JPH02159716A - Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法Info
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- JPH02159716A JPH02159716A JP63315768A JP31576888A JPH02159716A JP H02159716 A JPH02159716 A JP H02159716A JP 63315768 A JP63315768 A JP 63315768A JP 31576888 A JP31576888 A JP 31576888A JP H02159716 A JPH02159716 A JP H02159716A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は強力なＸ線源であるシンクロトロン放射光（以
下ＳＯＲと記す）またはエレクトロンビーム（以下ＥＢ
と記す）照射にも耐え得るＸ線リソグラフィー用マスク
材料、特にはＳｉＣ膜およびその成膜方法に関するもの
である。
下ＳＯＲと記す）またはエレクトロンビーム（以下ＥＢ
と記す）照射にも耐え得るＸ線リソグラフィー用マスク
材料、特にはＳｉＣ膜およびその成膜方法に関するもの
である。
（従来の技術）
従来、Ｘ線リソグラフィー用マスク材料として代表的な
ものとしては、α−ＢＮ：Ｈ（公表特昭５５−５００７
Ｑ７号参照）、５ｉＮ（特開昭５９−１１６７５０号参
照）、ポリイミド（米国特許４０３７１１１号参照）な
どが知られているが、いずれの材料もＳＯＲのような高
エネルギービームな照射すると、残留膜応力が変化する
（Ｗ、Ａ、Ｊｏｈｎｓｏｎ ｅｔ、ａｌ、、 ３０ｔｈ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ、Ｉｏｎ ａｎｄ Ｐｈｏｔ
ｏｎ Ｂｅａｉｎｓ、 Ｍａｙ ２７−３０．１９．８
６参照）などの理由から最適の材料ではなかった。一方
、ＳｉＣもマスク材料として検討されてきた材料ではあ
るが、［５ＩＨ４＋ｃＨ４コなどのガスを用いたブラダ
Ｙ ＣＶＤ法（以下ＰＥＣＶＤ法と記す）では、形成し
たＳｉＣ膜に水素が含有され、そのため高エネルギービ
ーム照射時に応力変化を生じたり、膜欠陥が多く、これ
がピンボールどなるため、メンブレン化が困難であった
。さらに、マイクロ波Ｅ ＣＲＰＥＣＶＤ法で形成され
たＳｉＣマスクなども報告（昭６２．０９．３０付化学
工業日報参照）されているが、やはり水素を含有してい
るため高エネルギービーム照射時の応力変化が大きいな
どの欠点があった。
ものとしては、α−ＢＮ：Ｈ（公表特昭５５−５００７
Ｑ７号参照）、５ｉＮ（特開昭５９−１１６７５０号参
照）、ポリイミド（米国特許４０３７１１１号参照）な
どが知られているが、いずれの材料もＳＯＲのような高
エネルギービームな照射すると、残留膜応力が変化する
（Ｗ、Ａ、Ｊｏｈｎｓｏｎ ｅｔ、ａｌ、、 ３０ｔｈ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
ｏｎ Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ、Ｉｏｎ ａｎｄ Ｐｈｏｔ
ｏｎ Ｂｅａｉｎｓ、 Ｍａｙ ２７−３０．１９．８
６参照）などの理由から最適の材料ではなかった。一方
、ＳｉＣもマスク材料として検討されてきた材料ではあ
るが、［５ＩＨ４＋ｃＨ４コなどのガスを用いたブラダ
Ｙ ＣＶＤ法（以下ＰＥＣＶＤ法と記す）では、形成し
たＳｉＣ膜に水素が含有され、そのため高エネルギービ
ーム照射時に応力変化を生じたり、膜欠陥が多く、これ
がピンボールどなるため、メンブレン化が困難であった
。さらに、マイクロ波Ｅ ＣＲＰＥＣＶＤ法で形成され
たＳｉＣマスクなども報告（昭６２．０９．３０付化学
工業日報参照）されているが、やはり水素を含有してい
るため高エネルギービーム照射時の応力変化が大きいな
どの欠点があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は前述した欠点のないＸ線リソグラフィー用マス
ク材料を提供することを目的として、応力制御が容易で
、実質的に水素を含有せず、膜欠陥、ピンホールがなく
、メンブレン化が容易なＳｉＣ膜とその成膜方法を確立
することにある。
ク材料を提供することを目的として、応力制御が容易で
、実質的に水素を含有せず、膜欠陥、ピンホールがなく
、メンブレン化が容易なＳｉＣ膜とその成膜方法を確立
することにある。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため、本発明者らは、ＳｉＣ膜の成
膜条件につき、種々検討を重ねた結果、スパッタ一方法
による成膜が適していることを発見し、そのターゲット
材料、スパッターガス、反応圧力および温度などのスパ
ッター条件を好適に選択すれば、応力制御が容易で水素
を含有せず、ピンホールのない、高エネルギービーム照
