JPH02208974A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導電膜を用いた撮像装置、更に詳しく言え
ば、被写体の像に対応する光情報を光導電膜によって電
荷信号に変換し、上記電荷信号を半導体スイッチを介し
て電気信号として読み出す撮像装置に関する。

（従来の技術〕 テレビジョンカメラ等に使用される固体撮像装置として
、重要な点の一つはより小型に、かつ信号処理が簡単に
実現できることである。

これらの要求を満たすものとして、光電変換部に光導電
膜を利用した固体撮像装置が知られている。この種の固
体撮像装置は、半導体基板上に、画素の光情報を電気信
号に変換し、所定の時間に外部に出力する固体撮像素子
を複数個マトリクス状に配列した構成であり、上記固体
撮像素子は。

光導電膜で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積素子と、上
記電荷を所定の時間に選択し出力信号として取り出す半
導体スイッチを構成要素としている。

例えば、ＦＥＴトランジスタのソース（又はドレイン）
を電荷蓄積素子とし、ソース電極と光導電膜の一方の面
に画素毎に区切られて設けられた画素電極とを結合し、
光導膜の他方の面には、透光性の透明電極が形成され、
ターゲット電圧が加えられ、光導電膜に一定の電界を加
え所定の光電特性を持つように構成され、ＦＥＴトラン
ジスタのゲートに素子選択の電圧が加えられることによ
って、上記電荷蓄積素子の電荷をドレイン（又はソース
）に読み出す構成となっている。なおこの種の固体撮像
装置に関連する文献として、テレビジョン学会技報Ｖｏ
Ｑ、９　　Ｎａ２Ｓ、　ＥＤ９３６　（１９８６）用尻
ほか、がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来知られている撮像素子では照度と出力電流の関
係が、照度が一定の照度（飽和面照度）以上では一定に
なる。すなわちダイナミックレンジが小さく、高輝度と
低輝度の被写体が共存する場合に双方の複写体を正しく
再生する４とが困難であるという問題があった。

本発明の主な目的は撮像素子の飽和面照度を大きくし、
広いダイナミックレンジの固体撮像装置を実現すること
である。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、第１の本発明は、光導電膜の
一面に透光性電極を他面に画素に対応する複数の画素電
極を設け、上記透光性電極と画素電極間にターゲット電
圧を印加する光電変換部と、上記光電変換部で発生した
電荷を蓄積する電荷蓄積部と、上記電荷蓄積部から所定
の時間に電荷を取り出す信号読み出し部を持つ撮像装置
において、上記画素電極と電荷蓄積部との間に抵抗体を
設け、上記ターゲット電圧を上記光導電膜の光感度が増
幅作用を持つ領域に設定し、面照度と信号電流の関係が
少なくとも飽和信号電流の近傍において二イー特性を持
つように構成した。

特に好ましい形態として、上記光導電膜として非晶質セ
レン膜（ａ−８ｓと略称する）。又上記電荷蓄積部及び
信号読み出し部は同一半導体基板上に形成されたＦＥＴ
トランジスタ等の固体素子で実現される。

また、上記目的を達成するため、第２の本発明では、上
記第１の発明と共に、又は単独に、上記電荷蓄積部の一
部をＳｉｎ、、Ｓｉ、Ｎ、、５ｉｎ２／Ｓｉ、Ｎ９．複
合膜、Ｔａ、Ｏ，等の絶縁膜を構成要素とする容量素子
（ＭＯ８容量）で構成する。

本発明は、上記撮像素子のみでなく、テレビジョンカメ
ラ等の撮像装置を構成する場合のように、上記撮像素子
を画素に応じて複数個配列し、上記複数個の撮像素子の
信号を走査して読み出す走査部を含む撮像装置も当然含
まれる。

