JPH02227844A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録媒体及びそれを用いて情報の記録
・再生を行なう光磁気記録再生装置に関する。

（従来の技術） 光磁気記録は大容量で、且つ書込みが可能な記録方式と
して注目されている。光磁気記録では光磁気記録層と呼
ばれる垂直方向に磁化容易軸を有する磁性膜（以下、垂
直磁化膜という）を例えば透明の基板上に成膜してなる
記録媒体が用いられ、記録時及び再生時には、光磁気記
録層上にレーザビームを集光させる。また、記録時には
常温及び再生温度での記録層の保磁力より十分に小さい
外部磁界がレーザビーム集光点に印加される。

このとき記録層ではレーザビームの照射領域のみ温度上
昇に従い保磁力が低下して記録温度に到達し、磁化の方
向が外部磁界の方向に反転する。すなわち、レーザビー
ムのパワー変調によって媒体温度を記録温度と非記録温
度との間で制御し、光磁気記録層の磁化方向を反転させ
ることにより、情報を記録する。また、記録媒体上に形
成される磁化反転領域の大きさは、記録用レーザビーム
の照射に伴なう温度分布に依存する。

光磁気記録媒体は一般に光磁気ディスクとして構成され
、予めスパイラル状または同心円状に形成されたトラッ
ク領域を有し、トラックに従って情報の記録・再生が行
なわれる。

記録された情報を再生する場合には、光磁気記録層に記
録温度に至らないパワーの再生用レーザビームを照射し
、媒体からの反射光を分離して、再生信号を得る。再生
用レーザビームは基本的には記録時のレーザビームと同
じであり、パワーだけが異なる。このため、隣接トラッ
クに記録された情報の漏れ込み（クロストーク）が少な
くなるように、トラック間隔はレーザビームの径（例え
ば１．３μｍ程度）より大きく設定されている（１６６
μｍ程度）。

従って、トラック間隔を狭めて記録密度を向上させよう
とすると、隣接トラック間で形成される磁化反転領域が
重なったり、あるいは再生時にレーザビームが隣接トラ
ックに形成された磁化反転領ばにかかって信号の漏れ込
みが生じ、再生信号の品質が劣化してしまう。

ところで、このような光磁気記録方式において、既に記
録された情報を新しい情報に書き替えるためには、記録
層の磁化方向を一旦記録前の状態に揃える“消去“とい
う操作が必要である。すなわち、外部磁界を記録時と逆
方向に印加した状態でレーザビームを照射して被書き替
え領域を“消去。

した後、あらためて同じ領域に外部磁界を記録時と同じ
方向に印加した状態でレーザビームを照射することによ
り、“記録″を行なう必要がある。

従って、磁気記録で行なわれているような情報の重ね書
きは原理的に難しい。

一方、レーザビームのパワーを記録時と同じパワーに固
定し、外部磁界の印加方向を高速で変調する、磁気記録
に準じた方法ならば、重ね書きは可能である。しかしな
がら、磁界を数Ｍ　Ｈｚというような高周波で変調する
ためには、一般の磁気記録と同様に外部磁界発生装置を
記録媒体に近接（例えば数μｍ〜士数μｍ程度）させな
ければならず、光磁気記録の本来のメリットの一つであ
る媒体の可換性を損なってしまう。

媒体の可換性を損なわず、しかも情報の重ね書きが可能
な方法として、記録媒体に光磁気記録層と同様な垂直磁
化膜からなるバイアス層を記録層に積層して設けるとと
もに、バイアス層の磁化方向を揃えるための外部磁界発
生装置を磁界印加装置に別途設けておき、レーザビーム
のパワー変２によりバイアス層に形成される磁化の方向
を制御して、交換結合力で光磁気記録層に形成される磁
化の方向を制御することにより、情報の重ね書きを行な
う方法が提案されている（文献：　Ｔ、ＮＡＫＡＮＯｅ
ｔ、ａｌ、ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　　ＳＹＭＰＯ
８ＩＵＭ　　ＯＮ　　ＯＰＴＩＣＡＬＭＥＭＯＲＹ　１
９８７ＪＡ３（１９８７）　）　、　コ（７）方式によ
れば、二つの磁界発生装置とも変調を施す必要がないた
め、媒体に近接させる必要はなく、媒体の可換性は確保
される。しかし、この方式ではバイアス層の磁化が記録
層に転写されるようにするため、記録媒体が光磁気記録
層とバイアス層間の交換結合力を制御できる構成でなけ
ればならない。このような媒体は、成膜時の不純物量や
組成変動に対して交換結合力の大きさが著しく変動する
ため、再現性よく安定した媒体を製作することが難しい
という問題がある。

