of the resistance 5 and the high resistance between the drain and source of the control transistor 4, and the resistance value has substantially increased.

なお、出力用MO3FET7のゲート・ソース間容量が
充電されるまでの過渡期においては、そのゲート・ソー
ス間容量の充電電流により抵抗5の両端電圧が定常状態
よりも上昇することになるが、抵抗5の両端電圧が電圧
規制要素6のスレショルド電圧を越えると、電圧規制要
素6を介して充電電流がバイパスされる。したがって、
出力用MOSFET7のゲート・ソース間電圧は速やか
に上昇するものである。
In addition, during the transition period until the gate-source capacitance of the output MO3FET 7 is charged, the voltage across the resistor 5 will rise compared to the steady state due to the charging current of the gate-source capacitance. When the voltage across the voltage regulating element 5 exceeds the threshold voltage of the voltage regulating element 6, the charging current is bypassed through the voltage regulating element 6. therefore,
The gate-source voltage of the output MOSFET 7 rises quickly.

次に、この状態から入力信号のレベルが低下して、光電
流のレベルが抵抗5の両端に発生する電圧のみでは第1
の制御用トランジスタ3を高抵抗状態にバイアスできな
い状態となっても、抵抗5には第2の制御用トランジス
タ3のドレイン・ソース間の高抵抗が直列的に接続され
ていることになるので、抵抗5の両端に発生する電圧と
第2の制御用トランジスタ4のドレイン・ソース間に発
生する電圧との合成電圧により、第1の制御用トランジ
スタ3は高抵抗状態にバイアスされ続ける。
Next, from this state, the level of the input signal decreases, and the level of the photocurrent becomes the first level when only the voltage generated across the resistor 5 is present.
Even if the control transistor 3 cannot be biased to a high resistance state, the high resistance between the drain and source of the second control transistor 3 is connected in series to the resistor 5. The first control transistor 3 continues to be biased to a high resistance state by the composite voltage of the voltage generated across the resistor 5 and the voltage generated between the drain and source of the second control transistor 4.

したがって、出力用MO3FET7のゲート・ソース間
には、フォトダイオードアレイ2により発生した起電力
が印加され続けるものであり、出力用MO8FET7は
オン状態を維持する。
Therefore, the electromotive force generated by the photodiode array 2 continues to be applied between the gate and source of the output MO3FET 7, and the output MO8FET 7 maintains the on state.

そして、入力信号のレベルがさらに低下して、光電流に
よりノーマリ・オン型の制御用トランジスタ4を高抵抗
状態にバイアスできない状態になると、制御用トランジ
スタ4のドレイン・ソース面が低抵抗となるので、光電
流により抵抗5の両端に発生する電圧のみでは制御用ト
ランジスタ3を高抵抗状態にバイアスできなくなり、制
御用トランジスタ3は低抵抗状態に戻る。このため、出
力用MO3FET7のゲート・ソース間の蓄積電荷がυ
制御用トランジスタ3のドレイン・ソース間を介して放
電されて、出力用MO3FET7がオフ状態となる。
Then, when the level of the input signal further decreases and the normally-on control transistor 4 cannot be biased to a high resistance state due to the photocurrent, the drain and source surfaces of the control transistor 4 become low resistance. , it is no longer possible to bias the control transistor 3 to the high resistance state only with the voltage generated across the resistor 5 due to the photocurrent, and the control transistor 3 returns to the low resistance state. Therefore, the accumulated charge between the gate and source of output MO3FET7 is υ
It is discharged between the drain and source of the control transistor 3, and the output MO3FET 7 is turned off.

以上のような動作により、この光結合型のリレー回路は
ヒステリシス特性を持ち、入力信号が動作点付近で変動
してもリレー回路がオン状πとオフ状態の中間状態にな
ることはなく、スイッチング動作が安定化されるもので
ある。
Due to the above operation, this optically coupled relay circuit has hysteresis characteristics, and even if the input signal fluctuates around the operating point, the relay circuit will not enter an intermediate state between the on state π and the off state, and the switching This stabilizes the operation.