射に耐え得るＸ線リソグラフィー用マスク材が得られる
ことを見出し、本発明を完成させた。
膜条件につき、種々検討を重ねた結果、スパッタ一方法
による成膜が適していることを発見し、そのターゲット
材料、スパッターガス、反応圧力および温度などのスパ
ッター条件を好適に選択すれば、応力制御が容易で水素
を含有せず、ピンホールのない、高エネルギービーム照
射に耐え得るＸ線リソグラフィー用マスク材が得られる
ことを見出し、本発明を完成させた。
その要旨とするところは、
１）引っ張り応力が５ ｘ ｌ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以
下で、かつ実質的に水素を含有しないことを特徴とする
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、 ２）Ｓｉ基板上にスパッター法で成膜することを特徴と
する上記のＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、３）Ｓｉ基
板温度を５００℃以下とし、ターゲットにＳｉＣを用い
、Ａｒ、 Ｘｅなどの不活性ガスを流しながら反応圧力
をＩ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ以上ＩＸ １０−１Ｔｏｒ
ｒ以下としＳｉ基板上に上記のＳｉＣ膜を形成すること
を特徴とするＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法
、である。以下本発明の詳細な説明する。
下で、かつ実質的に水素を含有しないことを特徴とする
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、 ２）Ｓｉ基板上にスパッター法で成膜することを特徴と
する上記のＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜、３）Ｓｉ基
板温度を５００℃以下とし、ターゲットにＳｉＣを用い
、Ａｒ、 Ｘｅなどの不活性ガスを流しながら反応圧力
をＩ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ以上ＩＸ １０−１Ｔｏｒ
ｒ以下としＳｉ基板上に上記のＳｉＣ膜を形成すること
を特徴とするＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法
、である。以下本発明の詳細な説明する。
まず本発明のスパッター法としては、一般に使用されて
いるコンベンショナルスパッター法で行うが、好ましく
は、量産性の観点から成膜速度の速いマグネトロンスパ
ッター法を用いるのがよい。また前述した欠点を除去す
るためには、ターゲット材料の選択が重要で、ＳｉＣを
用い、好ましくは９９％以上の純度を有するものがよい
。スパッターガスとしてはＡｒ、 Ｘｅなどの不活性ガ
スを用いるのがよい。スパッター圧力は、Ｉ Ｘ １０
””Ｔｏｒｒ以上ＩＸ １０−１Ｔｏｒｒ以下の範囲が
よく、使用するガスによっては、メンブレン化した時に
、膜が破れない限界応力である引張り応力を５ Ｘ １
０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下に制御するための最適スパッ
ター圧力はいずれの場合もｌＸｌ０−２〜ＩＸ １０−
１Ｔｏｒｒの範囲が好適である。基板はＳｉを用いるが
、基板温度は室温でも充分であるが、不純物混入などの
膜質を考慮すると５００℃以下が好ましい。ターゲット
に掛けるパワー密度は、５ Ｗ／ｃｍ２以上の範囲で引
張り応力を５ Ｘ ｌ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下に制御
することができる。
いるコンベンショナルスパッター法で行うが、好ましく
は、量産性の観点から成膜速度の速いマグネトロンスパ
ッター法を用いるのがよい。また前述した欠点を除去す
るためには、ターゲット材料の選択が重要で、ＳｉＣを
用い、好ましくは９９％以上の純度を有するものがよい
。スパッターガスとしてはＡｒ、 Ｘｅなどの不活性ガ
スを用いるのがよい。スパッター圧力は、Ｉ Ｘ １０
””Ｔｏｒｒ以上ＩＸ １０−１Ｔｏｒｒ以下の範囲が
よく、使用するガスによっては、メンブレン化した時に
、膜が破れない限界応力である引張り応力を５ Ｘ １
０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下に制御するための最適スパッ
ター圧力はいずれの場合もｌＸｌ０−２〜ＩＸ １０−
１Ｔｏｒｒの範囲が好適である。基板はＳｉを用いるが
、基板温度は室温でも充分であるが、不純物混入などの
膜質を考慮すると５００℃以下が好ましい。ターゲット
に掛けるパワー密度は、５ Ｗ／ｃｍ２以上の範囲で引
張り応力を５ Ｘ ｌ０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下に制御
することができる。
しかも、パワー密度が高い程成膜速度は増加し有利とな
る。
る。
