JPH02243881A - Highly clean room - Google Patents
Highly clean roomInfo
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- JPH02243881A JPH02243881A JP6371889A JP6371889A JPH02243881A JP H02243881 A JPH02243881 A JP H02243881A JP 6371889 A JP6371889 A JP 6371889A JP 6371889 A JP6371889 A JP 6371889A JP H02243881 A JPH02243881 A JP H02243881A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、クリーンルーム内に設けら九た半導体や磁気
ディスクなどの製造装置近傍を局所的に高清浄化する高
清浄室に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a high-clean room that locally cleans the vicinity of manufacturing equipment for semiconductors, magnetic disks, etc., which is provided in the clean room.
半導体素子を製造する場合、この半導体素子の高集積化
とともに、製造工程中でウェハに塵埃が付着しないよう
にすることが、歩溜りを確保するために重要な問題とな
ってきている。例えば4メガビットDRAMを例にとる
と、粒径が約0.1μm以上の塵埃がウェハ上に付着す
ると歩留りの低下につながると云われている。このよう
な問題は製造する素子の集積度が高まる程、より小さな
塵埃までが原因となるため、半導体製造空間の高清浄度
化は今後ますます大きな技術課題となってくる。そして
半導体の製造はクリーンルーム内で行なわれるため、製
造空間であるクリーンルームを高清浄度化する必要があ
る。When manufacturing semiconductor devices, as semiconductor devices become highly integrated, preventing dust from adhering to wafers during the manufacturing process has become an important issue in order to ensure yields. For example, in the case of a 4-megabit DRAM, it is said that if dust with a particle size of approximately 0.1 μm or more adheres to the wafer, it will lead to a decrease in yield. As the degree of integration of manufactured devices increases, even the smallest particles of dust become the cause of such problems, so improving the cleanliness of semiconductor manufacturing spaces will become an increasingly important technical issue in the future. Since semiconductor manufacturing is performed in a clean room, the clean room, which is the manufacturing space, needs to have a high level of cleanliness.
一方、クリーンルーム内には作業者や各種装置など、多
数の塵埃発生源が存在する。クリーンルーム内ではこれ
らの塵埃発生源から発生した塵埃は速かに気流によって
クリーンルーム外へ持ち去られるが、作業者がひんばん
に往来する場所ではどうしても清浄度が低下してしまう
。したがってクリーンルーム内を一様に高清浄度化する
ことは困難である。このためクリーンルーム内でも特に
、製造装置近傍で、ウェハが常に存在する部分を。On the other hand, there are many dust generation sources in a clean room, such as workers and various devices. In a clean room, dust generated from these dust sources is quickly carried out of the clean room by air currents, but in areas where workers frequently come and go, cleanliness inevitably decreases. Therefore, it is difficult to uniformly maintain a high degree of cleanliness within a clean room. For this reason, in the clean room, especially in areas near the manufacturing equipment, where wafers are always present.
他の場所よりも確実に高清浄な雰囲気が確保できるよう
な工夫がなされている。Efforts have been made to ensure a cleaner atmosphere than other locations.
このような工夫の一つとして、第11図に示す゛ように
製造装置全体を囲む方法がある。図において、製造装置
1の上部をカバー2で被覆し、このカバー2内には清浄
空気ユニット3で生成された清浄空気が、矢印35で示
すように流入口4から流入するようになっている。この
ためにカバー2内の圧力は外部よりも高くなり、カバー
2と装置1の間隙から矢印41で示すように空気が流出
する。従ってカバー2の内部は1M理的には常に外部よ
り高清浄度が保持される。One such method is to surround the entire manufacturing apparatus as shown in FIG. In the figure, the upper part of the manufacturing apparatus 1 is covered with a cover 2, and clean air generated by a clean air unit 3 flows into the cover 2 from an inlet 4 as shown by an arrow 35. . For this reason, the pressure inside the cover 2 becomes higher than that outside, and air flows out from the gap between the cover 2 and the device 1 as shown by an arrow 41. Therefore, the inside of the cover 2 is always maintained at a higher level of cleanliness than the outside.
