JPH02196476A - Ｌｅｄプリントヘッド - Google Patents
ＬｅｄプリントヘッドInfo
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- JPH02196476A JPH02196476A JP1015815A JP1581589A JPH02196476A JP H02196476 A JPH02196476 A JP H02196476A JP 1015815 A JP1015815 A JP 1015815A JP 1581589 A JP1581589 A JP 1581589A JP H02196476 A JPH02196476 A JP H02196476A
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- led
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Classifications
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は静電記録に用いるＬＥＤプリントヘッドに関す
るものである。
るものである。
（従来の技術）
ＬＥＤプリントヘッドでは、直線状に配列された複数の
発光素子を備えたＬＥＤチップを、各ＬＥＤチップの発
光素子が一直線状に並ぶように基板上に配置されている
。
発光素子を備えたＬＥＤチップを、各ＬＥＤチップの発
光素子が一直線状に並ぶように基板上に配置されている
。
ＬＥＤチップは発光面に個別電極が設けられ、反対側に
ある裏面に共通電極が設けられた構造をしている。
ある裏面に共通電極が設けられた構造をしている。
第７図に示されるように、ＬＥＤチップ２はセラミック
やアルミニウムなどの不透明な基板４上に９発光面を基
板４と反対側に向けて、ＬＥＤチップ２の裏面にある共
通電極が導電性接着剤６によって基板４の共通電極８と
接続され、発光面の個別電極と基板４の個別引出し電極
１０の間はワイヤ１２によって接続が施される。
やアルミニウムなどの不透明な基板４上に９発光面を基
板４と反対側に向けて、ＬＥＤチップ２の裏面にある共
通電極が導電性接着剤６によって基板４の共通電極８と
接続され、発光面の個別電極と基板４の個別引出し電極
１０の間はワイヤ１２によって接続が施される。
（発明が解決しようとする課題）
ＬＥＤチップ２をワイヤボンディング法により基板４に
実装する場合、Ｌ Ｅ Ｄチップ２を基板４１に取りつ
ける際の位置決め精度が低く、したがってＬＥＤプリン
トヘッドとして書き込みむらが発生する。
実装する場合、Ｌ Ｅ Ｄチップ２を基板４１に取りつ
ける際の位置決め精度が低く、したがってＬＥＤプリン
トヘッドとして書き込みむらが発生する。
ＩＣチップを位置決め精度よく実装する方法として、フ
リップチップ法によるフェイスダウンボンディングのセ
ルフアライメント機能を利用する方法がある。ＬＥＤプ
リントヘッドにフリップチップ法を用いてＬＥＤチップ
２を取りつけようとすると、フェイスダウン実装におい
ては、通常は全ての電極をチップ表面、ＬＥＤチップ２
では発光面、に集めることが必要である。もし１個別電
極のみならず共通電極も発光面に形成するとすれば、第
８図及び第９図に示されるように、ＬＥＤチップ１４の
個別電極パッド１６、共通電極パッド１８が発売部２０
のある発光面に形成されることになり、発光面での接続
パッド数が増えてチップサイズが大きくなる欠点がある
。なお、第８図はＬＥＤチップ１４の主要部の断面構造
を示しており、２４はＧａＡｓ、２６はＧａＡｓ、、、
Ｐｏ、、。
リップチップ法によるフェイスダウンボンディングのセ
ルフアライメント機能を利用する方法がある。ＬＥＤプ
リントヘッドにフリップチップ法を用いてＬＥＤチップ
２を取りつけようとすると、フェイスダウン実装におい
ては、通常は全ての電極をチップ表面、ＬＥＤチップ２
では発光面、に集めることが必要である。もし１個別電
極のみならず共通電極も発光面に形成するとすれば、第
８図及び第９図に示されるように、ＬＥＤチップ１４の
個別電極パッド１６、共通電極パッド１８が発売部２０
のある発光面に形成されることになり、発光面での接続
パッド数が増えてチップサイズが大きくなる欠点がある
。なお、第８図はＬＥＤチップ１４の主要部の断面構造
を示しており、２４はＧａＡｓ、２６はＧａＡｓ、、、
Ｐｏ、、。
２８はＺｎ拡散領域、３０．３２は絶縁層である。
本発明は、発光面には個別電極パッドをもち、共通電極
