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JPH02223217A - Input protection circuit and output circuit for semiconductor integrated circuit - Google Patents

Input protection circuit and output circuit for semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH02223217A
JPH02223217A JP1044321A JP4432189A JPH02223217A JP H02223217 A JPH02223217 A JP H02223217A JP 1044321 A JP1044321 A JP 1044321A JP 4432189 A JP4432189 A JP 4432189A JP H02223217 A JPH02223217 A JP H02223217A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input
node
integrated circuit
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1044321A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsuyoshi Sasada
笹田 達義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1044321A priority Critical patent/JPH02223217A/en
Publication of JPH02223217A publication Critical patent/JPH02223217A/en
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Abstract

PURPOSE:To prevent a power from being consumed by a voltage supplied to an input terminal when no source voltage is supplied to a power source line means by providing a switching means and a cut-off diode means. CONSTITUTION:The switching means 7 and 8 are turned off accordingly when no source voltage is supplied from the power source line means 1 because the cut-off diode means 13-17 are provided at an input protection circuit. Also, since the cut-off diode means 13-17 are provided, the voltage supplied to the input terminal is not supplied to the power source line means 1 even that it is supplied to the substrate nodes of the switching means 7 and 8. Thereby, no operation of a semiconductor integrated circuit to be protected by the voltage is performed, which prevents the power from being consumed unnecessarily.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、一般に半導体集積回路のための入力保護回
路および出力回路に関し、特に、電源が供給されないと
きの電力消費を防ぐことのできる、半導体集積回路のた
めの入力保護回路および出力回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention generally relates to input protection circuits and output circuits for semiconductor integrated circuits, and in particular to semiconductor integrated circuits that can prevent power consumption when power is not supplied. Relating to input protection circuits and output circuits for integrated circuits.

[従来の技術] 第9図は、互いに異なった電源から電源電圧の供給を受
ける2つの回路の接続を示す模式図である。第9図を参
照して、回路Aは電源端子1aを介して成る電源に接続
される。回路Bは電源端子1bを介して別の電源に接続
される。回路Aの出力端子4aが伝送ライン40を介し
て回路Bの入力端子3bに接続される。端子2aおよび
2bは各々接地端子である。回路AおよびBは、たとえ
ば、各々が別々の半導体チップ中に設けられる。
[Prior Art] FIG. 9 is a schematic diagram showing the connection of two circuits that receive power supply voltages from different power supplies. Referring to FIG. 9, circuit A is connected to a power supply via power supply terminal 1a. Circuit B is connected to another power supply via power supply terminal 1b. Output terminal 4a of circuit A is connected to input terminal 3b of circuit B via transmission line 40. Terminals 2a and 2b are each ground terminals. Circuits A and B are each provided in separate semiconductor chips, for example.

第10図は、従来の入力保護回路を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a conventional input protection circuit.

第10図を参照して、この入力保護回路は、電源端子1
と接地端子2との間に直列に接続されたPMOSトラン
ジスタ5およびNMOSトランジスタ9と、入力端子3
と電源端子1との間に接続された保護ダイオード11と
、入力端子3と接地端子2との間に接続された保護ダイ
オード12とを含む。この入力保護回路は、たとえば、
第9図に示す回路Bの入力部に設けられる。
Referring to FIG. 10, this input protection circuit includes power supply terminal 1
A PMOS transistor 5 and an NMOS transistor 9 are connected in series between the ground terminal 2 and the input terminal 3.
and a protection diode 12 connected between the input terminal 3 and the ground terminal 2. This input protection circuit, for example,
It is provided at the input section of circuit B shown in FIG.

第11図は、従来の出力回路を示す回路図である。第1
1図を参照して、この出力回路は、電源端子1と接地端
子2との間に直列に接続されたPMOSトランジスタ5
およびNMOSトランジスタ9と、トランジスタ5に寄
生して形成される寄生ダイオード25と、トランジスタ
9に寄生して形成される寄生ダイオード26とを含む。
FIG. 11 is a circuit diagram showing a conventional output circuit. 1st
1, this output circuit includes a PMOS transistor 5 connected in series between a power supply terminal 1 and a ground terminal 2.
Also includes an NMOS transistor 9, a parasitic diode 25 formed parasitic to the transistor 5, and a parasitic diode 26 formed parasitic to the transistor 9.

