JPH0219456A - 乾式有機薄膜製造方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、有機薄膜を真空蒸着法により製造する乾式有
機薄膜製造方法及びそれに用いろ装置に関する。

〈従来の技術〉 有機薄膜を乾式で製造する手法としては真空蒸着法、プ
ラズマ重合法が一般的である。

プラズマ重合法では基板上に重合した有機薄膜が堆積す
るが、その膜の化学組成は蒸発させた有機化合物がプラ
ズマの作用で分解するため元の有機化合物の化学組成と
は異なる。

このため、有機化合物を分解させずに基板上でｒ４ｙ１
．を形成するには真空蒸着法が用いられている。

真空蒸着法で有機薄膜を形成する場合の目的は専ら配向
性の高い有機薄膜を形成するととが対象になってお・す
、精力的な検討が行われている。需着装置においても、
近年、無機物質の分子線エピタキシャル装置を転用して
、高い真空度下で有機薄膜を製造することが行われてい
る。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、上述したような精力的な研究にもかかわらず、
従来の真空蒸着法による薄膜形成は無機物用の真空蒸着
装置（分子線エピタキシャル装置も含む）をそのまま転
用して行われており、配向性の良い有機薄膜を製造する
には以下のような問題点に対する対策が全（なされてい
ない。

■　有機化合物、とりわけ電子的、光学的機能を持つ有
機化合物では分子内に芳香族基や不飽和基を有するもの
が多いが、これらの化合物は会合状態に成り易く、従っ
て、これらをそのまま蒸着したのでは会合、非会合状態
の有機分子が混合して蒸発し、そのまま基板に到達する
。ある温度で蒸発した分子や原子の速度エネルギー分布
は一般にボルツマン分布に従うと考えられている。

このため、分子に会合、非会合状態がある・と分子量が
異なるために各々エネルギー分布の異なる分子の粒子が
基板に到達し、基板に到達したときのエネルギーが異な
るため、分子の基板上での整列配向が擾乱される。

■　基板上に原子を配列させる無機化合物の真空蒸着で
は分子線エピタキシャル法に見られるように、一般に基
板温度を高くして基板上に到達した原子、分子のマイグ
レーシリンエネルギーを適度に与えることで良好な結果
が得られている。しかし、有機化合物では蒸気圧が高く
、分解温度も低いため、基板温度をむやみに上げること
は基板上に到達した分子が再蒸発して基板に付着しない
、あるいは基板上で分解する結果となる。一方、基板温
度を下げた状態ではマイグレーシヨンするだけのエネル
ギーがないため、分子の基板上での整列配向は不完全、
あるいは全く整列配向しないと言う状態になる。

■　無機化合物の蒸着では、基板に到達した分子や原子
は適当なマイグレーシロンエネルギーで基板上を移動し
、結合部位に到達したところで化学結合を形成して原子
や分子が整列配向する。ところが、有機分子の蒸着では
基板上に堆積する有機分子相互の結合は化学結合のよう
な強固な結合ではなく、それよりもはるかに結合力の弱
いファン・デル・ワールスカで行われる。このなめ、基
板に堆積した有機分子の方向を外部力で揃え、保持しな
ければ、引き続き基板に到達する分子の速度エネルギー
で整列配向が擾乱されろ。

■　化学構造の異なる有機化合物を相互に堆積しようと
する場合には、両物質の薄膜の界面での整列配向状態が
電子的、光学的機能に大きな影響を及ぼすことは言うま
でもないが、有機化合物の蒸着では個々の分子種により
蒸発温度が大きく異なる。このため、基板面に到達する
有機分子粒子の持つ速度エネルギーは分子種により異な
り、そのまま蒸着したのでは同一の条件で基板面に堆積
することができず、異種化合物の堆積に置ける整列配向
状態の制御には大きな困難がある。

以上述べたように、従来においては上記のような配慮が
なされていないため、電子的、光学的機能を発現し得る
有機薄膜を製造しうる方法及び製造装置は皆無であった
。

本発明はこのような事情に鑑み、整列配向した有機化合
物の薄膜を製造する乾式有機薄膜製造方法及び装置を提
供することを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成する第１の発明にかかる乾式有機薄膜製
造方法は、少なくとも一種の蒸着母材である有機化合物
を真空下にて加熱して蒸発し、蒸発した有機化合物分子
粒子を少なくとも一つの基板上に堆積又は積層堆積する
真空蒸着法による乾式有機薄膜製造方法において、蒸発
した有機化合物分子粒子の飛行経路に設けたシャッタ機
構により任意の速度を有する有機化合物分子粒子を選択
して基板上に堆積又は積層堆積することを特徴とする。