を反対側の裏面にもつＬＥＤチップを、位置決め精度の
高いフリップチップ法によるフェイスダウンボンディン
グにより実装することによって、上記の課題を解決する
ことを目的とするものである。
を反対側の裏面にもつＬＥＤチップを、位置決め精度の
高いフリップチップ法によるフェイスダウンボンディン
グにより実装することによって、上記の課題を解決する
ことを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、基板として表面に配線が形成された透明基
板を用いる。ＬＥＤチップの発光面が基板表面と対向す
るように、ＬＥＤチップを半田バンプを用いたフリップ
チップ法によりフェイスダウン法で実装し、ＬＥＤチッ
プ裏面の共通電極には導電性接着剤により電気的に単一
の引出し電極部材を接続し、ＬＥＤチップ発光面からの
光出力を透明基板を通して取り出す。
板を用いる。ＬＥＤチップの発光面が基板表面と対向す
るように、ＬＥＤチップを半田バンプを用いたフリップ
チップ法によりフェイスダウン法で実装し、ＬＥＤチッ
プ裏面の共通電極には導電性接着剤により電気的に単一
の引出し電極部材を接続し、ＬＥＤチップ発光面からの
光出力を透明基板を通して取り出す。
（作用）
ＬＥＤチップ発光面にある個別電極はフリップチップ法
によって透明基板表面の配線と接続され。
によって透明基板表面の配線と接続され。
ＬＥＤチップ裏面の共通電極は引出し電極部材によって
透明基板表面の配線と接続される。ＬＥＤチップ発光面
が透明基板表面と対向するので、発光素子からの光は透
明基板を通して取り出される。
透明基板表面の配線と接続される。ＬＥＤチップ発光面
が透明基板表面と対向するので、発光素子からの光は透
明基板を通して取り出される。
（実施例）
第１図は一実施例を発光素子配列方向と直交する方向に
切断した断面図、第２図は発光素子配列方向に沿って切
断した断面図、第３図は一実施例で用いられるＬＥＤチ
ップの主要部の断面図、第４図は同ＬＥＤチップの発光
面を表わす平面図である。
切断した断面図、第２図は発光素子配列方向に沿って切
断した断面図、第３図は一実施例で用いられるＬＥＤチ
ップの主要部の断面図、第４図は同ＬＥＤチップの発光
面を表わす平面図である。
４０は透明基板であり、例えば硼珪酸ガラスを用いる。
基板４０の表面には必要な配線電極パターン４１が厚膜
金属層又は薄膜金属層を写真製版とエツチングによって
パターン化することにより形成されている。配線電極材
料としては、厚膜の場合は金電極がエツチング精度の点
から望ましく、簿膜の場合はＡＱ又はＮ ｉ Ｃｒ ／
Ａ ｕやＣｒ／ＣＵなどの積層構造のものが基板ガラ
スとの密着性の面から望ましい、配線電極パターン４１
は、外部との電気接続を行なう部分、実装されるＬＥＤ
チップ４２やそれを駆動する駆動用ＩＣチップ４３のボ
ンディング接続を行なう電極パッド部分、ＬＥＤチップ
４２の裏面の共通電極と接続される引出し電極部材６０
と基板４０との接続部分、及び出力された光が収束性ロ
ンドレンズ（セルフォックレンズ）４５へ入射する経路
にあたる部分を除いて、絶縁膜４９によって被覆されて
いる。絶縁膜４９による被覆は、フェイスダウンボンデ
ィングに用いる半田バンプがリフロー接続時に基板パッ
ド部以外の電極部へ流出したり、短絡するのを防ぐため
と、電極材の腐食を防ぐためである。
金属層又は薄膜金属層を写真製版とエツチングによって
パターン化することにより形成されている。配線電極材
料としては、厚膜の場合は金電極がエツチング精度の点
から望ましく、簿膜の場合はＡＱ又はＮ ｉ Ｃｒ ／
Ａ ｕやＣｒ／ＣＵなどの積層構造のものが基板ガラ
スとの密着性の面から望ましい、配線電極パターン４１
は、外部との電気接続を行なう部分、実装されるＬＥＤ
チップ４２やそれを駆動する駆動用ＩＣチップ４３のボ
ンディング接続を行なう電極パッド部分、ＬＥＤチップ
４２の裏面の共通電極と接続される引出し電極部材６０
と基板４０との接続部分、及び出力された光が収束性ロ
ンドレンズ（セルフォックレンズ）４５へ入射する経路
にあたる部分を除いて、絶縁膜４９によって被覆されて
いる。絶縁膜４９による被覆は、フェイスダウンボンデ
ィングに用いる半田バンプがリフロー接続時に基板パッ
ド部以外の電極部へ流出したり、短絡するのを防ぐため
と、電極材の腐食を防ぐためである。
また、絶縁膜４９の開口部の電極４１には半田バンプに
よる電極の溶食を防止するために、Ｎｉ。
よる電極の溶食を防止するために、Ｎｉ。
Ｃｕなどをメツキ法により形成し、ついでボンディング