この出力回路は、たとえば、第9図に示す回路Aの出力
部に設けられる。
This output circuit is provided, for example, at the output section of circuit A shown in FIG.

第12図は、第10図に示す入力保護回路を構成する半
導体基板の断面構造図である。第12図を参照して、p
−半導体基板21上に、PMOSトランジスタ5と、N
MOSトランジスタ9と、入力保護ダイオード11およ
び12とが形成される。
FIG. 12 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the input protection circuit shown in FIG. 10. Referring to FIG. 12, p
- On the semiconductor substrate 21, the PMOS transistor 5 and the N
MOS transistor 9 and input protection diodes 11 and 12 are formed.

第13図は、第11図に示す出力回路を構成する半導体
基板の断面構造図である。第13図を参照して、p−半
導体基板21上に、PMO8)ランジスタ5と、NMO
Sトランジスタ9と、寄生ダイオード25および26と
が形成される。
FIG. 13 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the output circuit shown in FIG. 11. Referring to FIG. 13, on a p-semiconductor substrate 21, a PMO transistor 5 and an NMO
S transistor 9 and parasitic diodes 25 and 26 are formed.

〔発明が解決しようとする課題] たとえば、第9図に示す回路Aの出力部に第11図に示
す出力回路が設けられ、回路Bの入力部に第10図に示
す入力保護回路が設けられている場合を仮定する。この
場合において、回路Aにのみに電源電圧が供給され、し
たがって、回路Bに電源電圧が供給されないとき、以下
のような不都合が生じる。
[Problems to be Solved by the Invention] For example, the output circuit shown in FIG. 11 is provided at the output section of circuit A shown in FIG. 9, and the input protection circuit shown in FIG. 10 is provided at the input section of circuit B. Assume that In this case, when the power supply voltage is supplied only to the circuit A and therefore the power supply voltage is not supplied to the circuit B, the following inconvenience occurs.

すなわち、回路A中には第11図に示す出力回路が設け
られているので、第9図に示す回路Bの入力端子3bは
、寄生ダイオード25を介して回路Aの電源電圧にバイ
アスされる。回路Bの入力部には第10図に示す人力保
護回路が設けられているので、入力端子3bにバイアス
された電圧が入力保護ダイオード11を介して電源端子
1に与えれることになる。したがって、回路Bが回路A
の出力端子4aの電圧に依存して動作する。その結果、
回路Bが動作することにより不要な電力消費が増加する
ことになる。また、第10図に示すトランジスタ5を介
して電源から過大な電流が流れることになる。
That is, since the output circuit shown in FIG. 11 is provided in circuit A, the input terminal 3b of circuit B shown in FIG. 9 is biased to the power supply voltage of circuit A via the parasitic diode 25. Since the input section of circuit B is provided with the human power protection circuit shown in FIG. 10, the voltage biased at input terminal 3b is applied to power supply terminal 1 via input protection diode 11. Therefore, circuit B is circuit A
It operates depending on the voltage of the output terminal 4a of the . the result,
The operation of circuit B increases unnecessary power consumption. Furthermore, an excessive amount of current will flow from the power supply through the transistor 5 shown in FIG.

これとは逆に、回路Bにのみ電源電圧が供給され、した
がって、回路Aに電源電圧が供給されないときには、同
様にして、以下のような不都合が生じる。すなわち、回
路Aの出力端子4aが回路Bの入力端子3bおよび入力
保護ダイオード11を介して電源電圧にバイアスされる
。バイアスされた電圧は、第11図に示す寄生ダイオー
ド25を介して電源端子1に与えられる。したがって、
回路Aが端子3bの電圧に依存して動作することになり
、その結果、不要な電力消費が増加することになる。
On the contrary, when the power supply voltage is supplied only to the circuit B and therefore the power supply voltage is not supplied to the circuit A, the following disadvantages similarly occur. That is, the output terminal 4a of the circuit A is biased to the power supply voltage via the input terminal 3b of the circuit B and the input protection diode 11. The biased voltage is applied to the power supply terminal 1 via a parasitic diode 25 shown in FIG. therefore,
Circuit A will operate depending on the voltage at terminal 3b, resulting in an unnecessary increase in power consumption.