別の方法としては第12図に示すようなものがある。図
において、トンネル型クリーンルーム5内にフィルタユ
ニット6を介して清浄空気が送られている。このとき、
製造装N1が置かれている装置域7へ矢印42で示すよ
うに送られる風量を、作業者が往来する作業域8へ矢印
43で示すように送られる風量より多くしである。この
ため装置域7は作業域8に対し陽圧となり、装置域7を
仕切るパーティション9と製造装置1との間隙から、矢
印44で示すように気流が装置域7から作業域8に向っ
て流れている。またこのパーティション9は作業者が作
業域8を通るときに生ずる作業域気流の乱れが、装置域
7に伝搬することを防止している。この方法によっても
作業域8の汚染空気が装置域7に侵入することを防ぎ、
装置域7の清浄度を保持することができる。なお、クリ
ーンルーム5にグレーチング床10と下床11が設けら
れている。Another method is shown in FIG. In the figure, clean air is sent into a tunnel-type clean room 5 via a filter unit 6. At this time,
The amount of air sent to the equipment area 7 where the manufacturing equipment N1 is placed as shown by arrow 42 is made larger than the amount of air sent to the work area 8 where workers come and go as shown by arrow 43. Therefore, the equipment area 7 has a positive pressure relative to the working area 8, and airflow flows from the equipment area 7 toward the working area 8 as shown by arrow 44 from the gap between the partition 9 that partitions the equipment area 7 and the manufacturing equipment 1. ing. The partition 9 also prevents turbulence in the work area airflow that occurs when a worker passes through the work area 8 from propagating to the equipment area 7. This method also prevents contaminated air from the work area 8 from entering the equipment area 7,
The cleanliness of the device area 7 can be maintained. Note that the clean room 5 is provided with a grating floor 10 and a lower floor 11.
しかしながら上記従来技術では、装置自身が発生した塵
埃を速やかに除灰するという点については必ずしも充分
に配慮されておらず、このために装置周囲の清浄度が保
持されないことがあるという問題があった。However, in the above-mentioned conventional technology, sufficient consideration was not always given to the prompt removal of dust generated by the device itself, and as a result, there was a problem in that the cleanliness around the device could not be maintained. .
このような問題が発生する原因を第13図及び第14図
を参照して説明する。第13図は上面に段差1aのある
機械装置1をカバー2で被覆した場合であり、この場合
は段差1aの部分で渦流域45が形成されている。また
第14図はクリーンルーム5内の装置域7を第12図に
示す作業域8側から見た図であるが、装置1間の高さの
相違によって渦流域45が形成されている。The cause of such a problem will be explained with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. 13 shows a case where a mechanical device 1 having a step 1a on the upper surface is covered with a cover 2, and in this case, a vortex area 45 is formed at the step 1a. Further, FIG. 14 is a view of the equipment area 7 in the clean room 5 viewed from the working area 8 side shown in FIG. 12, and a vortex region 45 is formed due to the difference in height between the equipments 1.
上記のように渦流域45が形成されると、この部分に塵
埃が入り込んだ場合に滞溜してしまうため、装置1の近
傍の清浄度を低下させ、ウェハの塵埃汚染の可能性が高
くなってしまう。When the vortex area 45 is formed as described above, if dust enters this area, it will accumulate, reducing the cleanliness near the apparatus 1 and increasing the possibility of dust contamination of the wafer. It ends up.
また、上記従来技術では、カバー2の内部またはクリー
ンルーム5の装置域7の内部の気流分布を、内部の装置
1の作動状態によって動的な制御をしていないため、内
部の清浄度低下を招くことがあるという問題もあった。Further, in the above-mentioned conventional technology, the airflow distribution inside the cover 2 or inside the device area 7 of the clean room 5 is not dynamically controlled depending on the operating state of the device 1 inside, which leads to a decrease in the cleanliness of the inside. There was also the problem that something happened.
すなわち、装置によっては特定の動作状態のときに特定
の部分からの発塵量が多くなることがある。このような
場合、この部分に周辺から気流が流れこむようにするこ
とで、発生した塵埃の拡散を防止することが望ましいが
、従来はこのような制御は行なわれていなかった。That is, depending on the device, the amount of dust generated from a specific part may increase during a specific operating state. In such a case, it is desirable to prevent the generated dust from dispersing by allowing airflow to flow into this area from the surrounding area, but conventionally such control has not been performed.
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、クリーンル
ーム内の装置から発生した塵埃を速やかに外部に排出し
、装置域内の清浄度を確実に保持することのできる高清
浄度室を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a high-cleanliness room that can quickly discharge dust generated from equipment in a clean room to the outside and reliably maintain cleanliness within the equipment area. With the goal.