蒸着母材である有機化合物は加熱されるとボルツマン分
布に従う速度分布を持って蒸発するが、蒸発した有機化
合物分子粒子のうち任意の速度を有するものだけシャッ
タ機構を通過し、基板上に堆積する。

また、第２の発明にかかる乾式有機薄膜製造方法は、少
なくとも一種の蒸着母材である有機化合物を真空下にて
加熱して蒸発し、蒸発した有機化合物分子粒子を少なく
とも一つの基板上に堆積又は積層堆積する真空蒸着法に
よる乾式有機薄膜製造方法において、上記基板を超音波
振動させることにより当該基板に到達した有機化合物分
子のマイグレーシロンを行うことを特徴とする。

かかる方法においては、基板温度を高くできず、当該基
板に到達した有機化合物分子が基板上を移動して整列配
向するために必要なマイグレーシアンエネルギーを十分
与えられない場合にも、超音波振動により有機化合物分
子のマイグレーシンンを行うことができろ。

すなわち、有機化合物の整列配向が化学結合ではなく、
それよりも結合力の弱いファン・デル・ワールスカで行
われるため、外部から被蒸着基板へ印加されろ超音波エ
ネルギーにより十分なマイグレーシロン効果が得られる
。

第３の発明は、上記第１又は第２の発明にかかる乾式有
機薄膜製造方法に加えて、上記基板表面に電界を形成す
るとともに当該基板表面に任意の波長、スペクトルを有
する光を照射するにとにより、当該基板に到達した有機
化合物分子を励起することを特徴とする。

かかる方法においては、蒸着の際に、電界を形成した基
板面に到達した有機化合物分子に光を照射すると、当該
有機化合物分子は励起され、その前の基底状態よりも大
きな双極子モーメントを持つようになる。このように励
起された有機化合物分子は当該基板表面の電場で一定方
向への整列配向が促進されろ。

また、基板表面でのマイグレーシアンにおいて有機化合
物分子が移動する際に、一定方向への配列制御が促進さ
れる。なお、かかる作用は、特に光励起状態で大きな双
極子モーメントを持つ電子供与性置換基と電子受容性置
換基を持つ分子に有効である。

以下の発明は上記第１〜第３の発明にかかる方法を実施
するための乾式有機薄膜製造装置にかかり、第４の発明
は、真空下にて少なくとも一種の蒸着母材である有機化
合物を加熱する少な（とも一つの加熱機構と、該加熱機
構の加熱により蒸発された有機化合物分子粒子を堆積又
は積層堆積する少なくとも一つの基板を支持する基板支
持機構とを有する真空蒸着法による乾式有機薄膜製造装
置において、同軸上に連結された複数の回転シャッタ又
は軸に対して斜めに傾いた通路を周囲に等間隔に有する
円筒状回転体からなり上記加熱機構の加熱により蒸発さ
れた有機化合物分子粒子のうち所望の飛行速度を有する
有機化合物分子粒子成分のみを通過せしめろ少なくとも
一つのシャッタ機構を具えたことを特徴とする。

また、第５の発明にかかる乾式有機薄膜製造装置は、真
空下にて少なくとも一種の蒸着母材である有機化合物を
加熱する少なくとも一つの加熱機構と、該加熱機構の加
熱により蒸発された有機化合物分子粒子を堆積又は積層
堆積する少なくとも一つの基板を支持する基板支持機構
とを有する真空蒸着法による乾式有機ｒ４膜製造装置に
おいて、上記基板支持機構に支持されている基板を超音
波振動する超音波印加機構を具えたことを特徴とする。

また、第６の発明にかかる乾式有機薄膜製造装置は、上
記第４の発明にかかる乾式有機＃膜製造装置におい゛て
、上記基板支持機構に支持されている基板を超音波振動
する超音波印加機構を具えたことを特徴とする。

さらに、第７の発明にかかる乾式有機薄膜製造装置は、
上記第４．第５又は第６の発明にかかる乾式有機薄膜製
造装置において、上記基板支持機構が当該基板表面に電
界を形成する少なくとも一対の電場を有するものであり
、且つ電界が形成された基板表面に任意の波長、スペク
トルを有する光を照射する光照射機構を具えたことを特
徴とする。

