JPH0232864A - サーマルヘッド - Google Patents
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- JPH0232864A JPH0232864A JP18435288A JP18435288A JPH0232864A JP H0232864 A JPH0232864 A JP H0232864A JP 18435288 A JP18435288 A JP 18435288A JP 18435288 A JP18435288 A JP 18435288A JP H0232864 A JPH0232864 A JP H0232864A
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- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 40
- -1 fatty acid ester Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910006293 Si—N—O Inorganic materials 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 6
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 6
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 6
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 abstract description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- WDENQIQQYWYTPO-IBGZPJMESA-N acalabrutinib Chemical compound CC#CC(=O)N1CCC[C@H]1C1=NC(C=2C=CC(=CC=2)C(=O)NC=2N=CC=CC=2)=C2N1C=CN=C2N WDENQIQQYWYTPO-IBGZPJMESA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical compound C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はファクシミリ、フルカラープリンタ、ワープロ
などの印字装置に用いるサーマルヘッドに関するもので
あり、特に印字品質の優れたサーマルヘッドに関する。
などの印字装置に用いるサーマルヘッドに関するもので
あり、特に印字品質の優れたサーマルヘッドに関する。
従来の技術
熱転写、感熱印字方式プリンタなどの印字装置に用いら
れるサーマルヘッドは従来次の二つの種類のものがある
。第一のもは、第2図に示すもので、グレーズ層1を被
覆したアルミナのような絶縁基板2の上に蒸着、スパッ
タリングのような真空薄膜形成プロセスにより得たTa
−Siのような抵抗体層3.旧、Orのような電極層4
.S+02のような耐酸化層5.5i(1!のような耐
磨耗層6をホトリソエツチング法をもちいてパターン形
成したもので、いわゆる薄膜型と呼ばれるものである。
れるサーマルヘッドは従来次の二つの種類のものがある
。第一のもは、第2図に示すもので、グレーズ層1を被
覆したアルミナのような絶縁基板2の上に蒸着、スパッ
タリングのような真空薄膜形成プロセスにより得たTa
−Siのような抵抗体層3.旧、Orのような電極層4
.S+02のような耐酸化層5.5i(1!のような耐
磨耗層6をホトリソエツチング法をもちいてパターン形
成したもので、いわゆる薄膜型と呼ばれるものである。
第二のものは、第3図に示すもので、絶縁性基板12の
上の電極層13、抵抗体層14、耐磨耗層15、それぞ
れをペーストの印刷焼成により形成するもので、いわゆ
る厚膜型と呼ばれるものである。11はグレーズ層であ
る。
上の電極層13、抵抗体層14、耐磨耗層15、それぞ
