JPH02217382A - セラミックス基板へのＰｔメタライズ法 - Google Patents
セラミックス基板へのＰｔメタライズ法Info
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- JPH02217382A JPH02217382A JP3705189A JP3705189A JPH02217382A JP H02217382 A JPH02217382 A JP H02217382A JP 3705189 A JP3705189 A JP 3705189A JP 3705189 A JP3705189 A JP 3705189A JP H02217382 A JPH02217382 A JP H02217382A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、セラミックス基板へのｐｔメタライズ法の改
良に関する。
良に関する。
（従来の技術）
従来、セラミックス基板へＰｔをメタライズするには、
セラミックス基板へ直接スパッタリングにてＰｔ薄膜を
形成するか、又はセラミックス基板へスパッタリングに
てＣｒ、Ｔｉ等の中間膜を形成し、その上にスパッタリ
ングにてＰｔ薄膜を形成していた。
セラミックス基板へ直接スパッタリングにてＰｔ薄膜を
形成するか、又はセラミックス基板へスパッタリングに
てＣｒ、Ｔｉ等の中間膜を形成し、その上にスパッタリ
ングにてＰｔ薄膜を形成していた。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、前者のセラミックス基板へ直接スパッタリン
グにてＰｔ薄膜を形成する方法は、セラミックス基板の
表面状態（粗度）によって、ｐｔ薄膜の密着力が左右さ
れる。即ち、セラミックス基板の表面が鏡面状態では密
着力が非常に弱く、粗い面では成る程度付着しているが
、テープピールにより容易に剥がれる。また後者のセラ
ミックス基板へスパッタリングにてＣｒ、Ｔｉ等の中間
膜を形成し、その上にスパッタリングにてＰｔ薄膜を形
成する方法は、前者の方法よりもＰｔ薄膜の密着力は強
くなるが、高温雰囲気中で、中間膜であるＣｒ％Ｔｉ等
がＰｔに拡散し、本来の目的であるバインダー層として
の役目を果たさなくなり、Ｐｔ薄膜が容易に剥離してし
まうものである。
グにてＰｔ薄膜を形成する方法は、セラミックス基板の
表面状態（粗度）によって、ｐｔ薄膜の密着力が左右さ
れる。即ち、セラミックス基板の表面が鏡面状態では密
着力が非常に弱く、粗い面では成る程度付着しているが
、テープピールにより容易に剥がれる。また後者のセラ
ミックス基板へスパッタリングにてＣｒ、Ｔｉ等の中間
膜を形成し、その上にスパッタリングにてＰｔ薄膜を形
成する方法は、前者の方法よりもＰｔ薄膜の密着力は強
くなるが、高温雰囲気中で、中間膜であるＣｒ％Ｔｉ等
がＰｔに拡散し、本来の目的であるバインダー層として
の役目を果たさなくなり、Ｐｔ薄膜が容易に剥離してし
まうものである。
そこで本発明は、セラミックス基板へＰｔ薄膜を高い密
着力でもって形成できるセラミックス基板へのＰｔメタ
ライズ法を提供しようとするものである。
着力でもって形成できるセラミックス基板へのＰｔメタ
ライズ法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明のセラミックス基板へ
のＰｔメタライズ法の一つは、酸化物、窒化物、炭化物
のセラミックス基板へＰｔをメタライズするに於いて、
前記セラミックス基板へ、該基板と同じ酸化物又は窒化
物若しくは炭化物が分散しているＰｔターゲットを用い
てスパッタリングにて中間膜を形成し、然る後その中間
膜の上へスパッタリングにてＰｔ薄膜を形成することを
特徴とする。
のＰｔメタライズ法の一つは、酸化物、窒化物、炭化物
のセラミックス基板へＰｔをメタライズするに於いて、
前記セラミックス基板へ、該基板と同じ酸化物又は窒化
物若しくは炭化物が分散しているＰｔターゲットを用い
てスパッタリングにて中間膜を形成し、然る後その中間
膜の上へスパッタリングにてＰｔ薄膜を形成することを
特徴とする。
本発明のセラミックス基板へのＰｔメタライズ法の他の
一つは、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス基板へ
Ｐｔをメタライズするに於いて、前記セラミックス基板