く実　施　例〉 以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。

第１図には第１の実施例にかかる乾式有機薄膜製造装置
の概略を示す。同図に示すように、真空チャンバ１０Ｇ
は排気口１０１で図示しない真空排気装置に接続されて
真空条件下に保持されるようになっている。かかる真空
チャンバＩＯＱ内には蒸着母材１１０を加熱・蒸発させ
る加熱機構１２０と、蒸発した蒸着母材である有機化合
物分子を堆積させるための基板１３０を支持する基板支
持機構１４０とが設けられており、蒸発した有機化合物
分子粒子の飛行経路には、任意の速度分布の粒子のみを
選択的に通過させうるシャッター機構１５０が設けられ
ている。図中、加熱機構１２０としては蒸着母材１１０
を入れる坩堝１２１と該坩堝１２１の開口を覆って当該
坩堝１２１から蒸発する有機化合物分子粒子線の形状を
整形するための所望の開口部１２２を有する整形板１２
３とを図示し、坩堝１２１を加熱するヒータや坩堝１２
１の温度をモニタする熱電対等は省略した。この加熱機
構１２０は、真空チャンバ１００外にある、電力調整話
、調節計等からなる図示しない温度制御装置に接続され
ており、坩堝１２１の温度を所望の温度に調節できるよ
うになっている。

本実施例でシャッタ機構１５０は、モータ１５１と、こ
のモータ１５１の回転軸１５２に結合された２枚の回転
シャッタ１５３．１５４とからなる。回転シャッタ１５
３，１５４のそれぞれには、図示しないスリットが形成
されており、このスリット同士のずれ、回転シャッタ１
５３，１５４の間隔及び回転速度などを変化させること
により、任意の速度の有機化合物分子粒子のみを通過し
うるような開閉動作が実現される。なお、モータ１５１
の駆動の制御は、真空チャンバ１００外に設置される図
示しない制御装置により行われる。

坩堝１２１内で加熱されてその加熱温度におけるボルツ
マン分布に従った速度分布を持って蒸発した有機化合物
分子粒子線は、まず、回転する第一の回転シャッタ１５
３に到達する。かかる粒子線は第一の回転シャッタ１５
３の開閉により開状態のときのみ通過して、飛行粒子が
パルス状に成形される。次いで、このパルス状になった
飛行粒子は一定の距離を置いて設置された回転する第二
の回転シャッタ１５４に到達することになるが、第一の
回転シャッタ１５３を通過した飛行粒子は速度分布を有
して速度の速いものから順次到達し、第二のシャッタ１
５４が開状態のとき到達した飛行粒子のみが通過して、
基板１３０に堆積する。すなわち、第二のシャッタ１５
４を、所望の速度分布を有する飛行粒子が到達するとき
のみ開状態となるように設定すれば、所望の速度エネル
ギーを有する有機化合物分子のみを基板１３０上に堆積
することができる。

かかる第１の実施例の装置は第１の発明を実施するため
の装置の一具体例であり、この装置を用いろことにより
、任意の速度成分を持つ有機化合物分子粒子の蒸着が可
能となり、速度エネルギーの揃った有機化合物分子粒子
を基板上に堆積することができろ。また、例えば、従来
困難であった低温で蒸発する有機化合物分子でも速い速
度をもつ粒子での蒸着や逆に高い温度で蒸発する有機化
合物分子を遅い速度成分のみ取り出して蒸着することも
できる。さらに、分子の会合、非会合状態があろ場合に
は、それぞれ分子量が異なり、その蒸発の速度成分が異
なるので、これらを区別して基板上に堆積することも可
能となる。

なお、本発明に用いる加熱機構は例えば、通常の真空蒸
着に使用される金属ボートや分子線エピタキシャルに使
用されるクメードセンセル等が使用でき、有機化合物を
真空中で加熱蒸発できるものであれば特に限定されない
。

第２図には第２の実施例にかかる乾式有機薄膜製造装置
の概略を示す。なお、第１の実施例と同一の部材には同
一符号を付して重複した説明は省略する。

第２図に示すように、真空チャンバ１００内には蒸着母
材１１０Ａ、ｌｌ０Ｂをそれぞれ加熱蒸発させる二組の
加熱機構１２０と、基板１３０Ａ、１３０Ｂを支持する
基板支持機構２４０とが設けられており、加熱機構１２
０と基板支持機構２４０との間にはシャッタ機構１５０
が配設されている。そして本実施例の基板支持機構２４
０は、基板１３０Ａ。