以上の成膜条件でＳｉ基板の表面に得られたＳｉＣ膜は
膜が破れない限界応力である引張り応力が５Ｘ ｌ０９
ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下に制御されており、赤外線吸収ス
ペクトルによる分析の結果、水素を含有せず、かつピン
ホールなどの膜欠陥がなく、メンブレン化も容易で、高
エネルギービーム照射に耐え得るＳｉＣ膜である。
膜が破れない限界応力である引張り応力が５Ｘ ｌ０９
ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下に制御されており、赤外線吸収ス
ペクトルによる分析の結果、水素を含有せず、かつピン
ホールなどの膜欠陥がなく、メンブレン化も容易で、高
エネルギービーム照射に耐え得るＳｉＣ膜である。
次ぎに、このＳｉＣ膜をメンブレン化するには、公知の
方法で行う。−例を挙げればＳｉＣ膜がスパッターされ
たＳｉ基板の裏面にＰＥＣＶＤ法でα−ＢＮ：Ｈなどの
保護膜を形成した後、ドーナツ状ＳＵＳ （ステンレ
ス）マスクを置き、ついで［ＣＦ、１０□］ （酸素４
％濃度品）混合ガスでａ−ＢＮ：ｌ−１膜をドライエッ
チイングにより窓開けを行う。ついでこれを９０℃２５
％ＫＯＨ熱水に浸し、Ｓｉ基板の中心部を溶出させ、Ｓ
ｉＣ膜をメンブレン化する。
方法で行う。−例を挙げればＳｉＣ膜がスパッターされ
たＳｉ基板の裏面にＰＥＣＶＤ法でα−ＢＮ：Ｈなどの
保護膜を形成した後、ドーナツ状ＳＵＳ （ステンレ
ス）マスクを置き、ついで［ＣＦ、１０□］ （酸素４
％濃度品）混合ガスでａ−ＢＮ：ｌ−１膜をドライエッ
チイングにより窓開けを行う。ついでこれを９０℃２５
％ＫＯＨ熱水に浸し、Ｓｉ基板の中心部を溶出させ、Ｓ
ｉＣ膜をメンブレン化する。
本発明によるＳｉＣメンブレンは、面内平面度（Ｂｏｗ
）が１μｍ以下の優れたものが得られる。さらに、こ
のＳｉＣメンブレンに高エネルギーＥＢを１０ＫｅＶ照
射した場合の応力変化は、Ｉ ＧＪ／ｃｍ３までの照射
に対しては、全く応力は変化せず、本発明のＳｉＣ膜が
高エネルギー照射に耐える材料であることが判る。
）が１μｍ以下の優れたものが得られる。さらに、こ
のＳｉＣメンブレンに高エネルギーＥＢを１０ＫｅＶ照
射した場合の応力変化は、Ｉ ＧＪ／ｃｍ３までの照射
に対しては、全く応力は変化せず、本発明のＳｉＣ膜が
高エネルギー照射に耐える材料であることが判る。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれらによって限定されるものではない。
発明はこれらによって限定されるものではない。
（実施例）
ＲＦ（高周波）マグネトロンスパッター装置５ＰＦ−３
３２Ｈ型（日型アネルバ社製商品名）を用い、カソード
側に３°゛φＳｉＣターゲツト（９９，，９％純度品、
高純度化学社製）をセットし、２°′φＳｉ基板を１０
０〜３５０℃に加熱し、Ａｒガスを５ｃｃ／ｍｉｎ
またはＸｅガスを８ｃｃ／ｍｉｎ、の流量で流しつつ、
パワー密度８〜２０Ｗ／ｃｍ２、反応圧力Ｉ Ｘ １０
−２〜２ Ｘ １０−１Ｔｏｒｒおよび反応時間２０ｍ
１ｎでＳｉＣ膜を成膜した。得られたＳｉＣ膜の残留引
張り応力と反応圧力の関係を第１図に示した。また第２
図にはパワー密度と残留引張り応力の関係を、第３図に
は基板温度と残留引張り応力の関係を示した。
３２Ｈ型（日型アネルバ社製商品名）を用い、カソード
側に３°゛φＳｉＣターゲツト（９９，，９％純度品、
高純度化学社製）をセットし、２°′φＳｉ基板を１０
０〜３５０℃に加熱し、Ａｒガスを５ｃｃ／ｍｉｎ
またはＸｅガスを８ｃｃ／ｍｉｎ、の流量で流しつつ、
パワー密度８〜２０Ｗ／ｃｍ２、反応圧力Ｉ Ｘ １０
−２〜２ Ｘ １０−１Ｔｏｒｒおよび反応時間２０ｍ
１ｎでＳｉＣ膜を成膜した。得られたＳｉＣ膜の残留引
張り応力と反応圧力の関係を第１図に示した。また第２
図にはパワー密度と残留引張り応力の関係を、第３図に
は基板温度と残留引張り応力の関係を示した。
次いで、第１図に示すＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの各点の試料のＳ
ｉＣ膜についてメンブレン化を次に述へる方法で実施し
た。表面にＳｉＣ膜を有するＳｉ基板裏面にＰＥＣＶＤ
法で０５μｍα−ＢＮ■膜を形成膜た後［ＣＦ４１０２
］ （酸素４％濃度）混合ガスでＳＵＳマスク（外径
５０ｍｍ、内径３０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ ）の上から
、α−ＢＮＨ膜をドライエツチングし、裏面α−ＢＮ−
■膜に窓開けを行った。これを９０℃の２５％ＫＯ）Ｉ
熱水に浸し、Ｓｉ基板を溶出させ、３０ｍｍφＳｉＣ膜
をメンブレン化した。Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ各試料の成膜条件
と得られたＳｉＣ膜の物性、メンブレン化の可否、面内
平面度および耐薬品性の結果を第１表に示す。さらに、
このＳｉＣメンブレンに高エネルギーＥＢをｌＯにｅＶ
熱照射た場合の引張り応力変化を第１表および第５図に
