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JPH02175662A - 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 - Google Patents

窒化珪素質焼結体およびその製造方法

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JPH02175662A
JPH02175662A JP63332412A JP33241288A JPH02175662A JP H02175662 A JPH02175662 A JP H02175662A JP 63332412 A JP63332412 A JP 63332412A JP 33241288 A JP33241288 A JP 33241288A JP H02175662 A JPH02175662 A JP H02175662A
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JP
Japan
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silicon nitride
temperature
firing
less
sintered body
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JP63332412A
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Masahiro Sato
政宏 佐藤
Makoto Yoshida
真 吉田
Kazunori Koga
和憲 古賀
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は常温、高温において優れた機械的強度を有し、
且つ生産性に優れた窒化珪素質焼結体及びその製造方法
に関する。
〔従来技術〕
窒化珪素から成る焼結体は原子の結合様式が共有結合を
主体として成り、優れた機械的特性を有することから、
ターボロータやガスタービン等の熱機関をはじめとする
各種の分野でその応用が進められている。特に、最近で
は熱機関の高効率化を図るため、1400℃以上の作動
温度下の使用が可能な材料の開発が進められている。
従来から、窒化珪素質焼結体は窒化珪素単独での焼成、
高密度化が困難であることから、組成又は焼成方法の面
から各種の改良が行われてきた。
例えば特公昭48−7486号では窒化珪素(SiJt
)にY2O,に代表される周期律表第111a族酸化物
(RE2O3)を添加して常圧焼成し、焼結体中に窒化
珪素の針状結晶を生成せしめ密度、強度を向上させるこ
とが提案された。
しかし乍ら、常圧焼成では、Si 3Nt+REzOs
系ではその密度強度ともに実用レベルに達し得ないこと
から、その系にさらにA1□03.A7!Nに代表され
るAj2化合物を添加し、常圧焼成あるいはホットプレ
ス焼成することが特公昭49−21091号、特公昭5
6−51153号等で提案された。ところが、AN化合
物を含む焼結体は、高密度で常温強度、また1000℃
以下の温度での強度には優れるが、粒界に低融点のガラ
スが形成されることに起因し、1ooo℃を越える高温
で極端に強度劣化するという致命的欠陥を有しているた
め、その用途が限られている。
このような窒化珪素質焼結体における高温域での高強度
化に対し、窒化珪素自体が1800℃の温度で分解する
ため、高温焼成ができないことが大きな阻害要因である
ことに着目し、特公昭58−49509号によって窒素
ガス加圧雰囲気で焼成することが提案され、その後窒化
珪素の高温高強度化に対する研究は大きく前進した。
よって、最近では、高温高強度の窒化珪素質焼結体を得
るためにはY2O3等の助剤を用いるとともに窒素ガス
加圧焼成することが不可欠の要因とされている。
〔発明が解決しようする問題点〕
しかし乍ら、窒素ガス加圧焼成は、高温、高圧ガスを用
いることから焼成炉の構造を特殊なものとせざるを得ず
、しかも方法上、焼成条件の細かな制御が必要であるこ
とから、製品のコストアップ、あるいはロフト毎の特性
のバラツキが大きいため量産化が難しいという欠点を有
している。
そこで、量産性に優れた焼成法として、当然低温で且つ
常圧のレベルのガスを用いた常圧焼成法が注目されるが
、従来法では前述したようにA/化合物やMgO等のよ
うに、粒界をガラス化し得るような助剤が不可欠である
ことから実質的に低温且つ常圧レベルのガスを用いて1
000℃を越える高温での高強度を有する窒化珪素質焼
結体を得ることはほとんど不可能であった。
〔発明の目的〕
本発明は上記問題点を解決することを目的とするもので
具体的には、1800℃以下の低温で且つ、1.5気圧
以下の低圧で焼成され、室温で900MPa以上、14
00℃で600Mpa以上の抗折強度を有する窒化珪素
質焼結体およびその製造方法を提供しようとするもので
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は上記目的に対し研究を重ねた結果、窒化珪
素粉末としてα率98%以上で平均粒径が0゜5μm以