１３０Ｂを固着した基板支持台２４１とこの基板支持台
２４１を回転自在に支持するモータ２４２とからなる。

なお、モータ２４２の駆動の制御は、モータ１５１と同
様に真空チャンバ１００外に設置された図示しない制御
装置により行われる。

かかる第２の実施例の装置も第１の発明を実施するため
の一具体例である。本装置によると、蒸着母材１１０Ａ
、ｌｌ０Ｂから蒸発した有機化合物分子粒子のうち所望
の速度のものだけが回転シャッタ１５３，１５４を通過
する。このようにして独立して到達する２種類の飛行有
機化合物分子粒子の飛行経路に、基板１３０Ａ、１３０
Ｂが交互に移動するように基板支持台２４１を回転する
と、基板１３０Ａ、１３０Ｂそれぞれに、２種類の有機
化合物を積層することができる。この際、回転シャッタ
１５３，１５４を回転駆動するモータ１５１の回転速度
を変調するにとにより、各蒸着母材１１０Ａ、ｌｌ０Ｂ
からの蒸発分子を、それぞれ異なる速度成分で通過さぜ
ることもでざる。

かかる第２の実施例の装置により、複数の有機化合物を
積層堆積する場会に各化合物間で蒸発１度が異なり、従
って基板に到達する各化合物の速度エネルギーが不揃い
で制御困難であったと言う従来の問題を解決することが
できる。すなわち、独立した蒸発源である加熱機構１２
０からの蒸発分子を単一のシャッター機構１５０により
各有機化合物分子粒子の速度エネルギーを揃える、ある
いは各々について最適な速度エネルギーを選択して基板
１３０Ａ、１３０Ｂに堆積することが可能である。また
、各々の化合物について会合、非会合状態を分離区別し
て基板１３０Ａ。

１３０Ｂに堆積できることも第１の実施例と同様である
。

第３図には、第３の実施例にかかる乾式有機；導膜製造
装置の概略を示す。なお、上述した実施例と同一の部材
には同一符号を付して′ｍ複した説明は省略する。

第３図に示すように、本実施例は、蒸着母材１１０Ａ、
ｌｌ０Ｂからの蒸発分子の飛行経路にそれぞれ独立しｔ
コシャッタ機構１５０Ａ。

１５０Ｂを配設した点が第２の実施例と異なり、２組の
加熱機構１２０と基板支持機構２４０は第２の実施例と
同様である。また、シャッタ機構１５０Ａ、１５０Ｂの
構成も第２の実施例のシャッタ機構１５０と同様である
ので説明は省略する。

かかる第２の実施例の装置においては、蒸ａ母材１１０
Ａ、ｌｌ０Ｂそれぞれに対応する独立したシャッタ機構
１５０Ａ、　　１５０Ｂを設けているので、第２の実施
例のようにモータ１５１に特にその回転を変調する機構
を設けなくてもそれぞれのシャッタ機構１５０Ａ。

１５０Ｂのモータ１５１の回転を独立して制御するにと
により、ｇ着母材１１０Ａ、　　ｌｌ０Ｂ各々について
最適な速度エネルギを選択して基板１３０Ａ、１３０Ｂ
に堆積することが可能となる。

第４図及び第５図には第４の実施例にかかる乾式有機薄
Ｍ製造装置の概略を示す。なお、上述した実施例と同一
部材には同一符号を付し−ＣＨ復する説明は省略する。

第４図に示すように、真空チャンバ１００内には蒸着母
材１１０を加熱・蒸発する加熱機Ｈ４２２０と、蒸発分
子を堆積させるための基板１３０を支持する基板支持機
構１４０とが配設されている。加熱機構２２０としては
蒸着母材１１０を入れる坩堝２２１のみを示し、坩堝２
２１を加熱するヒータや坩堝２２１の温度をモニタする
熱電対等の表示は省略した。