れをペーストの印刷焼成により形成するもので、いわゆ
る厚膜型と呼ばれるものである。11はグレーズ層であ
る。
発明が解決しようとする課題
上に述べた二つの種類のサーマルヘッドはそれぞれ長所
と短所を存する。すなわち、薄・模型サーマルヘッドは
抵抗体形状(面積、厚さなど)が各ドツト間で均一であ
りその熱容量が均一であることから印字の時の紙への熱
の伝達が均一に行われる。また各抵抗体の抵抗値もある
レベルまでは均一なものが得られ、総合的に見て印字品
質の優れタサーマルヘッドである。抵抗体層の厚さが薄
く+000−3000 Aであることから熱容量が小さ
く、パルス印加ON、OFF時の抵抗体温度の立ち上が
り、立ち下がり時定数は優れたものになり印字発熱効率
も高い。しかしながら従来の薄膜型では抵抗値のばらつ
きは±5%以下にすることは難しく、さらに優れた印字
品質を望むことは困難である。また薄膜プロセスのため
の設、備コスト、バッチ生産など生産性、低コスト化の
点から解決するべき問題点が多い。
と短所を存する。すなわち、薄・模型サーマルヘッドは
抵抗体形状(面積、厚さなど)が各ドツト間で均一であ
りその熱容量が均一であることから印字の時の紙への熱
の伝達が均一に行われる。また各抵抗体の抵抗値もある
レベルまでは均一なものが得られ、総合的に見て印字品
質の優れタサーマルヘッドである。抵抗体層の厚さが薄
く+000−3000 Aであることから熱容量が小さ
く、パルス印加ON、OFF時の抵抗体温度の立ち上が
り、立ち下がり時定数は優れたものになり印字発熱効率
も高い。しかしながら従来の薄膜型では抵抗値のばらつ
きは±5%以下にすることは難しく、さらに優れた印字
品質を望むことは困難である。また薄膜プロセスのため
の設、備コスト、バッチ生産など生産性、低コスト化の
点から解決するべき問題点が多い。
一方、厚膜型サーマルヘッドは印刷焼成法を用いること
から設備コストが低いこと、連続生産が容易なことなど
利点が多いが、抵抗体層が酸化ルテニウム粉末などの金
属酸化物−粉末とガラスフリットとの混合物から成るペ
ーストを印刷焼、成して形成したものであることから抵
抗体層中の金属酸化物層の均一分散が得られ難く、ドツ
ト間の抵抗値ばらつきを少なくすることが困・難である
。厚膜型サーマルヘッドでは過負荷トリミング法によっ
てこの抵抗値ばらつきを±1%以下にすることが可能で
ある。しかしながら一つのドツトの中のミクロな電流バ
スに注目するとトリミングの不均一性などが要改善点と
して残されている。これらの短所は、厚膜抵抗体層の大
きな熱容量に起因するところ大であり、発熱印字の時の
時定数が大きいこと、印字熱効率が悪いこと、印字品質
が悪いことなどの結果に至っている。
から設備コストが低いこと、連続生産が容易なことなど
利点が多いが、抵抗体層が酸化ルテニウム粉末などの金
属酸化物−粉末とガラスフリットとの混合物から成るペ
ーストを印刷焼、成して形成したものであることから抵
抗体層中の金属酸化物層の均一分散が得られ難く、ドツ
ト間の抵抗値ばらつきを少なくすることが困・難である
。厚膜型サーマルヘッドでは過負荷トリミング法によっ
てこの抵抗値ばらつきを±1%以下にすることが可能で
ある。しかしながら一つのドツトの中のミクロな電流バ
スに注目するとトリミングの不均一性などが要改善点と
して残されている。これらの短所は、厚膜抵抗体層の大
きな熱容量に起因するところ大であり、発熱印字の時の
時定数が大きいこと、印字熱効率が悪いこと、印字品質
が悪いことなどの結果に至っている。
本発明は上記従来技術に基づき、印字時定数、熱効率、
および印字品質の改善を目的とする。
および印字品質の改善を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、絶縁性基板の上の電極層と、この上の厚さが
0.3μmから3.0μmの発熱抵抗体層と耐摩耗層と
から構成されるサーマルヘッドである。
0.3μmから3.0μmの発熱抵抗体層と耐摩耗層と
から構成されるサーマルヘッドである。
作用
本発明のサーマルヘッドに用いる抵抗体はその厚さが0
.3μra−3,0μmである。抵抗体の厚さが0゜3
μm以上の時、印字紙と抵抗体との接触が均一良好にな
