JPH02268446A - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method of semiconductor deviceInfo
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- JPH02268446A JPH02268446A JP9002689A JP9002689A JPH02268446A JP H02268446 A JPH02268446 A JP H02268446A JP 9002689 A JP9002689 A JP 9002689A JP 9002689 A JP9002689 A JP 9002689A JP H02268446 A JPH02268446 A JP H02268446A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
プリント基板上に直接搭載したICチップをタブレット
型封止用樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法に関
し、
該半導体装置の封止樹脂部分に発生する気泡をなくすこ
とを目的とし、
プリント基板に直接搭載したICチップを樹脂封止して
なる半導体装置において、プリント基板に直接搭載した
ICチップを含む該プリント基板上の所定領域を封入す
るタブレット型封止用樹脂を、該タブレット型封止用樹
脂の含水量が少なくとも該タブレット型封止用樹脂の単
体乾燥時との重量比で0.2%以下となるように、封止
工程直前に乾燥させて構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method for manufacturing a semiconductor device in which an IC chip mounted directly on a printed circuit board is sealed with a tablet-type sealing resin, a problem occurs in the sealing resin portion of the semiconductor device. With the aim of eliminating air bubbles, in semiconductor devices in which an IC chip mounted directly on a printed circuit board is sealed with resin, a tablet-type device is used to encapsulate a predetermined area on the printed circuit board containing the IC chip mounted directly on the printed circuit board. Dry the sealing resin immediately before the sealing process so that the water content of the tablet-type sealing resin is at least 0.2% or less by weight compared to when the tablet-type sealing resin alone is dried. and configure it.
本発明はプリント基板上に直接搭載したICチップをタ
ブレット型封止用樹脂で封止してなる半導体装置に係り
、特に該半導体装置の封止樹脂部分に発生する気泡をな
くして生産性および特性の向上を図った半導体装置の製
造方法に関する。The present invention relates to a semiconductor device formed by encapsulating an IC chip directly mounted on a printed circuit board with a tablet-type encapsulating resin, and in particular, improves productivity and characteristics by eliminating air bubbles generated in the encapsulating resin portion of the semiconductor device. The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device with improved performance.
↓
第3図は従来の半導体装置製造方法の一例を示す工程図
であり、第4図は問題点を説明する図である。↓ FIG. 3 is a process diagram showing an example of a conventional semiconductor device manufacturing method, and FIG. 4 is a diagram illustrating problems.
工程例を示す第3図はプリント基板上に直接搭載されて
いるICチップを樹脂封止して半導体装置を形成する場
合を示した図である。FIG. 3, which shows a process example, shows a case where an IC chip mounted directly on a printed circuit board is sealed with resin to form a semiconductor device.
図(1)で、破線Aで示す領域はICチップの樹脂封止
領域すなわち半導体装置形成領域を示している。In FIG. 1, the region indicated by the broken line A indicates the resin-sealed region of the IC chip, that is, the semiconductor device forming region.
図(1)で、1はパターン形成された導体2を持つ例え
ば厚さが0.5mn+のガラスエポキシ樹脂からなるプ
リント基板であり、該プリント基板1の表面所定位置に
は上記導体2の所定の電極とワイヤ3で接続された状態
にある例えば−辺が6mm程度のICチップ4が図示さ
れない接着材を介して搭載されている。In Figure (1), 1 is a printed circuit board made of glass epoxy resin having a patterned conductor 2, for example, with a thickness of 0.5 mm. An IC chip 4 having a negative side of about 6 mm, for example, which is connected to an electrode by a wire 3, is mounted via an adhesive (not shown).
また図の5は上記の破線Aで示す領域をカバーする大き
さ(例えば−辺が12mm程度)で厚さが0゜7〜1.
01のエポキシ樹脂からなるタブレット型封止用樹脂を
示している。なお該タブレット型封止用樹脂(以下単に
封止用樹脂とする)5のほぼ中央部近傍に設けられてい
る複数の微細な貫通孔5aは封止時のガス抜き用の孔で
ある。5 in the figure has a size that covers the area indicated by the broken line A above (for example, the negative side is about 12 mm) and a thickness of 0.7 to 1.5 mm.
A tablet-type sealing resin made of epoxy resin No. 01 is shown. The plurality of fine through holes 5a provided near the center of the tablet-type sealing resin (hereinafter simply referred to as sealing resin) 5 are holes for venting gas during sealing.
ここで、該封止用樹脂5を図示矢印りの如く上記ICチ
ップ4上の所定位置に載置してに)印方向から見た図(
2)に示す状態とする。Here, the sealing resin 5 is placed at a predetermined position on the IC chip 4 as shown by the arrow in the figure, and the view is seen from the direction of the mark ().