また、基板１３０を支持する基板支持機構１４０には第
５図に示すように超音波印加機構が組み込まれている。

同図に示すように、基板１３０内には超音波振動子１６
１が組込まれており、かかる基板１３０は基板支持機構
１４０に組込まれた基板ホルダ１６２に支持されている
。そして、超音波振動子１６１からのリード線１６３は
基板ホルダ１６２内の端子１６４に接線され、さらに基
板ホルダ１６２と基板支持機構１４０との接点１６５を
介して超音波導入用端子１６６に接続されている。この
超音波導入用端子１６６はケーブル１６７を介して真空
チャンバ１００外の超音波素子駆動装置１６８に接続さ
れている。

このような超音波印加機構により、基板１３０に超音波
を印加することができ、これにより基板１３０に到達し
た有機化合物分子に十分なマイグレーシリンエネルキー
ヲ与、（ろことができる。

超音波の印加は、このように基板に直接行う他、基板固
定する試料台に印加して間接的に基板を振動させても良
いが、発明者らが行った結果によれば基板に直接印加す
るものでより好適な結果が得られた。超音波の印加方法
や周波数は、用いる基板の材質や大きさ、蒸着する材料
によって異なるために特に限定されないが、通常の超音
波印加に使用される方法、市販の超音波振動子、駆動＊
ａは特別な改良なく使用可能であった。即ち、超音波振
動子としては例えば、圧電作用による水晶、硫酸リチウ
ム、ポリビニリデンフロライド等、電工作用によるニオ
ブ酸リチウム、チタン酸バリウムとジルコン酸鉛の固溶
体（ＰＺＴ）等、磁歪作用のあるフェライト等を用いた
ものが挙げられる。超音波周波数は典型的には数十是〜
数百肚の間で適宜選択すれば良い。

第４の実施例に示した超音波印加機構は上述した第１〜
第３の実施例の装置（装置例１〜３とする）に組込むこ
とが可能である（装置例５〜７とする）。この場合、第
２及び第３の実施例の装置では基板支持機構２４０の支
持台２４１が回転するので、第５図に示す超音波導入用
端子１６６に相当するものを回転接点とする必要がある
。

さらに、以上説明した各装置（装置例１〜７）には基板
表面に光照射と電場の印加とを同時に行う機構をそれぞ
れ組み込むことができ、これにより基板表面での一定方
向への配列制御が促進される。この際、基板に照射され
る光の波長は蒸着する分子が光吸収する波長から選ばれ
、単色光でも広いスペクトルを持った光でも良い。光源
としては、例えば各種レーザーや水銀灯、キセノン灯が
挙げられろ。基板表面に加えろ電界の程度は蒸着する材
料により異なるが、通常は数ｍｍ間隔の電極で数ｋＶか
ら数十ｋＶ程度が好適である。

このように、上述した各装置に組み込むことができ、基
板表面に光照射と電場の印加とを同時に行う装置の一例
を第６図に示す。同図に示すように、基板支持機構１４
０には基板１３０を支持する基板ホルダ１７１が組込ま
れており、基板１３０表面には一対の電場形成用電極１
７２が配設されている。この電場形成用電極１７２から
のリード５１７３は基板ホルダ１７１内の端子１７４に
接続され、さらに基板ホルダ１７１と基板支持機構１４
０との接点１７５を介して高電圧導入端子１７６に接続
されている。さらに、この高電圧導入端子１７６はケー
ブルを介して真空チャンバ外に置かれる図示しない高電
圧印加装置に接続されている。また、光照射は光照射窓
１７７を介して基板１３０の裏面側から行うように構成
されている。

かかる機構は上述した容袋′ａ（装置例１〜７）に組み
込むことが可能である（装置例８〜１４とする）が、例
えば第２図、第３図に示す装置例２，３のように基板支
持機構が回転部分を含む場合には、高電圧導入端子１７
６を回転接点とし、また、加熱機構が複数のものについ
ては各々独立して光照射ができるようにした。

さらに、上述した各装置におけるシャッタ機構１５０．
１５０Ａ、１５０Ｂは例えば第７図に示すような、軸に
対して斜めに傾いた通路を周囲に等間隔に有する円筒状
回転体に置き換えることが可能である。すなわち、この
回転体２５０は回転軸２５１を有する円筒体２５２の局
面に軸に対して斜めに傾いたフィン２５３が等間隔に配
設されたものであり、各フィン２５３の間が有機化合物
分子が通過する通＄２５４となっている。このような回
転体２５０においては、回転数、フィン２５３の傾き及
びフィン２５３同士の間隔を変化させることにより、任
意の速度成分を有する有機化合物分子のみを通過させろ
ように設定することができる。