示した。
ｉＣ膜についてメンブレン化を次に述へる方法で実施し
た。表面にＳｉＣ膜を有するＳｉ基板裏面にＰＥＣＶＤ
法で０５μｍα−ＢＮ■膜を形成膜た後［ＣＦ４１０２
］ （酸素４％濃度）混合ガスでＳＵＳマスク（外径
５０ｍｍ、内径３０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ ）の上から
、α−ＢＮＨ膜をドライエツチングし、裏面α−ＢＮ−
■膜に窓開けを行った。これを９０℃の２５％ＫＯ）Ｉ
熱水に浸し、Ｓｉ基板を溶出させ、３０ｍｍφＳｉＣ膜
をメンブレン化した。Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ各試料の成膜条件
と得られたＳｉＣ膜の物性、メンブレン化の可否、面内
平面度および耐薬品性の結果を第１表に示す。さらに、
このＳｉＣメンブレンに高エネルギーＥＢをｌＯにｅＶ
熱照射た場合の引張り応力変化を第１表および第５図に
示した。
また、これらのＳｉＣ膜を光学顕微鏡により倍率４００
倍で表面観察した結果を第６図に示す。第７図ニハ比較
例トＬ １” ＰＥＣＶＤ法ニＪニル［ＳＪ４千ＣＨ４
］混合ガスから形成したＳｉＣ膜を示す。
倍で表面観察した結果を第６図に示す。第７図ニハ比較
例トＬ １” ＰＥＣＶＤ法ニＪニル［ＳＪ４千ＣＨ４
］混合ガスから形成したＳｉＣ膜を示す。
上記実施例の成膜条件と得られたＳｉＣ膜の物性との関
係を図面で説明すると、 第１図は、反応圧力と膜の引張り応力との関係を表し、
この図からは、ガスの種類に関係なく、Ｉ Ｘ １０−
２〜１． Ｘ １０−１Ｔｏｒｒの反応圧力範囲で５×
１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下の好ましい引張り応力に制
御できることが判る。
係を図面で説明すると、 第１図は、反応圧力と膜の引張り応力との関係を表し、
この図からは、ガスの種類に関係なく、Ｉ Ｘ １０−
２〜１． Ｘ １０−１Ｔｏｒｒの反応圧力範囲で５×
１０９ｄｙｎｅ／ｃｍ２以下の好ましい引張り応力に制
御できることが判る。
第２図にはパワー密度と膜の引張り応力の関係を示した
。これより５ Ｗ／ｃｍ２以上のパワー密度で膜の引張
り応力を目標値に制御出来ることが判る第３図には基板
温度と膜の引張り応力の関係を示した。室温から５００
℃の範囲では膜の引張り応力がほぼ一定であることが判
る。
。これより５ Ｗ／ｃｍ２以上のパワー密度で膜の引張
り応力を目標値に制御出来ることが判る第３図には基板
温度と膜の引張り応力の関係を示した。室温から５００
℃の範囲では膜の引張り応力がほぼ一定であることが判
る。
第４図に実施例のＩＲスペクトルを示す、２０００ｃｍ
−’付近に全く吸収ピークが見られないことから水素を
含有しないＳｉＣ膜であることが判る。
−’付近に全く吸収ピークが見られないことから水素を
含有しないＳｉＣ膜であることが判る。
第５図は］０ＫｅＶの高エネルギービーム射と膜の引張
り応力との関係を示す。Ｉ ＧＪ／ｃｍ”までの照射量
に対しては、全く引張力応力は変化せず、本発明のＳｉ
Ｃ膜が高エネルギー照射に耐える材料であることが判る
。
り応力との関係を示す。Ｉ ＧＪ／ｃｍ”までの照射量
に対しては、全く引張力応力は変化せず、本発明のＳｉ
Ｃ膜が高エネルギー照射に耐える材料であることが判る
。
第６図は本発明の、第７図は比較例のＰＥＣＶＤ法によ
るＳｉＣ膜表面の光学顕微鏡写真を示す。第７図の比較
例が表面欠陥の多い膜であるのに比へ、第６図の本発明
によるＳｉＣ膜は表面欠陥の全くないものであることが
判る。
るＳｉＣ膜表面の光学顕微鏡写真を示す。第７図の比較
例が表面欠陥の多い膜であるのに比へ、第６図の本発明
によるＳｉＣ膜は表面欠陥の全くないものであることが
判る。
（発明の効果）
本発明で得られたＳｉＣ膜は
１）膜中に実質的に水素を含有せず、高エネルギービー
ムの照射に対しても応力変化を生じない。
ムの照射に対しても応力変化を生じない。
２）９０℃の熱水に一週間浸しておいても外観変化や応
力変化を生じることなく、耐湿性に優れた膜である。
力変化を生じることなく、耐湿性に優れた膜である。
３）フッ硝酸、９０℃の２５％ＫＤＨ熱水に対しても安
定な膜で耐薬品性に優れている。
定な膜で耐薬品性に優れている。
４）表面は平滑で、欠陥、ピンホールのない膜である。
５）ヤング率が高く、マスクパターンの位置精度も高い
。
。
６）膜の応力制御もＲＦ−パワー、スパッター圧力で容
易に可能である。
易に可能である。
７）プロセスガスにはＡｒ、Ｘｅなどの不活性ガスて良
く、ＳｉＨ４、ＣＨ４などの爆発性ガスを用いる必要は
なく、安全性が高い。
く、ＳｉＨ４、ＣＨ４などの爆発性ガスを用いる必要は
なく、安全性が高い。
８）スパッター法で形成するため、インライン化などの
量産化プロセスへの対応も容易である。
量産化プロセスへの対応も容易である。
など数々の優れた特徴を有し、Ｘ線リソグラフィ用マス
ク材料として産業上有益である。
ク材料として産業上有益である。
第１図にスパッター条件である反応圧力とＳｉＣ膜の引
