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JPH02247808A - Thin film magnetic head and its production - Google Patents

Thin film magnetic head and its production

Info

Publication number
JPH02247808A
JPH02247808A JP6621989A JP6621989A JPH02247808A JP H02247808 A JPH02247808 A JP H02247808A JP 6621989 A JP6621989 A JP 6621989A JP 6621989 A JP6621989 A JP 6621989A JP H02247808 A JPH02247808 A JP H02247808A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
magnetic
thin film
magnetic head
mask material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6621989A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kawabe
川邊 隆
Moriaki Fuyama
盛明 府山
Shinji Narushige
成重 真治
Akira Konuma
小沼 昭
Eiji Ashida
栄次 芦田
Makoto Morijiri
誠 森尻
Hideki Yamazaki
秀樹 山崎
Hiroshi Ikeda
宏 池田
Yousuke Sono
薗 容介
Kazunari Takemoto
一成 竹元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6621989A priority Critical patent/JPH02247808A/en
Publication of JPH02247808A publication Critical patent/JPH02247808A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に係り、特
に、高精度に形成されたトラック幅をもつ薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a thin film magnetic head and a method for manufacturing the same, and more particularly to a thin film magnetic head having a track width formed with high precision and a method for manufacturing the same.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

磁気ディスク装置の高記録密度化が進むにつれて、薄膜
磁気ヘッドのトラック幅も微細化しつつある。第2図は
、薄膜磁気ヘッドの構造の一例を示す側断面図である。
As the recording density of magnetic disk devices increases, the track width of thin film magnetic heads is also becoming finer. FIG. 2 is a side sectional view showing an example of the structure of a thin film magnetic head.

基板21の上には下部磁性膜22が形成されており、後
から形成される上部磁性膜23と共に磁気回路を構成し
ている。先端部24では、ギャップ材25を磁性膜22
.及び23の間に介在させ、磁気ギャップを形成し、こ
のギャップを用いて記録媒体に対する読み出し、及び、
書き込みを行なう。一方、磁気コア中央部では、導体コ
イル26が磁気回路と交差するように設けてあり、この
導体コイル26は、磁性膜22、及び、23と樹脂絶縁
膜27により絶縁されている。
A lower magnetic film 22 is formed on the substrate 21, and forms a magnetic circuit together with an upper magnetic film 23 that will be formed later. At the tip 24, the gap material 25 is connected to the magnetic film 22.
.. and 23 to form a magnetic gap, and this gap is used to read out the recording medium, and
Write. On the other hand, at the center of the magnetic core, a conductor coil 26 is provided to intersect with the magnetic circuit, and this conductor coil 26 is insulated from the magnetic films 22 and 23 by a resin insulating film 27.

薄膜磁気ヘッドの記録密度を決めるトラック幅は、通常
、ヘッド先端部24における上部磁性膜23の幅によっ
て決められる。このため、高精度なトラック幅寸法を実
現するには、約10μmの高さの樹脂絶縁WA27の段
差下部で、±0.5μm以下の高精度で磁性膜23をパ
ターニングする必要がある。このため、エツチング量の
コントロールが容易で、かつ、高い精度が期待できるド
ライエツチング法が用いられることが多く、特に、加速
したイオンを用いるイオンミリング法がよく用いられる
6 例えば、特開昭60−37130号公報には、感光性樹
脂をマスク材として、イオンミリング法を用いて段差部
の薄膜をパターニングする方法の例があげられており、
これを第3図に示す、第3図(a)に示したように、基
板31の上部に段差32を形成し、その上部にパターニ
ングされるべき薄膜33を形成する。次いで、第3図(
b)に示したように、感光性樹脂膜34を塗布し、パタ
ーン形成した後、第3図(0)に示すように、イオンミ
リング法を用いて薄膜33をエツチングし、目的とする
パターン形状を得ている。
The track width, which determines the recording density of a thin film magnetic head, is usually determined by the width of the upper magnetic film 23 at the head tip 24. Therefore, in order to realize a highly accurate track width dimension, it is necessary to pattern the magnetic film 23 with high accuracy of ±0.5 μm or less below the step of the resin insulating WA 27 with a height of about 10 μm. For this reason, a dry etching method is often used because the amount of etching can be easily controlled and high accuracy can be expected.In particular, an ion milling method using accelerated ions is often used6. Publication No. 37130 cites an example of a method of patterning a thin film at a stepped portion using an ion milling method using a photosensitive resin as a mask material.
This is shown in FIG. 3. As shown in FIG. 3(a), a step 32 is formed on the top of a substrate 31, and a thin film 33 to be patterned is formed on top of the step 32. Next, Figure 3 (
As shown in b), after coating the photosensitive resin film 34 and forming a pattern, the thin film 33 is etched using the ion milling method to form the desired pattern shape, as shown in FIG. I am getting .

