JPH02261055A - 共振型スイッチング電源 - Google Patents
共振型スイッチング電源Info
- Publication number
- JPH02261055A JPH02261055A JP7983689A JP7983689A JPH02261055A JP H02261055 A JPH02261055 A JP H02261055A JP 7983689 A JP7983689 A JP 7983689A JP 7983689 A JP7983689 A JP 7983689A JP H02261055 A JPH02261055 A JP H02261055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power source
- input power
- mosfet
- voltage
- resonant
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波駆動で高効率の共振型スイッチング電
源に関するものである。
源に関するものである。
従来のハーフブリッジ式直列電流共振型電源では、コン
デンサとインダクタより成る直列共振回路を負荷に直列
に挿入し、スイッチ素子に流れる電流波形を正弦波状に
して、ターンオフ時の損失を低減している。
デンサとインダクタより成る直列共振回路を負荷に直列
に挿入し、スイッチ素子に流れる電流波形を正弦波状に
して、ターンオフ時の損失を低減している。
しかしながら、前記の回路のスイッチ素子にＭＯＳＦＥ
Ｔを用いると条件により、その内蔵する寄生ダイオード
が導通することがある。このダイオードの遅いリカバリ
ー特性により、対となっているもう１つのＭＯＳＦＥＴ
のターンオン時に過大な電流が発生し、効率が低下する
問題点があった。
Ｔを用いると条件により、その内蔵する寄生ダイオード
が導通することがある。このダイオードの遅いリカバリ
ー特性により、対となっているもう１つのＭＯＳＦＥＴ
のターンオン時に過大な電流が発生し、効率が低下する
問題点があった。
従って本発明は、ＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードの導通
を防ぎ、ＭＯＳＦＥＴのターンオン時の損失を低減する
ことにある。
を防ぎ、ＭＯＳＦＥＴのターンオン時の損失を低減する
ことにある。
本発明は、ハーフブリッジ式直列電流共振回路を有し、
入力電源の中点に接続される共振コンデンサと共振イン
ダクタの接続点と、入力電源のプラス側、マイナス側の
各間にダイオードを挿入接続することを特徴とする共振
型スイッチング電源である。
入力電源の中点に接続される共振コンデンサと共振イン
ダクタの接続点と、入力電源のプラス側、マイナス側の
各間にダイオードを挿入接続することを特徴とする共振
型スイッチング電源である。
すなわち、前記挿入したダイオードの作用によリ、共振
コンデンサと共振インダクタの接続点と、入力電源のマ
イナス側の間の電圧の最大値は入力電源電圧Ｖ、となり
、最小値はゼロとなる。
コンデンサと共振インダクタの接続点と、入力電源のマ
イナス側の間の電圧の最大値は入力電源電圧Ｖ、となり
、最小値はゼロとなる。
このため、入力電源のプラス側にドレインが接続されて
いるＭＯＳＦＥＴのソース電圧は■１より高くなること
はない。また、入力電源のマイナス側にソースが接続さ
れたＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧はゼロより低くなるこ
とはない。よって、各１’１ＱｓＰＥＴの内蔵ダイオー
ドは順方向にバイアスされないため、各ＭＯ３ＰＩＩ！
Ｔのターンオン時の過大な電流の発生を防ぐことができ
る。
いるＭＯＳＦＥＴのソース電圧は■１より高くなること
はない。また、入力電源のマイナス側にソースが接続さ
れたＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧はゼロより低くなるこ
とはない。よって、各１’１ＱｓＰＥＴの内蔵ダイオー
ドは順方向にバイアスされないため、各ＭＯ３ＰＩＩ！
Ｔのターンオン時の過大な電流の発生を防ぐことができ
る。
第１図は本発明の実施例、第２図は第１図の実施例の動
作を説明するための各部波形図、第４図はＮチャネルの
ＭＯＳＦＥＴの等価回路図である。以下、本発明の詳細
な説明する。
作を説明するための各部波形図、第４図はＮチャネルの
ＭＯＳＦＥＴの等価回路図である。以下、本発明の詳細
な説明する。
ＭＯＳＦＥＴ ３．４は交互に駆動される。
ＭＯＳＦＥＴ ３がオンすると、入力電源１のプラス→
ＭＯ５ＦＥＴ ３→１次巻線６→共振コンデンサ５→入
力電源１のマイナスのループに電流が流れ、この電流波
形は変圧器９の漏れインダクタンスと共振コンデンサ５
の共振により、正弦波状となる。共振コンデンサ５の電
圧ｖｃが＋Ｖｉ／２に達すると、１次巻線６→ダイオー