〔作用〕

画素電極と蓄積容量間に設けられた高抵抗体は、所定の
信号対雑音比が得られる所定の信号電流値以上において
信号電流による抵抗体での電圧降下により画素電極と透
光性電極の間にかかる電圧が低減し光導電膜の光感度が
低下するように動作する。これによって、素子の光電変
換特性はニイー特性すなわち、飽和信号電流となる近傍
において、面照度変化に対する信号電流変化が少なくな
り、飽和信号電流となる最小面照度は大きくなる特性を
持つことになり、飽和信号電流が同一でも飽和面照度を
大きくすることができるので、撮像装置のダイナミック
レンジを拡大することができる。

また、電荷蓄積部を構成するＳｉＯ□もしくはＳｉＯ，
／Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜を構成要素とする容量素子は、
従来素子で蓄積容量を形成したｐｎ接合に比し、単位面
積当たり５倍程度の容量値拡大を実現できる。これによ
って、撮像装置の飽和信号電流を増加でき、従ってダイ
ナミックレンジを拡大することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

第１図は、本発明による撮像装置の一実施例の要部であ
る固体撮像素子の構成を示す側断面図である。なお、説
明の簡明のため以下の各図面の説明において、同様の構
成・作用を持つ部分には同一の番号を付し、説明を省く
。

図において、１はＩＴＯ等の透光性電極、２は非晶質セ
レン（以下ａ−８ｅと称する）、３はＡＱ。

Ｍｏ、Ｃｒ或いはＴａ等の導電体よりなる画素電極、４
はポリイミドもしくはリンガラス等の絶縁体よりなる平
坦化層、５は例えばポリシリコンよりなる抵抗体、６−
１は電荷蓄積容量をなすＰ型拡散層、７−１はポリシリ
コンもしくはシリサイドよりなるスイッチ電極、８−１
はＡＱよりなる信号線配線、９はリンガラス等よりなる
層間絶縁膜、１０は素子分離領域を形成するＬＯＧＯ８
酸化膜、１１はｎ型基板、１３はゲート酸化膜である。

透光性電極１には直流電ｇ１２からターゲット電圧Ｖ、
がかけられる。

第２図は、上記ａ−８ｓで構成された光導電膜２の膜に
かかる電界Ｖ／Ｌ（Ｖ：膜にかかる電圧、Ｌ：膜厚）と
信号電流密度Ｉ／Ｓ（Ｉ：信号電流、Ｓ：膜の面積）の
関係を示す図で、電界領域Ａは従来使用されている光電
変換のなされる電界領域で電界の大きさに拘らず感度が
ほぼ一定の領域、領域Ｂは感度が領域Ａより大きく、電
界の大きさに応じて感度が増大するアバランシュ増倍す
なわち電流増幅作用の生じる電界領域である。第１図に
示したターゲット電圧Ｖ、はａ　−Ｓｅ２にかかる透光
性電極１と画素電極３の間の電圧がａ−Ｓｅがアバラン
シュ増倍を起こす電圧となる領域に設定される０例えば
、ａ−８ｅ膜厚が２μｍの時に、１０倍のアバランシュ
増倍を起こすには約２４０ｖのターゲット電圧をかける
。

以下、第１図の実施例の動作を説明する。

光導電膜ａ−８ｅ２に光が当たると抵抗体５に信号電流
が流れ、蓄積容量６−１の電圧がビデオバイアスＶｖよ
り高くなる。この時、抵抗体５に流れる電流による電圧
降下により、透光性電極１と画素電極３にかかる電圧が
減少し、光導電膜２にかかる電界が減少し、信号電流密
度が減少する。

しかし、電界が領域Ａとなった場合は、照度が一定であ
るかぎりは信号電流密度は変化しない。

第３図は上記実施例による面照度と信号電流の関係すな
わち光電変換特性を示す図である。同図において、飽和
信号電流は第１図に示したＰ型拡散層６−１の容量値Ｃ
ｐｏにＰ型拡散層６−１がｎ型基板１１に対し頭方向と
なる電圧ｖｔよりＰ型拡散層６−１のビデオバイアスＶ
Ｖを引いた電圧をかけた飽和信号電荷量に水平走査のク
ロック周波数をかけたものである。