また、特開昭60−37130号公報には、第3図に示
したプロセスよりも高精度なパターニングを実現する方
法もあげられており、これを第4図に示す。第4図(a
)に示したように、第3図Ca)同様の構造を形成した
後、その上部にアルミナ膜45を形成する。次いで、第
4図(b)に示すように、感光性樹脂膜44を形成した
後、第4図(Q)に示すように、ふっ素糸ガスを用いた
反応性イオンミリング法でアルミナII!445をパタ
ーニングする6その後、第4図(d)に示すように、感
光性樹脂膜44を除去した後、アルミナ膜45をマスク
材としてイオンミリング法で薄膜43をパターニングし
て、目的とする形状を得ている。
Furthermore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-37130 discloses a method for realizing patterning with higher precision than the process shown in FIG. 3, which is shown in FIG. Figure 4 (a
), after forming a structure similar to that shown in FIG. 3 (Ca), an alumina film 45 is formed on top of it. Next, as shown in FIG. 4(b), after forming a photosensitive resin film 44, as shown in FIG. 4(Q), alumina II! 6. Then, as shown in FIG. 4(d), after removing the photosensitive resin film 44, the thin film 43 is patterned by ion milling using the alumina film 45 as a mask material to form the desired shape. I am getting .

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記従来技術のうち、第3図に示した方法では。 Among the above conventional techniques, the method shown in FIG.

マスク材となる感光性樹脂膜の厚さが段差下部では約1
0〜15μmと厚くなってしまうため、イオンミリング
時に第5図に示すような再付着層35が発生してしまい
1段差下池における薄膜33の寸法精度が悪くなり、か
つ、目的とするパターン形状が得られなかった。なお、
第5図は、第3図(c)で得られた段差下部の薄膜パタ
ーンを正面から見た正断面図である。
The thickness of the photosensitive resin film that serves as the mask material is approximately 1 mm at the bottom of the step.
Since the thickness becomes 0 to 15 μm, a redeposition layer 35 as shown in FIG. 5 is generated during ion milling, which deteriorates the dimensional accuracy of the thin film 33 in the lower pond with a one-step difference, and makes it difficult to obtain the desired pattern shape. I couldn't get it. In addition,
FIG. 5 is a front sectional view of the thin film pattern at the bottom of the step obtained in FIG. 3(c).

また、第4図に示す方法では、マスク材となるアルミナ
膜の厚さが約2μmと薄くできるため、再付着層は発生
しないものの、感光性樹脂膜の幅をアルミナ膜に転写し
てからさらにこれを目的とする薄膜を転写してパターン
形成するという二重の工程が必要であり、従って、寸法
精度が悪くなってしまうという問題があった。具体的に
は、第4図に示した方法ではパターン精度は±0.8μ
mが限界であり、±0.5μm以下の高精度なパターン
を得ることは困難であった。
In addition, in the method shown in Figure 4, the thickness of the alumina film serving as the mask material can be made as thin as approximately 2 μm, so no redeposition layer occurs, but after the width of the photosensitive resin film is transferred to the alumina film, This requires a double process of transferring a thin film and forming a pattern, resulting in a problem of poor dimensional accuracy. Specifically, in the method shown in Figure 4, the pattern accuracy is ±0.8μ.
m is the limit, and it has been difficult to obtain a highly accurate pattern of ±0.5 μm or less.