請求項(1)および(2)の発明は、上記のような課題
を解決するめためになされたもので、電源電圧が供給さ
れないときの電力消費を防ぐことのできる半導体集積回
路のための入力保護回路および出力回路を得ることを目
的とする。
The inventions of claims (1) and (2) have been made to solve the above-mentioned problems, and provide input protection for semiconductor integrated circuits that can prevent power consumption when power supply voltage is not supplied. The purpose is to obtain circuits and output circuits.

[課題を解決するための手段] 請求項(1)の発明に係る入力保護回路は、保護される
べき半導体集積回路に電源電圧を供給するための電源線
手段と、電源線手段と保護されるべき集積回路の入力ノ
ードとの間に接続された保護ダイオード手段と、入力信
号を受けるための入力端子と保護されるべき集積回路の
入力ノードとの間に接続され、電源線手段の電圧に応答
して動作するスイッチング手段とを含む。スイッチング
手段は、電源線手段の電圧を基板電位として受けるよう
に接続された基板ノードを有する。この入力保護回路は
、さらに、スイッチング手段の基板ノードと電源線手段
との間に接続され、基板ノードから電源線手段に向かっ
て流れる電流を遮断するための遮断ダイオード手段を含
む。
[Means for Solving the Problem] The input protection circuit according to the invention of claim (1) includes a power line means for supplying a power supply voltage to a semiconductor integrated circuit to be protected, and a power line means to be protected. protective diode means connected between an input node of the integrated circuit to be protected; and a protection diode means connected between an input terminal for receiving an input signal and an input node of the integrated circuit to be protected, responsive to the voltage of the power line means. and a switching means that operates as a switch. The switching means has a substrate node connected to receive the voltage of the power line means as a substrate potential. The input protection circuit further includes a cutoff diode means connected between the substrate node of the switching means and the power line means for blocking current flowing from the substrate node toward the power line means.

請求項(2)の発明に係る出力回路は、半導体集積回路
に電源電圧を供給するための電源線手段と、集積回路か
らの信号を受ける入力ノードと電源線手段との間に接続
され集積回路に寄生して形成される寄生ダイオード手段
と、入力ノードと出力端子との間に接続され電源線手段
の電圧に応答して動作するスイッチング手段とを含む。
The output circuit according to the invention of claim (2) is connected between a power line means for supplying a power supply voltage to a semiconductor integrated circuit, and an input node receiving a signal from the integrated circuit and the power line means. and switching means connected between the input node and the output terminal and operated in response to the voltage of the power supply line means.

スイッチング手段は、電源線手段の電圧を基板電位とし
て受けるように接続された基板ノードを有する。
The switching means has a substrate node connected to receive the voltage of the power line means as a substrate potential.

この出力回路は、さらに、基板ノードと、電源線手段と
の間に接続され、基板ノードから電源線手段に向かって
流れる電流を遮断するための遮断ダイオード手段を含む
The output circuit further includes a cutoff diode means connected between the substrate node and the power line means for blocking current flowing from the substrate node toward the power line means.

[作用] 請求項(1)の発明における人力保護回路では、遮断ダ
イオード手段が設けられているので、電源線手段から電
源電圧が供給されないとき、これに応答してスイッチン
グ手段がオフする。また、遮断ダイオード手段が設けら
れているので、入力端子に与えられた電圧は、スイッチ
ング手段の基板ノードに与えられても、電源線手段に与
えられることがない。したがって、この電圧によって保
護されるべき半導体集積回路が動作することはなく、そ
の結果、不要な電力消費が防がれる。
[Function] In the human power protection circuit according to the invention of claim (1), since the cutoff diode means is provided, when the power supply voltage is not supplied from the power line means, the switching means is turned off in response. Further, since the cutoff diode means is provided, the voltage applied to the input terminal is not applied to the power line means even if it is applied to the substrate node of the switching means. Therefore, the semiconductor integrated circuit to be protected does not operate due to this voltage, and as a result, unnecessary power consumption is prevented.