上記目的を達成するために、本発明は、クリーンルーム
内に設けられた製造装置を仕切手段によって仕切り、内
部に高清浄度の空気が導入される高清浄度室において、
前記仕切手段に内外部を連通ずる複数個の孔を形成する
とともに、少なくとも1個の孔を開閉自在に調整する制
御手段を設けたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a highly clean room in which a manufacturing device installed in a clean room is partitioned by a partition means, and highly clean air is introduced into the interior.
A plurality of holes are formed in the partition means to communicate between the inside and the outside, and a control means is provided for opening and closing at least one of the holes.
上記の楕成によると、仕切手段に形成された複数個の孔
を選択的に開閉し、または開度を制御することによって
、仕切手段の内部から外部への空気流出の流出量分布を
制御することができ、内部の気流状態を渦流のない良好
なものとすることができる。従って製造装置に段差部が
あったり、製造装置と仕切手段との間の間隙に部分によ
って差があったり、または製造装置の作動状態によって
汚染空気流の方向が特定の方向であったりする場合でも
、空気流に渦流を発生させることなく、この空気流は適
切な方向に向けられる。According to the above configuration, by selectively opening and closing a plurality of holes formed in the partition means or controlling the degree of opening, the distribution of the air outflow from the inside of the partition means to the outside is controlled. This makes it possible to maintain a good internal airflow condition without swirling. Therefore, even if the manufacturing equipment has a stepped part, the gap between the manufacturing equipment and the partition means varies depending on the part, or the direction of contaminated air flow is in a specific direction depending on the operating state of the manufacturing equipment, , this airflow is directed in the proper direction without creating vortices in the airflow.
以下、本発明に係る高清浄度室の一実施例を図面を参照
して説明する。An embodiment of the high cleanliness chamber according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図乃至第3図に本発明の第1の実施例を示す。図に
おいて、第10図に示す従来例と同一または同等部分に
は同一符号を付して示す。製造装置1は高さ約1m、横
約2mの装置であり、第1図に示すように上面に段差1
aがある。この装置1の上面の大部分はカバー2で被覆
されており、カバー2の内側には整流板12が設けられ
ている。A first embodiment of the present invention is shown in FIGS. 1 to 3. In the figure, parts that are the same or equivalent to those of the conventional example shown in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals. The manufacturing equipment 1 is approximately 1 m high and approximately 2 m wide, and has a step on the top surface as shown in Figure 1.
There is a. Most of the upper surface of this device 1 is covered with a cover 2, and a rectifying plate 12 is provided inside the cover 2.
またカバー2の上面と整流板12との間には、清浄空気
流入口4を介して清浄空気ユニット3が接続されている
。カバー2の両側下部で製造装置1の側面に対向する位
置には複数個の孔13が下縁に沿って一直線上に形成さ
れており、本実施例ではこれらの孔13の直径は約3■
、間隔は約7anとなっている。これらの孔13の前面
には第2図乃至第4図に示すように、支軸14に回動可
能に一端が支持された蓋15が設けられており、この蓋
15は通常第2図に示すように、孔13を全開としてい
る。また、孔13の上部の位置におけるカバー2にはそ
れぞれ固定軸16が取り付けられており、第3図に示す
ように蓋15を180度回動して孔13を全開としたと
きに、固定軸16によって蓋15を係止できるようにな
っている。Further, a clean air unit 3 is connected between the upper surface of the cover 2 and the rectifying plate 12 via a clean air inlet 4 . A plurality of holes 13 are formed in a straight line along the lower edge at positions facing the sides of the manufacturing apparatus 1 at the lower sides of the cover 2, and in this embodiment, the diameter of these holes 13 is approximately 3 mm.
, the interval is approximately 7 an. As shown in FIGS. 2 to 4, the front surfaces of these holes 13 are provided with lids 15, one end of which is rotatably supported on a support shaft 14. As shown, the hole 13 is fully opened. Further, a fixed shaft 16 is attached to each cover 2 at the upper position of the hole 13, and when the cover 15 is rotated 180 degrees to fully open the hole 13 as shown in FIG. 16 allows the lid 15 to be locked.