本発明の目的は、高精度トラック幅寸法をもつ薄膜磁気
ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a thin film magnetic head with highly accurate track width dimensions and a method for manufacturing the same.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的は、絶縁膜段差のある基板上に上部磁性膜を堆
積した後、上部磁性膜を所定の形状にエツチングするた
めのマスク材を形成する工程で、高い寸法精度を必要と
する段差下部と、それ以外の段差上部とを別の工程でパ
ターン作製し、段差上部は、あらかじめ所定の形状にパ
ターニングした薄膜マスク材を用い1段差下部は薄い感
光性樹脂膜をマスク材として用いることにより達成され
る。すなわち、段差下部の感光性樹脂膜厚さを薄くする
ことにより、エツチング時の再付着を防ぎ、かつ、高い
寸法精度を実現できる。
The above purpose is a process of forming a mask material for etching the upper magnetic film into a predetermined shape after depositing the upper magnetic film on a substrate with an insulating film step. The upper part of the step difference is patterned in a separate process, and the upper part of the step is made of a thin film mask material that has been patterned in advance into a predetermined shape, and the lower part of the step difference is achieved by using a thin photosensitive resin film as the mask material. Ru. That is, by reducing the thickness of the photosensitive resin film below the step, re-adhesion during etching can be prevented and high dimensional accuracy can be achieved.

まず、絶縁膜段差のある基板上に上部磁性膜を堆積した
後、マスク用薄膜を堆積する。次いで。
First, an upper magnetic film is deposited on a substrate with an insulating film step, and then a mask thin film is deposited. Next.

感光性樹脂を塗布し、主として段差下部にのみ樹脂が残
存するように、パターンを形成した後、感光性樹脂膜パ
ターンをマスク材にして、マスク用薄膜をエツチングす
る。次いで、感光性樹脂膜を除去した後、今度は基板全
体に第二の感光性樹脂膜を簿く塗布し、主として段差下
部にのみ樹脂が磁存するようにパターンを形成する。そ
して、こうして形成したマスク用薄膜パターン及び第二
の感光性樹脂膜パターンの両方をマスク材として、上部
磁性膜をエツチングし、目的とするパターン形状を得る
After applying a photosensitive resin and forming a pattern so that the resin remains mainly at the bottom of the step, the thin masking film is etched using the photosensitive resin film pattern as a masking material. Next, after removing the photosensitive resin film, a second photosensitive resin film is carefully applied to the entire substrate, and a pattern is formed so that the resin is magnetically present mainly only at the bottom of the step. Then, the upper magnetic film is etched using both the mask thin film pattern and the second photosensitive resin film pattern thus formed as mask materials to obtain a desired pattern shape.

この工程で用いるマスク用薄膜は、無機絶縁膜。The mask thin film used in this process is an inorganic insulating film.

金属膜、有機絶縁膜等が用いられる。具体的には、アル
ミナ、二酸化けい素、窒化けい素、窒化アルミニウム、
酸化チタン、窒化チタン、五酸化タンタル、アルミニウ
ム、銅、シリコン、炭素、ポリイミド樹脂等があげられ
る。しかし、本発明の目的である段差下部のトラック幅
精度を向上させるには、このマスク用薄膜パターンを高
精度に形成する必要があるため、特定の条件下でエツチ
ングされやすい材料を用いることが望ましい。即ち、例
えば、ふっ素プラズマでエツチングされやすい二酸化け
い素、アルミナ、酸化チタン、あるいは。
A metal film, an organic insulating film, etc. are used. Specifically, alumina, silicon dioxide, silicon nitride, aluminum nitride,
Examples include titanium oxide, titanium nitride, tantalum pentoxide, aluminum, copper, silicon, carbon, and polyimide resin. However, in order to improve the track width accuracy at the bottom of the step, which is the objective of the present invention, it is necessary to form this mask thin film pattern with high precision, so it is desirable to use a material that is easily etched under certain conditions. . That is, for example, silicon dioxide, alumina, titanium oxide, or the like, which are easily etched by fluorine plasma.

酸化プラズマでエツチングされやすい炭素、ポリイミド
樹脂等を用いることが望ましい。
It is desirable to use carbon, polyimide resin, etc., which are easily etched by oxidizing plasma.

