JPH0227287B2 - KOJUNDOPARATANGUSUTENSANANMONIUMUKETSUSHONOSEIZOHOHO - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高純度パラタングステン酸アンモニ
ウム結晶の製造方法に関するものであり、特には
VLSI・MOSデバイスのゲート電極及びドレイン
電極に代表される半導体装置の電極或いは配線を
含めて電子工業用高純度タングステン材料の原料
として使用するに適した高純度パラタングステン
酸アンモニウム結晶の製造方法に関する。
発明の背景
半導体装置の電極あるいは配線、特にMOS・
LSIのゲート電極及びドレイン電極としてはポリ
シリコンが従来用いられてきたが、MOS・LSI
の高集積化に伴いポリシリコンゲート電極及びド
レイン電極の抵抗による信号伝搬遅延が問題化し
ている。一方、セルフアライン法によるMOS素
子形成を容易ならしめるためゲート電極及びドレ
イン電極として融点の高い材料の使用が所望され
ている。こうした状況において、ポリシリコンよ
り抵抗率の低い高融点金属ゲート電極及びドレイ
ン電極の研究が進む一方、シリコンゲートプロセ
スとの互換性を第1とした高融点金属シリサイド
電極の研究が活発に進行しつつある。そうした高
融点金属及び高融点金属シリサイドの有望例はタ
ングステン及びタングステンシリサイドである。
タングステンを例にとると、タングステンゲー
ト電極及びドレイン電極は、スパツタ法、電子ビ
ーム蒸着法等の方法によつて薄膜として形成され
る。スパツタ法は、ターゲツト板にアルゴンイオ
ンを衝突させて金属を放出させ、放出金属をター
ゲツト板に対向した基板に堆積させる方法であ
る。電子ビーム蒸着法は、電子ビームによりイン
ゴツト蒸発源を溶解し、蒸着を行う方法である。
いずれにせよ、生成膜の純度はターゲツト板或い
は蒸発源(以下併せてターゲツトと総称する)の
純度に左右される。
現在市販されているタングステンターゲツトは
市販の純度99.9%のタングステン粉を原料として
粉末冶金法で作製されているため、純度は原料タ
ングステン粉と同等である。これに対し、
MOSLSIの他の構成材料である多結晶シリコン
やSiO2等は純度において2桁以上高く、従つて
タングステンについても不純物含有量を2桁以上
低減させない限り、MOSLSIへの適用の道はな
いと考えられる。
タングステンシリサイド電極についても同様の
ことが言える。タングステンシリサイド電極は、
タングステンシリサイドターゲツトを使用して或
いはタングステンターゲツト及びシリコンターゲ
ツトを併用して形成されるが、シリコンについて
は高純度のものが入手しうるので、形成電極の純
度は使用されるタングステン源によつて左右され
ると云うことが出来る。
ちなみにMOS素子に影響する不純物は大きく
分けて次の3種類に分類できる。
(1) Na等のアルカリ金属
(2) U、Th等の放射性元素
(3) Fe等の遷移金属
なかでもNa等のアルカリ金属はゲート絶縁膜中
を容易に移動し、MOS界面特性を劣化させ、又、
放射性元素は該元素より放出するα線によつて
MOS素子の動作信頼性に致命的影響を与える。
Fe等の遷移金属もMOS素子の動作の信頼性を阻
害する。
従つて、タングステン及びタングステンシリサ
イドゲート電極及びドレイン電極の高純化を図る
には、原料タングステン粉の純度アツプ、更に遡
つてタングステン粉自身の原料のグレードアツプ
を画る必要がある。そうしたタングステン粉の原
料の有用なものの一つとしてパラタングステン酸
アンモニウム結晶がある。
従来技術とその問題点
タングステンの湿式精製法としては、一般に、
酸性領域でタングステン酸結晶を析出させる方法
と、中性領域にてパラタングステン酸アンモニウ
ムを析出させる方法とがあるが、現在のところ工
業的には、生成するパラタングステン酸アンモニ
ウム結晶の過性が良い為後者の方法が一般に採
用されている。後者の方法は、詳しく述べると、
(イ) タングステン酸をアンモニア水で溶解し、こ
の母液にPH6〜8の範囲に酸を加えるか又はこ
の母液を濃縮することによりパラタングステン
酸アンモニウムを析出させる方法。
(ロ) メタタングステン酸アンモニウムを水で溶解
し、この母液にPH6〜8の範囲にアンモニア水
を加えることによりパラタングステン酸アンモ
ニウムを析出させる方法。
がある。しかしながら上記方法は得られる結晶は
大きく、取扱いは良い反面、Na等のアルカリ金
属、U等の放射性金属及びFe等の遷移金属の精
製効果が不十分であり、上記の目的に適したタン
グステン材料用の原料としては十分のものではな
い。
発明の概要
以上の状況に鑑み、本発明は、メタタングステ
ン酸アンモニウムを原料として湿式精製法により
Na等のアルカリ金属、U等の放射性元素及びFe
等の遷移元素の含有量がきわめて低い高純度パラ
タングステン酸アンモニウム結晶を製造する方法
の確立を目的とする。
本発明者等は、上記目的に向け検討を重ねた結
果、メタタングステン酸アンモニウムの水溶液か
ら直接アンモニア水添加によるPH調整―加熱段階
に至るこれまでの方法に予備精製段階を組込むこ
とがNa、U及びFeの精製に効果的であるとの結
論に至つた。予備精製段階としては、上記メタタ
ングステン酸アンモニウムの水溶液を酸濃度調整
して水に可溶な即ち水溶性のタングステン化合物
の結晶を析出させ、固液分離後当該水溶性タング