次に上記のように構成された本実施例の作用を説明する
。清浄空気ユニット3で生成された清浄空気は清浄空気
流入口4を介してカバー2内に流入し、整流板12の作
用でほぼ全面均一に天井部より下方に流れる。また孔1
3のうち機械装置1の高さの高い部分の位置の孔13は
、白丸で示すように全く全開となっており、高さの低い
部分の位置の孔13は2個おきに全開、他は黒丸で示す
ように全閉となっている。このようにすることにより、
気流は機械装置1の高さの低い側から高い側に向って若
干斜めの方向に流れ、第13図に示すような渦流域45
を小さくすることができる。Next, the operation of this embodiment configured as described above will be explained. The clean air generated by the clean air unit 3 flows into the cover 2 through the clean air inlet 4, and flows downward from the ceiling almost uniformly over the entire surface by the action of the rectifying plate 12. Also hole 1
3, the holes 13 in the higher parts of the mechanical device 1 are completely open as shown by the white circles, and every second hole 13 in the lower parts is fully open, and the others are fully open. It is fully closed as shown by the black circle. By doing this,
The airflow flows in a slightly diagonal direction from the lower side to the higher side of the mechanical device 1, forming a vortex area 45 as shown in FIG.
can be made smaller.
本実施例によれば、クリーンルーム内に設置された製造
装置の段差部1aに発生する渦流域45を減少すること
ができ、この結実装置1から発生した塵埃は内部に滞留
することなく、速やかに外部に排出される。According to this embodiment, it is possible to reduce the vortex area 45 that occurs in the stepped portion 1a of the manufacturing equipment installed in a clean room, and the dust generated from the fruiting equipment 1 can be quickly removed without staying inside. It is discharged to the outside.
第5図乃至第7図に本発明の第2の実施例を示す。図に
おいて、第12図に示す従来例と同一または同等部分に
は同一符号を付して示す。本実施例はトンネル型クリー
ンルーム5に本発明を適用したものであり、清浄空気は
それぞれ矢印42、dで示すように天井から下向きに流
れ、装置が設置されている装置7とそれ以外の作業域8
とに流入する。そして装置域7は作業域8に比べて陽圧
となっており、その間はパーティション9で仕切られて
いる。またパーティション9と装置1との間隙は例えば
約18国となっており、この間隙の下端には第6図に示
すような多孔板17が設けられている。この多孔板17
には直径が約31の孔18が直線上に約7■の間隔で設
けられており、これらの孔18は必要に応じて第7図に
示すような栓19で閉塞できるようになっている。なお
、第5図にグレーチング床10及び下床11を示す。A second embodiment of the present invention is shown in FIGS. 5 to 7. In the figure, parts that are the same or equivalent to those of the conventional example shown in FIG. 12 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, the present invention is applied to a tunnel-type clean room 5, in which clean air flows downward from the ceiling as shown by arrows 42 and d, respectively, and flows through the device 7 where the device is installed and the other work area. 8
There is an inflow into the country. The equipment area 7 has a more positive pressure than the work area 8, and is separated by a partition 9. Further, the gap between the partition 9 and the device 1 is, for example, approximately 18 mm, and a perforated plate 17 as shown in FIG. 6 is provided at the lower end of this gap. This perforated plate 17
Holes 18 with a diameter of about 31 are provided in a straight line at intervals of about 7 cm, and these holes 18 can be plugged with plugs 19 as shown in FIG. 7, if necessary. . In addition, the grating floor 10 and the lower floor 11 are shown in FIG.
次に本実施例の作用を説明する。クリーンルーム5内の
グレーチング床10上に載置された隣接する製造装置1
b、lcの高さは異なり、装置1bの高さが装置ICの
高さより低い場合、装置1bの両側に設けられた多孔板
17のうち、装置1c側の多孔板17に形成された孔1
8は全て開放とし、反対側の多孔板17に形成された孔
18は例えば1個おきに栓19で閉塞する。装置ICに
ついても同様である。このようにすることにより装置域
7の前後面から作業域8に流れる気流流電を調整するこ
とができる。すなわち、装置域7の後面の作業域8aは
空気リターン部であり、対向する装置域7との間の作業
域8bは空気流入部となって、天井より送られた清浄空
気はそれぞれ矢印42.43で示すように装置域7及び
作業域8bに入る。この清浄空気はさらにグレーチング
床10や、装置域7の後面作業域8a側のパーティショ
ン9の下の多孔板17を通って、この作業域8b内に流
れ込む。このとき作業域8a側の多孔板17の孔数は作
業域8b側の多孔板17の孔数の約半分となっているた
め、それぞれの多孔板17を通る空気量が制御され、第
1の実施例と同様の効果を得ることができる。Next, the operation of this embodiment will be explained. Adjacent manufacturing equipment 1 placed on grating floor 10 in clean room 5
b and lc are different in height, and when the height of the device 1b is lower than the height of the device IC, the hole 1 formed in the perforated plate 17 on the device 1c side among the perforated plates 17 provided on both sides of the device 1b.