また、上部磁性膜をエツチングした後、マスク用薄膜を
除去する方法と除去しない方法の二通りが考えられるが
、製造工程を短縮するためにはマスク用薄膜を除去しな
い方が望ましい、その場合、マスク用薄膜を安定で、か
つ、さらに上部に形成される保護膜との密着力に優れた
物質であることが望ましい6例えば、薄膜磁気ヘッドの
保護膜にはアルミナがよく用いられることから、マスク
用薄膜をアルミナで形成すれば、安定で、かつ、保護膜
との密着力の優れた磁気ヘッドを得ることができる。
Also, after etching the upper magnetic film, there are two possible methods: removing the masking thin film and not removing it, but in order to shorten the manufacturing process, it is preferable not to remove the masking thin film. It is desirable that the thin film for the mask be made of a material that is stable and has excellent adhesion to the protective film formed on top6.For example, alumina is often used for the protective film of thin-film magnetic heads, so If the protective thin film is made of alumina, a magnetic head that is stable and has excellent adhesion to the protective film can be obtained.

一方、主として段差下部に形成する第二の感光性樹脂膜
の厚さは、トラック幅を高精度化するため、エツチング
時のマスク材として最低限必要な厚さを確保しながら、
できるだけ薄い方が望ましい。すなわち、上部磁性膜エ
ツチング時の再付着を防ぐために、第二の感光性樹脂膜
の厚さは、その幅より小さいことが望ましい。また、第
2の感光性樹脂膜に対して、90〜150℃の熱処理、
もしくは、遠紫外光照射処理を施して樹脂を硬化させる
ことにより、感光性樹脂膜パターン形状を安定化させる
ことは、トラック幅精度を向上させるために有効である
On the other hand, the thickness of the second photosensitive resin film formed mainly at the bottom of the step is determined by ensuring the minimum thickness required as a mask material during etching in order to improve the precision of the track width.
It is desirable that it be as thin as possible. That is, in order to prevent redeposition during etching of the upper magnetic film, it is desirable that the thickness of the second photosensitive resin film is smaller than its width. Further, the second photosensitive resin film is subjected to heat treatment at 90 to 150°C.
Alternatively, stabilizing the photosensitive resin film pattern shape by curing the resin by irradiating it with deep ultraviolet light is effective for improving track width accuracy.

また、主として段差上部に形成するマスク用薄膜として
、段差下部と同様の感光性樹脂を適用する方法も考えら
れるが、この場合、磁気ヘッドの信頼性を向上させるた
めに上部磁性膜エツチング後に感光性樹脂膜を除去しな
ければならず、工程が複雑になることや、磁気ヘッドの
絶縁膜がダメ−ジを受けることが考えられる。したがっ
て、マスク用薄膜には、アルミナ等の安定な材料を用い
ることが望ましい。
Another possible method is to apply the same photosensitive resin as that used for the lower part of the step as the thin film for the mask formed mainly on the upper part of the step, but in this case, in order to improve the reliability of the magnetic head, the photosensitive resin is removed after etching the upper magnetic film. The resin film must be removed, which may complicate the process and damage the insulating film of the magnetic head. Therefore, it is desirable to use a stable material such as alumina for the mask thin film.

一方、磁性膜として、一層以上の磁性材料膜と一層以上
の非磁性材料膜との積層体である多層磁性膜を用いれば
、高周波透磁率の大きい磁気コイルが得られるため、さ
らに信号出力の大きい薄膜磁気ヘッドが実現できる8 〔作用〕 上記の手段を適用することにより、段差下部にでも薄い
感光性樹脂をマスク材として、上部磁性膜をエツチング
することができるため、再付着層の発生がなくなる。
On the other hand, if a multilayer magnetic film, which is a laminate of one or more magnetic material films and one or more non-magnetic material films, is used as the magnetic film, a magnetic coil with high high-frequency magnetic permeability can be obtained, and therefore, even higher signal output can be obtained. A thin film magnetic head can be realized 8 [Operation] By applying the above method, the upper magnetic film can be etched even under the step using a thin photosensitive resin as a mask material, thereby eliminating the generation of a re-deposition layer. .

また、薄い感光性樹脂膜パターンの幅をそのまま上部磁
性膜に転写できるため、絶縁膜段差下部でも高い寸法精
度が実現でき、トラック幅精度が向上する。
Furthermore, since the width of the thin photosensitive resin film pattern can be directly transferred to the upper magnetic film, high dimensional accuracy can be achieved even under the step of the insulating film, and track width accuracy is improved.