へＰｔのターゲットと基板と同じ酸化物又は窒化物若し
くは炭化物のターゲットを用いて同時スパッタリングに
て中間膜を形成し、然る後その中間膜の上へスパッタリ
ングにてＰｔ薄膜を形成することを特徴とする。
一つは、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス基板へ
Ｐｔをメタライズするに於いて、前記セラミックス基板
へＰｔのターゲットと基板と同じ酸化物又は窒化物若し
くは炭化物のターゲットを用いて同時スパッタリングに
て中間膜を形成し、然る後その中間膜の上へスパッタリ
ングにてＰｔ薄膜を形成することを特徴とする。
本発明のセラミックス基板へのＰｔメタライズ法のさら
に他の一つは、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス
基板へｐｔをメタライズするに於いて、前記セラミック
ス基板へｐｔのターゲットと基板の酸化物又は窒化物若
しくは炭化物と同じ組成の金属ターゲットを用いて酸素
又は窒素若しくはアセチレンの雰囲気中にて同時スパッ
タリングを行って中間膜を形成し、然る後その中間膜の
上へスパッタリングにてＰｔ薄膜を形成することを特徴
とする。
に他の一つは、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス
基板へｐｔをメタライズするに於いて、前記セラミック
ス基板へｐｔのターゲットと基板の酸化物又は窒化物若
しくは炭化物と同じ組成の金属ターゲットを用いて酸素
又は窒素若しくはアセチレンの雰囲気中にて同時スパッ
タリングを行って中間膜を形成し、然る後その中間膜の
上へスパッタリングにてＰｔ薄膜を形成することを特徴
とする。
（作用）
上述の如く本発明のセラミックス基板へのＰｔメタライ
ズ法は、酸化物又は窒化物若しくは炭化物のセラミック
ス基板へ、酸化物又は窒化物若しくは炭化物の分散した
Ｐｔの中間膜を形成し、その上にＰｔ薄膜を形成するの
であるから、セラミックス基板と中間膜とは、該中間膜
中に分散しているセラミックス基板と同じ酸化物又は窒
化物若しくは炭化物により親和力が高く、密着力が強い
ので、また表面のＰｔ薄膜と中間膜とは該中間膜中のＰ
ｔにより親和力が高く、密着力が強いので、結局セラミ
ックス基板とＰｔ薄膜とは接合強度の高いものとなる。
ズ法は、酸化物又は窒化物若しくは炭化物のセラミック
ス基板へ、酸化物又は窒化物若しくは炭化物の分散した
Ｐｔの中間膜を形成し、その上にＰｔ薄膜を形成するの
であるから、セラミックス基板と中間膜とは、該中間膜
中に分散しているセラミックス基板と同じ酸化物又は窒
化物若しくは炭化物により親和力が高く、密着力が強い
ので、また表面のＰｔ薄膜と中間膜とは該中間膜中のＰ
ｔにより親和力が高く、密着力が強いので、結局セラミ
ックス基板とＰｔ薄膜とは接合強度の高いものとなる。
（実施例）
本発明のセラミックス基板へのＰｔメタライズ法の実施
例を説明する。
例を説明する。
先ず第１発明の実施例について説明すると、縦５０ｍｍ
５ｍ５０ｍｍ、厚さＩＭのＡ １２２０５９８ｗｔ％、
ＴｉＮ９８ｗｔ％、Ｓ ｉ Ｃ９８ｗｔ％の各セラミッ
クス基板へ、夫々ＰｔにＡ１１ｘｏｓ、ＴｉＮ、ＳｉＣ
の各粒子（０，１〜３μｍ）を０．５体積％分散した各
ターゲットを用いてＤＣＩＫＷのマグネトロンスパッタ
ーによるスパッタリングにて０．２μｍ厚のＡｆ２０３
、ＴｉＮ５ＳｉＣの分散したＰｔの中間膜を形成し、然
る後各中間膜の上へＰｔターゲットを用いてＤＣＩ Ｋ
Ｗ（７）マクネトロンスパッターによるスパッタリング
にて１．０μｍ厚のＰｔ薄膜を形成した。
５ｍ５０ｍｍ、厚さＩＭのＡ １２２０５９８ｗｔ％、
ＴｉＮ９８ｗｔ％、Ｓ ｉ Ｃ９８ｗｔ％の各セラミッ
クス基板へ、夫々ＰｔにＡ１１ｘｏｓ、ＴｉＮ、ＳｉＣ
の各粒子（０，１〜３μｍ）を０．５体積％分散した各
ターゲットを用いてＤＣＩＫＷのマグネトロンスパッタ
ーによるスパッタリングにて０．２μｍ厚のＡｆ２０３
、ＴｉＮ５ＳｉＣの分散したＰｔの中間膜を形成し、然
る後各中間膜の上へＰｔターゲットを用いてＤＣＩ Ｋ
Ｗ（７）マクネトロンスパッターによるスパッタリング
にて１．０μｍ厚のＰｔ薄膜を形成した。
次に第２発明の実施例について説明すると、縦５０ｍｍ
、横５０ｍａ＋、厚さ１ ａｕａのＺ ｒ Ｏｘ ９８