8 are all open, and every other hole 18 formed in the perforated plate 17 on the opposite side is closed with a plug 19, for example. The same applies to the device IC. By doing so, the air current flowing from the front and rear surfaces of the device area 7 to the working area 8 can be adjusted. That is, the working area 8a on the rear side of the equipment area 7 is an air return part, and the working area 8b between the opposing equipment area 7 is an air inlet part, and the clean air sent from the ceiling is transferred to the arrow 42. As shown at 43, it enters the equipment area 7 and the work area 8b. This clean air further passes through the grating floor 10 and the perforated plate 17 under the partition 9 on the rear working area 8a side of the equipment area 7, and flows into this working area 8b. At this time, since the number of holes in the perforated plate 17 on the working area 8a side is approximately half the number of holes in the perforated plate 17 on the working area 8b side, the amount of air passing through each perforated plate 17 is controlled, and the first Effects similar to those of the embodiment can be obtained.
第8図乃至第10図は本発明の第3の実施例を示す。本
実施例はホトレジスト装置20の上部にカバー21を設
けた場合の例である。ホトレジスト装置20は第8図に
示すように、ローダ側に設けられウェハが収納されたカ
セット22と、プリベーキングなどを行なう前処理部2
3と、レジスト液を回転塗布する塗布部24と、ポスト
ベーキングなどを行なう後処理部25と、後処理された
ウェハを収納するアンローダ側のカセット26とから構
成されている。またカバー21の両側下部には複数個の
孔27が直線上に形成されており、これらの孔27には
第9図に示すようにそれぞれ電磁弁28が設けられてい
て、孔27を開閉するようになっている。カバー21の
上部には第1の実施例と同様に整流板12及び清浄空気
人口4が設けられている。FIGS. 8 to 10 show a third embodiment of the present invention. This embodiment is an example in which a cover 21 is provided on the top of the photoresist apparatus 20. As shown in FIG. 8, the photoresist apparatus 20 includes a cassette 22 provided on the loader side and containing wafers, and a preprocessing section 2 that performs prebaking and the like.
3, a coating section 24 for spin-coating a resist solution, a post-processing section 25 for performing post-baking, etc., and an unloader-side cassette 26 for storing post-processed wafers. In addition, a plurality of holes 27 are formed in a straight line at the bottom of both sides of the cover 21, and each of these holes 27 is provided with a solenoid valve 28 as shown in FIG. 9 to open and close the hole 27. It looks like this. A rectifier plate 12 and a clean air outlet 4 are provided on the top of the cover 21, as in the first embodiment.
また、塗布部24は第10図に示すように、ウェハ29
を真空吸着などで保持するチャック30、このチャック
30を高速回転する駆動軸31、及び塗布部24の上部
を被覆する#降可能な塗布カップ32とからなっている
。そしてこの塗布カップ32の昇降と前述した電磁弁2
8の開閉とは、それぞれ図示せぬシーケンス制御部で制
御されている。Further, as shown in FIG.
It consists of a chuck 30 that holds the chuck 30 by vacuum suction or the like, a drive shaft 31 that rotates the chuck 30 at high speed, and a coating cup 32 that can be lowered to cover the upper part of the coating section 24. The application cup 32 is raised and lowered, and the solenoid valve 2 described above is
The opening and closing of 8 is controlled by a sequence control section (not shown).