ステン化合物の結晶を再度水に溶解しそして過
することにより精製パラタングステン酸アンモニ
ウム結晶析出母液とする工程が最善であることが
判明した。
斯くして、本発明は、メタタングステン酸アン
モニウムを水に溶解して含タングステン水溶液を
生成し、該水溶液に高純度無機酸を添加し、水溶
性タングステン化合物を析出させ、固液分離後、
該水溶性タングステン化合物を再度水に溶解して
精製パラタングステン酸アンモニウム結晶析出母
液を生成し該精製パラタングステン酸アンモニウ
ム結晶析出母液を加熱し、そしてアンモニア水添
加により、PHを調整することによりパラタングス
テン酸アンモニウム結晶を析出させることを特徴
とする高純度パラタングステン酸アンモニウム結
晶の製造方法を提供する。
発明の具体的説明
図面は本発明の工程図であり、以下これを参照
しつつ説明する。
本発明は、出発原料としてメタタングステン酸
アンモニウムを用いる。メタタングステン酸のア
ルカリ塩としては、メタタングステン酸アンモニ
ウム、メタタングステン酸ナトリウム、メタタン
グステン酸カリウム、等があるが、メタタングス
テン酸アンモニウム以外は、アルカリ金属を大量
に含有しているのであまり好ましくない。実用的
には、メタタングステン酸アンモニウムが用いら
れる。
上記の理由で選択したメタタングステン酸アン
モニウムをまず、純水に溶解し、過して、含タ
ングステン水溶液を作成する。該溶液に酸を添加
し母液中の酸濃度をコントロールする。使用する
酸は、硝酸、塩酸、硫酸等いずれでも使用可能で
あるが、蒸留等によつて高純度化しやすい硝酸が
好ましい。酸添加後の酸濃度は5規定付近から12
規定付近までの範囲が好ましい。より好ましい酸
濃度は、8〜12規定、最適には9.5〜11規定であ
る。又液中のタングステン濃度に関しては50g/
以上が好ましい。
次に該酸調整した溶液は10〜50℃の間に保持し
撹拌しながら水に可溶な即ち水溶性のタングステ
ン化合物の結晶を析出さす。上記の上限温度50℃
より高い場合は、水に不溶なタングステン酸が一
部析出し好ましくなく、10℃以下では、結晶の析
出スピードが遅い。所定の時間析出させた水に可
溶なタングステン化合物の結晶は通常の方法で
過を行い水に可溶なタングステン化合物の結晶を
得る。
次いで、水溶性タングステン化合物の結晶を再
度超純水或は純水に溶解過し、精製パラタング
ステン酸アンモニウム結晶の析出母液とする。こ
うして、予備精製段階が完了する。
場合によつては、上記段階を1回以上繰返して
もよいが、実用上は上記だけで充分である。
上記パラタングステン酸アンモニウム結晶析出
母液を加熱すると共に、アンモニア水を添加し、
液のPHを6.0〜8.0の範囲に調整してパラタングス
テン酸アンモニウムの結晶を析出せしめる。パラ
タングステン酸アンモニウムの結晶析出時の温度
は、50℃以上、好ましくは80℃以上とする。パラ
タングステン酸アンモニウム結晶を低温で析出さ
すと12水塩も析出する。この12水塩は潮解性が強
く、乾燥操作が仲々うまくいかない。50℃〜70℃
では5水塩が析出し、80℃を越えると無水塩が析
出する。析出時のPHに関しては、6よりも低いと
パラタングステン酸アンモニウム以外の結晶が析
出し、他方8よりも高いとパラタングステン酸ア
ンモニウムの回収率が低下して好ましくない。所
定の時間析出させたパラタングステン酸アンモニ
ウムの結晶は通常の過を経た後、高純度パラタ
ングステン酸アンモニウムの結晶として回収され
る。
溶解、過、晶出などの湿式精製工程あるいは
蒸留工程に用いる機器あるいは容器の材質として
は、汚染を最大限に回避する為アルカリガラスは
さけるべきで、テフロン、ポリプロピレンあるい
は石英ガラスのようなアルカリおよび放射性元素
を含有しない耐食材を選択すべきである。溶解、
希釈、洗浄など製品純度に直接影響する工程に用
いられる水は、純水、好ましくは比抵抗18MΩcm
以上の超純水(以下単に超純水という)が好まし
い。又、大気など周囲の環境からの不純物の混入
防止には最大の注意を払う必要がある。
尚、上記の方法で得られた高純度パラタングス
テン酸アンモニウム結晶は乾燥・焙焼し無水のタ
ングステン酸とし、更に高温度で水素還元を行い
高純度タングステン粉末を得る。乾燥・焙焼・水
素還元は特に制限はなく、従来の方法が採用でき
る。
以上は、MOS・LSI或いはMOS・VLSIのゲー
ト及びドレイン電極に特定的に言及して説明した
が、本発明はその他の電子工業部品、更には各種
セラミツクス物品用のタングステン材料の原料と
しても有用である。
発明の効果
本発明によつて、Na、K等のアルカリ金属
80ppb以下、U等の放射性元素2ppb以下、そして
Fe等の遷移元素1ppm以下の、真の意味での高純
度パラタングステン酸アンモニウム結晶が得ら
れ、それを原料としたタングステン粉末、更には
それから作製される電子工業用等の部品の品質を
高める。
実施例
市販のメタタングステン酸アンモニウムを所定
量透明石英ビーカーに採取し、比抵抗18MΩcmの
超純水で溶解し、石英製フイルターで過した。
その後特級濃硝酸を添加し、酸濃度10規定そして
タングステン濃度300g/に調整した水溶液を
常温(20゜〜30℃)で24時間撹拌しながら水溶性
タングステン化合物の結晶を析出させた。該水溶
性タングステン化合物の結晶を石英製フイルター
で過し、更に特級濃硝酸を用い洗浄を行つた。