時の半田濡れ性向上のためにＡｕ、Ｐｔなどがメツキ法
により形成されている。
時の半田濡れ性向上のためにＡｕ、Ｐｔなどがメツキ法
により形成されている。
４２はＬＥＤチップであり、ＬＥＤチップ４２の発光面
には発光部４４と個別電極パッド４６が形成されており
、個別電極パッド４６には半田バンプ４７が形成される
。ＬＥＤチップ４２は発光面が基板４０側を向くように
配置され、フリップチップ法でフェイスダウンボンディ
ングされている。発光部４４は第１図においては紙面垂
直方向の一直線上に配列され、第２図においては面内方
向の一直線上に配列されるように、ＬＥＤチップ４２が
基板４０上で位置決めされている。４４はＬＥＤチップ
４２を坊区動するためのＩＣチップであり、ＩＣチップ
４４もフリップチップ法によりフェイスダウンボンディ
ングされている。
には発光部４４と個別電極パッド４６が形成されており
、個別電極パッド４６には半田バンプ４７が形成される
。ＬＥＤチップ４２は発光面が基板４０側を向くように
配置され、フリップチップ法でフェイスダウンボンディ
ングされている。発光部４４は第１図においては紙面垂
直方向の一直線上に配列され、第２図においては面内方
向の一直線上に配列されるように、ＬＥＤチップ４２が
基板４０上で位置決めされている。４４はＬＥＤチップ
４２を坊区動するためのＩＣチップであり、ＩＣチップ
４４もフリップチップ法によりフェイスダウンボンディ
ングされている。
ＬＥＤチップ４２においては、その裏面、すなわち発光
面と反対側の面には共通電極５２が形成されている。Ｌ
ＥＤチップ４２の断面構造は、例えば第３図に示される
ものである。４８はＧａＡ３層、５０はＧ ａ Ａ ５
０．＆ ＰＧ−４Ｎ、５１はＺｎ拡散領域であり１個別
電極４６がＺｎ拡散領域５２と接続されている。、裏面
には共通電極５２が形成されている。５４．５６は絶縁
層である。個別電極４６としては例えばアルミニウム層
が用いられ。
面と反対側の面には共通電極５２が形成されている。Ｌ
ＥＤチップ４２の断面構造は、例えば第３図に示される
ものである。４８はＧａＡ３層、５０はＧ ａ Ａ ５
０．＆ ＰＧ−４Ｎ、５１はＺｎ拡散領域であり１個別
電極４６がＺｎ拡散領域５２と接続されている。、裏面
には共通電極５２が形成されている。５４．５６は絶縁
層である。個別電極４６としては例えばアルミニウム層
が用いられ。
共通電極５２としては例えばＡｕ−Ｇｅ−ＮｉＩｇが用
いられる。
いられる。
基板４ｏ上に実装されたＬＥＤチップ４２の裏面には、
導電性接着剤５８によって引出し電極部材６０が全ての
ＬＥＤチップ４２の共通電極と接続され、引出し電極部
材６０はまた。基板４０上の共通電極部分にも導電性接
着剤５８によって接着されている。導電性接着剤５８と
しては例えばＡｕ系もしくはＡｇ系のエポキシ樹脂を用
いることができる。導電性接着剤５８と引出し電極部材
６０によって、ＬＥＤチップ４２は基板４０の配線電極
４１と電気的及び熱的に良好な接続がなされる。引出し
電極部材６０は引出し共通電極であるとともに、放熱用
のヒートシンクともなっている。
導電性接着剤５８によって引出し電極部材６０が全ての
ＬＥＤチップ４２の共通電極と接続され、引出し電極部
材６０はまた。基板４０上の共通電極部分にも導電性接
着剤５８によって接着されている。導電性接着剤５８と
しては例えばＡｕ系もしくはＡｇ系のエポキシ樹脂を用
いることができる。導電性接着剤５８と引出し電極部材
６０によって、ＬＥＤチップ４２は基板４０の配線電極
４１と電気的及び熱的に良好な接続がなされる。引出し
電極部材６０は引出し共通電極であるとともに、放熱用
のヒートシンクともなっている。
ＬＥＤチップ４２の発光部４４から出力される光６２は
、収束性ロッドレンズ４５によって感光ドラム６４の表
面に集光される。
、収束性ロッドレンズ４５によって感光ドラム６４の表
面に集光される。
ＬＥＤチップ４２は、それ自身が動作中に発熱する。Ｌ
ＥＤチップの発光効率は、第５図に示されるように、昇
温によって低下する。そのため。
ＥＤチップの発光効率は、第５図に示されるように、昇
温によって低下する。そのため。
ＬＥＤチップ４２の昇温防止を目的として、従来のワイ
ヤボンディング法による実装法では、基板としてセラミ
ックやアルミニウムなどの熱伝導率の大きい、すなわち
放熱性のよい材料が用いられてきた。しかしながら、本
実施例では基板４０として光学的に透明なガラス基板を
用いている。ガラスは比較的熱伝導性が悪く、基板以外