第１図の実施例の光電変換特性は、第３図の実線に示す
様にニイー特性を示すことになり、飽和信号電流が同一
でも飽和面照度を大きくすることができ、ダイナミック
レンジを実質的に拡大できる。この際、低照度において
も高い信号対雑音比を得るために、上記電圧降下による
信号電流密度の低下が、充分な信号対雑音比を得るのに
必要な信号電流値、すなわち、所定の信号電流値以上で
生じる様に抵抗体５の抵抗値を設定する。例えば、上記
実施例でこの所定信号電流を２００ｎ　Ａとすると、１
０００　ｘ　２０００画素数の素子では、高抵抗体５の
抵抗値を５Ｘ１０”Ωとすればよい。

なお、本実施例では、高抵抗体５を縦に形成したが、そ
の空間配置は画素電極３と蓄積容量を形成するＰ型拡散
層６−１間にすればどのようにしてもよい、また、本実
施例では高抵抗体らをポリシリコンで形成したが、所望
の抵抗値を得られるならば、ポリシリコン以外の導電性
で形成してもよい、また、本実施例では、光導電膜とし
てａ−８ｅ膜の場合を述べたが信号電流密度が光導電膜
にかかる電界に依存性を持つならば、ａ−８ｉ等のよう
なものでも適用できる。

ところで、上記第１の発明の撮像素子を用いてカラー撮
像装置を構成する場合、異なるカラーフィルタを配置さ
れた画素ごとに飽和面照度が異なり、高照度時の色バラ
ンスに不都合が生じるときは上記抵抗体５の抵抗値を信
号電流の大きいフィルタを有する画素については大きく
することにより、飽和面照度を各画素間でバランスがと
れるようにすれば良い。

第４図は第１の本発明による固体撮像装置の要部である
撮像素子の他の実施例の構造を示す断面部の構成図で、
第１図に示した実施例では、蓄積容量６−１の電圧が、
基板１１に対し接合が順方向になる電圧になると、過剰
な信号電荷が基板１１を介し垂直信号線８−１に流れ込
み、ブルーミングという！！象が生じるという問題が生
じるので、本実施例では、蓄積容量６−１の電圧を所定
の電圧Ｖｃにクランプするためのトランジスタを付加す
ることにより、ブルーミング現象を防止したものである
。

第４図において、７−２はクランプトランジスタのゲー
ト電極、６−３はクランプトランジスタのドレインとな
るｐ型拡散層、８−２はドレイン配線層である。クラン
プトランジスタは、蓄積容量６−１の電圧がクランプト
ランジスタのゲート電極電圧ｖｃ１よりクランプトラン
ジスタのしきい電圧Ｖ　ｔ　ｈを引いたＶｃなる電圧に
なるとクランプトランジスタが導通し過剰信号電荷は、
拡散層６−３、配線層８−２を介し、素子外部に掃き出
される。この結果、蓄積容量６−１の電圧は上記スイッ
チトランジスタ以下の電圧にクランプされ、過剰電荷が
信号線に漏れこむことを防止することができる。従って
、ブルーミングの発生を抑圧できる。

本実施例においては、蓄積容量のクランプ電圧Ｖｃは、
ばらつきの小さいクランプトランジスタのしきい電圧Ｖ
ｔｈで決定されるので、縦型オーバフロードレインを用
いた場合に比し、飽和信号電流のばらつきを抑圧するこ
とが可能になる。さらに、微細加工が進むにつれ、クラ
ンプトランジスタの面積を容易に縮小できるため、高集
積化にも適している。また１本実施例では、高抵抗体５
の抵抗値をクランプトランジスタのオン抵抗より大きく
することにより、高照度時に光導電体の抵抗値が小さく
なった時にも透明電極にかかる高電圧を分圧し、拡散層
６−１には接合耐圧以下の小さな電圧しか発生せず、接
合の破壊を防ぐことができるという利点も有している。