請求項(2)の発明における出力回路では、電源線手段
から電源電圧が供給されないとき、これに応答してスイ
ッチング手段がオフする。また、・遮断ダイオード手段
が設けられているので、出力端子に外部から与えられた
電圧は、スイッチング手段の基板ノードに与えられても
、電源線手段には与えられない。したがって、出力端子
に外部から与えられた電圧によって半導体集積回路が動
作することはなく、その結果、不要な電力消費が防がれ
る。
In the output circuit according to the invention of claim (2), when the power supply voltage is not supplied from the power line means, the switching means is turned off in response. Further, since the cutoff diode means is provided, the voltage applied from the outside to the output terminal is not applied to the power line means even if it is applied to the substrate node of the switching means. Therefore, the semiconductor integrated circuit does not operate due to the voltage applied to the output terminal from the outside, and as a result, unnecessary power consumption is prevented.

[発明の実施例コ 第1図は、この発明の一実施例を示す入力保護回路の回
路図である。第10図に示した従来の回路と比較して異
なる点は以下のとおりとなる。すなわち、第1図に示す
入力保護回路は、入力端子3と入力保護ダイオード11
および12の共通接続ノードとの間に並列に接続された
PMOSトランジスタ7およびNMOSトランジスタ8
と、トランジスタ7の基板電位ノードと電源端子1との
間に接続されたPMO3)ランジスタロと、電源電圧に
応答して動作するインバータ10とを含む。
Embodiment of the Invention FIG. 1 is a circuit diagram of an input protection circuit showing an embodiment of the invention. The differences from the conventional circuit shown in FIG. 10 are as follows. That is, the input protection circuit shown in FIG.
PMOS transistor 7 and NMOS transistor 8 connected in parallel between and 12 common connection nodes
, a PMO transistor 3) connected between the substrate potential node of the transistor 7 and the power supply terminal 1, and an inverter 10 that operates in response to the power supply voltage.

トランジスタ7および8により電源電圧に応答して動作
するトランスミッションゲートが構成される。kランジ
スタロないし8には、この図に示されるように寄生ダイ
オード13ないし17が形成される。
Transistors 7 and 8 constitute a transmission gate that operates in response to the power supply voltage. Parasitic diodes 13 to 17 are formed in the k transistors 1 to 8, as shown in this figure.

第2図は、第1図に示す入力保護回路を構成する半導体
基板の断面構造図である。第2図を参照して、この入力
保護回路には、トランジスタ7に寄生して寄生ダイオー
ド14および15が形成され、トランジスタ8に寄生し
て寄生ダイオード16および17が形成され、トランジ
スタ6に寄生して寄生ダイオード13が形成される。
FIG. 2 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the input protection circuit shown in FIG. 1. Referring to FIG. 2, in this input protection circuit, parasitic diodes 14 and 15 are formed parasitic to transistor 7, parasitic diodes 16 and 17 are formed parasitic to transistor 8, and parasitic diodes 16 and 17 are formed parasitic to transistor 6. A parasitic diode 13 is thus formed.

次に、再び第1図を参照して、入力保護回路の動作につ
いて説明する。
Next, referring again to FIG. 1, the operation of the input protection circuit will be described.

第1図に示す入力保護回路が第9図に示す回路Bの入力
部に設けられ、かつ、電源電圧が供給されない場合を仮
定する。一方、回路Aには電源電圧が供給されるものと
する。電源電圧が与えられないので、トランジスタ7お
よび8によって構成されたトランスミッションゲートが
オフする。これにより、入力端子3からこのトランスミ
ッションゲートおよび入力保護ダイオード11を介して
電源端子1に接続される経路は完全に遮断される。
Assume that the input protection circuit shown in FIG. 1 is provided at the input section of circuit B shown in FIG. 9, and no power supply voltage is supplied. On the other hand, it is assumed that circuit A is supplied with a power supply voltage. Since no power supply voltage is applied, the transmission gate constituted by transistors 7 and 8 is turned off. As a result, the path from input terminal 3 to power supply terminal 1 via this transmission gate and input protection diode 11 is completely cut off.