下のものを用い、これに焼結助剤としてA1zO+、M
gOを実質上含むことなく周期律表第1[a族元素化合
物と5t(hとを用いて成形し、該成形体を1600〜
1800°Cの低温で且つ窒素ガス圧1 、5a tm
以下で焼成することによって微細な組織構造をもつ高密
度で高温高強度に優れた焼結体を得ることができること
を知見した。
また室温で900Mpa、 1400℃での強度600
MPa以上を達成するには焼結体における微細組織にお
いて、窒化珪素の結晶粒径が0.5μm以下の結晶粒が
鏡面分析において40面積%以上存在することが必要で
あることも知見した。
さらに本発明によれば、上記のようにして得られた焼結
体を1600〜1800℃、500〜2000気圧の不
活性ガス雰囲気で熱間静水圧焼成することにより、さら
に高密度化、高温高強度化が達成できることを知見した
本発明において、低温低圧下での焼成によって高温高強
度を達成するに至る大きな要因の一つは、窒化珪素原料
(以下、5izNa原料と称す)としてα率が98%以
上、特に99%以上、平均粒径が0.5μm以下、特に
0.3μm以下という極めて高α率で微細な粉末を用い
る点にある。このα率が98χ未満、あるいは平均粒径
が0.5μmを超えると、いずれも低温低圧下での焼成
が進行せず、また焼結体の微細組織化が達成されず、い
ずれにおいても高密度で高温強度に優れた焼結体を得る
ことが一 できない。このような高α率の5i3L粉末を用いるこ
とによって高温強度が達成される理由としては、通常1
600〜1700℃付近で生じるα−8i+N4からβ
−8i+Naへの転移が、β−5iJ4が少ないために
生し難く、よってβ−5i3Naへの転移に伴う窒化珪
素結晶の粒成長が抑制されることによって微細構造が維
持されるためと考えられる。
また、本発明において用いる添加物としては従来から用
いられる周期律表第nla族元素の酸化物、窒化物、炭
化物等の化合物を用いることができるが、特にSc、 
Er、 Yb、 Ho、 Dy及びTbから選ばれる少
なくとも1種の元素化合物、特にこれらの酸化物が望ま
しい。これらの元素は一般に用いられているY2O3等
のY化合物に比較して焼成過程での拡散性に優れること
から、より低温焼結性に優れ、且つ高密度化、高温高強
度化が達成される。
また、添加物としては、上記周期律表第IIIa族元素
酸化物の他にSingを用いる。SiO□は5iJ4粉
末に通常不純物として含まれているが場合によりSiO
□粉末を添加する。この5iOzは焼成中、液相形成成
分として作用し、低温低圧下での焼成を促進するととも
に、焼結体中にはガラスあるいは5iJRE、03−5
in2系、RE20i −5iOz系の結晶として粒界
に存在することによって高温高強度化を促進する。
これらの添加剤は周期律表第IIIa族元素化合物が酸
化物換算で全量中1〜5モル%、特に2〜4モル%の割
合で、またSiO□はSi:+L粉末中に含まれる酸素
をSiO□換算した量も含め全量中2〜10モル%、特
に4〜8モル%の割合で含有される。
なお、周期律表第IIIa族元素化合物(酸化物換算と
してRE2(hで表現する)とSiO□はモル比で5t
02/RE、01が0.5〜10であることが望ましく
、この比がこの範囲を逸脱すると、粒界が低融点化し易
くなる。
上記のようにして配合され混合された粉末は、公知の成
形手段、例えばプレス成形、鋳込み成形、冷間静水圧成
形、押し出し成形、射出成形等により所望の形状に成形
した後、焼成される。
本発明によれば、焼成は窒素含有の非酸化性雰囲気で行
われ窒素ガス圧は1.5気圧以下、特に大気圧の低圧下
で行うことが重要である。ただし、この窒素ガスは窒化
珪素の分解を抑制するため、各温度で窒化珪素の分解平
衡圧の略2倍以上であることが必要でより好ましくは、
雰囲気中にSiOを導入することが窒化珪素の分解抑制
をより高めることが可能となる。
上記の窒素ガスを1.5気圧以下に限定した理由は、1
.5気圧を超える圧力では焼成炉自体を大きく換えるこ
とが必要となり、製品コストのアップを招くとともに、
量産性の点から不向きであり、本発明の目的を達成し得
ない。
一方、焼成温度は1600〜1800℃の低温で行う。
これは窒素ガス圧力との兼ね合いにより、窒素ガス圧力
1.5気圧以下の条件では焼成温度が1800℃を超え
る窒化珪素の分解が激し・くなり、強度等の特性に悪影
響を及ぼす結果となり、焼成炉の構造もより耐火性が要
求されるため、量産性の点からも好ましくない。また、
焼成温度が1600℃を下回ると焼成が不十分となり、
高密度の焼結体を得ることができない。
このようにして得られる焼結体は1つには焼成温度が低
いことに起因して粒成長がほとんど生じないため、粒径
の微細な結晶が生成される。本発明によれば0.5μm
以下の結晶粒径の結晶が鏡面で40面積%以上、特に5
0面積2以上存在することが重要であるが、このような
面積比率の制御は焼成温度とその焼成温度における保持
時間に依存し、保持時間が長くなるほど、粒成長が促進
されることから、およそ3〜15時間の保持時間で適宜
制御すれば良い。
なお、本発明の焼結体は高温特性の見地から、従来から
常圧焼成に必須の助剤として用いられていたMgO,C
aO,AI□03等は実質的に含まないもので、これら