（試験例１〜３）（比較例１） 蒸着母材にフタロシアニンを用いて、装置例１の装置（
試験例１）、装置例４の装置（試験例２）、装置例５の
装置（試験例３）で蒸着した。蒸着速度は毎秒５　ｎｍ
として１声厚に基板上に堆積した。

シャッター機構としては、１９ｃｍ径のベリリウム銅合
金の円盤からなる回転シャッタを２枚を１ｃｍ間隔で設
置した。円盤に開けたスリットは中心から９ｃｍの部分
で２１１ＩＩｌｌの開口とし、これと相似になるように
半径方向に１　ａｍ長とした。回転速度は？　０００　
ｒｐｍである。

また、加熱機構の整形板は１ｃｍ四方の開口とした。超
音波の印加は、超音波振動子にニオブ酸リチウムを用い
てこれを基板側面に張り付け、８肚で振動させた。なお
、基板には石英ガラスを用いた。

各蒸１１膜について整列配向の程度を比較した。なお、
整列配向の程度は、傷光顛徴鏡の消光比で評価した。

比較のため、装置例４の装置で超音波の印加しない場合
で行った（比較例１）。

これらの結果を第１表にまとめて示す。本発明の装置を
用いた場合には高い消光比が得られ、整列配向の度合が
良いことがわかる。

第　　１　　表 試　　験　　例　　２　　　　　　　　８２：１試　　
験　　例　　３　　　　　　　１３４：　　１（試験例
４〜６）（比較例２） 蒸着母材に２−メチルニトロアニリンを用いて、装置例
８の装置（試験例４）、装置例１１の装置（試験例５）
、装置例１２の装置（試験例６）で蒸着した。蒸着速度
は毎秒５鴎として１声厚に基板上に堆積した。

シャッター機構及び超音波の印加は、上述した試験例１
〜３と同様とした。

電界の印加は１対の電極を５間間隔で基板表面に取り付
けることにより行い、１０ｋＶの電圧を印加した。また
光照射にはキセノン灯を用いた。なお、基板にはラビン
グ処理をしたネサコート石英ガラスを用いた。

各蒸着膜の整列配向の程度を同様に調べた。

なお、比較のため、装置例１１の装置で超音波、電場の
印加しない蒸着を行った（比較例２）。

これらの結果を第２表にまとめて示す。本発明の装置を
用いた場合には高い消光比が得られ、整列配向の度合が
良いことがわかる。

第　　２ 表 消光比 試　　験　　例　　４　　　　　　　　３２：１試　　
験　　例　　５　　　　　　　　５７：１試験例６　　
９８：１ 比　較　例　２　　　　　整列配向なしく試験例７〜１
４）（比較例３） ｓｉ母材に銅フタロシアニンとアントラセンの２［１の
−Ｗ機化合物の積層膜を作るため、装置例２の装Ｗ（実
施例７）、装置例３の装置（実施例８）、装置例６の装
置（実施例９）、装置例７の装Ｍ（＊施例１０）、装置
例９の装置（実施例１１）、装置例１０の装置（実施例
１２）、装置例１３の装置（実施例１３）、装置例１４
の装置（実施例１４）で蒸着した。