第５図は第２の本発明による固体撮像装置の実施例の断
面構造を示す図である。Ｐ型拡散層６−１とポリシリコ
ン等よりなる電極１５間には５ｉｎ２゜ｓｉ、Ｎ、、Ｓ
ｔＯ，／５ｉａＮ４複合膜、ＴａａＯ，等よりなる絶縁
膜１６を絶縁体とするＭＯ８容量が形成されている。光
電変換の結果１発生した信号電荷は、拡散層６−１と基
板１１間の接合容量と拡散層６−１と電極１５間のＭＯ
８容量よりなる蓄積容量に蓄積される。

本実施例においては、例えばＭＯ８容量絶縁膜１６を２
５０人の５ｉｎ２で形成すると２　Ｘ　１０”　ｃｓ−
”の濃度を持つｎ型基板に形成されたｐｔ拡散層にビデ
オバイアス３ｖがかかった時のＰｎ接合に比し、約５倍
の単位面積当たりの容量値を得ることができる。この結
果、従来のＰｎ接合により蓄積容量を形成していた場合
に比べ、約５倍程度の飽和信号電流を実現できる。

また、第１図の実施例で述べた様に第２の本発明をカラ
ー素子に適用する際、色ごとの飽和面照度のバランスを
取るためにＭＯ８容量の値を信号電流の大きいカラーフ
ィルタを有する画素については大きくすればよい。

第６図は第１、第２の本発明を同時に実施した固体撮像
装置の実施例の要部である固体撮像素子の断面構造を示
す図である。１７はポリシリコンよりなる高抵抗層で、
５１０２ｙ　ＳｉＯ□／Ｓｉ３Ｎ４等よりなるＭ縁膜１
６を絶縁膜としｎ型基板１１との間に高い単位面積当た
りの容量値を持つＭＯ８容量を形成している。動作は、
第１図で説明したと同様なので省略する０本実施例では
、光電変換に二イー特性を持たせ、かつ、飽和信号電流
を増加させることができ、広いダイナミックレンジを持
っ撮像装置を実現できる。

第７図は、第１．第２の本発明を同時に実施し、かつ、
第４図の実施例で述べたクランプトランジスタを付加し
た実施例の断面構成図である。ＭＯ８容量は、クランプ
トランジスタゲート電極７−２と高抵抗層１７の間に形
成される。動作は第１図と同様である。本実施例では、
第６図と同様に広いダイナミックレンジを持つとともに
、ブルーミングを抑圧した素子を実現できる。

第８図は第２の本発明の他の実施例を示す撮像素子の断
面構造図である０本実施例においては、ＭＯ８容量を基
板内に形成した溝の側壁に形成することにより、面積の
増大なく大きな蓄積容量を作り、高い飽和信号電流を実
現できる。

さて、上記固体撮像素子を複数個画素に対応して配置し
て撮像装置を構成する場合、走査部の構成としては、従
来、ＴＶ学会技報ｖｏＱ、９　Ｎ＋１４５Ｅ　Ｄ９３６
　（１９８６）に論じられているＭＯ８型素子と、′８
８年ＴＶ学会全国大会予稿集３５頁から３６頁に述べら
れているＣＣＤ型素子の２つが知られており、本発明の
固体撮像装置に使用できる。ＭＯ８型素子を走査基板と
した場合、ＣＣＤ型素子を走査基板にした場合に比し、
走査基板の読み出し可能な電荷量が大きく、飽和信号電
流を大きく取れ、かつ、各画素のスイッチトランジスタ
を非飽和動作できるので残像が少ないという二つの利点
を有している。ところが、上記文献にも述べられている
様に、垂直信号線と画素電極との容量結合によりスメア
が発生する、走査途中で生じる雑音が、大きいという欠
点がある。この様なＭＯ８型走査基板の欠点を解消し、
低雑音、低スメア、低残像かつ高飽和信号電流を実現す
るために１本願出願人が先に特願昭６１−２５８６２．
特願昭６０−２９２９００　、特願昭６２−１２８１２
３で出願した垂直信号線ごとに、増幅器とダブルサンプ
リング回路を設け、スメア差動を行うＭＯ８型素子を走
査基板とじて用いた実施例を第９図、第１Ｏ図を用い説
明する。