2).
この状態のまま封止用樹脂5の部分を150〜170“
Cで加熱すると、該封止用樹脂5は軟化して上記の貫通
孔5aを埋めながらその周囲から垂れ下がるようになり
、結果的に図(3)に封止樹脂5bとして示すように上
記ワイヤ3と導体2のボンディング電極部分を含む所定
領域すなわち図(1)のAで示す領域が封止されて半導
体装置6を得ることができる。In this state, seal the sealing resin 5 by 150 to 170".
When heated at a temperature of A predetermined region including the bonding electrode portion of the conductor 2, that is, the region indicated by A in FIG. 1 is sealed, and a semiconductor device 6 can be obtained.
図(4)は正常に形成された半導体装置を斜視的に見た
図であり、この場合には導体2を含むICチップ4の周
囲が封止樹脂5bで完全に覆われているため、安定した
特性を持つ半導体装置6が形成されている。Figure (4) is a perspective view of a normally formed semiconductor device. In this case, the periphery of the IC chip 4 including the conductor 2 is completely covered with the sealing resin 5b, so it is stable. A semiconductor device 6 having such characteristics is formed.
しかしかかる工程で形成された半導体装置では、封止樹
脂の表面に例えば凹部が発生する等の凹凸が生ずること
がある。However, in a semiconductor device formed by such a process, irregularities such as recesses may occur on the surface of the sealing resin.
問題点を示す第4図はこの状態を示したもので、(イ)
は表面状態を示した図、(ロ)はその断面を示した図で
ある。Figure 4, which shows the problem, shows this situation, and (a)
(b) is a diagram showing the surface state, and (b) is a diagram showing the cross section.
図(イ)、(ロ)で、1がプリント基板、2が導体、3
がワイヤ、4がICチップ、 5bが封止樹脂をそれぞ
れ表わしていることは第3図の場合と同様である。In figures (a) and (b), 1 is a printed circuit board, 2 is a conductor, and 3
As in the case of FIG. 3, numeral 4 represents a wire, numeral 4 represents an IC chip, and numeral 5b represents a sealing resin.
また図の50は封止樹脂5bの表面近傍および内部の全
域に発生した気泡を示している。Further, 50 in the figure indicates bubbles generated near the surface and throughout the interior of the sealing resin 5b.
図から明らかな如くこの場合には、該気泡5Cによって
生ずる該封止樹脂表面の凹凸で、内存するICチップ4
の表面との間に介在する樹脂層が部分的に薄くなって封
止効果が低下したり場合によってはICチップ4の表面
またはワイヤ3が部分的に露出することから安定した特
性を持つ半導体装置6を形成することができない。As is clear from the figure, in this case, the unevenness of the surface of the sealing resin caused by the bubbles 5C causes the internal IC chip to
The semiconductor device has stable characteristics because the resin layer interposed between the surface of the IC chip 4 and the surface of the IC chip 4 becomes partially thin and the sealing effect deteriorates, or the surface of the IC chip 4 or the wire 3 is partially exposed. 6 cannot be formed.
従来の半導体装置の製造方法では、樹脂封止工程におけ
る熱によって半導体装置表面に凹凸が発生して封止効果
が低下したり、また安定した特性を持つ半導体装置6が
形成できないと言う問題があった。Conventional semiconductor device manufacturing methods have problems in that the heat generated in the resin encapsulation process causes unevenness on the surface of the semiconductor device, reducing the encapsulation effect and making it impossible to form a semiconductor device 6 with stable characteristics. Ta.
上記問題点は、プリント基板に直接搭載したICチップ
を樹脂封止してなる半導体装置において、プリント基板
に直接搭載したICチップを含む該プリント基板上の所
定領域を封入するタブレット型封止用樹脂を、該タブレ
ット型封止用樹脂の含水量が少なくとも該タブレット型
封止用樹脂の単体乾燥時との重量比で0.2%以下とな
るように、封止工程直前に乾燥させる半導体装置の製造
方法によって解決される。The above-mentioned problem arises in a semiconductor device in which an IC chip mounted directly on a printed circuit board is sealed with a resin. The semiconductor device is dried immediately before the encapsulation process so that the moisture content of the tablet-type encapsulation resin is at least 0.2% or less by weight compared to when the tablet-type encapsulation resin alone is dried. The problem is solved by the manufacturing method.