が存在すると1400℃における強度を大きく劣化させ
てしまう。よってこれら酸化物は全量に対し、0.5重
量%以下、特に0.1重量%以下に抑えることが必要で
ある。
本発明によれば、上記のようにして得られた焼結体に対
し、更に1600〜1800℃の温度、500〜200
0気圧のAr、N2等の不活性ガス雰囲気中で熱間静水
圧焼成することにより、さらに機械的強度を向上させる
ことができる。この焼成によって、先の焼結体中の窒化
珪素結晶粒は粒成長し易くなるため、0.5μm以下の
結晶粒径を有するSi3N4結晶の鏡面での面積比率が
40面積χを下回らないように焼成時間、温度を制御す
ることが必要である。
以下、本発明を次の例で説明する。
〔実施例1〕 第1表に示す原料平均粒径、及びα率が異なる数種のS
i:lN4粉末に対し、Yb2O3粉末、5i02粉末
を全体組成がSi:+hL 92モル%、Ybz033
モル%、Sing 5モル%となるように秤量して成形
後第1表に示す条件で焼成した。
得られた焼結体に対し、アルキメデス法により焼結体の
対理論密度比、鏡面のSEM観察により0゜5μM以下
のSi:+L結晶の示す面積比率、またJISR160
1に従い室温と1400℃における4点曲げ抗折強度を
測定した。
結果は第1表に示す。
第1表の結果によれば、用いるSi:+N4原料粉末の
粒径が0.5μmを超える1IkL3では焼結が進行せ
ず、密度が小さく、強度が不充分であり、α率が98χ
を下回る隘4でも同様に焼結が充分でなく、焼結体中の
0.5μmを超える5iJ4粒子の量が多く、強度は低
下した。また、焼成温度が1600℃を下回る場合、゛
焼結が進行せず高強度の焼結体は得られなかった。これ
に対し、Th1.2.5はいずれも優れた特性を示した
〔実施例 2〕 Si:lN4粉末として平均粒径0.3μm、α率99
χを使用し、希土類酸化物、5iOzを第2表の割合に
なるように秤量して成形後、1750℃で5時間、N2
ガス圧1.2a tmの雰囲気で焼成した。得られた焼
結体に対し実施例1と同様な方法で対理論密度比、0.
5μm以下の5iJa粒子の面積比率及び室温、140
0℃における抗折強度を調べた。
結果は第2表に示す。
〔以下余白〕
第2表によれば、助剤の量、特に希土類の量が1モル%
より小さい(南9)は焼結が進行せず、強度は不充分と
なることがわかる。その他階7,810.11では充分
に焼結し、優れた強度を示した。
〔実施例 3〕 実施例1および2の各試料中11k1.1,7.11の
焼結体に対して、1750℃で窒素ガス圧力2000a
 tmの条件で熱間静水圧焼成を施した。
得られた焼結体に対し、実施例1と同等な方法で0.5
μW以下のSi 、N4粒子の面積比率、対理論密度比
、室温および1400’Cにおける抗折強度を測定した
結果は第3表に示す通り、さらに強度の向上が認められ
た。
〔発明の効果〕
以上、詳述した通り、本発明の窒化珪素質焼結体は低温
低圧下で焼成して得ることができると共に、室温、14
00℃における機械的強度に優れるものであり、よって
、熱機関等に特に有用な窒化珪素質焼結体を、特殊な焼
成炉を用いることなく容易に得ることができることから
、極めて量産性に優れ、安価な焼結体を提供することが
できる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化珪素と、第2相として珪素、周期律表第III
    a族元素、酸素及び窒素とから成り、0.5μm以下の
    結晶粒径を有する窒化珪素結晶粒が鏡面で40面積%以
    上存在し、かさ密度が理論密度に対し、95%以上で且
    つ1400℃における4点曲げ抗折強度が600Mpa
    以上であることを特徴とする窒化珪素質焼結体。
  2. (2)α率98%以上、平均粒径が0.5μm以下の窒
    化珪素粉末と、焼結助剤として周期律表第IIIa族元素
    化合物とSiO_2とから成る成形体を焼成温度160
    0〜1800℃、窒素ガス圧1.5気圧以下の条件下で
    焼成することを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法
  3. (3)α率98%以上、平均粒径が0.5μm以下の窒
    化珪素粉末と焼結助剤として周期律表第IIIa族元素化
    合物とSiO_2とから成る成形体を焼成温度1600
    〜1800℃、窒素ガス圧1.5気圧以下の条件下で焼
    成した後、さらに焼成温度1600〜1800℃、50
    0〜2000気圧の不活性ガス雰囲気中で熱間静水圧焼
    成することを特徴とする窒化珪素質焼結体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63151682A (ja) * 1986-12-16 1988-06-24 電気化学工業株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63151682A (ja) * 1986-12-16 1988-06-24 電気化学工業株式会社 窒化ケイ素焼結体の製造方法

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