ド７→ＭＯ５ＦＥＴ ３→１次巻線６のループに電流が
流れる。この電流がゼロとなるタイミング以後にＭＯＳ
ＦＥＴ ３が制御回路Ｉ５によってオフとなる。その後
、ＭＯＳＦＥＴ ４がオンすると、入力電源２のプラス
→共振コンデンサ５→１次巻線６→ＭＯＳＦＥＴ ４→
入力電源２のマイナスのループに電流が流れ、この波形
は正弦波状となる。共振コンデンサ５の電圧■。が−■
、／２に達すると、１次巻線６→ダイオード８→ＭＯ５
ＦＥＴ ４→１次巻線６のループに電流が流れる。この
電流がゼロとなるタイミング以後にＭＯＳＦＥＴ ４が
制御回路１５によってオフとなる。
ＭＯ５ＦＥＴ ３→１次巻線６→共振コンデンサ５→入
力電源１のマイナスのループに電流が流れ、この電流波
形は変圧器９の漏れインダクタンスと共振コンデンサ５
の共振により、正弦波状となる。共振コンデンサ５の電
圧ｖｃが＋Ｖｉ／２に達すると、１次巻線６→ダイオー
ド７→ＭＯ５ＦＥＴ ３→１次巻線６のループに電流が
流れる。この電流がゼロとなるタイミング以後にＭＯＳ
ＦＥＴ ３が制御回路Ｉ５によってオフとなる。その後
、ＭＯＳＦＥＴ ４がオンすると、入力電源２のプラス
→共振コンデンサ５→１次巻線６→ＭＯＳＦＥＴ ４→
入力電源２のマイナスのループに電流が流れ、この波形
は正弦波状となる。共振コンデンサ５の電圧■。が−■
、／２に達すると、１次巻線６→ダイオード８→ＭＯ５
ＦＥＴ ４→１次巻線６のループに電流が流れる。この
電流がゼロとなるタイミング以後にＭＯＳＦＥＴ ４が
制御回路１５によってオフとなる。
この様にＭＯＳＦＥＴ ３．４の内蔵する寄生ダイオー
ドは順方向にバイアスされない。
ドは順方向にバイアスされない。
本発明によれば、ＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードが導通
しないため、ＭＯＳＦＥＴのターンオン時の過大な電流
を防ぐことができ、高効率の高周波スイッチングが達成
できる。
しないため、ＭＯＳＦＥＴのターンオン時の過大な電流
を防ぐことができ、高効率の高周波スイッチングが達成
できる。
第１図は本発明による実施例を示す回路図、第２図は第
１図の回路の動作を示すタイムチャート図、第３図は従
来のものを示す回路図、第４図はＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔの等価回路図である。 第 図 第 図 第 図 第 図 ドレイン 手続ネ市正書（自＠）
１図の回路の動作を示すタイムチャート図、第３図は従
来のものを示す回路図、第４図はＮチャネルＭＯＳＦＥ
Ｔの等価回路図である。 第 図 第 図 第 図 第 図 ドレイン 手続ネ市正書（自＠）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハーフブリッジ式直列電流共振回路を有し、入力電
源の中点に接続される共振コンデンサと共振インダクタ
の接続点と、入力電源のプラス側、マイナス側の各間に
ダイオードを挿入接続することを特徴とする共振型スイ
ッチング電源。 ２、共振インダクタを変圧器の漏れインダクタンスで代
用する請求項１に記載の共振型スイッチング電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7983689A JPH02261055A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 共振型スイッチング電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7983689A JPH02261055A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 共振型スイッチング電源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02261055A true JPH02261055A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13701297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7983689A Pending JPH02261055A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 共振型スイッチング電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02261055A (ja) |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP7983689A patent/JPH02261055A/ja active Pending
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