プリント基板に直接形成する樹脂封止タイプの半導体装
置の封止樹脂部に発生する気泡は、該封止用樹脂に含ま
れる水分が封止時の熱によって気化することに起因する
と共に、該封止用樹脂の含水量が該封止用樹脂単体時と
の重量比で0.2%以下になると該気泡が発生しないこ
とが実験的に確認できた。Bubbles that occur in the encapsulation resin of a resin-sealed semiconductor device that is formed directly on a printed circuit board are caused by moisture contained in the encapsulation resin being vaporized by the heat during encapsulation, and It was experimentally confirmed that the bubbles were not generated when the water content of the sealing resin was 0.2% or less by weight compared to the weight of the sealing resin alone.
本発明では、所要の半導体装置を樹脂封止する工程の直
前に封止用樹脂の乾燥工程を追加して該封止用樹脂の水
分を除去するようにしている。In the present invention, a step of drying the sealing resin is added immediately before the step of resin-sealing a required semiconductor device to remove moisture from the sealing resin.
従って、樹脂封止工程でも気泡が発生しない半導体装置
を得ることができる。Therefore, it is possible to obtain a semiconductor device that does not generate bubbles even during the resin sealing process.
第1図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
工程図であり、第2図は乾燥効果を説明する図である。FIG. 1 is a process diagram for explaining the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining the drying effect.
第1図(A)は、第3図(1)におけるタブレット型封
止用樹脂5と形、大きさ、材料が等しいタブレット型封
止用樹脂15が乾燥剤としてのシリカゲル16と共にア
ルミパック17に密閉封入された状態を表わしている。In FIG. 1(A), a tablet-type sealing resin 15 having the same shape, size, and material as the tablet-type sealing resin 5 in FIG. 3(1) is placed in an aluminum pack 17 together with silica gel 16 as a desiccant. It shows a sealed state.
そこで、例えば総重量が46グラムになる複数の上記封
止用樹脂15を10グラムのシリカゲル16と共にアル
ミパック17に密閉封入したまま約2日間放置し、個々
の封止用樹脂15に含まれる水分を該封止用樹脂15の
乾燥時単体重量比で0.2%以下とする。Therefore, for example, a plurality of the above-mentioned sealing resins 15 having a total weight of 46 grams are hermetically sealed in an aluminum pack 17 together with 10 grams of silica gel 16 and left for about two days, and the moisture contained in each sealing resin 15 is The dry unit weight ratio of the sealing resin 15 is 0.2% or less.
一方、第1図(B)は第3図(1)のタブレット型封止
用樹脂5を第1図(A)で得られた封止用樹脂15に置
き換えたものであり、他の構成は上記第1図(A)の場
合と全く同様である。On the other hand, FIG. 1(B) shows the tablet type sealing resin 5 of FIG. 3(1) replaced with the sealing resin 15 obtained in FIG. 1(A), and the other configurations are as follows. This is exactly the same as the case shown in FIG. 1(A) above.
そこで該封止用樹脂15を矢印りの方向に動かしてIC
チップ4上の所定位置に載置した移譲封止用樹脂15の
部分を150〜170°Cで加熱して、図(C)に示す
ようにワイヤ3と導体2のボンディング電極部分を含む
領域すなわち図(B)のAで示す領域に樹脂封止された
半導体装置18が得られることは第3図(3)で説明し
た通りである。Then, move the sealing resin 15 in the direction of the arrow to seal the IC.
A portion of the transfer sealing resin 15 placed at a predetermined position on the chip 4 is heated at 150 to 170°C to form a region including the bonding electrode portion of the wire 3 and the conductor 2, as shown in Figure (C). As explained in FIG. 3(3), the semiconductor device 18 sealed with resin is obtained in the region indicated by A in FIG. 3(B).
この場合には、該半導体装置18は殆ど水分のない乾燥
状態にある封止用樹脂15を使用して形成されたことに
なるため、第4図で説明した如き気泡や表面凹凸のない
特性的に安定した半導体装置を得ることができる。In this case, since the semiconductor device 18 is formed using the sealing resin 15 in a dry state with almost no moisture, the semiconductor device 18 has characteristics such as those without bubbles or surface irregularities as explained in FIG. A stable semiconductor device can be obtained.
乾燥効果を説明する第2図は横軸Xに時間を日数でまた
縦軸Yには封止用樹脂単体乾燥時の重量と含水量との比
を含水率として%でとったグラフであり、各カーブCI
+C2+C3は例えば初期含水率がほぼ0.34%程度
の封止用樹脂46グラムをシリカゲルの量を三段階に変
えてアルミパックに密閉封入した時の含水率の変化を時
間経過で示したものである。FIG. 2, which explains the drying effect, is a graph in which the horizontal axis X shows time in days, and the vertical axis Y shows the ratio of the weight of the sealing resin alone when drying to the water content, expressed as water content in %. Each curve CI
+C2+C3 shows the change in moisture content over time when, for example, 46 grams of sealing resin with an initial moisture content of about 0.34% was sealed in an aluminum pack with the amount of silica gel changed in three stages. be.