る。このため印字品質、特に低濃度印字の時の印字品質
が優れたものになる。この効果は抵抗体の形状が凸であ
るため生じるものである。
.3μra−3,0μmである。抵抗体の厚さが0゜3
μm以上の時、印字紙と抵抗体との接触が均一良好にな
る。このため印字品質、特に低濃度印字の時の印字品質
が優れたものになる。この効果は抵抗体の形状が凸であ
るため生じるものである。
本発明によれば、その厚さが、いわゆる従来の真空プロ
セスにより得ることが困櫂な0.3μm1以上で、いわ
ゆる従来の印刷−焼成法により得ることが困難な3.0
μ−以下の、膜で、抵1抗体内1部の元素分布が均一で
、気泡の比率が低く、熱容量が小さく、形状が均一な抵
抗体を有するサーマルヘッドであり、熱効率、印字ON
、OFF時定数、印字品質の優れたものとなる。
セスにより得ることが困櫂な0.3μm1以上で、いわ
ゆる従来の印刷−焼成法により得ることが困難な3.0
μ−以下の、膜で、抵1抗体内1部の元素分布が均一で
、気泡の比率が低く、熱容量が小さく、形状が均一な抵
抗体を有するサーマルヘッドであり、熱効率、印字ON
、OFF時定数、印字品質の優れたものとなる。
実施例
本発明のサーマルヘッドに用いる抵抗体はその厚さが0
.3μm−3,0μmである。抵抗体の厚さが0゜3μ
m以上の時、印字紙と抵抗体との接触が均一良好になる
。このため印字品質、特に低濃度印字の時の印字品質が
優れたものになる。しかし、その厚さが0.3μm以下
の時は得られないものである。
.3μm−3,0μmである。抵抗体の厚さが0゜3μ
m以上の時、印字紙と抵抗体との接触が均一良好になる
。このため印字品質、特に低濃度印字の時の印字品質が
優れたものになる。しかし、その厚さが0.3μm以下
の時は得られないものである。
一方、厚さが厚くなると前述のようにその熱容量のため
に印字の立ち上がり、立ち下がり特性が悪くなる。厚さ
が3.0μ以上のとき特にこの傾向が大きくなる。さら
に生成した膜の中に存在する元素ノ分布の均一性につい
て膜の厚さとの相、関・性をみると次のようになる。
に印字の立ち上がり、立ち下がり特性が悪くなる。厚さ
が3.0μ以上のとき特にこの傾向が大きくなる。さら
に生成した膜の中に存在する元素ノ分布の均一性につい
て膜の厚さとの相、関・性をみると次のようになる。
第1図は、従来の真空プロセスにより形成した゛薄膜、
及び従来のペースト印刷プロセスにより形成した厚膜、
それぞれの膜としての組成均一性と生成した膜の厚さと
の関係を示すものである。この図かられかるように、従
来の真空薄、膜でその厚さが0.3μm以上の膜厚のも
のは均一組成の膜を得ることが難しく、膜の強度、成膜
のしやすさなどを考慮するとサーマルヘッドの抵抗体層
や耐摩耗層として使用に耐える膜厚はおよそ0.3μm
以下である。一方、ペースト印刷焼成法による厚膜はそ
の厚さが3μm以上で安定した膜を得ることが容易だが
この値以下の均一膜の形成はむづかしい。第1図に示す
ように、従来の技術では0.3μmから3゜0μmの範
囲の厚さを有する安定な膜を得ることは困難でありサー
マルヘッドの膜としての適用は不可であった。この様に
サーマルヘッドの抵抗体層として適した膜の厚さは0.
3μmから3.0μmの間であり本発明はこの範囲の膜
厚の抵抗体層を有するサーマルヘッドである。
及び従来のペースト印刷プロセスにより形成した厚膜、
それぞれの膜としての組成均一性と生成した膜の厚さと
の関係を示すものである。この図かられかるように、従
来の真空薄、膜でその厚さが0.3μm以上の膜厚のも
のは均一組成の膜を得ることが難しく、膜の強度、成膜
のしやすさなどを考慮するとサーマルヘッドの抵抗体層
や耐摩耗層として使用に耐える膜厚はおよそ0.3μm
以下である。一方、ペースト印刷焼成法による厚膜はそ
の厚さが3μm以上で安定した膜を得ることが容易だが
この値以下の均一膜の形成はむづかしい。第1図に示す
ように、従来の技術では0.3μmから3゜0μmの範
囲の厚さを有する安定な膜を得ることは困難でありサー
マルヘッドの膜としての適用は不可であった。この様に
サーマルヘッドの抵抗体層として適した膜の厚さは0.