次に本実施例の作用を説明する。ローダ側に設置された
カセット22からはウェハが1枚づつ搬送面45上を搬
送され、前処理部23でブリベーキングされる。次に塗
布部24に設けられた塗布カップ32が図示せぬ駆動機
構によって搬送面45より上昇し、この間の間隙からウ
ェハ29をチャック30上に装着固定する。そしてホト
レジスト液33をウェハ29上に塗布した後、塗布カッ
プ32を下げ駆動軸31を高速回転してホトレジスト液
を均一の厚さとする。1枚のウェハ29に対する回転塗
布が終了すると駆動軸31の回転が停止し、塗布カップ
32が上昇する。そしてウェハ29は後処理部25へと
搬送され、次のウェハ29が塗布部24に入ってくる。Next, the operation of this embodiment will be explained. Wafers are transported one by one on a transport surface 45 from a cassette 22 installed on the loader side, and are baked in a preprocessing section 23. Next, the coating cup 32 provided in the coating section 24 is raised from the transfer surface 45 by a drive mechanism (not shown), and the wafer 29 is mounted and fixed on the chuck 30 through the gap therebetween. After applying the photoresist liquid 33 onto the wafer 29, the application cup 32 is lowered and the drive shaft 31 is rotated at high speed to make the photoresist liquid uniform in thickness. When the rotational coating on one wafer 29 is completed, the rotation of the drive shaft 31 is stopped and the coating cup 32 is raised. The wafer 29 is then transported to the post-processing section 25, and the next wafer 29 enters the coating section 24.
最後に後処理部25でポストベーキングされた後、アン
ローダ側のカセット26に収納される。Finally, after being post-baked in the post-processing section 25, it is stored in a cassette 26 on the unloader side.
上記の塗布部24におけるホトレジスト液33の塗布工
程において、塗布カップ32の内部にはレジスト液飛沫
が多数存在する。回転塗布の最中はウェハ29の回転に
よって塗布カップ32の内面上部からウェハ29の面に
向う気流が誘起される。このためレジスト液飛沫は外部
には流出しないが、ウェハ29の回転が停止する直前の
減速時と、回転停止直後、特に塗布カップ32の上昇時
に、塗布カップ32内のレジスト液飛沫34が外部に流
出し、カセット22.26、前処理部23、後処理部2
5などにあるウェハ29を汚染する可能性がある。In the process of applying the photoresist liquid 33 in the application section 24 described above, a large number of resist liquid droplets are present inside the application cup 32 . During spin coating, the rotation of the wafer 29 induces an airflow from the upper inner surface of the coating cup 32 toward the surface of the wafer 29. Therefore, the resist liquid droplets do not flow out to the outside, but when the wafer 29 decelerates just before it stops rotating, and immediately after the rotation stops, especially when the coating cup 32 rises, the resist liquid droplets 34 inside the coating cup 32 leak to the outside. Outflow, cassette 22, 26, pre-processing section 23, post-processing section 2
There is a possibility that the wafer 29 located at 5 etc. may be contaminated.
一方、塗布部24はカバー21で被覆されており、カバ
ー21内には流入口4より清浄空気が流入し、整流板1
2によってほぼ全面均一に下方に流れる。またカバー2
1の下部には前述したように電磁弁28によって開閉す
る孔27が設けられている、この孔27は通常は全て開
いており、気、流は均一にカバー21の内部を上から下
に流れ、孔27から流出する。On the other hand, the application part 24 is covered with a cover 21, and clean air flows into the cover 21 from the inlet 4, and the rectifying plate 1
2, it flows downward almost uniformly over the entire surface. Also cover 2
1 is provided with a hole 27 that is opened and closed by a solenoid valve 28 as described above. Normally, all of these holes 27 are open, and the air flows uniformly inside the cover 21 from top to bottom. , flows out from the hole 27.
しかしながら前述したように、塗布部24内における回
転塗布が終了する直前から塗布カップ32が上昇した後
のしばらくの間は、塗布部24よりレジスト液飛沫mが
流出する可能性があるので、その間だけは塗布部24の
近傍に周囲から気流が流れ込むようにして、塗布部24
からレジスト液飛沫mが他の部位に行かないようにする
ことが好ましい。そこで本実施例では上記の時間だけ、
第7図に示すように孔27のうち、A、D、E。However, as described above, there is a possibility that the resist liquid droplets m may flow out from the coating section 24 from just before the rotational coating in the coating section 24 is completed to for a while after the coating cup 32 has been raised. In this case, airflow flows into the vicinity of the application section 24 from the surrounding area, and the application section 24 is
It is preferable to prevent the resist liquid droplets m from reaching other parts. Therefore, in this embodiment, only for the above time,
As shown in FIG. 7, among the holes 27, A, D, and E.
F、■だけを開けるようにして、その間は塗布部24の
周辺から気流が向ってくるようにしている。Only F and ■ are opened so that the airflow is directed from the periphery of the application section 24 during that time.