張り応力の関係を示す。 第２図にパワー密度と応力の関係、第３図に基板温度と
応力の関係を示す。第４図にはＳｉＣ膜のＩＲスペクト
ルを示す。 第５図にＳｉＣメンブレンのＥＢ照射テスト結果を示す
。 第６図に実施例のＳｉＣ膜表面、第７図に比較例のＰＥ
ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜表面の光学顕微鏡写真を示す。 手続補正書 （方式） １、事件の表示 昭和６３年特許願第３１５７６８号 ２、発明の名称 Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２０６）信越化学工業株式会社５、補正命
令の日付 発送口 平成 ３月２８日 手続補正書 １、事件の表示 昭和６３年特許願第３１５７６８号 ２、発明の名称 Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４、代理人 住所 〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁目４番１１号７、
補正の内容 １）明細書の第１２頁下から３〜１行目「第６図に・・
・写真を示す。」を削除する。 ２）図面 「第６図および第７図」を削除する。 以 上 ７、補正の内容 １）明細書の第８頁１１〜１３行目「結果を第６図・・
・・・・・・ＳｉＣ膜を示す。」を「結果、表面欠陥の
全くないものであり、比較例のＰＥＣＶＤ法によるＳｉ
Ｃ膜は表面欠陥の多いものであった。１と補正する。 ２）同第９頁下から５〜１行目「第６図は・・・・であ
ることが判る。」を削除する。 以上
張り応力の関係を示す。 第２図にパワー密度と応力の関係、第３図に基板温度と
応力の関係を示す。第４図にはＳｉＣ膜のＩＲスペクト
ルを示す。 第５図にＳｉＣメンブレンのＥＢ照射テスト結果を示す
。 第６図に実施例のＳｉＣ膜表面、第７図に比較例のＰＥ
ＣＶＤ法によるＳｉＣ膜表面の光学顕微鏡写真を示す。 手続補正書 （方式） １、事件の表示 昭和６３年特許願第３１５７６８号 ２、発明の名称 Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２０６）信越化学工業株式会社５、補正命
令の日付 発送口 平成 ３月２８日 手続補正書 １、事件の表示 昭和６３年特許願第３１５７６８号 ２、発明の名称 Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法３、
補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （２０６）信越化学工業株式会社４、代理人 住所 〒１０３東京都中央区日本橋本町４丁目４番１１号７、
補正の内容 １）明細書の第１２頁下から３〜１行目「第６図に・・
・写真を示す。」を削除する。 ２）図面 「第６図および第７図」を削除する。 以 上 ７、補正の内容 １）明細書の第８頁１１〜１３行目「結果を第６図・・
・・・・・・ＳｉＣ膜を示す。」を「結果、表面欠陥の
全くないものであり、比較例のＰＥＣＶＤ法によるＳｉ
Ｃ膜は表面欠陥の多いものであった。１と補正する。 ２）同第９頁下から５〜１行目「第６図は・・・・であ
ることが判る。」を削除する。 以上
Claims (3)
- （１）引張り応力が５×１０＾９ｄｙｎｅ／ｃｍ＾２以
下で、かつ実質的に水素を含有しないことを特徴とする
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜。 - （２）Ｓｉ基板上にスパッター法で成膜することを特徴
とする請求項１記載のＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜。 - （３）Ｓｉ基板温度を５００℃以下とし、ターゲットに
ＳｉＣを用い、Ａｒ、Ｘｅなどの不活性ガスを流しなが
ら反応圧力を１×１０＾−＾２Ｔｏｒｒ以上１×１０＾
−＾１Ｔｏｒｒ以下としてＳｉ基板上に請求項１または
２記載のＳｉＣ膜を形成することを特徴とするＸ線リソ
グラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315768A JPH02159716A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法 |
| US07/448,717 US5169440A (en) | 1988-12-14 | 1989-12-11 | Silicon carbide membrane for X-ray lithography and method for the preparation thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315768A JPH02159716A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159716A true JPH02159716A (ja) | 1990-06-19 |