（発明が解決しようとする課題） 上述したように、従来の光磁気記録方式では記録容量を
上げるためにトラック間隔を狭めると、隣接トラック間
で磁化反転領域が重なったり、再生時にレーザビームが
隣接トラックの磁化反転領域にかかって信号の漏れ込み
が生じたりして、再生信号の品質が劣化するという問題
があった。

また、従来の光磁気記録方式では重ね書きを行なうため
に外部磁界を高速で変調する方法を用いると、外部磁界
発生装置を媒体に近接させなければならないために、媒
体の可換性が損なわれ、さらに媒体にバイアス層を設け
て交換結合力により光磁気記録層の磁化方向を制御して
重ね書きを行なう方法は、交換結合力が安定した媒体を
実現できないために実用性に欠けるという問題があった
。

本発明の第１の目的は、トラック間隔を狭めても隣接ト
ラック間で磁化反転領域が重なったり、再生時のレーザ
ビームが隣接トラックの磁化反転領域にかかって信号の
漏れ込みが生じることがなく、高品質の再生信号が得ら
れる光磁気記録媒体を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、媒体の可換性を損なうこ
と無く重ね書きを行なうことが可能であって、しかも製
作が容易な光磁気記録媒体及び光磁気記録再生装置を提
供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は第１の目的を達成するため、光磁気記録層にお
けるトラック領域の少なくとも記録部を垂直方向に磁化
容易軸を有する垂直磁化膜により形成し、少なくともト
ラック間領域を非垂直磁化膜により形成することによっ
て、隣接トラック間の信号の漏れ込みを防止するように
したものである。

また、本発明は第２の目的を達成するため、基板上に少
なくとも光磁気記録層と、この光磁気記録層にバイアス
磁界を供給するバイアス層と、これら光磁気記録層とバ
イアス層との間に設けられた非磁性層とを形成した光磁
気記録媒体において、バイアス層のトラック領域の少な
くとも記録部を垂直磁化膜により形成し、少なくともト
ラック間領域を非垂直磁化膜により形成することによっ
て、消去時にバイアス層から記録層に印加される磁界に
よって消去ができるようにしたものである。

更に、本発明に係る光磁気記録再生装置は後者の光磁気
記録媒体を用い、バイアス層の垂直磁化膜の領域を着磁
する第１の磁界印加手段と、光磁気記録媒体を加熱する
加熱手段と、この加熱手段による加熱と同時に光磁気記
録媒体に磁界を印加する第２の磁界印加手段と、光磁気
記録媒体の記録部を、光磁気記録層及びバイアス層の垂
直磁化膜の領域における磁化の方向が共に第２の磁界印
加手段による磁界印加方向に揃う温度に加熱する第１の
加熱状態と、光磁気記録層の垂直磁化膜の領域における
磁化の方向がバイアス層から印加されるバイアス磁界で
指定される方向となる温度に加熱する第２の加熱状態と
の間で加熱手段を変調する変調手段とを備えたことを特
徴とする。

（作　用） 記録層の少なくともトラック間領域を非垂直磁化膜とす
ると、記録時にトラック間領域にレーザビームが照射さ
れても磁化反転領域は形成されないので、再生時におけ
るレーザビームは隣接トラックの磁化反転領域にかかる
ことがなく、信号の漏れ込みは生じない。

また、バイアス層の少なくともトラック間領域を非垂直
磁化膜とすると、記録層とバイアス層とが非磁性層を介
して静磁結合しているにも関わらず、磁化反転または急
峻な温度勾配が得られない冷却時においても、大きなバ
イアス磁界がバイアス層から記録層に印加されるので、
消去動作が可能となる。

更に、このようなバイアス層を備えた光磁気記録媒体を
用い、上述した第１の磁界印加手段、加熱手段、第２の
印加手段及び変調手段を備えた光磁気記録再生装置を用
いることによって、重ね書きが可能となる。