このときAと1を開けるのは、カセット22゜26の周
囲に常に気流が流れるようにするためである。The reason why A and 1 are opened at this time is to ensure that airflow always flows around the cassettes 22 and 26.
本実施例によれば、レジスト液飛沫mが他の部位にある
ウェハ29を汚染することを防止することができる。According to this embodiment, it is possible to prevent the resist liquid splashes m from contaminating the wafer 29 in other parts.
上記各実施例で示した各部の寸法は一例を示したもので
あり、これらの寸法に限定されない。The dimensions of each part shown in each of the above embodiments are merely examples, and the present invention is not limited to these dimensions.
[発明の効果〕
以上詳細に説明したように、本発明によれば、カバーや
パーチージョンなどの仕切手段に、開閉または開度調整
可能な複数個の孔を設けて、クリーンルーム内の装置域
内部の気流を調整するようにしたので、装置周辺での気
流の渦流域を減少することができ、装置から発生した塵
埃を内部に滞留することなく、速やかに外部に排出する
ことができる。また装置の作動状態に従って動的に内部
気流を適切に制御することができ、内部の清浄度を確実
に保持することができる。[Effects of the Invention] As described above in detail, according to the present invention, a plurality of holes that can be opened/closed or whose opening degree can be adjusted are provided in the partitioning means such as a cover or a perch. Since the airflow is adjusted, the eddy area of the airflow around the device can be reduced, and the dust generated from the device can be quickly discharged to the outside without staying inside. Furthermore, the internal airflow can be dynamically and appropriately controlled according to the operating state of the device, and the cleanliness of the interior can be reliably maintained.
第1図は本発明の第1の実施例を示す正面図、第2図及
び第3図は第1図の孔部を示す正面図、第4図は第2図
の断面図、第5図は本発明の第2の実施例を示す正面図
、第6図は第4図の多孔板を示す平面図、第7図は第6
図の断面図、第8図は本発明の第3の実施例を示す正面
図、第9図は第8図の側面図、第10図は第8図の塗布
部を示す断面図、第11図及び第12図はそれぞれ従来
の高清浄度室を示す透視斜視図、第13図及び第14図
はそれぞれ第11図及び第12図に示す従来例の気流を
示す正面図である。
1・・・製造装置、2・・・カバー(仕切手段)、5・
・・クリーンルーム、9・・・パーチージョン(仕切手
段)、13.18.27・・・孔。
−Nη膿さつミ
q−N哨勅梢トへ
も4σ、lN(’Jへ4 C’J N Nc″−笥0−
ミミ賢セミFIG. 1 is a front view showing the first embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are front views showing the hole in FIG. 1, FIG. 4 is a sectional view of FIG. 2, and FIG. 6 is a front view showing the second embodiment of the present invention, FIG. 6 is a plan view showing the perforated plate shown in FIG. 4, and FIG.
8 is a front view showing the third embodiment of the present invention, FIG. 9 is a side view of FIG. 8, FIG. 10 is a sectional view showing the application section of FIG. 8, and FIG. 1 and 12 are transparent perspective views showing a conventional high cleanliness chamber, respectively, and FIGS. 13 and 14 are front views showing airflow in the conventional example shown in FIGS. 11 and 12, respectively. 1... Manufacturing device, 2... Cover (partition means), 5...
... Clean room, 9... Perchage (partition means), 13.18.27... Hole. -Nη pusatsum q-N 4σ, lN ('J to 4 C'J N Nc''-笥0-
Mimiken Semi
Claims (1)
によつて仕切り、内部に高清浄度の空気が導入される高
清浄度室において、前記仕切手段に内外部を連通する複
数個の孔を形成するとともに、少なくとも1個の前記孔
を開閉自在に調整する制御手段を設けたことを特徴とす
る高清浄度室。1. In a high clean room where a manufacturing device installed in a clean room is partitioned by a partition means, and highly clean air is introduced into the interior, a plurality of holes are formed in the partition means to communicate the inside and outside. The high cleanliness chamber is further provided with a control means for opening and closing at least one of the holes.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6371889A JPH02243881A (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Highly clean room |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6371889A JPH02243881A (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Highly clean room |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02243881A true JPH02243881A (en) | 1990-09-27 |
Family
ID=13237453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6371889A Pending JPH02243881A (en) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | Highly clean room |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02243881A (en) |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP6371889A patent/JPH02243881A/en active Pending
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