一方、段差上部でも、エツチング時のマスク材として充
分な厚さを持つマスク用薄膜パターンが得られるため、
膜減りやパターン欠けのない高精度な上部磁性膜パター
ンを得られるようになる。
On the other hand, even at the top of the step, a thin film pattern for a mask can be obtained that is thick enough to be used as a mask material during etching.
A highly accurate upper magnetic film pattern without film thinning or pattern chipping can be obtained.

また、本発明が、薄膜磁気ヘッドの磁気特性に与える影
響について考えた場合1次のような作用がある。即ち、
薄膜磁気ヘッドの上部磁性膜のうち、特に1段差銀面か
ら段差下部にかけての部分は磁気特性を左右する重要な
部分であり、この部分にはできるだけ複雑な応力が働か
ないようにする必要がある。ところが、特開昭60−3
7130号公報に示された方法のうち、第4図に示した
方法を用いると、この段差下部の磁性膜の上にエツチン
グマスク用アルミナ膜が残存するため、磁性膜に複雑な
応力が加わり、信号の波形歪みを生じることがあった。
Furthermore, when considering the influence that the present invention has on the magnetic characteristics of the thin film magnetic head, there is a first-order effect. That is,
In the upper magnetic film of a thin-film magnetic head, the part from the first step silver surface to the bottom of the step is an important part that affects the magnetic properties, and it is necessary to prevent complex stress from acting on this part as much as possible. . However, JP-A-60-3
Among the methods disclosed in Publication No. 7130, when the method shown in FIG. 4 is used, the alumina film for the etching mask remains on the magnetic film below the step, so complex stress is applied to the magnetic film. This may cause signal waveform distortion.

しかし本発明の方法を用いれば1段差銀面から段差下部
にかけての磁性膜の上にはマスク用薄膜を残らないため
、磁性膜に複雑な応力が加わらなくなり、上述のような
欠点を克服することができる。また、段差上部にはマス
ク用薄膜が残存するが、この部分に加わる応力が磁気特
性に与える影響は小さいため、問題ない。
However, if the method of the present invention is used, no masking thin film will remain on the magnetic film from the first level difference silver surface to the bottom of the level difference, so no complicated stress will be applied to the magnetic film, and the above-mentioned drawbacks can be overcome. I can do it. Further, although the thin film for the mask remains on the upper part of the step, there is no problem because the stress applied to this part has little effect on the magnetic properties.

(実施例〕 以上1本発明の一実施例を第1図を用いて説明する。第
1図は1本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を
表わす側断面図である。
(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 1. Fig. 1 is a side sectional view showing a method of manufacturing a thin film magnetic head to which the present invention is applied.

まず、第1図(a)に示したように、セラミック基板1
1上に、下部磁性膜12、ギャップ膜13、絶縁膜14
、及び、導体コイル15を形成した後、上部磁性膜16
、及び、アルミナ膜17をスパッタリングした。次いで
、第1図(b)に示すように、ポジ型ホトレジストを塗
布し、主として段差上部にのみホトレジスト18が残存
するようにパターン形成した。このホトレジスト18を
マスク材にして、CHF aガスを用いたイオンミリン
グ法でアルミナ膜17をエツチングした後、ホトレジス
ト18を除去して、第1図(Q)に示す構造を得た0次
いで、ポジ型ホトレジストを塗布した後、第1図(d)
に示すように、主として段差下部にのみホトレジスト1
9が残存するようにパターン形成した。この時、トラッ
ク幅10μmに対して、段差下部のホトレジスト19の
厚さは約5μmとした0次いで、第1図(e)に示した
ように、アルミナ膜17.及び、ホトレジスト19をマ
スク材にして、Arガスを用いたイオンミリング法が下
部磁性膜16をエツチングした後、第1図(f)に示す
ように、溶剤を用いてホトレジスト19を除去し、目的
とする形状の上部磁性膜パターン16を得た。この時、
マスク材として用いたホトレジスト19が薄いため、イ
オンミリングによる再付着は発生しなかった。また。
First, as shown in FIG. 1(a), a ceramic substrate 1
1, a lower magnetic film 12, a gap film 13, an insulating film 14
, and after forming the conductor coil 15, the upper magnetic film 16
, and an alumina film 17 was sputtered. Next, as shown in FIG. 1(b), a positive type photoresist was applied and a pattern was formed so that the photoresist 18 remained mainly only on the top of the step. Using this photoresist 18 as a mask material, the alumina film 17 was etched by ion milling using CHFa gas, and then the photoresist 18 was removed to obtain the structure shown in FIG. 1(Q). After applying the mold photoresist, Figure 1(d)
As shown in Figure 1, photoresist 1 is mainly applied only to the bottom of the step.
A pattern was formed so that No. 9 remained. At this time, for a track width of 10 μm, the thickness of the photoresist 19 at the bottom of the step was approximately 5 μm. Then, as shown in FIG. 1(e), the alumina film 17. Then, after etching the lower magnetic film 16 by ion milling using Ar gas using the photoresist 19 as a mask material, the photoresist 19 is removed using a solvent as shown in FIG. 1(f). An upper magnetic film pattern 16 having the shape was obtained. At this time,
Since the photoresist 19 used as a mask material was thin, redeposition due to ion milling did not occur. Also.

