JPH02281645A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02281645A JPH02281645A JP10246389A JP10246389A JPH02281645A JP H02281645 A JPH02281645 A JP H02281645A JP 10246389 A JP10246389 A JP 10246389A JP 10246389 A JP10246389 A JP 10246389A JP H02281645 A JPH02281645 A JP H02281645A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
ピングリッドアレイ型半導体装置はセラミック基板の一
面に多数の導体ピンを植込んで回路基板を形成し、回路
基板上に半導体チップを搭載して半導体装置を構成して
いるが、セラミック基板が高価であることや耐衝撃性が
劣る等の理由でプラスチック基板を使用したものが開発
されている。
面に多数の導体ピンを植込んで回路基板を形成し、回路
基板上に半導体チップを搭載して半導体装置を構成して
いるが、セラミック基板が高価であることや耐衝撃性が
劣る等の理由でプラスチック基板を使用したものが開発
されている。
従来の半導体装置は、プラスチック基板上に配線パター
ンを形成した配線基板にスルーホールを設け、スルーホ
ールに導体ピンの一端を挿入し仮固定し、半田により固
定していた。（例えば特開昭６２−２６６８５８号、特
開昭６２−２５７７５４号、特開昭６２−２５７７５５
号公報参照）又、半導体チップの熱放射を向上させるた
めにダイボンディング部に金属板を張付けていた。
ンを形成した配線基板にスルーホールを設け、スルーホ
ールに導体ピンの一端を挿入し仮固定し、半田により固
定していた。（例えば特開昭６２−２６６８５８号、特
開昭６２−２５７７５４号、特開昭６２−２５７７５５
号公報参照）又、半導体チップの熱放射を向上させるた
めにダイボンディング部に金属板を張付けていた。
上述した従来の半導体装置は、導体ピンを仮固定させる
為にスルーホールを設けているので、スルーホール部の
信頼性低下及び配線基板にスルーホールを設けることに
よるコストアップが生ずるという欠点がある。また、熱
抵抗を下げて放熱を向上させるためのダイボンディング
部に設けた金属板は、スルーホールのために大きさが限
定されて熱抵抗を下げる効果が小さいという欠点がある
。
為にスルーホールを設けているので、スルーホール部の
信頼性低下及び配線基板にスルーホールを設けることに
よるコストアップが生ずるという欠点がある。また、熱
抵抗を下げて放熱を向上させるためのダイボンディング
部に設けた金属板は、スルーホールのために大きさが限
定されて熱抵抗を下げる効果が小さいという欠点がある
。
本発明の半導体装置は、スルーホールを設けていないプ
ラスチック基板に配線層を設けた配線基板の電極に釘型
の導体ピンの頭部をろう付は等により行列状に配置して
固着させ、配線基板の裏面に接着剤を介して張り合わさ
れた金属板を有している。
ラスチック基板に配線層を設けた配線基板の電極に釘型
の導体ピンの頭部をろう付は等により行列状に配置して
固着させ、配線基板の裏面に接着剤を介して張り合わさ
れた金属板を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。厚さ０．２
〜０．６ｍｍのガラス繊維−エポキシ系樹脂、ガラス繊
維−トリアジン系樹脂、ガラス繊維−ポリイミド系樹脂
等の複合プラスチック基板２の中央部を貫通する半導体
チップの載置部形成用開孔部を設け、図の下方に当たる
表面に配線パターンを設は該配線パターンの導体ピン接
続用電極部及びボンディングパッド部以外の表面にソル
ダーレジスト膜を設けて回路基板を形成する。導体ピン
接続用電極の表面にＡｕ８０％、５ｎ２０％の共晶合金
からなるろう材を設け、２８０〜３００℃と比較的低温
で溶融し回路基板にダメージを与えることなく釘状の導
体ピン１の頭部を接合させる。図の上方に当たる回路基
板の裏面に金属板９を接着剤で接着する。ここで、金属
板９はプラスチック基板２と熱膨張率が近いものでかつ
熱伝導率に優れたものが要求されるが、本実施例ではＣ
ｕ板を使用した。Ｃｕ板の表面は酸化防止の為Ｎｉ又は
Ａｕめっき層３を設けている。前記開孔部の一端に設け
た金属板９の上に半導体チップ４を搭載し、回路基板の
ボンディングパッドと半導体チップ４の電極間をボンデ
ィング線５で接続し、前記開孔部を含む表面を選択的に
樹脂体６で封止し、キャップ７を樹脂体６の表面を覆っ
て封止し、半導体チップ４を保護している。
〜０．６ｍｍのガラス繊維−エポキシ系樹脂、ガラス繊
維−トリアジン系樹脂、ガラス繊維−ポリイミド系樹脂
等の複合プラスチック基板２の中央部を貫通する半導体