該水溶性タングステン化合物の結晶を再度前述と
同じ超純水で再溶解し、石英製フイルターで過
して、精製パラタングステン酸アンモニウム結晶
析出母液を生成した。その後、該母液を80℃に加
熱しそしてアンモニア水を加えてPHを7.1に調整
した。20時間保持して、パラタングステン酸アン
モニウムの結晶を成長させた。その後該結晶を石
英製フイルタを用い別分離し、高純度パラタン
グステン酸アンモニウムの結晶を得た。該高純度
パラタングステン酸アンモニウムの不純物の含有
量を表―1に示す。
表―1から明らかの如く、本発明で得られた高
純度パラタングステン酸アンモニウムの結晶は、
アルカリ金属、放射性元素及び遷移元素の含有量
が非常に少くかつ、水溶性タングステン化合物の
結晶及びタングステン酸の結晶とも結晶が大きく
取扱いが容易である。上記の高純度パラタングス
テン酸アンモニウム結晶をタングステン粉用の原
料として乾燥、焙焼後水素還元を行うと容易に高
純度タングステンの粉が得られる。
【表】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for producing high-purity ammonium paratungstate crystals, particularly
The present invention relates to a method for producing high-purity ammonium paratungstate crystal suitable for use as a raw material for high-purity tungsten materials for the electronic industry, including electrodes and wiring of semiconductor devices such as gate electrodes and drain electrodes of VLSI/MOS devices. Background of the Invention Electrodes or wiring of semiconductor devices, especially MOS/
Polysilicon has traditionally been used as the gate electrode and drain electrode of LSI, but
As devices become more highly integrated, signal propagation delays due to the resistance of polysilicon gate electrodes and drain electrodes become a problem. On the other hand, in order to facilitate the formation of MOS elements by the self-alignment method, it is desired to use materials with high melting points for the gate electrode and the drain electrode. Under these circumstances, research is progressing on high-melting point metal gate electrodes and drain electrodes, which have lower resistivity than polysilicon, while research on high-melting point metal silicide electrodes, which prioritize compatibility with silicon gate processes, is actively progressing. be. Promising examples of such refractory metals and refractory metal silicides are tungsten and tungsten silicide. Taking tungsten as an example, the tungsten gate electrode and drain electrode are formed as thin films by a sputtering method, an electron beam evaporation method, or the like. The sputtering method is a method in which a target plate is bombarded with argon ions to release metal, and the released metal is deposited on a substrate facing the target plate. The electron beam evaporation method is a method in which an ingot evaporation source is melted by an electron beam and vapor deposition is performed.