（実施例） 以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の第１の実施例に係る光磁気記録媒体の
概略構成を示す断面図である。同図に示す光磁気記録媒
体において、基板１は例えばガラスまたは透明樹脂など
の透明な基板であり、この上に光磁気記録層２が形成さ
れている。この光磁気記録層２は例えばＴｂ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ等のアモルファス合金の薄膜により形成されている。

この光磁気記録層２には情報を記録するためのトラック
領域３が例えばスパイラル状または同心円状のランド部
として設けられており、情報の記録および再生はトラッ
ク領域３に沿って行なわれる。一方、トラック領域３の
相互間のトラック間領域４はグループ部として形成され
ている。光磁気記録層２のトラック領域３は垂直磁化膜
であり、トラック間領域４は非垂直磁化膜となっている
。

第２図は第１図の光磁気記録媒体を用いた光磁気記録再
生装置の概略構成を示したものであり、光磁気記録媒体
は光磁気ディスク１１として構成され、回転駆動装置１
２により所定の速度で回転される。情報の記録時には、
記録光学系１３から記録信号により変調されたレーザビ
ームが出射され、ビームスプリッタ１４および対物レン
ズ１５などを経て光磁気ディスク１１上に基板１側から
照射され、光磁気記録層２上に収束される。

光磁気ディスク１１の対物レンズ１５と反対側に、外部
磁界発生装置１６が設置されている。この外部磁界発生
装置１６は電磁石または永久磁石が用いられ、少なくと
も記録中および消去中は一定磁界を発生し、光磁気ディ
スク１１に印加するように構成されている。

また光磁気ディスク１１に記録された情報を再生する時
は、パワーを下げたレーザビームが同様に照射され、光
磁気記録層２からの反射光が対物レンズ１５を照射光と
逆方向に通り、ビームスプリッタ１４により反射された
後、再生光学系１７に入射されることによって、再生信
号が得られる。

次に、この第１の実施例による信号漏れ込み抑制作用に
ついて説明する。第３図はトラック間隔を例えばレーザ
ビームのスポット径より狭めて情報を記録する場合の光
磁気記録媒体面上の様子を模式的に示したもので、（ａ
）は第１図の光磁気記録媒体を用いた場合、（ｂ）は−
様な垂直磁化膜からなる光磁気記録層を有する従来の光
磁気記録媒体を用いた場合である。第３図（ｂ）の場合
、隣接トラックの磁化反転領域が近接し、それに再生レ
ーザビームのスポットの一部がかかるため、信号の漏れ
込みが生じてしまう。

これに対し、本発明による第３図（ａ）の場合は、トラ
ック間領域４が非垂直磁化膜により形成されているため
、トラック間領域４には記録用レーザビームがかかって
も磁化反転領域は形成されない。

すなわち、磁化反転領域の横幅（トラックを横断する方
向の寸法）を制限することができる。従って、トラック
間隔は第３図（ｂ）の場合と同じであるが、再生用レー
ザビームは隣接トラックの磁化反転領域にかからないの
で、信号の漏れ込みは生じない。これにより同じ信号漏
れ込み許容値に対し、トラック間隔を例えば従来の１，
３μｍから１．０μｍ以下程度まで狭めることが可能と
なり、記録容量を著しく増大させることができる。

次に、第１図の光磁気記録媒体の製造方法の一例を説明
する。まず、基板１上にスパイラル状または同心円状に
ランド部及びグループ部を形成した後、通常の−様な垂
直磁化膜を形成し、基板１を第２図の光磁気記録再生装
置に装着し、記録に先立って回転させ、レーザビームを
トラック間領域４に追従させる。この場合、トラック領
域３であるランド部とトラック間領域４であるグループ
部との反射光量の違いを利用して、トラッキング誤差を
検出し、それに基づいてレーザビームの照射位置を制御
すればよい。但し、この際にはレーザビームを情報記録
時及び消去時よりも高パワーとするか、またはディスク
の回転速度を低速として、レーザビームと媒体との相対
移動速度（線速度）を情報記録時及び消去時よりも低速
とすることにより、トラック間領域４を面内磁化へ移行
し且つ結晶化する温度まで加熱して、垂直磁化を非可逆
的に失わせる。これによりトラック間領域４は、非垂直
磁化膜となる。