ｗｔ％、ＺｒＮ ９８ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｃ９８ｗｔ％の
各セラミックス基板へ、夫々ＰｔターゲットとＺ ｒ
０２９８ｗｔ％ターゲット、ＰｔターゲットとＺ ｒ
Ｎ９８ｗｔ％ターゲット、ＰｔターゲットとＴ ｉ Ｃ
９８ｗｔ％ターゲットを用いて、ＤＣＩ ＫＷのマグネ
トロンスパッタートＲＦＯ１ＩＫＷマグネトロンスパッ
ターによる同時スパッタリングにて０．５μｍ厚の０．
２体積％のＺｒＣｈ、ＺｒＮ５ＴｉＣの分散した中間膜
を形成し、然る機番中間膜の上へＰｔターゲットを用い
てＤＣＩＫＷのマグネトロンスパッターによるスパッタ
リングにて１．０μｍ厚のＰｔ薄膜を形成した。
、横５０ｍａ＋、厚さ１ ａｕａのＺ ｒ Ｏｘ ９８
ｗｔ％、ＺｒＮ ９８ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｃ９８ｗｔ％の
各セラミックス基板へ、夫々ＰｔターゲットとＺ ｒ
０２９８ｗｔ％ターゲット、ＰｔターゲットとＺ ｒ
Ｎ９８ｗｔ％ターゲット、ＰｔターゲットとＴ ｉ Ｃ
９８ｗｔ％ターゲットを用いて、ＤＣＩ ＫＷのマグネ
トロンスパッタートＲＦＯ１ＩＫＷマグネトロンスパッ
ターによる同時スパッタリングにて０．５μｍ厚の０．
２体積％のＺｒＣｈ、ＺｒＮ５ＴｉＣの分散した中間膜
を形成し、然る機番中間膜の上へＰｔターゲットを用い
てＤＣＩＫＷのマグネトロンスパッターによるスパッタ
リングにて１．０μｍ厚のＰｔ薄膜を形成した。
次いで第３発明の実施例について説明すると、縦５０ｍ
ｍ、横５０ｍｍ、厚さ１順のＺ ｒ ０２９８ｗｔ％、
Ｚ ｒ Ｎ９８ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｃ９８ｗｔ％の各セラ
ミックス基板へ、夫々ＰｔターゲットとＺｒターゲット
、ＰｔターゲットとＺｒターゲット、Ｐｔターゲットと
Ｔｉターゲットを用いて、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中
、アセチレン雰囲気中で、ＤＣＩＫＷマグネトロンスパ
ッターとＲＦＯ，ＩＫＷマグネトロンスパッターによる
同時スパッタリングにて０．５μｍ厚の０．２体積％の
Ｚｒ０ｚ、ＺｒＮ５Ｔｉｃの分散した中間膜を形成し、
然る機番中間膜の上へＰｔターゲットを用いてＤＣＩＫ
Ｗのマグネトロンスパッターによるスパッタリングにて
１．０μｍ厚のＰｔ薄膜を形成した。
ｍ、横５０ｍｍ、厚さ１順のＺ ｒ ０２９８ｗｔ％、
Ｚ ｒ Ｎ９８ｗｔ％、Ｔ ｉ Ｃ９８ｗｔ％の各セラ
ミックス基板へ、夫々ＰｔターゲットとＺｒターゲット
、ＰｔターゲットとＺｒターゲット、Ｐｔターゲットと
Ｔｉターゲットを用いて、酸素雰囲気中、窒素雰囲気中
、アセチレン雰囲気中で、ＤＣＩＫＷマグネトロンスパ
ッターとＲＦＯ，ＩＫＷマグネトロンスパッターによる
同時スパッタリングにて０．５μｍ厚の０．２体積％の
Ｚｒ０ｚ、ＺｒＮ５Ｔｉｃの分散した中間膜を形成し、
然る機番中間膜の上へＰｔターゲットを用いてＤＣＩＫ
Ｗのマグネトロンスパッターによるスパッタリングにて
１．０μｍ厚のＰｔ薄膜を形成した。
この各実施例のセラミックス基板上に中間膜を形成し、
その中間膜上に形成したｐｔ薄膜の接合強度と、従来例
のセラミックス基板上へ直接スパッタリングにて形成し
たＰｔ薄膜の接合強度を測定した処、従来例のＰｔ薄膜
の接合強度は１００〜２００ｇ／−であったのに対し各
実施例のＰｔ薄膜の接合強度は６００〜１．０００ ｇ
／−で著しく高かった。
その中間膜上に形成したｐｔ薄膜の接合強度と、従来例
のセラミックス基板上へ直接スパッタリングにて形成し
たＰｔ薄膜の接合強度を測定した処、従来例のＰｔ薄膜
の接合強度は１００〜２００ｇ／−であったのに対し各
実施例のＰｔ薄膜の接合強度は６００〜１．０００ ｇ
／−で著しく高かった。
尚、本発明の各実施例のものを、その後大気中にて１０
００〜１２００℃にて３０分間熱処理（昇温６０℃／ｍ
１ｎ） Ｌ、放冷した処、Ｐｔ薄膜の接合強度が８００
〜１．２００ｇ ／−に向上した。
００〜１２００℃にて３０分間熱処理（昇温６０℃／ｍ
１ｎ） Ｌ、放冷した処、Ｐｔ薄膜の接合強度が８００
〜１．２００ｇ ／−に向上した。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のセラミックス基板への
Ｐｔメタライズ法は、セラミックス基板上へ、該セラミ