これと同時に、入力端子3からトランジスタ7の寄生ダ
イオード15を介して電源端子1に接続される経路は、
トランジスタ6の寄生ダイオード13が逆方向に形成さ
れているので、遮断される。
At the same time, the path connected from the input terminal 3 to the power supply terminal 1 via the parasitic diode 15 of the transistor 7 is as follows.
Since the parasitic diode 13 of the transistor 6 is formed in the opposite direction, it is cut off.

したがって、入力端子3に電源電圧レベルの電圧が与え
られても、電源端子1がその電圧レベルにもたらされる
ことはなく、したがって、出力端子4に接続される保護
されるべき集積回路による電力消費を防ぐことができる
Therefore, even if a voltage at the level of the power supply voltage is applied to the input terminal 3, the power supply terminal 1 will not be brought to that voltage level, thus reducing power consumption by the integrated circuit to be protected connected to the output terminal 4. It can be prevented.

一方、電源端子1に電源電圧が供給されるときには、そ
れに応答してトランスミッションゲートがオンするので
、従来の回路と同様な動作が行なわれる。
On the other hand, when the power supply voltage is supplied to the power supply terminal 1, the transmission gate is turned on in response, so that the same operation as the conventional circuit is performed.

第3図は、請求項(2)の発明の一実施例を示す出力回
路の回路図である。第11図に示した従来の回路と比較
して異なる点は以下のとおりである。すなわち、第3図
に示す出力回路は、出力寄生ダイオード25および26
の共通接続ノードと出力端子4との間に並列に接続され
たPMOSトランジスタ7およびNMOSトランジスタ
8と、電源端子1とトランジスタ7の基板ノードとの間
に接続されたPMOSトランジスタ6と、電源電圧に応
答して動作するインバータ10とを含む。
FIG. 3 is a circuit diagram of an output circuit showing an embodiment of the invention of claim (2). The differences from the conventional circuit shown in FIG. 11 are as follows. That is, the output circuit shown in FIG. 3 has output parasitic diodes 25 and 26.
PMOS transistor 7 and NMOS transistor 8 connected in parallel between the common connection node of and output terminal 4, PMOS transistor 6 connected between power supply terminal 1 and the substrate node of transistor 7, and and an inverter 10 that operates in response.

トランジスタ7および8により電源電圧に応答して動作
するトランスミッションゲートが構成される。トランジ
スタ6ないし8に寄生して寄生ダイ6オード13ないし
17が形成される。
Transistors 7 and 8 constitute a transmission gate that operates in response to the power supply voltage. Parasitic diodes 13 to 17 are formed parasitic to transistors 6 to 8.

第4図は、第3図に示す出力回路を構成する半導体基板
の断面構造図である。第4図を参照して、トランジスタ
7に寄生して寄生ダイオード14および15が形成され
、トランジスタ8に寄生して寄生ダイオード16および
17が形成され、トランジスタ6に寄生して寄生ダイオ
ード1が形成される。
FIG. 4 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the output circuit shown in FIG. 3. Referring to FIG. 4, parasitic diodes 14 and 15 are formed parasitic to transistor 7, parasitic diodes 16 and 17 are formed parasitic to transistor 8, and parasitic diode 1 is formed parasitic to transistor 6. Ru.

次に、再び第3図を参照して、この出力回路の動作につ
いて説明する。
Next, referring again to FIG. 3, the operation of this output circuit will be explained.

第3図に示す出力回路が第9図に示す回路Aの出力部に
設けられ、かつ、電源電圧が供給されない場合を仮定す
る。回路Bには電源電圧が供給されるものとする。電源
電圧が供給されないので、トランジスタ7および8によ
って構成されたトランスミッションゲートがオフする。
Assume that the output circuit shown in FIG. 3 is provided at the output part of the circuit A shown in FIG. 9, and no power supply voltage is supplied. It is assumed that circuit B is supplied with a power supply voltage. Since no power supply voltage is supplied, the transmission gate constituted by transistors 7 and 8 is turned off.

