JPH02250364A - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、リードフレームとその製造方法に関する。

［従来の技術とその課題］ リードフレームにＩＣチップを実装する場合、ワイヤー
ボンディング精度及びインナーリードのボンダビリティ
−の問題から、インナーリードには所定面積を確保する
必要がある。また、高密度実装及び高密度配線のために
、薄く、ピン数が多く、放熱性が高く、かつ、実装がし
やすい等の要求を満足する半導体素子が望まれている。

このような要求に対し、素子厚みに関しては、ＩＣチッ
プを削らずに樹脂封止した場合の最小の薄さであるｌ１
１Ｂに近づけようとする努力がなされている。

このためには、各部品の厚みを個々に薄くする必要があ
る。例えば、半導体素子全体の厚みを１１１１１１以下
にするには、ＩＣチップの厚みが４００μｍである時、
封止樹脂の厚さを樹脂の封止時の粘度をできるだけ下げ
ることにより約４５０μｍとしたとしても、リードフレ
ームの厚みを１５０μｍ以下にしなくてはならない。リ
ードフレームの厚みを１５０μｍ以下にするためには、
厚みが８０ないし１２０μｍのリードフレーム材を使用
しなければならない。

しかしながら、このように薄いリードフレーム材を用い
ることにより、エツチング加工における寸法精度は上が
り、多ピン化が実現できるが、アウターリードの曲げ強
度が現行のＥＩＡＪ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｉｎｄｕ
ｓｔｒｉｅｓ　Ａｓ５ｏｃ１ａｔ１ｏｎ　ｏｆ’　Ｊａ
ｐａｎ）等の規格を満足できない欠点を持つ。したがっ
て、アウターリードの曲げ強度等を満足するためには、
リードフレーム材の板厚を１２５ないし１５０μｍにし
なければならず、半導体素子の薄型化の要望に沿うこと
ができなかった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、板厚
の薄いリードフレーム材を使用しても充分なアウターリ
ードの曲げ強度等が得られるり−ドフレーム及びその製
造方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、半導体を搭載するためのマウント部と、該マ
ウント部の周囲に位置し、前記マウント部上の半導体素
子とワイヤボンディングによって電気的に接続されるイ
ンナーリード部と、該インナーリード部と一体的に形成
され、前記インナーリード部を支持するアウターリード
部とを具備するリードフレームにおいて、前記アウター
リード部上に金属被着層を設けたことを特徴とするリー
ドフレームを提供する。

また、本発明は、リードフレーム材にマスクパターンを
形成する工程と、マスクパターンが形成された該リード
フレーム材にエツチング、を施してリードフレーム本体
を形成する工程と、該リードフレーム本体のマウント部
及びインナーリード部にボンディング用の金属被着層を
施す工程と、前記リードフレーム本体のアウターリード
部のみに強度向上用の金属被着層を施す工程とを具備す
るリードフレームの製造方法を提供する。

ここで、アウターリードに被着させる金属としては、ア
ウターリードの曲げ加工に対して一定の機械的強度を持
ち、且つ耐食性を持つものを選ぶのがよい。このような
ものとして、Ａ　ｕ　ｓ　Ａ　ｇ　ｓＮｉ、Ｓｎ、半田
等が挙げられる。また、これらの金属の被着には、電気
メツキ、無電解メツキ、蒸着、スパッタリング等の通常
の金属被着方法を使用することができる。この場合、リ
ードフレームの片面に個々に被着させてもよいし、両面
に一度に被着させてもよい。

また、金属被着層は、曲げ加工等が行われるアウターリ
ード部に施す。したがって、ダイボンディング及びワイ
ヤボンディング用のメツキが施されているアイランド部
及びインナーリード部先端には施さない。アウターリー
ド部に被着する金属被着層の厚さは、リードフレーム材
の板厚と金属被着層厚との合計が約１５０μｍになるよ
うに設定する。これは、前述したように、アウターリー
ドの厚みが約１５０μｍあれば、充分に曲げ加工に対し
て耐えることができるためである。