の放熱手段が必要である。上記の実施例では引出し電極
部材６０がその放熱手段となっている。
ヤボンディング法による実装法では、基板としてセラミ
ックやアルミニウムなどの熱伝導率の大きい、すなわち
放熱性のよい材料が用いられてきた。しかしながら、本
実施例では基板４０として光学的に透明なガラス基板を
用いている。ガラスは比較的熱伝導性が悪く、基板以外
の放熱手段が必要である。上記の実施例では引出し電極
部材６０がその放熱手段となっている。
実施例においては、ＬＥＤチップ４２の裏面に板状の引
出し電極部材６０を接着しているので、引出し電極部材
６０と基板４０との熱膨張係数の差が大きければプリン
トヘッド自体に反りが発生したり、ＬＥＤチップ４２の
接続部又はＬＥＤチップ４２自体が応力によって破壊す
ることがある。
出し電極部材６０を接着しているので、引出し電極部材
６０と基板４０との熱膨張係数の差が大きければプリン
トヘッド自体に反りが発生したり、ＬＥＤチップ４２の
接続部又はＬＥＤチップ４２自体が応力によって破壊す
ることがある。
そこで、好ましくは、ＬＥＤチップ４０と引出し電極部
材６０の熱膨張係数を等しくすることである。そこで、
好ましい例としては、引出し電極部材６０の材質として
ブラッド材を用いる。例えば、基板４０として一般的な
透明がラスであるコーニング７０５９を用いるとすれば
、引出し電極部材６ｏとしてＣｕ／インバース／ Ｃｕ
の積層ブラッド材で、厚さの比が２：１５：２であるも
のを用いると、引出し電極部材６０と基板４０の熱膨張
係数がともに４．６ Ｘ １０−’／ｄｅｇとなり、好
都合である。このように、基板４０と引出し電極部材６
０の熱膨張率の差がなくなれば、バイメタル効果による
反りやＬＥＤチップ４２の破壊を防ぐことができる。
材６０の熱膨張係数を等しくすることである。そこで、
好ましい例としては、引出し電極部材６０の材質として
ブラッド材を用いる。例えば、基板４０として一般的な
透明がラスであるコーニング７０５９を用いるとすれば
、引出し電極部材６ｏとしてＣｕ／インバース／ Ｃｕ
の積層ブラッド材で、厚さの比が２：１５：２であるも
のを用いると、引出し電極部材６０と基板４０の熱膨張
係数がともに４．６ Ｘ １０−’／ｄｅｇとなり、好
都合である。このように、基板４０と引出し電極部材６
０の熱膨張率の差がなくなれば、バイメタル効果による
反りやＬＥＤチップ４２の破壊を防ぐことができる。
第６図はＬＥＤチップ４２の放熱特性をさらに改良した
実施例を表わしている。
実施例を表わしている。
ＬＥＤチップ４２の裏面に導電性接着剤５８によって引
出しｆ！！極部材６０が接着されており、さらに外枠６
６にヒートシンク材６８を設け、引出し電極部材６０と
ヒートシンク材６８を密着させることにより、ＬＥＤチ
ップ４２の放熱を一層効率良く行なうことができる。
出しｆ！！極部材６０が接着されており、さらに外枠６
６にヒートシンク材６８を設け、引出し電極部材６０と
ヒートシンク材６８を密着させることにより、ＬＥＤチ
ップ４２の放熱を一層効率良く行なうことができる。
（発明の効果）
本発明では、ＬＥＤチップを、半田バンプを用いたフリ
ップチップ法によりフェイスダウンホンディングするこ
とにより、位置決め制度がよくなって書き込みむらがな
くなる。
ップチップ法によりフェイスダウンホンディングするこ
とにより、位置決め制度がよくなって書き込みむらがな
くなる。
また、ＬＥＤチップの発光面と反対側の面に共通電極を
設けて引出し電極部材と接続することによって、発光面
に共通電極を設けなくてもすみ、その結果、チップサイ
ズが増大するのを防ぎ、コスト高になることを防ぐこと
ができる。
設けて引出し電極部材と接続することによって、発光面
に共通電極を設けなくてもすみ、その結果、チップサイ
ズが増大するのを防ぎ、コスト高になることを防ぐこと
ができる。
第１図は一実施例を発光素子配列方向と直交する方向に
切断した断面図、第２図は同実施例を発光素子配列方向
に沿って切断した断面図、第３図は一実施例で用いられ
るＬＥＤチップの主要部を示す断面図、第４図は同ＬＥ
Ｄチップの発光面を示す平面図、第５図はＬＥＤチップ
の発光出力と温度の関係を示す図、第６図は他の実施例
を発光素子配列方向と直交する方向で切断した断面図、
第７図は従来のワイヤボンディング法により実装された
ＬＥＤチップを示す断面図、第８図はフリップチップ実
装を想定した場合に考えられるＬＥＤチップの主要部を
示す断面図、第９図は同ＬＥＤチップの発光面を示す平
面図である。 ４０・・・・・・透明ガラス基板、４１・・・・・・配