上記第１の実施例は、次のように種々変形して実施する
ことができる。

第１図ではトラック領域をランド部、トラック間領域を
グループ部としたが、逆にトラック領域をグループ部、
トラック間領域をランド部としてもよい。また、連続グ
ループのないサンプルサーボフォーマット方式の光磁気
ディスクにも本発明を適用することができる。

第１図では基板上に光磁気記録層のみが形成されている
が、基板と光磁気記録層の層間及び層上に、密着性、熱
的効果及び保護等の目的でＳｉＮその他の層を設けても
構わない。

第１図では光磁気記録層のトラック間領域のみを非垂直
磁化膜としたが、上記と同様の製造方法によりトラック
領域内の記録部（記録ビット形成領域）間にも非垂直磁
化膜を形成すれば、トラック内での隣接ビット間の干渉
も低減される。

非垂直磁化膜の選択形成に光磁気記録再生装置を兼用せ
ず、例えば短波長大出力レーザ装置を備えた専用装置を
用いれば、より精細に非垂直磁化膜の領域を形成するこ
とが可能である。

光磁気記録媒体の形態はディスク状に限られず、例えば
テープ状であってもよい。

次に、本発明の第２の実施例を説明する。第４図は第２
の実施例に係る光磁気記録媒体の概略構成を示す断面図
である。同図に示す光磁気記録媒体において、基板２１
は例えばガラスまたは透明樹脂などの透明な基板であり
、この上に光磁気記録層２２、非磁性層２３及びバイア
ス層２４が順次桔層杉成されている。光磁気記録層２２
及びバイアス層２４は例えばＴｂ、Ｆｅ、Ｃｏ等のアモ
ルファス合金の薄膜により形成され、中間層としての非
磁性層２３は例えばＳｉＮにより形成される。

光磁気記録層２２、非磁性層２３及びバイアス層２４に
は、トラック領域２５が例えばスパイラル状または同心
円状のランド部として設けられている。一方、トラック
領域２５の相互間のトラック間領域２６は、グループ部
として形成されている。そして、光磁気記録層２２及び
バイアス層２４のトラック領域２５は垂直磁化膜であり
、トラック間領域２６は非垂直磁化膜となっている。

非磁性層２３は記録層２２とバイアス層２４との交換結
合を防止し、両層を確実に静磁結合させるために設けら
れている。

第４図の光磁気記録媒体を用いた光磁気記録再生装置の
構成は基本的に第２図と同様であるが、第５図に示すよ
うに外部磁界発生装置はバイアス層２４の垂直磁化膜の
領域に＠磁用磁界Ｈ１ｎＩＬを印加するための第１の磁
界印加手段としての外部磁界発生装置１６ａと、レーザ
ビームの集光点に記録用磁界Ｈｅｗを印加するための第
２の磁界印加手段としての外部磁界発生装置１６ｂが設
けられる。これらの外部磁界発生装置１６ａ、１６ｂは
電磁石または永久磁石が用いられ、少なくとも重ね書き
を行なっている間は一爺磁界を発生し、それを光磁気記
録媒体に印加するように構成されている。レーザビーム
は第２図における記録光学系１３内に設けられた加熱手
段であるレーザ光源から照射される。

次に、本実施例の光磁気記録媒体を用いて重ね書きを行
なう場合の作用を説明する。第６図は第５図における光
磁気記録層２２及びバイアス層２４の、垂直磁化膜の領
域における保磁力温度特性を示したものであり、常温Ｔ
ａ付近では記録層２２の保磁力がバイアス層２４の保磁
力よりも大きく、またバイアス層２４のキュリー点ＴＣ
Ｂが記録層２２のキュリー点ＴＣＲよりも高い関係とな
っている。