チップの載置部形成用開孔部を設け、図の下方に当たる
表面に配線パターンを設は該配線パターンの導体ピン接
続用電極部及びボンディングパッド部以外の表面にソル
ダーレジスト膜を設けて回路基板を形成する。導体ピン
接続用電極の表面にＡｕ８０％、５ｎ２０％の共晶合金
からなるろう材を設け、２８０〜３００℃と比較的低温
で溶融し回路基板にダメージを与えることなく釘状の導
体ピン１の頭部を接合させる。図の上方に当たる回路基
板の裏面に金属板９を接着剤で接着する。ここで、金属
板９はプラスチック基板２と熱膨張率が近いものでかつ
熱伝導率に優れたものが要求されるが、本実施例ではＣ
ｕ板を使用した。Ｃｕ板の表面は酸化防止の為Ｎｉ又は
Ａｕめっき層３を設けている。前記開孔部の一端に設け
た金属板９の上に半導体チップ４を搭載し、回路基板の
ボンディングパッドと半導体チップ４の電極間をボンデ
ィング線５で接続し、前記開孔部を含む表面を選択的に
樹脂体６で封止し、キャップ７を樹脂体６の表面を覆っ
て封止し、半導体チップ４を保護している。
本発明のパッケージの熱抵抗は、このメタル板９により
変わってくるが、本実施例では０．５ｍｍ厚のものを使
用して熱抵抗を測定した結果無風状態で約２７℃／Ｗと
なり、従来のヒートシンクを付けず銅板だけのものより
約１３％熱抵抗を低下させることができた。
変わってくるが、本実施例では０．５ｍｍ厚のものを使
用して熱抵抗を測定した結果無風状態で約２７℃／Ｗと
なり、従来のヒートシンクを付けず銅板だけのものより
約１３％熱抵抗を低下させることができた。
以上説明したように本発明は、回路基板上に設けた電極
にくぎ状の導体ピンの頭部を接合することにより、導体
ピン植込用のスルーホールを設ける必要がないだけコス
ト低減になるし、又、回路基板の裏面全面に金属板を張
付けることが可能になる為熱抵抗をより低くすることが
できる効果がある。
にくぎ状の導体ピンの頭部を接合することにより、導体
ピン植込用のスルーホールを設ける必要がないだけコス
ト低減になるし、又、回路基板の裏面全面に金属板を張
付けることが可能になる為熱抵抗をより低くすることが
できる効果がある。
ィング線、６・・・樹脂体、７・・・キャップ、９・・
・金属板。
・金属板。
Claims (1)
- 素子載置部形成用の開孔部を有する有機系絶縁基板の表
面に配線パターンを設けた回路基板と、前記配線パター
ンの導体ピン接続用電極部に釘状の頭部を接合した導体
ピンと、前記回路基板の裏面に接着して前記開孔部の一
端を閉じる放熱用の金属板と、前記開孔部の金属板上に
搭載して前記配線パターンのボンディングパッド部と電
気的に接続する半導体チップと、前記開孔部を含んで選
択的に封止する樹脂体とを有することを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246389A JPH02281645A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10246389A JPH02281645A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281645A true JPH02281645A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14328155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10246389A Pending JPH02281645A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455456A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package lid |
| US10446460B2 (en) | 2017-04-27 | 2019-10-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10246389A patent/JPH02281645A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455456A (en) * | 1993-09-15 | 1995-10-03 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit package lid |
| US10446460B2 (en) | 2017-04-27 | 2019-10-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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