第９図は本発明による固体撮像装置の一実施例を示す回
路構成図であり、簡単のために画素子を３×４のアレイ
で示す、第１０図は第９図の撮像装置の駆動パルスの波
形図である。図中、８１は光導電膜を積層した一画素子
すなわち撮像素子を示し、例えば、第１図、第５図、第
６図、第８図のいずれかの断面構造を持つ。８２は垂直
走査回路、８３は各画素０ゲート電極につながる垂直ゲ
ート線、８５は垂直信号線、８６は増幅器８７を高利得
領域に設定するための自己バイアススイッチ、８８は垂
直信号線に転送された信号電荷の電圧への変換係数を決
定する帰還容量、８９は第１のカップリングコンデンサ
、９０は第１のクランプスイッチ、９１はソースフォロ
ワ−１９２は第２のカップリングコンデンサ、９３は第
２のクランプスイッチ、９４．９５はメモリ容量９７．
９８への信号読み込みのための読み込みスイッチ、９６
は水平走査回路８４により開閉する水平スイッチ、９９
は水平信号線１０２をリセットするためのリセットスイ
ッチ、１００はブルーミング抑圧回路ゲート、１０１は
ブルーミング抑圧回路ドレインである。また、第１Ｏ図
においてＳ１〜Ｓ５．ＢＯＢＤは第９図の対応する端子
にかかる電圧波形図である。また、ＨＢＬは水平ブラン
キング期間を示す。

以下、本実施例の動作を説明する。

水平ブランキング期間に入ると、まず、全画素の蓄積容
量が飽和前の状態となる。すなわち、ブルーミング抑圧
回路ゲート１００が開き、ブルーミング抑圧（ＢＤ）電
圧がわずかに低くなり（画素のスイッチゲートがＰチャ
ネルトランジスタの場合）全蓄積容量電圧は基板に対し
逆バイアスの電圧となる（第１Ｏ図ｔｉ）。つぎに、Ｂ
Ｄ雷電圧もとの高い電圧となり、蓄積容量電圧が基板に
対し順方向になるまでブルーミングの発生が抑圧される
（第１０図ｔ２）、この後、まず、スメアが第２のカッ
プリングコンデンサ９２に保持される。すなわち、信号
ＳＬ、Ｓ２，８３の電圧が高くなり、スイッチ８６、９
０．９３が開く。このとき、垂直信号線８５の先に各画
素から掃きだされたブルーミング電荷は増幅器８７の電
源線に掃き出されるとともに、増幅器８７が高利得領域
に自己バイアスされる。また、ソースフォロワ−９１入
力端は適当なバイアスＶｖ、にリセットされる。更に、
第２カツプリングコンデンサ９２の出力端子は各メモリ
容量９７．９８のリセット電位と等しいＶｖ、にバイア
スされる（第１０図ｔ、）、つぎに、スイッチ８６が閉
じ、増幅器８７が活性化される。この時、ＫＴＣ雑音に
より垂直信号線８５の電位は■ゎたけゆらぐが、スイッ
チ９０が開いているためにソースフォロワ−９１以降に
はこの雑音は伝わらない（第１０図ｔ、）。この後、ス
イッチ９０が閉じ、この時刻以降の垂直信号線８５の電
圧変動が増幅器８７、第１のカップリングコンデンサ８
９、ソースフォロワ−９１を介して、第２のカップリン
グコンデンサ９２の入力端に伝達される（第１０図ｔｓ
）。この後、時間Ｔｓ、が経過した後、スイッチ９３が
閉じ、Ｔｓ、の間に垂直信号線８５に発生したスメアが
第２のカップリングコンデンサ９２の両端の電位差とし
て保持される（第１０図ｔ６）、この後、ｎ行の信号が
第１のメモリ容量９７に読み込まれる。