なお、図示実施例にあっては、ノーマリ・オン型の制御
用トランジスタ3.4としてデプリーションモードのM
OSFETを用いているが、デプリーションモードのJ
FETを用いても良いことは言うまでしない。また、イ
ンピーダンス要素としては抵抗5を用いているが、ダイ
オードの直列アレイやダイオードと抵抗の直列回路を用
いても構わない。
In the illustrated embodiment, the normally-on control transistor 3.4 is a depletion mode M transistor.
OSFET is used, but J in depletion mode is used.
It goes without saying that FETs can be used. Further, although the resistor 5 is used as the impedance element, a series array of diodes or a series circuit of a diode and a resistor may be used.

[発明の効果コ 本発明は上述のように、光結合型のリレー回路において
、出力用MO3FETがオフ状態からオン状態に切替わ
る動作点と、オン状態からオフ状態に切替わる動作点に
ヒステリシス特性を持たせたので、入力信号が動作点付
近で多少変動しても、出力用MO3FETの状態が不安
定になることはなく、スイッチング動作が安定化される
という効果がある。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention provides hysteresis characteristics at the operating point where the output MO3FET switches from the OFF state to the ON state and the operating point where the output MO3FET switches from the ON state to the OFF state in an optically coupled relay circuit. Therefore, even if the input signal fluctuates somewhat around the operating point, the state of the output MO3FET will not become unstable, and the switching operation will be stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は従来例の
回路図である。 1は発光ダイオード、2はフォトダイオードアレイ、3
はノーマリ・オン型の第1の制御用トランジスタ、4は
ノーマリ・オン型の第2めv制御用トランジスタ、5は
抵抗、6は電圧規制要素、7は出力用MO9FETであ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional example. 1 is a light emitting diode, 2 is a photodiode array, 3
4 is a normally-on first control transistor, 4 is a normally-on second control transistor, 5 is a resistor, 6 is a voltage regulating element, and 7 is an output MO9FET.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)入力信号に応答して光信号を発生する発光ダイオ
ードと、発光ダイオードの光信号を受光するように配置
されたフォトダイオードアレイと、フォトダイオードア
レイの光起電力をゲート・ソース間に印加されて、ドレ
イン・ソース間の導通状態と非導通状態が切替わる出力
用のMOSFETと、出力用のMOSFETのゲート・
ソース間の蓄積電荷の放電経路を構成するノーマリ・オ
ン型の第1の制御用トランジスタと、第1の制御用トラ
ンジスタを介してフォトダイオードアレイの光電流を通
電されて第1の制御用トランジスタを高抵抗状態にバイ
アスする電圧を発生するインピーダンス要素と、第1の
制御用トランジスタとは導電型が異なり、前記インピー
ダンス要素に直列的に接続されて、第1の制御用トラン
ジスタが高抵抗状態にバイアスされたときに、第1の制
御用トランジスタの両端電圧にて高抵抗状態にバイアス
されるノーマリ・オン型の第2の制御用トランジスタと
、前記インピーダンス要素と第2の制御用トランジスタ
の直列回路に並列接続された電圧規制要素とから成るこ
とを特徴とする光結合型のリレー回路。
(1) A light emitting diode that generates an optical signal in response to an input signal, a photodiode array arranged to receive the light signal from the light emitting diode, and a photovoltaic force of the photodiode array applied between the gate and source. The output MOSFET switches between conduction and non-conduction between the drain and source, and the output MOSFET gate and
A normally-on type first control transistor constitutes a discharge path for accumulated charge between the sources, and a photocurrent of the photodiode array is passed through the first control transistor to cause the first control transistor to An impedance element that generates a voltage to bias the high resistance state and the first control transistor have different conductivity types, and are connected in series to the impedance element to bias the first control transistor to the high resistance state. a normally-on type second control transistor that is biased to a high resistance state by the voltage across the first control transistor, and a series circuit of the impedance element and the second control transistor. An optically coupled relay circuit characterized by comprising voltage regulating elements connected in parallel.
JP63186567A 1988-07-26 1988-07-26 Optical coupling type relay circuit Pending JPH0236612A (en)

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JP63186567A JPH0236612A (en) 1988-07-26 1988-07-26 Optical coupling type relay circuit

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