In any case, the purity of the produced film depends on the purity of the target plate or evaporation source (hereinafter collectively referred to as target). Currently commercially available tungsten targets are manufactured by powder metallurgy using commercially available 99.9% pure tungsten powder as raw material, so their purity is equivalent to that of the raw material tungsten powder. On the other hand,
Polycrystalline silicon, SiO 2 , etc., which are other constituent materials of MOSLSI, have a purity that is more than two orders of magnitude higher, so there is no way to apply tungsten to MOSLSI unless the impurity content is reduced by more than two orders of magnitude. . The same can be said of the tungsten silicide electrode. Tungsten silicide electrode is
The electrodes are formed using a tungsten silicide target or a combination of a tungsten target and a silicon target, but since silicon is available in high purity, the purity of the formed electrode depends on the tungsten source used. It can be said that. Incidentally, impurities that affect MOS devices can be broadly classified into the following three types. (1) Alkali metals such as Na (2) Radioactive elements such as U and Th (3) Transition metals such as Fe, especially alkali metals such as Na, easily move in the gate insulating film and deteriorate the MOS interface characteristics. ,or,
Radioactive elements are caused by alpha rays emitted from the element.
This has a fatal effect on the operational reliability of MOS devices.
Transition metals such as Fe also impair the reliability of MOS device operation. Therefore, in order to improve the purity of tungsten and tungsten silicide gate electrodes and drain electrodes, it is necessary to increase the purity of the raw material tungsten powder and, going back further, to improve the grade of the raw material for the tungsten powder itself. Ammonium paratungstate crystals are one of the useful raw materials for such tungsten powder. Conventional technology and its problems In general, wet refining methods for tungsten include:
There are methods to precipitate tungstic acid crystals in an acidic region and methods to precipitate ammonium paratungstate in a neutral region, but at present, industrially, the method of precipitating ammonium paratungstate crystals is preferable. Therefore, the latter method is generally adopted. The latter method is described in detail: (a) A method in which ammonium paratungstate is precipitated by dissolving tungstic acid in aqueous ammonia and adding an acid in the pH range of 6 to 8 to this mother liquor or concentrating this mother liquor. . (b) A method in which ammonium paratungstate is precipitated by dissolving ammonium metatungstate in water and adding aqueous ammonia to the mother liquor at a pH in the range of 6 to 8. There is. However, although the above method yields large crystals and is easy to handle, it is insufficiently effective in purifying alkali metals such as Na, radioactive metals such as U, and transition metals such as Fe. It is not sufficient as a raw material. SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, the present invention has been developed by using ammonium metatungstate as a raw material by a wet refining method.