光磁気ディスクの被重ね書き領域はレーザビームの照射
に先立って外部磁界Ｈ１ｎｌｔの影響下を常温Ｔａで通
過しているため、着磁用磁界Ｈ１ｎｉｔの値を記録層２
２とバイアス層２４の常温Ｔａ下での保磁力の中間に設
定しておくことにより、バイアス層２４の磁化のみがＨ
ｌｎｉｔの方向（図では上向き）に着磁されて揃い、記
録層２２の磁化は以前の記録情報を保持した状態となっ
ている。レーザビームの集光点で光磁気ディスクに印加
される記録用磁界Ｈｅｘは、常温及び再生時の温度での
記録層２２及びバイアス層２４の保磁力よりも十分小さ
く、印加方向はＨ１ｎｉｔの方向と逆方向（下向き）で
ある。従って、レーザビームの非照射時及び再生時には
、記録層に記録された情報は壊れない。以下、記録層２
２の被重ね書き領域に下向きの磁化を形成する動作を「
記録」、上向きの磁化を形成する動作を「消去」と定義
して、説明を行なう。

まず、第７図を参照して記録過程を説明する。

（１）レーザビーム照射前 （被重ね書き領域の温度ＴｍＴａ） 第７図（ａ）に示すように、Ｈｌｎｌｔによってバイア
ス層２４の磁化は上向き、記録層２２の磁化は以前の情
報を保持しており、磁化の方向は任意となっている（第
７図及び第８図において、本は磁化方向が任意であるこ
とを表わす）。

（２）レーザビーム照射中 （Ｔ　　＞Ｔ≧ＴＣＲ） Ｂ 第７図（ｂ）に示すように、記録層２２のキュリー点以
上の温度で記録層２２の磁化は消失し、方バイアス層２
４の磁化は上向きを保持する。

（３）　レーザビーム照射終了時（Ｔ≧ＴｏＢ）第７図
（Ｃ）に示すように、バイアス層２４のキュリー点以上
の温度でバイアス層２４の磁化も消失する。

（４）レーザビーム照射終了後その１ （Ｔ　＞Ｔ＞ＴｃＲ） Ｂ 第７図（ｄ）に示すように、バイアス層２４がキュリー
点以下の温度となり、Ｈｅｘに従って下向きの磁化が形
成される。

（５）レーザビーム照射終了後その２ （ＴｃＲ＞Ｔ≧Ｔａ） 第７図（ｅ）に示すように、記録層２２がキュリー点以
下の温度となり、バイアス層２４がら印加されるバイア
ス磁界と記録用磁界）ｔｅｘの合計値に従って下向きの
磁化が形成される。例えば媒体が光磁気ディスクであっ
て、常温復帰後、再び着磁用磁界Ｈ１ｏｌｌの影響下を
通過すれば、バイアス層の磁化が上向きに戻ってしまう
が、記録層２２の磁化は下向きのまま保持されるので、
支障はない。

次に、第８図を参照して消去過程を説明する。

（１）レーザビーム照射前 （Ｔ■Ｔａ） 第８図（ａ）　Ｋ示すように、バイアス層２４の磁化は
上向き、記録層２２の磁化は以前の記録情報を保持して
おり、方向は任意となっている。

（２）レーザビーム照射終了時 （ＴｃＢ＞Ｔ≧”ＣＲ） 第８図（ｂ）に示すように、記録層２２のキュリー点以
上の温度で記録層２２の磁化は消失する。

バイアス層２４の磁化は上向きを保持する。

（３）レーザビーム照射終了後 （ＴｃＲ＞Ｔ≧Ｔａ） 第８図（ｅ）に示すように、記録層２２の温度がキュリ
ー点以下となり、磁化が形成される。バイアス層２４か
ら印加されるバイアス磁界と外部からの記録用磁界Ｈｅ
ｗは逆方向に働くが、Ｈｅｗは十分に小さくできるので
、形成される磁化は上向きとなる。

上述したように、加熱手段であるレーザビーム発生源が
記録過程では媒体温度Ｔをバイアス層２４のキュリー点
ＴＣＢ以上に加熱する第１の加熱状態、消去過程では媒
体温度Ｔを記録層２２のキュリー点”ＣＲ以上（ＴＣＢ
未満）に加熱する第２の加熱状態となり、これら再加熱
状態の間で変調されるようにレーザビームをパワー変調
することによって、記録層２２の形成される磁化の方向
を制御する。但し、ここでは記録層２２とバイアス層２
４との温度差はほとんど無いものとした。