蒸着速度は毎秒２ｃｍとして５０ｒｕａ間隔でＳＯＯ隨
厚に基板上に堆積した。

シャッター機構、超音波の印加、電界の印加及び光照射
は試験例４〜６と同様とした。

になお、基板には石英ガラスを用いた。

このように得られた各積層膜はオージェ電子分光法で深
さ方向の組成を分析した。

比較のため、装置例２の装置でシャッター機構を除いた
もので蒸着を行った（比較例３）。

第３表の結果は、深さ方向の銅原子の存在を測定してこ
れから界面での２種の有機化合物の混合の程度、すなわ
ち２種の有機化合物が所期の目的通り積層されているか
を銅フタロシアニンのみの層の厚みから評価したもので
ある。比較例では銅原子の存在の周期は見られろものの
膜方向全ての層に銅原子がａｍされたのに対し、本発明
の装置を用いることにより層構造を持つ有機薄膜の得ら
れる乙と第　　３ 表 試験例７　　　　４２ 試験例８　　　　３９ 試験例９　　　　３３ 試験例１０　　　３５ 試験例１１　　　４０ 試験例１２　　　４５ 試験例１３　　　３６ 試験例１４　　　３８ 比較例３０ 〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によると、有機化合物の乾
式４％形成において整列配向したあるいは明瞭な層構造
を有するＲ膜を得ることができろ。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明にかかり、第１図〜第４図は第
１〜第４の実施例の乾式有機薄膜製造装置の概略図、第
５図は超音波印加機構を示す概略図、第６図は電場印加
及び光照射を行うための装置例を示す概略図、第７図は
シャッタ機構となる回転円筒体を示す斜視図である。 図　　面　　中、 １００は真空チャンバ、 １１０、ｌｌ０Ａ、ｌｌ０Ｂは蒸着は材、１２０．１２
０Ａ、１２０Ｂ、２２０は加熱機構、 １３０．１３０Ａ、１３０Ｂは基板、 １４０．２４０は基板支持機構、 １５０．１５０Ａ、１５０Ｂはシャッタ機構、 １５３．１５４は回転シャッタ、 １６１は超音波振動子、 １６８は超音波素子駆動装置、 １７２は電場形成用′ａＡ極、 １７７ば光照射窓、 ２５０は回転体、 ２５２は円筒体、 ２５３はフィン、 ２５４は通路である。 第 図 特　　許　　出　　願　　人 日本電信電話株式会社 代・　理　　人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも一種の蒸着母材である有機化合物を真空
   下にて加熱して蒸発し、蒸発した有機化合物分子粒子を
   少なくとも一つの基板上に堆積又は積層堆積する真空蒸
   着法による乾式有機薄膜製造方法において、蒸発した有
   機化合物分子粒子の飛行経路に設けたシャッタ機構によ
   り任意の速度を有する有機化合物分子粒子を選択して基
   板上に堆積又は積層堆積することを特徴とする乾式有機
   薄膜製造方法。 ２）少なくとも一種の蒸着母材である有機化合物を真空
   下にて加熱して蒸発し、蒸発した有機化合物分子粒子を
   少なくとも一つの基板上に堆積又は積層堆積する真空蒸
   着法による乾式有機薄膜製造方法において、上記基板を
   超音波振動させることにより当該基板に到達した有機化
   合物分子のマイグレーションを行うことを特徴とする乾
   式有機薄膜製造方法。３）請求項１又は２記載の乾式有
   機薄膜製造方法において、上記基板表面に電界を形成す
   るとともに当該基板表面に任意の波長、スペクトルを有
   する光を照射するにとにより、当該基板に到達した有機
   化合物分子を励起することを特徴とする乾式有機薄膜製
   造方法。 ４）真空下にて少なくとも一種の蒸着母材である有機化
   合物を加熱する少なくとも一つの加熱機構と、該加熱機
   構の加熱により蒸発された有機化合物分子粒子を堆積又
   は積層堆積する少なくとも一つの基板を支持する基板支
   持機構とを有する真空蒸着法による乾式有機薄膜製造装
   置において、同軸上に連結された複数の回転シャッタ又
   は軸に対して斜めに傾いた通路を周囲に等間隔に有する
   円筒状回転体からなり上記加熱機構の加熱により蒸発さ
   れた有機化合物分子粒子のうち所望の飛行速度を有する
   有機化合物分子粒子成分のみを通過せしめる少なくとも
   一つのシャッタ機構を具えたことを特徴とする乾式有機
   薄膜製造装置。 ５）真空下にて少なくとも一種の蒸着母材である有機化
   合物を加熱する少なくとも一つの加熱機構と、該加熱機
   構の加熱により蒸発された有機化合物分子粒子を堆積又
   は積層堆積する少なくとも一つの基板を支持する基板支
   持機構とを有する真空蒸着法による乾式有機薄膜製造装
   置において、上記基板支持機構に支持されている基板を
   超音波振動する超音波印加機構を具えたことを特徴とす
   る乾式有機薄膜製造装置。 ６）請求項４記載の乾式有機薄膜製造装置において、上
   記基板支持機構に支持されている基板を超音波振動する
   超音波印加機構を具えたことを特徴とする乾式有機薄膜
   製造装置。７）請求項４、５又は６記載の乾式有機薄膜
   製造装置において、上記基板支持機構が当該基板表面に
   電界を形成する少なくとも一対の電極を有するものであ
   り、且つ電界が形成された基板表面に任意の波長、スペ
   クトルを有する光を照射する光照射機構を具えたことを
   特徴とする乾式有機薄膜製造装置。