すなわち、前述と同様に、スイッチ８６．９０が開き、
垂直信号線８５およびソースフォロワ−９１入力端がリ
セットされる（第１Ｏ図ｔｉ）。その後、スイッチ８６
、９０が順に閉じた後、垂直走査回路８２により選択さ
れた１行垂直ゲート線８３の電位が高くなり、各画素の
蓄積容量６−１より垂直信号線８５に第１の信号電荷が
転送される（第１０図ｔａ）。スイッチ９０が閉じてか
ら時間Ｔｓ２が経過すると、第２のカップリングコンデ
ンサ９２の入力端には、Ｔｓ２の間に垂直信号線８５に
発生したスメアとｎ行の信号電荷による垂直信号線８５
の電圧変動が伝達される。

Ｔｓｉ＝Ｔｓ２とするとスメアによる電圧変動は時刻ｔ
、と同一となるため、第２のカップリングコンデンサ９
２の入力端の電圧は時刻ｔ、の時点に比し、ｎ行の信号
電荷による電圧変動分だけが変化する。

この結果、第２のカップリングコンデンサ９２の出力端
電圧はリセット電圧Ｖｖ、に、第１の信号電荷による第
２のカップリングコンデンサ９２の入力端電圧変動が第
２のカップリングコンデンサ９２とメモリ容量９７によ
り容量分割された電圧変動を付加した値となる。この電
圧をスイッチ９４を閉じることにより、メモリ容量９７
に保持し、ｎ行の信号の読み出しを完了する（第１０１
！ｌｔ、）。この後、同様にしてｎ＋１行の信号がメモ
リ容量９８に保持される。

水平走査期間に入ると、ｎ行とｎ＋１行の信号が順に読
み出される。すなわち、水平走査回路８４により、ある
列（ｍ列とする）が選択されると、ｍ列の水平スイッチ
９６が水平走査回路８４の駆動パルスφ、に同期して開
き、水平信号線１０２にはｎ行とｎ＋１行の信号が各メ
モリ容量より読み出され、増幅器１０３を介して出力端
子０ＵＴ１及び○ＵＴ２より外部に出力される。この後
、駆動パルスφ２より水平信号線１０２はリセット電圧
ＶＶ、にリセットされる。この動作が順次行われ、各列
の信号が順次読み出される。

本実施例においては、ＭＯ８型素子を走査回路として用
いた場合に問題となる容量結合によるスメアは、メモリ
容量９７．９８への信号読み出し前に蓄積容量を飽和前
の状態とし、スメア差動を行うことにより低減すること
ができる。また、ＭＯ８型素子の一つの雑音源であるＫ
ＴＣ雑音をダブルサンプリングを行うことにより低減で
きる。またもう一つの雑音源である増幅器雑音も、増幅
器を列ごとに設け、雑音帯域を下げることにより低減で
きる０以上の結果、従来のＭＯ８型走査回路の持つ高飽
和信号電流、低残像という利点を損なうことなく、低ス
メア低雑音特性を合わせ持つ積層型固体撮像装置を実現
することができる。

なお、光導電膜をアバランシュ動作を行うａ−８ｅで構
成した場合には、信号電荷の発生量が従来素子の１０倍
程度となり、走査基板の読み出し可能電荷量を大きくす
ることが広いダイナミックレンジを持つ装置の実現には
必須となる。このため、走査基板としては、上記第９図
の実施例を含むＭｏＳ型基板を用いることが必要となる
。