したがって、出力端子4からこのトランスミッションゲ
ートおよび出力寄生ダイオード25を介して電源端子1
に接続される経路は遮断される。これと同時に、出力端
子4から寄生ダイオード15を介して電源端子1に接続
される経路は、トランジスタ6の寄生ダイオード13が
逆方向に形成されるので、遮断される。こうして、出力
端子4から電源端子1に接続される経路が完全に遮断さ
れるので、出力端子4に与えられる電圧によって入力端
子3に接続された半導体集積回路、が動作することはな
く、したがって、不要な消費電力を防ぐことができる。
Therefore, the output terminal 4 is connected to the power supply terminal 1 via this transmission gate and the output parasitic diode 25.
The route connected to is cut off. At the same time, the path connecting the output terminal 4 to the power supply terminal 1 via the parasitic diode 15 is cut off because the parasitic diode 13 of the transistor 6 is formed in the opposite direction. In this way, since the path connecting the output terminal 4 to the power supply terminal 1 is completely cut off, the semiconductor integrated circuit connected to the input terminal 3 will not operate due to the voltage applied to the output terminal 4, and therefore, Unnecessary power consumption can be prevented.

第5図は、請求項(1)の発明の別の実施例を示す入力
保護回路の回路図である。第1図に示す回路と比較して
異なる点は以下のとおりである。
FIG. 5 is a circuit diagram of an input protection circuit showing another embodiment of the invention of claim (1). The differences from the circuit shown in FIG. 1 are as follows.

すなわち、第5図に示す入力保護回路は、トランジスタ
7および8によって構成されたトランスミッションゲー
トの両端とトランジスタ6の一方電極との間に並列に接
続された2つの追加のトランスミッションゲートを含む
。1つのトランスミッションゲートは、PMOSトラン
ジスタ27とNMOSトランジスタ29とによって構成
される。
That is, the input protection circuit shown in FIG. 5 includes two additional transmission gates connected in parallel between both ends of the transmission gate constituted by transistors 7 and 8 and one electrode of transistor 6. One transmission gate is composed of a PMOS transistor 27 and an NMOS transistor 29.

もう1つのトランスミッションゲートは、PMOSトラ
ンジスタ28とNMO8)ランジスタ30とによって構
成される。これらの追加のトランスミッションゲートも
トランジスタ7および8によって構成されたトランスミ
ッションゲートと同期してオンおよびオフ動作を行なう
。したがって、2つの追加のトランスミッションゲート
を設けたことにより、トランジスタ7および8によって
構成されたトランスミッションゲートがオンするときの
入出力間の電圧差をなくすことができる。すなわち、追
加のトランスミッションゲートがトランジスタ7および
8によって構成されたトランスミッションゲートの入出
力間のインピーダンスの補償回路として動作する。
Another transmission gate is constituted by a PMOS transistor 28 and an NMO transistor 30. These additional transmission gates also perform on and off operations in synchronization with the transmission gate constituted by transistors 7 and 8. Therefore, by providing the two additional transmission gates, it is possible to eliminate the voltage difference between the input and output when the transmission gate constituted by transistors 7 and 8 is turned on. That is, the additional transmission gate operates as an impedance compensation circuit between the input and output of the transmission gate constituted by transistors 7 and 8.

この点についてより詳細に説明すると、第1図に示す入
力保護回路では、トランジスタ6を介して電源電圧がト
ランジスタ7の基板に与えられるので、入力端子3とト
ランジスタ7の基板電位との間に電圧差が生じることが
ある。これにより、トランジスタ7のしきい電圧が高く
なる。それを防ぐため、第5図に示す入力保護回路では
、2つの追加のトランスミッションゲートが設けられ、
これにより入力端子3の電位とトランジスタ7の基板電
位とが強制的に等しくなる。したがって、バックゲート
の効果がなくなり、トランジスタ7のしきい電圧の変化
を防ぐことができる。
To explain this point in more detail, in the input protection circuit shown in FIG. Differences may occur. This increases the threshold voltage of transistor 7. To prevent this, in the input protection circuit shown in FIG. 5, two additional transmission gates are provided.
This forces the potential of the input terminal 3 and the substrate potential of the transistor 7 to become equal. Therefore, the back gate effect is eliminated, and a change in the threshold voltage of the transistor 7 can be prevented.