［作用］ 本発明のリードフレーム及びその製造方法によれば、リ
ードフレームのアウターリード部に金属被着層を設けて
いるので、アウターリード部の機械的強度が増して、後
工程における曲げ等の加工を行うことができる。しかも
、板厚が薄い状態でリードフレーム材の加工を行うこと
ができるため、エツチング工程における寸法精度が高く
、多ピン化に対応することができる。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図は、本発明のリードフレームの一実施例を示す正
面図である。

図中１は、リードフレーム本体である。リードフレーム
本体１の中央部には、ＩＣチップを搭載するためのマウ
ント部１１がある。マウント部１１の周囲に、マウント
部１１上に搭載されたＩＣチップとリードフレーム本体
１との導通を取るためのインナーリード１２が配列され
ている。

このインナーリード１２の各々の先端と、ＩＣチップの
各々のパッド（図示せず）とをワイヤボンディングによ
って電気的に接続している。したがって、インナーリー
ド１２のそれぞれは、短絡しないように一定の間隔を持
って位置している。また、マウント部１１及びインナー
リード部１２には、ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングのボンダビリティ−を向上させるために、４ない
し６μｍの厚みのＡｕ、Ａｇ等のメツキが施されている
。インナーリード１２の外側には、インナーリード１２
を支持するようにアウターリード１３がインナーリード
１２と一体的に形成されている。

このアウターリード１３には、後工程における曲げ加工
等が行えるように機械的強度を向上させるために金属被
着層が設けられている。このとき、アウターリード１３
部の板厚は１５０μｍ程度である。

次に、本発明のリードフレームの製造方法を説明する。

まず、板厚８０μｍの４２合金製のリードフレーム材の
表面に所定のマスクパターンを形成し、その後、エツチ
ングして、リードフレームを作成した。ここで、マスク
パターンの形成は、フォトリソグラフィー法、及びエツ
チングは、湿式エツチング法の通常行われている方法で
行った。

次に、得られたリードフレームの一方の面のマウント部
及びインナーリード部に厚さおよそ４μｍのＡｕメツキ
を施した。なお、このＡｕメツキ工程は、前処理、Ｃｕ
下地メツキ、置換防止処理、部分Ａｕメツキ、マスク剥
離、及び水洗をこの順序で行った。

次に、インナーリード部及びマウント部にＡｕメツキを
施したリードフレームのアウターリード部に強度向上の
ために厚さ５０μｍの銀メツキを施した。なお、この工
程は、前処理、銀メツキ、回収、及び水洗をこの順序で
行った。また、このメツキは、マウント部及びインナー
リード部には施さないため、第２図に示すようなマスク
２を使用した。

このようにして得られたリードフレームは、板厚の薄い
リードフレーム材から加工しているので、インナーリー
ド部におけるエツチングによる寸法誤差が小さく９、ま
た、アウターリード部は、金属被着層が設けられている
ため曲げ加工に対して充分な強度を持つものであった。

［発明の効果］ 本発明によれば、高い寸法精度のインナーリード部と、
充分な強度を有するアウターリードを併せ持つリードフ
レームを得ることができるものである。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の一実施例を示す平面図、第２図は、
本発明のメツキ工程において使用されるマスクの平面図
である。 １・・・リードフレーム本体、２・・・マスク、１１・
・・マウント部、１２・・・インナーリード部、１３・
・・アウターリード部。 第１図 第２図 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体を搭載するためのマウント部と、該マウン
   ト部の周囲に位置し、前記マウント部上の半導体素子と
   ワイヤボンディングによって電気的に接続されるインナ
   ーリード部と、該インナーリード部と一体的に形成され
   、前記インナーリード部を支持するアウターリード部と
   を具備するリードフレームにおいて、前記アウターリー
   ド部上に金属被着層を設けたことを特徴とするリードフ
   レーム。
2. （２）リードフレーム材にマスクパターンを形成する工
   程と、マスクパターンが形成された該リードフレーム材
   にエッチングを施してリードフレーム本体を形成する工
   程と、該リードフレーム本体のマウント部及びインナー
   リード部にボンディング用の金属被着層を施す工程と、
   前記リードフレーム本体のアウターリード部のみに強度
   向上用の金属被着層を施す工程とを具備するリードフレ
   ームの製造方法。