3μmから3.0μmの間であり本発明はこの範囲の膜
厚の抵抗体層を有するサーマルヘッドである。
以下に本発明の具体的な実施例を示す。
(実施例−1)
厚さ0.8+nn+のグレーズアルミナ基板の上に金の
有機金属化合物ペーストの印刷焼成、ホトリソエツチン
グによって電極層を形成する。このうえに印刷焼成法に
よってライン状の抵抗体層を形成する。
有機金属化合物ペーストの印刷焼成、ホトリソエツチン
グによって電極層を形成する。このうえに印刷焼成法に
よってライン状の抵抗体層を形成する。
印刷に用いた抵抗体ペーストは、ルテニウムの脂肪酸エ
ステル(炭素数7で液体)、Pb、B、Si、それぞれ
の脂肪酸エステル、エチルセルロース、テルピネオール
の混合組成ペーストである。最後に硼珪酸鉛系ガラスペ
ーストの印刷焼成により耐磨耗層を形成した。
ステル(炭素数7で液体)、Pb、B、Si、それぞれ
の脂肪酸エステル、エチルセルロース、テルピネオール
の混合組成ペーストである。最後に硼珪酸鉛系ガラスペ
ーストの印刷焼成により耐磨耗層を形成した。
(実施例−2)
実施例−1のルテニウムの有機化合物として炭素数が2
0の固体状レジネートを用いた。
0の固体状レジネートを用いた。
(実施例−3)
実施例−1のルテニウムの脂肪酸エステルの替わりにル
テニウムの多環有機化合物を用いた。
テニウムの多環有機化合物を用いた。
(実施例−4)
ルテニウムの多環有機化合物と実施例−1で用いたペー
ストとの混合ペーストを印刷焼成した。
ストとの混合ペーストを印刷焼成した。
(実施例−5)
ルテニウムの固体状脂、肪酸エステル(炭素数7)。
ルテニウムの液状脂1肪酸エステル(炭素数20 )
、Pb 。
、Pb 。
Sll、B1 それぞれのアルコラート、エチルセル
ロース、テルピネオールの混合ペーストを印刷焼成して
抵抗体層とした。他は実施例−1と同じ。
ロース、テルピネオールの混合ペーストを印刷焼成して
抵抗体層とした。他は実施例−1と同じ。
(実施例−6)
実施例−1と同じ抵抗体層を形成しこの抵抗体層の上に
スパッタリング法により炭化硅素膜(厚さ3μm)を形
成して耐・磨j耗層とする。
スパッタリング法により炭化硅素膜(厚さ3μm)を形
成して耐・磨j耗層とする。
(実施例−7)
実施例−1と同じ抵抗体層を形成し、この抵抗体層の上
に、Si、B、Pb それぞれの脂肪酸エステル(炭
素数10)、炭化硅素粉末(平均粒径0.5μm)、エ
チルセルロース、テルピネオールの混合ペーストの印刷
焼成によって耐磨耗層(厚さ2.0μm)を形成する。
に、Si、B、Pb それぞれの脂肪酸エステル(炭
素数10)、炭化硅素粉末(平均粒径0.5μm)、エ
チルセルロース、テルピネオールの混合ペーストの印刷
焼成によって耐磨耗層(厚さ2.0μm)を形成する。
(実施例−8)
紫外線により分解し酸化物となるルテニウムの有機化合
物と、同じく紫外線により分解し酸化物となるSi、P
b、B、の有機化合物と、テルピネオール、エチルセル
ロース、の混合ペーストを印刷する。
物と、同じく紫外線により分解し酸化物となるSi、P
b、B、の有機化合物と、テルピネオール、エチルセル
ロース、の混合ペーストを印刷する。
続いてこれに紫外線を照射しRuO2−5I02−Pb
O−B203層とする。耐摩耗層として実施例−6と同
じ方法で炭化硅素層を形成する。
O−B203層とする。耐摩耗層として実施例−6と同
じ方法で炭化硅素層を形成する。
表に本発明の実施例によるサーマルヘッドの特性を示す
。表中の比較例−1は抵抗ペーストとして酸化ルテニウ
ム粉末と硼、珪酸ガラスフリットとエチルセルローズと
ターピネオールとの混合ペーストを用いたもので、その
他の横、成および材料は実施例−1と同じである。また
比較例−2は薄・膜プロセスにより制作したサーマルヘ
ッドである。
。表中の比較例−1は抵抗ペーストとして酸化ルテニウ
ム粉末と硼、珪酸ガラスフリットとエチルセルローズと
ターピネオールとの混合ペーストを用いたもので、その
他の横、成および材料は実施例−1と同じである。また
比較例−2は薄・膜プロセスにより制作したサーマルヘ
ッドである。
(以下余白)
パルス電圧0.18W/dat32msec/cycl
el/4dutyOD:1.0時の入力エネルキ゛−1
8m5ec/cyclel/4duty発明の効果 以上のように亀 本発明は特定厚さの抵抗体層をもちい
るので、印字の時のON 、OFF時定数、印字熱効率
、印字品質、いずれの点でも優れた特性を有するサーマ
ルヘッドが低コストで連続的に生産できる。
el/4dutyOD:1.0時の入力エネルキ゛−1
8m5ec/cyclel/4duty発明の効果 以上のように亀 本発明は特定厚さの抵抗体層をもちい
るので、印字の時のON 、OFF時定数、印字熱効率
、印字品質、いずれの点でも優れた特性を有するサーマ
ルヘッドが低コストで連続的に生産できる。
第1図は従来薄膜の膜厚と均一性の関係図、第2図およ
び第3図は従来のサーマルヘッドの代表的な構成図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名OA
+ 生成し7:膜の4ま (nm)
び第3図は従来のサーマルヘッドの代表的な構成図であ
る。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名OA
+ 生成し7:膜の4ま (nm)