第6図は、請求項(2)の発明の別の実施例を示す出力
回路の回路図である。この出力回路においても、第5図
に示す回路と同じ目的で、2つの追加のトランスミッシ
ョンゲートが設けられ、同様の効果が得られる。
FIG. 6 is a circuit diagram of an output circuit showing another embodiment of the invention of claim (2). In this output circuit as well, two additional transmission gates are provided for the same purpose as the circuit shown in FIG. 5, and similar effects can be obtained.

第7図は、請求項(2)の発明のさらに別の実施例を示
す出力回路の回路図である。第7図に示すように、請求
項(2)の発明をトライステート機能を有する出力回路
に適用することができる。
FIG. 7 is a circuit diagram of an output circuit showing still another embodiment of the invention of claim (2). As shown in FIG. 7, the invention of claim (2) can be applied to an output circuit having a tri-state function.

第8図は、互いに異なった電源から電源電圧の供給を受
ける2つの回路AおよびBが各出力端子4aおよび4b
により伝送ライン40を介して接続される場合を示す模
式図である。第8図に示すように、回路AおよびBの各
々の出力分に請求項(2)の発明による出力回路が設け
られた場合でも、既に述べた実施例における場合と同様
な効果が得られる。
FIG. 8 shows two circuits A and B supplied with power supply voltage from different power supplies, each having output terminals 4a and 4b.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a case in which the devices are connected via a transmission line 40. As shown in FIG. 8, even when the output circuit according to the invention of claim (2) is provided for each output of circuits A and B, the same effects as in the embodiments already described can be obtained.

[発明の効果] 以上のように、請求項(1)の発明によれば、スイッチ
ング手段および遮断ダイオード手段を設けたので、電源
線手段に電源電圧が供給されないときの入力端子に与え
られる電圧による電力消費を防ぐことができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the invention of claim (1), since the switching means and the cutoff diode means are provided, the voltage applied to the input terminal when the power supply voltage is not supplied to the power line means is Power consumption can be prevented.

請求項(2)の発明によれば、スイッチング手段および
遮断ダイオード手段を設けたので、電源線手段に電源電
圧が供給されないときの出力端子に与えられる電圧によ
る電力消費を防ぐことができる。
According to the invention of claim (2), since the switching means and the cutoff diode means are provided, it is possible to prevent power consumption due to the voltage applied to the output terminal when the power supply voltage is not supplied to the power supply line means.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、請求項(1)の発明の一実施例を示す入力保
護回路の回路図である。第2図は、第1図に示す入力保
護回路を構成する半導体基板の断・面構造図である。第
3図は、請求項(2)の発明の一実施例を示す出力回路
の回路図である。第4図は、第3図に示す出力回路を構
成する半導体基板の断面構造図である。第5図は、請求
項(1)の発明の別の実施例を示す人力保護回路の回路
図である。第6図は、請求項(2)の別の実施例を示す
出力回路の回路図である。第7図は、請求項(2)のさ
らに別の実施例を示す出力回路の回路図である。第8図
および第9図は、互いに異なった電源から電源電圧の供
給を受ける2つの回路の接続を示す模式図である。第1
0図は、従来の入力保護回路を示す回路図である。第1
1図は、従来の出力回路を示す回路図である。第12図
は、第10図に示す入力保護回路を構成する半導体基板
の断面構造図である。第13図は、第11図に示す出力
回路を構成する半導体基板の断面構造図である。 図において、1は電源端子、2は接地端子、3は入力端
子、4は出力端子、11.12は入力保護ダイオード、
13ないし17は寄生ダイオードである。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 81図 萬S図 第8■ 第q図 810図 第11図
FIG. 1 is a circuit diagram of an input protection circuit showing an embodiment of the invention as claimed in claim (1). FIG. 2 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the input protection circuit shown in FIG. 1. FIG. 3 is a circuit diagram of an output circuit showing an embodiment of the invention of claim (2). FIG. 4 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the output circuit shown in FIG. 3. FIG. 5 is a circuit diagram of a human power protection circuit showing another embodiment of the invention of claim (1). FIG. 6 is a circuit diagram of an output circuit showing another embodiment of claim (2). FIG. 7 is a circuit diagram of an output circuit showing still another embodiment of claim (2). FIGS. 8 and 9 are schematic diagrams showing connections between two circuits that receive power supply voltages from different power supplies. 1st
FIG. 0 is a circuit diagram showing a conventional input protection circuit. 1st
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional output circuit. FIG. 12 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate forming the input protection circuit shown in FIG. 10. FIG. 13 is a cross-sectional structural diagram of a semiconductor substrate constituting the output circuit shown in FIG. 11. In the figure, 1 is a power supply terminal, 2 is a ground terminal, 3 is an input terminal, 4 is an output terminal, 11.12 is an input protection diode,
13 to 17 are parasitic diodes. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Figure 81 Figure S Figure 8 ■ Figure q Figure 810 Figure 11