Alkali metals such as Na, radioactive elements such as U, and Fe
The purpose of this study is to establish a method for producing high-purity ammonium paratungstate crystals with an extremely low content of transition elements such as. As a result of repeated studies aimed at the above-mentioned purpose, the present inventors have found that it is possible to incorporate a pre-purification step into the conventional method of adjusting the pH by adding ammonia water directly from an aqueous solution of ammonium metatungstate and heating the solution. It was concluded that this method is effective in refining Fe. In the preliminary purification step, the acid concentration of the aqueous solution of ammonium metatungstate is adjusted to precipitate water-soluble tungsten compound crystals, and after solid-liquid separation, the water-soluble tungsten compound crystals are purified again with water. It has been found that the best process is to obtain a purified ammonium paratungstate crystallization mother liquor by dissolving the ammonium paratungstate in water and filtering it. Thus, in the present invention, ammonium metatungstate is dissolved in water to produce a tungsten-containing aqueous solution, a high purity inorganic acid is added to the aqueous solution, a water-soluble tungsten compound is precipitated, and after solid-liquid separation,
The water-soluble tungsten compound is dissolved in water again to produce a purified ammonium paratungstate crystal precipitation mother liquor, the purified ammonium paratungstate crystal precipitation mother liquor is heated, and the pH is adjusted by adding ammonia water to produce paratungsten. Provided is a method for producing high-purity ammonium paratungstate crystals, which is characterized by precipitating ammonium acid crystals. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The drawings are process diagrams of the present invention, and the following description will be made with reference to them. The present invention uses ammonium metatungstate as a starting material. Examples of alkali salts of metatungstic acid include ammonium metatungstate, sodium metatungstate, potassium metatungstate, etc. However, salts other than ammonium metatungstate are not so preferred because they contain large amounts of alkali metals. Practically, ammonium metatungstate is used. Ammonium metatungstate selected for the above reasons is first dissolved in pure water and filtered to create a tungsten-containing aqueous solution. An acid is added to the solution to control the acid concentration in the mother liquor. As the acid used, any of nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, etc. can be used, but nitric acid is preferred because it can be easily purified to a high degree by distillation or the like. The acid concentration after acid addition ranges from around 5 normal to 12
A range close to the specified value is preferable. A more preferable acid concentration is 8 to 12 normal, most preferably 9.5 to 11 normal. Regarding the tungsten concentration in the liquid, it is 50g/
The above is preferable. Next, the acid-adjusted solution is maintained at a temperature of 10 DEG to 50 DEG C. and stirred to precipitate crystals of a water-soluble tungsten compound. Above upper limit temperature 50℃
If the temperature is higher than this, some water-insoluble tungstic acid will precipitate, which is not preferable, and if the temperature is below 10°C, the crystal precipitation speed will be slow. The water-soluble tungsten compound crystals precipitated for a predetermined period of time are filtered by a conventional method to obtain water-soluble tungsten compound crystals. Next, the crystals of the water-soluble tungsten compound are again dissolved and filtered in ultrapure water or pure water to provide a mother liquor for precipitation of purified ammonium paratungstate crystals. The pre-purification stage is thus completed. In some cases, the above steps may be repeated one or more times, but for practical purposes this alone is sufficient. While heating the above ammonium paratungstate crystal precipitation mother liquor, ammonia water is added,
Adjust the pH of the liquid to a range of 6.0 to 8.0 to precipitate ammonium paratungstate crystals. The temperature during crystal precipitation of ammonium paratungstate is 50°C or higher, preferably 80°C or higher. When ammonium paratungstate crystals are precipitated at low temperatures, dodecahydrate is also precipitated. This 12-hydrate salt has strong deliquescent properties, making drying difficult. 50℃~70℃
In this case, pentahydrate salt precipitates out, and when the temperature exceeds 80°C, anhydrous salt precipitates out. Regarding the pH during precipitation, if it is lower than 6, crystals other than ammonium paratungstate will precipitate, and if it is higher than 8, the recovery rate of ammonium paratungstate will decrease, which is not preferable. The ammonium paratungstate crystals precipitated for a predetermined period of time are subjected to a normal process and then recovered as high-purity ammonium paratungstate crystals. To avoid contamination as much as possible, alkali glass should be avoided as the material for equipment or containers used in wet refining processes such as dissolution, percolation, and crystallization, or in distillation processes. A corrosion-resistant material that does not contain radioactive elements should be selected. Dissolution,
The water used in processes that directly affect product purity, such as dilution and washing, should be pure water, preferably with a specific resistance of 18 MΩcm.
The above ultrapure water (hereinafter simply referred to as ultrapure water) is preferable. Furthermore, the utmost care must be taken to prevent contamination of impurities from the surrounding environment such as the atmosphere. The high-purity ammonium paratungstate crystals obtained by the above method are dried and roasted to obtain anhydrous tungstic acid, and then subjected to hydrogen reduction at a high temperature to obtain high-purity tungsten powder. There are no particular restrictions on drying, roasting, and hydrogen reduction, and conventional methods can be used. Although the above explanation has been made with specific reference to the gate and drain electrodes of MOS/LSI or MOS/VLSI, the present invention is also useful as a raw material for tungsten materials for other electronic industry parts and even various ceramic articles. be. Effects of the Invention According to the present invention, alkali metals such as Na, K, etc.