Claims (11)
- (1)絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けた厚さが
0.3〜3.0μmの発熱抵抗体層と、前記発熱体層の
上もしくは下に設けた電極層と、前記発熱抵抗体層上に
設けた耐摩耗層とから構成されるサーマルヘッド。 - (2)発熱抵抗体層が白金族元素、金、銀、ニッケル、
クロム、シリコン、ゲルマニウム、タンタル、アルミニ
ウム、ジルコニウム、チタン、硼素、ビスマス、バナジ
ウム、鉛、から選ばれた金属またはその酸化物を含有す
るものであること特徴とする請求項1記載のサーマルヘ
ッド。 - (3)発熱抵抗体層がペーストの印刷などの成膜および
これに続く焼成、分解により形成されたものであること
を特徴とする請求項1記載のサーマルヘッド。 - (4)ペーストが金属の有機化合物を含む物であること
を特徴とする請求項3記載のサーマルヘッド。 - (5)金属の有機化合物が炭素数が20までの低級脂肪
酸のエステル、アルコラート、メルカプチド、多環式有
機金属化合物、その他のレジネート、ロジネート、の単
体もしくはいずれかの混合物であることを特徴とする請
求項4記載のサーマルヘッド。 - (6)金属の有機化合物が室温において液体状、固体状
、または両者の混合物であることを特徴とする請求項4
記載のサーマルヘッド。 - (7)分解が、熱エネルギによるもの、光エネルギによ
るもの、化学反応によるもの、のいずれかひとつまたは
これらの併用によるもであることを特徴とする請求項4
記載のサーマルヘッド。 - (8)耐磨耗層が蒸着、スパッタリング、CVD、など
による炭化硅素、窒化硅素、Si−N−O膜、炭素膜の
いずれかであることを特徴とする請求項1記載のサーマ
ルヘッド。 - (9)耐磨耗層がSi、B、Pbなどの元素の有機化合
物を出発原料とし、これの分解により得られたものであ
ることを特徴とする請求項8記載のサーマルヘッド。 - (10)耐磨耗層がSi、Pb、B、の有機化合物、S
iC、SiN、TiC粉末、を少なくとも含む混合ペー
ストを出発原料とし、これの分解により得られたもので
あることを特徴とする請求項9記載のサーマルヘッド。 - (11)発熱抵抗体層の空孔率が15%以下であること
を特徴とする請求項1記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18435288A JPH0232864A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18435288A JPH0232864A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | サーマルヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0232864A true JPH0232864A (ja) | 1990-02-02 |
Family
ID=16151753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18435288A Pending JPH0232864A (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0232864A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0473163A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Fuji Xerox Co Ltd | オーバコート層形成方法 |
JPH081975A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-09 | Nec Corp | サーマルヘッド |
KR100738595B1 (ko) * | 2000-01-11 | 2007-07-11 | 피비알 오스트레일리아 피티와이 리미티드 | 브레이크 어셈블리 |
CN113053560A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-06-29 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5774177A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Toshiba Corp | Thin film thermal head |
JPS6250160A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | サ−マルヘツド |
JPS62292453A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サ−マルヘツド |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP18435288A patent/JPH0232864A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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