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体基板上に設けられた半導体集積回路を保護
するための入力保護回路であって、入力信号を受けるた
めの入力端子を含み、 前記入力端子は、保護されるべき前記集積回路の入力ノ
ードに接続され、 前記集積回路に電源電圧を供給するための電源線手段と
、 前記電源線手段と前記集積回路の入力ノードとの間に接
続された、前記集積回路を保護するための保護ダイオー
ド手段と、 前記入力端子と前記集積回路の入力ノードとの間に接続
され、前記電源線手段の電圧に応答して動作するスイッ
チング手段とを含み、 前記スイッチング手段は、前記電源線手段の電圧を基板
電位として受けるように接続された基板ノードを有し、 前記基板ノードと前記電源線手段との間に接続され、前
記基板ノードから前記電源線手段に向かって流れる電流
を遮断するための遮断ダイオード手段を含む、半導体集
積回路のための入力保護回路。
(1) An input protection circuit for protecting a semiconductor integrated circuit provided on a semiconductor substrate, including an input terminal for receiving an input signal, the input terminal being an input of the integrated circuit to be protected. a power line means connected to the node for supplying a power supply voltage to the integrated circuit; and a protection diode connected between the power line means and an input node of the integrated circuit for protecting the integrated circuit. and switching means connected between the input terminal and an input node of the integrated circuit and operating in response to the voltage of the power line means, the switching means operating in response to the voltage of the power line means. a cutoff diode having a substrate node connected to receive a substrate potential, and connected between the substrate node and the power line means to cut off a current flowing from the substrate node toward the power line means; An input protection circuit for a semiconductor integrated circuit, including means.
(2)半導体基板上に設けられた半導体集積回路からの
信号を出力するための出力回路であって、 前記集積回路からの信号を受けるためのノードと、 前記集積回路に電源電圧を供給するための電源線手段と
、 前記入力ノードと前記電源線手段との間に接続され、前
記集積回路に寄生して形成される寄生ダイオード手段と
を含み、 前記寄生ダイオード手段は、そこに流れる電流が前記電
源線手段に向かって流れる極性で接続され、 前記入力ノードに接続された出力端子と、 前記入力ノードと前記出力端子との間に接続され、前記
電源線手段の電圧に応答して動作するスイッチング手段
とを含み、 前記スイッチング手段は、前記電源線手段の電圧を基板
電位として受けるように接続された基板ノードを有し、 前記基板ノードと前記電源線手段との間に接続され、前
記基板ノードから前記電源線手段に向かって流れる電流
を遮断するための遮断ダイオード手段を含む、半導体集
積回路のための出力回路。
(2) An output circuit for outputting a signal from a semiconductor integrated circuit provided on a semiconductor substrate, comprising a node for receiving a signal from the integrated circuit, and a node for supplying a power supply voltage to the integrated circuit. and parasitic diode means connected between the input node and the power line means and formed parasitic to the integrated circuit, the parasitic diode means being configured such that the current flowing therethrough is an output terminal connected with a polarity flowing toward the power line means and connected to the input node; and a switching device connected between the input node and the output terminal and operating in response to the voltage of the power line means. and the switching means has a substrate node connected to receive the voltage of the power line means as a substrate potential, and the switching means is connected between the substrate node and the power line means, and the switching means has a substrate node connected to receive the voltage of the power line means as a substrate potential. An output circuit for a semiconductor integrated circuit, comprising a cutoff diode means for cutting off current flowing from the power supply line means toward the power supply line means.
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