本発明では、バイアス層２４に形成された磁化に起因し
て発生するバイアス磁界によって、記録層２２の磁化を
制御する。ここで、記録層とバイアス層とが静磁結合し
ており、バイアス層が−様な垂直磁化膜とすると、第９
図（ｂ）に示すようにバイアス層が磁化反転しない消去
過程では、冷却中の温度分布に伴う緩い磁化勾配のため
、バイアス層から記録層に印加されるバイアス磁界ＨＢ
は小さく、しかもバイアス層の磁化の向きと逆方向であ
るため、消去動作はできない。

これに対し、本発明のようにトラック領域２５のバイア
ス層２４を垂直磁化膜とし、トラック間領域２６を非垂
直磁化膜とすると、第９図（ｂ）に示すように、磁化反
転または急峻な温度勾配が得られない冷却時においても
、大きなバイアス磁界ＨＢが得られる。これはバイアス
層２４のトラック領域２５の周囲のトラック間領域２６
が非垂直磁化膜であり、磁化が零であるために、バイア
ス層２４のトラック領域２５を中心とする磁化分布が急
峻となるからである。これにより記録層２２とバイアス
層２４が非磁性層２３を介して静磁結合しているにも関
わらず、バイアス層２４から記録層２２に大きなバイア
ス磁界ＨＢが印加されるため、記録層２２の磁化を−様
な方向（バイアス層２４の磁化と同じ向き）に揃えるこ
とができ、消去動作が可能となる。

また、上記実施例ではバイアス層２４のならず記録層２
２においてもトラック領域２５が垂直磁化膜、トラック
間領域２６が非垂直磁化膜となっているため、第１の実
施例と同様に記録時に形成されるビットの幅（トラック
を横断する方向の寸法）が制限され、再生時に隣接トラ
ックからの信号漏れ混みを防止する効果が期待できる。

次に、ｍ４図の光磁気記録媒体の製造方法の一例を説明
する。まず、基板２１上にスパイラル状または同心円状
にランド部およびグループ部を形成した後、通常の−様
な記録層２２となる第１の垂直磁化膜、非磁性層２３で
ある例えばＳｉＮ膜、及びバイアス層となる第２の垂直
磁化膜を順次積層形成し、基板２１を第２図の光磁気記
録再生装置に装着し、記録に先立って媒体を回転させ、
レーザビームをトラック間領域２６に追従させる。

この場合、トラック領域２５であるランド部とトラック
間領域２６であるグループ部との反射光量の違いを利用
して、トラッキング誤差を検出し、それに基づいてレー
ザビームの照射位置を制御すればよい。但し、この際に
はレーザビームを情報記録時及び消去時よりも高パワー
とするか、またはディスクの回転速度を低速とすること
により、トラック間領域２６を面内磁化へ移行し且つ結
晶化する温度まで加熱して、垂直磁化を非可逆的に失わ
せる。これにより記録層２２およびバイアス層２４のト
ラック間領域２６は非垂直磁化膜となる。

上記第２の実施例も、第１の実施例と同様に種々変形し
て実施することができる。例えば第４図ではトラック領
域をランド部、トラック間領域をグループ部としたが、
逆にトラック領域をグループ部、トラック間領域をラン
ド部としてもよい。

また、基板と光磁気記録層との間及びバイアス層上に、
密着性、熱的効果、光学的効果的及び保護等を目的とし
てＳｉＮ等の層を設けることも可能である。また、連続
グループのないサンプルサーボフォーマット方式の光磁
気ディスクにも本発明を適用することができる。第４図
ではトラック間領域のみを非垂直磁化膜としたが、トラ
ック領域内の記録部（記録ビット形成領域）間にも非垂
直磁化膜を形成すれば、トラック内での隣接ビット間の
干渉も低減される。非垂直磁化膜の選択形成に光磁気記
録再生装置を兼用せず、例えば短波長大出力レーザ装置
を備えた専用装置を用いてもよく、それにより一層精細
に非垂直磁化膜の領域を形成することが可能である。光
磁気記録媒体の形態はディスク状に限られず、例えばテ
ープ状であってもよい。

更に、第２の実施例では第６図に示したように、記録層
２２及びバイアス層２４とも常温Ｔａ以上の温度に補償
点を持たない場合について述べたが、常温以上の温度で
補償点を持つ場合には、加熱時に形成される磁化の方向
と冷却後の磁化の方向が逆になるだけである。従って、
バイアス層が常温以上に補償点を持つ場合には、２種の
外部磁界Ｈ５ｏｉｌ、　Ｈｅｘを同じ方向にするだけで
先と同様の結果を得ることができる。