また、以上の実施例においては、Ｐ型基板上にｎ型拡散
層を形成した場合を述べたが、ｎ型基板上にＰ型拡散層
を形成してもよいし、ｎ型基板上にＰ型ウェルを形成し
、このウェル内にｎ型拡散層を形成してもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、光電変換特性にニイー特性を持たせる
ことができるので、従来素子に比べ約５程度度の高い飽
和面照度を実現し、広いダイナミックレンジを得ること
ができる。

また、飽和信号電流を従来素子に比べ５倍以上に向上す
ることにより広いダイナミックレンジを実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第４図、第５図、第６図、第７図及び第８図は
いずれも本発明による固体撮像素子の実施例の断面構造
図、第２図は第１図、実施例の光導電膜の膜にかかる電
界と信号電流密度の関係を示す図、第３図は第１図の実
施例の光電変換特性を示す図、第９図は本発明による撮
像装置の一実施例の回路構成図、第１０図は第９図実施
例の動作説明のための駆動パルスタイミングを示す図で
ある。 ２・・・ａ　−Ｓｅ ５・・・高抵抗 ７−２・・・クランプトランジスタゲート電極６−３・
・・クランプトランジスタドレイン拡散層１５・・・Ｍ
Ｏ８容量上部電極 １６・・・ＭＯ８容量絶縁膜 １７・・・高抵抗ＭＯ８容量電極 ８７・・・増幅器 ８９、９２・・・カップリングコンデンサ９０、９３・
・・クランプスイッチ ９７、９８・・・メモリ容量 代理人弁理士　　中　村　純之助 −−−−・・透光＋１電緬 第１図 ０．０１ ０．１　　　　１　　　　　１０ 面照、４（ｌｘｌ 第３図 電１−　Ｖ／Ｌ　（ｘｌｏ６Ｖ／ａｎ）第２図 ７−２−−−−・クラ；γトラ）シ゛スタケ一ト電極８
Ｌ Ｓ５ 第」０図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光導電膜の一面に透光性電極を他面に画素に対応し
   た複数の画素電極を設け、上記透光性電極と画素電極間
   にターゲット電圧を印加する光電変換部と、上記光電変
   換部で発生した電荷を蓄積する荷蓄積部と、上記電荷蓄
   積部から所定の時間に電荷を取り出す信号読み出し部を
   もつ撮像装置において、上記ターゲット電圧が上記光導
   電膜の光感度が増幅作用を持つ領域に設定され、上記画
   素電極と上記電荷蓄積部との間に抵抗体を設けて構成さ
   れたことを特徴とする固体撮像装置。 ２、請求項１記載において、上記電荷蓄積部の一部を上
   記抵抗体の上記電荷蓄積部側を一方の電極とし、絶縁膜
   を構成要素とする容量素子で構成したことを特徴とする
   固体撮像装置。 ３、光導電極の一面に透光性電極を他面に画素に対応し
   た複数の画素電極を設け上記透光性電極と画素電極との
   間にターゲット電圧を印加する光電変換部と、半導体基
   体に上記複数の画素電極のそれぞれに電気的に接続され
   上記光電変換部で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積部と
   、上記電荷蓄積部から所定の時間に電荷を取り出す半導
   体スイッチを持つ信号読み出し部とを有する撮像装置に
   おいて、上記電荷蓄積部の一部が上記半導体スイッチを
   一方の電極とし、絶縁体を構成要素とする容量素子で構
   成されたことを特徴とする固体撮像装置。 ４、請求項第１、第２又は第３記載において、上記光導
   電膜が非晶質セレン膜で構成されたことを特徴とする固
   体撮像装置。 ５、請求項第１、第２、第３又は第４記載において、上
   記電荷蓄積部に電荷蓄積部の電圧を一定の電圧にクラン
   プするためのトランジスタを付加して構成されたことを
   特徴とする固体撮像装置。