| JPH0563097B2 JPH0563097B2 (ja) | 1993-09-09 |
Family
ID=18069313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63315768A Granted JPH02159716A (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜およびその成膜方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5169440A (ja) |
| JP (1) | JPH02159716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246802A (en) * | 1990-11-06 | 1993-09-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | X-ray permeable membrane for X-ray lithographic mask |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112728A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-05-01 | Philips Gloeilampenfab:Nv | Ｘ線リソグラフィーマスク用ＳｉＣのマスク支持体の製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU524439B2 (en) * | 1979-10-11 | 1982-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sputtered thin film thermistor |
| DE3307573A1 (de) * | 1982-03-04 | 1983-09-15 | Canon K.K., Tokyo | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
| JPS5946648A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | メンブレンの製造方法 |
| US4737379A (en) * | 1982-09-24 | 1988-04-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Plasma deposited coatings, and low temperature plasma method of making same |
| JPS59128281A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 炭化けい素被覆物の製造方法 |
| US4608326A (en) * | 1984-02-13 | 1986-08-26 | Hewlett-Packard Company | Silicon carbide film for X-ray masks and vacuum windows |
| US4604292A (en) * | 1985-04-26 | 1986-08-05 | Spire Corporation | X-ray mask blank process |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63315768A patent/JPH02159716A/ja active Granted
-
1989
- 1989-12-11 US US07/448,717 patent/US5169440A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01112728A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-05-01 | Philips Gloeilampenfab:Nv | Ｘ線リソグラフィーマスク用ＳｉＣのマスク支持体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5246802A (en) * | 1990-11-06 | 1993-09-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | X-ray permeable membrane for X-ray lithographic mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563097B2 (ja) | 1993-09-09 |
| US5169440A (en) | 1992-12-08 |
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