ックス基板及びＰｔ薄膜の双方との親和力が高く、密着
力の強い中間膜を形成し、その中間膜の上へＰｔ薄膜を
形成するのであるから、セラミックス基板とｐｔ薄膜の
接合強度を高いものにできるという効果がある。
Ｐｔメタライズ法は、セラミックス基板上へ、該セラミ
ックス基板及びＰｔ薄膜の双方との親和力が高く、密着
力の強い中間膜を形成し、その中間膜の上へＰｔ薄膜を
形成するのであるから、セラミックス基板とｐｔ薄膜の
接合強度を高いものにできるという効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス基板へＰｔ
をメタライズするに於いて、前記セラミックス基板へ該
基板と同じ酸化物又は窒化物若しくは炭化物が分散して
いるＰｔターゲットを用いてスパッタリングにて中間膜
を形成し、然る後その中間膜の上へスパッタリングにて
Ｐｔ薄膜を形成することを特徴とするセラミックス基板
へのＰｔメタライズ法。 ２、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス基板へＰｔ
をメタライズするに於いて、前記セラミックス基板へＰ
ｔのターゲットと基板と同じ酸化物又は窒化物若しくは
炭化物のターゲットを用いて同時スパッタリングにて中
間膜を形成し、然る後その中間膜の上へスパッタリング
にてＰｔ薄膜を形成することを特徴とするセラミックス
基板へのＰｔメタライズ法。 ３、酸化物、窒化物、炭化物のセラミックス基板へＰｔ
をメタライズするに於いて、前記セラミックス基板へＰ
ｔのターゲットと基板の酸化物又は窒化物若しくは炭化
物と同じ組成の金属ターゲットを用いて酸素又は窒素若
しくはアセチレンの雰囲気中にて同時スパッタリングを
行って中間膜を形成し、然る後その中間膜の上へスパッ
タリングにてＰｔ薄膜を形成することを特徴とするセラ
ミックス基板へのＰｔメタライズ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3705189A JPH02217382A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | セラミックス基板へのＰｔメタライズ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3705189A JPH02217382A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | セラミックス基板へのＰｔメタライズ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217382A true JPH02217382A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12486780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3705189A Pending JPH02217382A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | セラミックス基板へのＰｔメタライズ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02217382A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129645A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for metallic thin film |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP3705189A patent/JPH02217382A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129645A (en) * | 1980-03-12 | 1981-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method for metallic thin film |
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