第1図中の段差右側、即ち、上部磁性膜16と下部磁性
膜12の接続部分では、段差下部でもアルミナ膜17が
マスク材となっているが、この部分は高い寸法精度を必
要としないため問題ない。
On the right side of the step in FIG. 1, that is, at the connection part between the upper magnetic film 16 and the lower magnetic film 12, the alumina film 17 is also used as a mask material at the bottom of the step, but this part does not require high dimensional accuracy. no problem.

第6図に、本発明の方法を用いて、トラック幅10μm
の薄膜磁気ヘッドを作製した時の、トラック幅寸法のば
らつきを従来法と比較して示す。
FIG. 6 shows a track width of 10 μm using the method of the present invention.
This figure shows the variation in track width when manufacturing a thin-film magnetic head using the conventional method.

本発明により、±0.5μrn以内の精度が実現できる
ことがわかった。
It has been found that according to the present invention, accuracy within ±0.5 μrn can be achieved.

第7図に、本発明による薄膜磁気ヘッドの構造の例を示
す。第7図は、薄膜磁気ヘッドの側断面図を表わしてい
る。第7図(a)で・は、絶縁膜74の段差下部におけ
る上部磁性膜76の上にはマスク用薄膜77が残存して
いないため、この部分に加わる応力は保護膜78による
ものだけとなり、複雑な応力作用による磁気特性の悪化
は無い。
FIG. 7 shows an example of the structure of a thin film magnetic head according to the present invention. FIG. 7 shows a side sectional view of the thin film magnetic head. In FIG. 7(a), since the masking thin film 77 does not remain on the upper magnetic film 76 at the bottom of the step of the insulating film 74, the stress applied to this part is only due to the protective film 78. There is no deterioration of magnetic properties due to complicated stress effects.

また、第7図(b)は、上部磁性膜部分が上部第一磁性
膜70、アルミナ膜71及び上部第二磁性膜72の三層
構造となった場合の例を示している。
Further, FIG. 7(b) shows an example in which the upper magnetic film portion has a three-layer structure of an upper first magnetic film 70, an alumina film 71, and an upper second magnetic film 72.

この場合も、本発明の適用により、マスク用薄膜77が
残存するのは段差上部のみであり、段差下部の上部第一
磁性膜70の上に残存するアルミナ膜71は薄いために
応力が小さく、第7図(a)の場合と同様の効果が得ら
れる。
In this case as well, by applying the present invention, the masking thin film 77 remains only at the top of the step, and the alumina film 71 remaining on the upper first magnetic film 70 at the bottom of the step is thin and has low stress. The same effect as in the case of FIG. 7(a) can be obtained.