80ppb or less, radioactive elements such as U 2ppb or less, and
A truly high-purity ammonium paratungstate crystal with less than 1 ppm of transition elements such as Fe can be obtained, which improves the quality of tungsten powder made from it, as well as parts for the electronic industry etc. made from it. Example A predetermined amount of commercially available ammonium metatungstate was collected in a transparent quartz beaker, dissolved in ultrapure water with a specific resistance of 18 MΩcm, and filtered through a quartz filter.
Thereafter, special grade concentrated nitric acid was added, and the aqueous solution adjusted to an acid concentration of 10N and a tungsten concentration of 300g was stirred at room temperature (20° to 30°C) for 24 hours to precipitate crystals of a water-soluble tungsten compound. The crystals of the water-soluble tungsten compound were filtered through a quartz filter and further washed with special grade concentrated nitric acid.
The crystals of the water-soluble tungsten compound were redissolved in the same ultrapure water as described above and filtered through a quartz filter to produce a mother liquor for precipitation of purified ammonium paratungstate crystals. Thereafter, the mother liquor was heated to 80°C and aqueous ammonia was added to adjust the pH to 7.1. The mixture was held for 20 hours to grow ammonium paratungstate crystals. Thereafter, the crystals were separated using a quartz filter to obtain crystals of high purity ammonium paratungstate. Table 1 shows the content of impurities in the high purity ammonium paratungstate. As is clear from Table 1, the high purity ammonium paratungstate crystals obtained in the present invention are
The content of alkali metals, radioactive elements, and transition elements is very small, and both the crystals of water-soluble tungsten compounds and the crystals of tungstic acid are large and easy to handle. High purity tungsten powder can be easily obtained by drying and roasting the above-mentioned high purity ammonium paratungstate crystals as a raw material for tungsten powder, followed by hydrogen reduction. 【table】
図面は本方法の流れを示す工程図である。 The drawings are process charts showing the flow of this method.
Claims (1)
して含タングステン水溶液を生成し該水溶液に高
純度無機酸を添加し、水溶性タングステン化合物
を析出させ、固液分離後、該水溶性タングステン
化合物を再度水に溶解して精製パラタングステン
酸アンモニウム結晶析出母液を生成し、該精製パ
ラタングステン酸アンモニウム結晶析出母液を加
熱し、そしてアンモニア水添加により、PHを調整
することによりパラタングステン酸アンモニウム
結晶を析出させることを特徴とする高純度パラタ
ングステン酸アンモニウム結晶の製造方法。 2 メタタングステン酸アンモニウムを水に溶解
して生成した含タングステン水溶液に添加する高
純度無機酸が硝酸、硫酸あるいは塩酸又はこれら
の混酸であり、その添加量が添加後の酸濃度が5
〜12規定の範囲となるようにされる特許請求の範
囲第1項記載の高純度パラタングステン酸アンモ
ニウム結晶の製造方法。 3 精製パラタングステン酸アンモニウム結晶析
出母液の加熱温度が50℃以上であり、アンモニア
水添加によるPHの調整範囲が6.0〜8.0である特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の高純度パラタ
ングステン酸アンモニウム結晶の製造方法。[Claims] 1. Ammonium metatungstate is dissolved in water to produce a tungsten-containing aqueous solution, a high-purity inorganic acid is added to the aqueous solution, a water-soluble tungsten compound is precipitated, and after solid-liquid separation, the water-soluble tungsten compound is precipitated. The tungsten compound is dissolved in water again to produce a purified ammonium paratungstate crystal precipitation mother liquor, the purified ammonium paratungstate crystal precipitation mother liquor is heated, and the PH is adjusted by adding ammonia water to produce ammonium paratungstate. A method for producing high-purity ammonium paratungstate crystals, characterized by precipitating crystals. 2 The high-purity inorganic acid added to the tungsten-containing aqueous solution produced by dissolving ammonium metatungstate in water is nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, or a mixed acid thereof, and the amount added is such that the acid concentration after addition is 5.
12. The method for producing high-purity ammonium paratungstate crystals according to claim 1, wherein the crystals are within the range of .about.12. 3. High purity paratungsten according to claim 1 or 2, wherein the heating temperature of the purified ammonium paratungstate crystal precipitation mother liquor is 50°C or higher, and the pH adjustment range by adding ammonia water is 6.0 to 8.0. Method for producing ammonium acid crystals.
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