なお、カーブC,はシリカゲルの量が5グラムの場合、
カーブc2はシリカゲルの量が10グラムの場合、また
カーブc3はシリカゲルの量を20グラムとしたときの
それぞれの実験結果を示したものであり、・で示したカ
ーブC5のp++ カーブC2のpz+ p3+ p4
+ カーブC3のI)s+ pb+ Pt+ の各点に
おける封止用樹脂15を使用した場合には上記気泡の発
生がないことを確認している。In addition, curve C, when the amount of silica gel is 5 grams,
Curve c2 shows the experimental results when the amount of silica gel is 10 grams, and curve c3 shows the experimental results when the amount of silica gel is 20 grams. p++ of curve C5 indicated by . pz+ of curve C2 p3+ p4
+ It has been confirmed that when the sealing resin 15 is used at each point of I) s+ pb+ Pt+ of curve C3, the above-mentioned bubbles are not generated.
なお図から、初期含水率が0.3%程度の封止用樹脂4
6グラムを所要の含水率0.2%程度まで乾燥させるに
は、シリカゲルを5グラム投入した場合にはほぼ10日
間の放置期間が必要でありまたシリカゲルをlOグラl
、以上投入すれば約2日間の放置で所要の含水率が得ら
れることが分かる。In addition, from the figure, sealing resin 4 with an initial moisture content of about 0.3%
In order to dry 6 grams of silica gel to the required moisture content of about 0.2%, if 5 grams of silica gel is added, it will be necessary to leave it for about 10 days.
It can be seen that if the above amount is added, the required moisture content can be obtained by leaving it for about 2 days.
〔発明の効果]
上述の如く本発明により、プリント基板上に直接搭載し
たtCチップを樹脂封止しても該封止樹脂部分に凹凸や
気泡の発生しない特性的に安定した半導体装置を容易に
提供することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, even when a tC chip mounted directly on a printed circuit board is resin-sealed, it is possible to easily produce a semiconductor device with stable characteristics in which no unevenness or bubbles are generated in the sealing resin portion. can be provided.
第1図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
工程図、
第2図は乾燥効果を説明する図、
第3図は従来の半導体装置製造方法の一例を示す工程図
、
第4図は問題点を説明する図、
である。図において、
1はプリント基板、 2は導体、
3はワイヤ、 4はICチップ、l5はタブ
レット型封止用樹脂、
16はシリカゲル、 17はアルミパック、18
は半導体装置、
をそれぞれ表わす。
乾棟効果に説明する図
躬 2図
間に琶]を、と官O月丁 3図
74 図FIG. 1 is a process diagram illustrating the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention; FIG. 2 is a diagram illustrating the drying effect; FIG. 3 is a process diagram illustrating an example of a conventional semiconductor device manufacturing method; is a diagram explaining the problem. In the figure, 1 is a printed circuit board, 2 is a conductor, 3 is a wire, 4 is an IC chip, 15 is a tablet-type sealing resin, 16 is a silica gel, 17 is an aluminum pack, 18
represent a semiconductor device, and represent a semiconductor device, respectively. Illustrations explaining the dry building effect: Figure 2, Figure 3, Figure 74.
Claims (1)
なる半導体装置において、 プリント基板(1)に直接搭載したICチップ(4)を
含む該プリント基板(1)上の所定領域を封入するタブ
レット型封止用樹脂(15)を、該タブレット型封止用
樹脂(15)の含水量が少なくとも該タブレット型封止
用樹脂(15)の単体乾燥時との重量比で0.2%以下
となるように、封止工程直前に乾燥させることを特徴と
した半導体装置の製造方法。[Claims] A semiconductor device formed by resin-sealing an IC chip mounted directly on a printed circuit board, comprising: The tablet-type sealing resin (15) that encapsulates the region has a moisture content of at least 0 in weight ratio of the tablet-type sealing resin (15) when dry alone. .2% or less, a method for manufacturing a semiconductor device characterized by drying immediately before a sealing process.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9002689A JPH02268446A (en) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9002689A JPH02268446A (en) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02268446A true JPH02268446A (en) | 1990-11-02 |
Family
ID=13987171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9002689A Pending JPH02268446A (en) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02268446A (en) |
-
1989
- 1989-04-10 JP JP9002689A patent/JPH02268446A/en active Pending
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