次に、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を表
わすもう一つの実施例を、第8図を用いて説明する。ま
ず、第8図(a)に示したように、セラミック基板81
上に、下部磁性膜82、ギャップ膜83、絶縁膜84、
及び、導体コイル85を形成した後、上部第一磁性膜8
61、アルミナ膜862、及び、上部第二磁性膜863
をスパッタリングし、上部第二磁性膜863をバターニ
ングした。次いで、第8図(b)に示したように、エツ
チングストッパ膜871、及び、アルミナ膜872をス
パッタリングした後、主として段差上部にのみホトレジ
スト88を形成した。次いで、第8図(c)に示すよう
に、ホトレジスト88をマスク材にして、CHF5ガス
を用いたイオンミリング法でアルミナ膜872をエツチ
ングした後、Arガスを用いたイオンミリング法でエツ
チングストッパ膜871をエツチングし、ホトレジスト
88を除去した。次いで、第8図(d)に示したように
、主として段差下部にのみホトレジスト89を形成した
後、アルミナ膜872及びホトレジスト89をマスク材
にして、第8図(e)に示したように、アルミナ膜86
2、及び、上部第一磁性膜861をエツチングし、ホト
レジスト89を除去して、目的とする形状の上部磁性膜
パターン861を得た。
Next, another embodiment representing a method of manufacturing a thin film magnetic head to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 8(a), a ceramic substrate 81
Above, a lower magnetic film 82, a gap film 83, an insulating film 84,
After forming the conductor coil 85, the upper first magnetic film 8
61, alumina film 862, and upper second magnetic film 863
was sputtered to pattern the upper second magnetic film 863. Next, as shown in FIG. 8(b), after sputtering an etching stopper film 871 and an alumina film 872, a photoresist 88 was formed mainly only on the top of the step. Next, as shown in FIG. 8(c), using the photoresist 88 as a mask material, the alumina film 872 is etched by ion milling using CHF5 gas, and then the etching stopper film is etched by ion milling using Ar gas. 871 was etched and the photoresist 88 was removed. Next, as shown in FIG. 8(d), after forming a photoresist 89 mainly only at the bottom of the step, using the alumina film 872 and the photoresist 89 as mask materials, as shown in FIG. 8(e), Alumina membrane 86
2, and the upper first magnetic film 861 was etched and the photoresist 89 was removed to obtain an upper magnetic film pattern 861 having the desired shape.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの上部磁性膜をパター
ニングする場合に、絶縁膜段差下部でも従来より薄い感
光性樹脂膜をマスク材として適用できるので、トラック
幅寸法のばらつきが小さく、かつ、再付着のないパター
ンが形成できる。
According to the present invention, when patterning the upper magnetic film of a thin-film magnetic head, a thinner photosensitive resin film than before can be applied as a mask material even under the step of the insulating film. A pattern without adhesion can be formed.

また1段差下部の上部磁性膜に対して複雑な応力を加え
る膜を排除できるので、信号波形歪みの少ない、すぐれ
た薄膜磁気ヘッドが得られる。
Furthermore, since it is possible to eliminate a film that applies complex stress to the upper magnetic film at the bottom of the step, an excellent thin film magnetic head with less signal waveform distortion can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第8図は、本発明の一実施例の製造方法を示
す側断面図、第2図及び第7図は、薄膜磁気ヘッドの構
造を示す側断面図、第3図及び第4図は、従来の製造方
法を示す側断面図、第5図は、従来法の欠点を示す断面
図、第6図は、本発明と従来法の効果を比較するヒスト
グラムである。 11・・・セラミック基板、12・・・下部磁性膜、1
3・・・ギャップ膜、14・・・絶縁膜、15・・・導
体コイル、16・・・上部磁性膜、17・・・アルミナ
膜、18・・・ホトレジスト、19・・・ホトレジスト
。 系 凹 集3図 克 図 (b)不倚吐 ゴジ去に′5つき(P″TI) 系 牟 図 率S区
1 and 8 are side sectional views showing a manufacturing method according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 7 are side sectional views showing the structure of a thin film magnetic head, and FIGS. 5 is a sectional side view showing the conventional manufacturing method, FIG. 5 is a sectional view showing the drawbacks of the conventional method, and FIG. 6 is a histogram comparing the effects of the present invention and the conventional method. 11... Ceramic substrate, 12... Lower magnetic film, 1
3... Gap film, 14... Insulating film, 15... Conductor coil, 16... Upper magnetic film, 17... Alumina film, 18... Photoresist, 19... Photoresist. Keisha collection 3 drawings and illustrations (b) '5' attached to Futogojiki (P''TI) Kei Muzu rate S section