［発明の効果］ 本発明によれば、光磁気記録層の少なくともトラック間
領域を非垂直磁化膜としたことによって、記録容量を増
大させるべくトラック間隔を従来より狭めた場合でも、
隣接トラック間で磁化反転領域が重なったり、再生用レ
ーザビームが隣接トラックの磁化反転領域にかかつて信
号の漏れ込みが生じることがなくなり、高品質の再生信
号を得ることができる。

また、バイアス層の少なくともトラック間領域を非垂直
磁化膜としたことにより、記録層とバイアス層とが静磁
結合された製造容品で安定な媒体構造でありながら、外
部磁界を高速で変調する方法のように媒体の可換性を犠
牲にすることなく重ね書きを可能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係る光磁気記録媒体の
構成を模式的に示す図、第２図は第１図の光磁気記録媒
体を用いた光磁気記録再生装置の概略構成を示す図、第
３図は同実施例における隣接トラック間の信号漏れ込み
防止作用を説明するための図、第４図は本発明の餉２の
実施例に係る光磁気記録媒体の構成を模式的に示す図、
第５図は第４図の光磁気記録媒体を用いた光磁気記録再
生装置の要部構成を示す図、第６図は第４図の光磁気記
録媒体における記録層及びバイアス層の保磁力温度特性
を示す図、第７図は同実施例における記録過程を説明す
るための図、第８図は同実施例に置ける消去過程を説明
するための図、第９図は同実施例における消去時のバイ
アス磁界の様子を示す図である。 １・・・基板、２・・・光磁気記録層、３・・・トラッ
ク領域（垂直磁化膜）、４・・・トラック間領域（非垂
直磁化膜）、１１・・・光磁気ディスク、１３・・・記
録光学系、１６・・・磁界発生装置、１７・・・再生光
学系、２１・・・基板、２２・・・光磁気記録層、２３
・・・非磁性層、２４・・・バイアス層、２５・・・ト
ラック領域（垂直磁化膜）、２６・・・トラック間領域
（非垂直磁化膜）。 第１図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも光磁気記録層を形成した光磁
   気記録媒体において、 前記光磁気記録層はトラック領域の少なくとも記録部が
   垂直方向に磁化容易軸を有する垂直磁化膜により形成さ
   れ、少なくともトラック間領域が非垂直磁化膜により形
   成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）基板上に少なくとも光磁気記録層と、この光磁気
   記録層にバイアス磁界を供給するバイアス層と、これら
   光磁気記録層とバイアス層との間に設けられた非磁性層
   とを形成した光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層及びバイアス層のうち少なくともバイ
   アス層はトラック領域の少なくとも記録部が垂直磁化膜
   により形成され、少なくともトラック間領域が非垂直磁
   化膜により形成されていることを特徴とする光磁気記録
   媒体。
3. （３）基板上に少なくとも光磁気記録層と、この光磁気
   記録層にバイアス磁界を供給するバイアス層と、これら
   光磁気記録層とバイアス層との間に設けられた非磁性層
   とが形成され、前記光磁気記録層及びバイアス層のうち
   少なくともバイアス層はトラック領域の少なくとも記録
   部が垂直磁化膜により形成され、少なくともトラック間
   領域が非垂直磁化膜により形成されている光磁気記録媒
   体と、 前記バイアス層の垂直磁化膜の領域を着磁する第１の磁
   界印加手段と、 前記光磁気記録媒体をレーザビームの照射により加熱す
   る加熱手段と、 前記加熱手段による加熱と同時に前記光磁気記録媒体に
   磁界を印加する第２の磁界印加手段と、前記光磁気記録
   層及びバイアス層の垂直磁化膜の領域における磁化の方
   向が共に前記第２の磁界印加手段による磁界印加方向に
   揃う温度に前記光磁気記録媒体の記録部を加熱する第１
   の加熱状態と、前記光磁気記録層の垂直磁化膜の領域に
   おける磁化の方向が前記バイアス層から印加されるバイ
   アス磁界の方向となる温度に前記光磁気記録媒体の記録
   部を加熱する第２の加熱状態との間で前記加熱手段を変
   調する手段とを備えたことを特徴とする光磁気記録再生
   装置。