線電極、４２・・・・・・ＬＥＤチップ、４３・・・・
・・駆動用ＩＣチップ、４４・・・・・・発光部、４６
・・・・・・個別電極パッド、５２・・・・・・共通電
極、５８・・・・・・導電性接着剤、６０・・・・・・
引出し電極部材、６６・・・・・・外枠、６８・・・・
・・ヒートシンク。 特許出瀕人 株式会社リコー
切断した断面図、第２図は同実施例を発光素子配列方向
に沿って切断した断面図、第３図は一実施例で用いられ
るＬＥＤチップの主要部を示す断面図、第４図は同ＬＥ
Ｄチップの発光面を示す平面図、第５図はＬＥＤチップ
の発光出力と温度の関係を示す図、第６図は他の実施例
を発光素子配列方向と直交する方向で切断した断面図、
第７図は従来のワイヤボンディング法により実装された
ＬＥＤチップを示す断面図、第８図はフリップチップ実
装を想定した場合に考えられるＬＥＤチップの主要部を
示す断面図、第９図は同ＬＥＤチップの発光面を示す平
面図である。 ４０・・・・・・透明ガラス基板、４１・・・・・・配
線電極、４２・・・・・・ＬＥＤチップ、４３・・・・
・・駆動用ＩＣチップ、４４・・・・・・発光部、４６
・・・・・・個別電極パッド、５２・・・・・・共通電
極、５８・・・・・・導電性接着剤、６０・・・・・・
引出し電極部材、６６・・・・・・外枠、６８・・・・
・・ヒートシンク。 特許出瀕人 株式会社リコー
Claims (1)
- （１）直線状に配列された複数の発光素子を備えたＬＥ
Ｄチップを、各ＬＥＤチップの発光素子が一直線状に並
ぶように基板上に配置したＬＥＤプリントヘッドにおい
て、ＬＥＤチップは発光面に個別電極が設けられ、反対
側にある裏面に共通電極が設けられた構造をしており、
基板は透明基板であり、基板表面には配線が形成されて
おり、ＬＥＤチップの発光面が基板表面と対向して半田
バンプを用いたフリップチップ法によりフェイスダウン
法で実装されており、ＬＥＤチップ裏面の共通電極には
導電性接着剤により電気的に単一の引出し電極部材が接
続されており、ＬＥＤチップ発光面からの光出力が前記
基板を通過して取り出されることを特徴とするＬＥＤプ
リントヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1581589A JP2790832B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | Ｌｅｄプリントヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1581589A JP2790832B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | Ｌｅｄプリントヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196476A true JPH02196476A (ja) | 1990-08-03 |
| JP2790832B2 JP2790832B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=11899345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1581589A Expired - Fee Related JP2790832B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | Ｌｅｄプリントヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2790832B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132961U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | 京セラ株式会社 | 光プリンタヘツド |
| JPH04356978A (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | Kyocera Corp | 画像装置 |
| US5283446A (en) * | 1991-08-30 | 1994-02-01 | Nec Corporation | Compact optical semiconductor module capable of being readily assembled with a high precision |