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、少なくとも基板上に形成された段差部分と、前記段
差部分の上部及び斜面部及び下部にまたがって形成され
た磁性膜と、前記磁性膜の表面のうちで前記段差部分の
上部及び前記段差部分の斜面部の一部にのみ存在する薄
膜マスク材とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 2、請求項1において、 前記磁性膜が誘導型磁気ヘッドの磁気コアの一部分であ
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 3、請求項1または2において、 前記薄膜マスク材が二酸化けい素、アルミナ、酸化チタ
ン、炭素、ポリイミド樹脂のいずれかであることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 4、請求項2または3において、 前記薄膜マスク材が、その表面に形成される保護膜と同
じ物質であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 5、請求項1、2、3または4において、 前記磁性膜が、一層以上の磁性材料膜と、一層以上の非
磁性材料膜との積層構造であることを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 6、基板上に形成された段差部分に磁性膜を形成する第
一の工程、前記磁性膜の表面のうちで段差上部及び段差
斜面部の一部に薄膜マスク材を形成する第二の工程、前
記磁性膜の表面のうちで前記段差下部及び前記段差斜面
部の一部に感光性樹脂パターンを形成する第三の工程、
前記薄膜マスク材及び前記感光性樹脂パターンをマスク
にして前記磁性膜をエッチングする第四の工程とを含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 7、請求項6において、前記磁性膜が誘導型磁気ヘッド
の磁気コアの一部分であることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 8、請求項6または7において、前記薄膜マスク材が、
二酸化けい素、アルミナ、酸化チタン、炭素、ポリイミ
ド樹脂のいずれかであることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 9、請求項6、7または8において、前記薄膜マスク材
の表面に、前記薄膜マスク材と同じ物質から成る保護膜
を形成する第五の工程を含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 10、請求項6、7、8または9において、前記磁性膜
が一層以上の前記磁性材料膜と、一層以上の前記非磁性
材料膜との積層構造であることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 11、請求項6、7、8、9または10において、前記
第三の工程で形成する前記感光性樹脂パターンの厚さが
、その幅よりも小さいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
[Claims] 1. At least a step portion formed on a substrate, a magnetic film formed over the top, slope portion, and bottom of the step portion, and the step portion on the surface of the magnetic film. and a thin film mask material present only on the upper part of the step part and a part of the slope part of the step part. 2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the magnetic film is a part of a magnetic core of an inductive magnetic head. 3. The thin film magnetic head according to claim 1 or 2, wherein the thin film mask material is silicon dioxide, alumina, titanium oxide, carbon, or polyimide resin. 4. The thin film magnetic head according to claim 2 or 3, wherein the thin film mask material is the same material as a protective film formed on its surface. 5. The thin film magnetic head according to claim 1, 2, 3 or 4, wherein the magnetic film has a laminated structure of one or more magnetic material films and one or more nonmagnetic material films. 6. A first step of forming a magnetic film on the step portion formed on the substrate; a second step of forming a thin film mask material on a portion of the step portion and the step slope portion of the surface of the magnetic film; a third step of forming a photosensitive resin pattern on a part of the lower part of the step and the slope part of the step on the surface of the magnetic film;
A method for manufacturing a thin film magnetic head, comprising a fourth step of etching the magnetic film using the thin film mask material and the photosensitive resin pattern as a mask. 7. A method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, wherein the magnetic film is a part of a magnetic core of an inductive magnetic head. 8. Claim 6 or 7, wherein the thin film mask material comprises:
A method for producing a thin film magnetic head characterized in that it is made of silicon dioxide, alumina, titanium oxide, carbon, or polyimide resin. 9. A method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, 7 or 8, comprising a fifth step of forming a protective film made of the same material as the thin film mask material on the surface of the thin film mask material. . 10. Manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, 7, 8 or 9, wherein the magnetic film has a laminated structure of at least one layer of the magnetic material film and at least one layer of the non-magnetic material film. Method. 11. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 6, 7, 8, 9 or 10, wherein the thickness of the photosensitive resin pattern formed in the third step is smaller than the width thereof.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173191A (en) * 1989-10-05 1992-12-22 Exxon Research And Engineering Company Interfacially polymerized membranes for the reverse osmosis separation of organic solvent solutions
US5182024A (en) * 1990-12-05 1993-01-26 Exxon Research And Engineering Company Separation of hydrocarbon dewaxing and deasphalting solvents from dewaxed and/or deasphalted oil using interfacially polymerized membrane

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