| JP2003110245A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Ibiden Co Ltd | 光学素子実装用基板の製造方法、光学素子実装用基板及び光学素子 |
| WO2004001861A1 (ja) * | 2002-06-24 | 2003-12-31 | Nec Corporation | 光電気複合モジュールおよびそのモジュールを構成要素とする光入出力装置 |
| US7519243B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-04-14 | Fujitsu Limited | Substrate, substrate adapted for interconnecting optical elements and optical module |
| US7677943B2 (en) * | 2004-03-29 | 2010-03-16 | Articulated Technologies, Llc | Manufacturing of a photo-radiation source by binding multiple light emitting chips without use of solder or wiring bonding |
| US7880190B2 (en) * | 2003-09-17 | 2011-02-01 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor device, LED print head, and image forming apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318172A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Fujitsu Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1581589A patent/JP2790832B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318172A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Fujitsu Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ |
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| US7693360B2 (en) | 2002-06-24 | 2010-04-06 | Nec Corporation | Optoelectronic hybrid integrated module and light input/output apparatus having the same as component |
| US7880190B2 (en) * | 2003-09-17 | 2011-02-01 | Oki Data Corporation | Combined semiconductor device, LED print head, and image forming apparatus |
| US7677943B2 (en) * | 2004-03-29 | 2010-03-16 | Articulated Technologies, Llc | Manufacturing of a photo-radiation source by binding multiple light emitting chips without use of solder or wiring bonding |
| US7519243B2 (en) | 2004-08-04 | 2009-04-14 | Fujitsu Limited | Substrate, substrate adapted for interconnecting optical elements and optical module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2790832B2 (ja) | 1998-08-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |