JPH02158939A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、記録磁界Ｈｂを変調せずに、光の強度変調だ
けでオーバーライ）　（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）が可能
な光磁気記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、高密度、大容量、高いアクセス速度、並びに高い
記録及び再生速度を含めた種々の要求を満足する光学的
記録再生方法、それに使用される記録装置、再生装置及
び記録媒体を開発しようとする努力が成されている。

広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁気記録再生方
法は、情報を記録した後、消去し、また新たな情報を記
録することが何度でも繰り返しできるというユニークな
利点のために、最も大きな魅力に満ちている。

この光磁気記録再生方法で使用される記録媒体は、記録
層として１層又は多層の垂直磁化膜（ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　１ａｙｅｒ　ｏｒ　１
ａｙｅｒｓ）を有する。この磁化膜は、例えばアモルフ
ァスのＧｄＦｅやＧｄ（：ｏ、　ＧｄＦｅＣｏ５ＴｂＦ
ｅ、　ＴｂＣｏ、　ＴｂＦｅＣｏなどからなる。記録層
は一船に同心円状又はらせん状のトラックを成しており
、このトランクの上に情報が記録される。ここで、本明
細書では、膜面に対し［上向き（ｕｐｗａｒｄ）　Ｊ又
は［下向き（ｄｏｗｎｗａｒｄ）　Ｊの何れか一方を、
「Ａ向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。記録すべ
き情報は、予め２値化されており、この情報が「Ａ向き
」の磁化を有するビット（Ｂ１）と、「逆Ａ向き」の磁
化を有するビット（１３ｏ）の２つの信号で記録される
。これらのビットＢｌ、ＢＯは、デジタル信号のｌ、Ｏ
の何れか一方と他方にそれぞれ相当する。しかし、一般
には記録されるトラックの磁化は、記録前に強力な外部
磁場を印加することによって「逆Ａ向き」に揃えられる
。この処理は初期化（ｉｎｉｔｉａｌｉｚｅ）と呼ばれ
る。その上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するピノ
）　（Ｂ、）を形成する。情報は、このビット（Ｂ１）
の有無及び／又はビット長によって記録される。

くＬ１形戒皇血理： ビットの形成に於いては、レーザーの特徴即ち空間的時
間的に素晴らしい凝集性（ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ）が有利
に使用され、レーザー光の波長によって決定される回折
限界とほとんど同じ位に小さいスポットにビームが絞り
込まれる。絞り込まれた光はトラック表面に照射され、
記録層に直径が１μｍ以下のビットを形成することによ
り情報が記録される。光学的記録においては、理論的に
約１０ｆｉビット／−までの記録密度を達成することが
できる。何故ならば、レーザビームはその波長とほとん
ど同じ位に小さい直径を有するスポットにまで凝縮（ｃ
ｏｎｃｅｎ　ｔｒａ　ｔｅ）することが出来るからであ
る。

第２図に示すように、光磁気記録においては、レーザー
ビーム（Ｌ）を記録層（１）の上に絞りこみ、それを加
熱する。その間、初期化された向きとは反対の向きの記
録磁界（Ｈｂ）を加熱された部分に外部から印加する。

そうすると局部的に加熱された部分の保磁力Ｈｃ（ｃｏ
ｅｒｓｉｖｉｔｙ）は減少し記録磁界（Ｈｂ）より小さ
くなる。その結果、その部分の磁化は、記録磁界（Ｈｂ
）の向きに並ぶ。こうして逆に磁化されたビットが形成
される。

フェロ磁性材料とフェリ磁性材料では、磁化及びＨｃの
温度依存性が異なる。フェロ磁性材料はキュリー点付近
で減少するＨｃを有し、この現象に基づいて記録が実行
される。従って、Ｔｃ書込み（キュリー点書込み）と引
用される。

他方、フェリ磁性材料はキュリー点より低い補償温度（
ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）
を有しており、そこでは磁化（Ｍ）はゼロになる。逆に
この温度付近でＨｃが非常に大きくなり、その温度から
外れるとＨｃが急激に低下する。この低下したＨｅは、
比較的弱い記録磁界（Ｈｂ）によって打ち負かされる。

つまり、記録が可能になる。この記録プロセスはＴ　ｅ
ａｍｓ、書込み（補償点書込み）と呼ばれる。

もっとも、キュリー点又はその近辺、及び補償温度の近
辺にこだわる必要はない。要するに、室温より高い所定
の温度に於いて、低下したＨｅを有する磁性材料に対し
、その低下したＨｅを打ち負かせる記録磁界（Ｈｂ　）
を印加すれば、記録は可能である。

再生皇胤理： 第３図は、光磁気効果に基づく情報再生の原理を示す。

光は、光路に垂直な平面上で全ての方向に通常は発散し
ている電磁場ベクトルを有する電磁波である。光が直線
偏光（Ｌ、）に変換され、そして記録層（１）に照射さ
れたとき、光はその表面で反射されるか又は記録層（１
）を透過する。

このとき、偏光面は磁化（Ｍ）の向きに従って回転する
。この回転する現象は、磁気カー（Ｋｅｒｒ）効果又は
磁気ファラデー（Ｆａｒａｄａｙ）効果と呼ばれる。

例えば、もし反射光の偏光面が「Ａ向き」磁化に対して
θに度回転するとすると、「逆Ａ向き」磁化に対しては
一θに度回転する。従って、光アナライザー（偏光子）
の軸を＝θに度傾けた面に垂直にセットしておくと、「
逆Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｏ）から反射された
光はアナライザーを透過することができない。それに対
して「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂｌ）から反射さ
れた光は、（ｓｉｎ２０ｋ）２を乗じた分がアナライザ
ーを透過し、ディテクター（光電変換手段）に捕獲され
る。その結果、「Ａ向き」に磁化されたビット（Ｂ１）
は［逆Ａ向きＪに磁化されたビット（Ｂｏ）よりも明る
く見え、ディテクターに於いて強い電気信号を発生させ
る。このディテクターがらの電気信号は、記録された情
報に従って変調されるので、情報が再生されるのである
。

ところで、記録ずみの媒体を再使用するには、（１）媒
体を再び初期化装置で初期化するか、又は（ｉｉ）記録
装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設するか、又
は（ｉｉｉ　）予め、前段処理として記録装置又は消去
装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。

従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報
の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオ
ーバーライト（ｏｖｅｒ　ｗｒｉｔｅ）は〜不可能とさ
れていた。

もっとも、もし記録磁界Ｈｂの向きを必要に応じて「Ａ
向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調することがで
きれば、オーバーライトが可能になる。しかしながら、
記録磁界ＨｂＯ向きを高速度で変調することは不可能で
ある。例えば、記録磁界Ｈｂが永久［ｆｉ石である場合
、磁石の向きを機械的に反転させる必要がある。しかし
、磁石の向きを高速で反転させることは、無理である。

記録磁界）ｉｂが電磁石である場合にも、大容盪の電流
の向きをそのように高速で変調することは不可能である
。

しかしながら、技術の進歩は著しく、記録磁界ＨｂをＯ
Ｎ、ＯＦＦせずに又は記録磁界Ｈｂの向きを変調せずに
、照射する光の強度だけを記録すべき２値化情報に従い
変調することにより、オーバーライトが可能な光磁気記
録方法と、それに使用されるオーバーライト可能な光磁
気記録媒体と、同じくそれに使用されるオーバーライト
可能な記録装置が発明され、特許出願された（特開昭６
２−１７５９４８号）。以下、この出願を「先々側」と
引用する。

〔先々側発明の説明〕

先々側発明の媒体は、垂直磁気異方性を有する第１層を
記録層とし、垂直磁気異方性を有する第２層を記録補助
層とする多層構造を有し、第１層の磁化はそのままに第
２層の磁化のみが記録の直前までに初期補助磁界器ｎｉ
、により、「Ａ向き」に揃られるものである。

そして、情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス
変調されたレーザービームが媒体に照射された場合、 （１）　　高レベルのビームによって、室温に戻っり状
態で言うと、第２層が「逆Ａ向き」の磁化、第１層が媒
体のタイプにより 「逆Ａ向き」−・＝Ｐタイプ 又は「Ａ向き」−・・・−一−−Ａタイプの磁化を有す
るビットが形成され、 （２）低レベルのビームによって、室温に戻った状態で
言うと、第２層が「Ａ向き」の磁化、第１層が媒体のタ
イプにより 「Ａ向き」−・・−一−−−ｐタイプ 又は［逆Ａ向きＪ　−−−−Ａタイプ の磁化を有するビットが形成される。

先々側発明のオーバーライトは、光だけを記録すべき情
報に応じて変調し、記録磁界は変調しない。磁界を高速
度で変調させることは困難である。

つまり、記録に使用するレーザービームは、記録すべき
情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと自
身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべき
２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手段
は既知の手段である。

例えば、ＴＨＥ　　ＢＥＬＬ　　ＳＹＳＴＥＭ　　ＴＥ
ＣＨＮＩＣＡＬＪＯＵＲＮＡＬ、Ｖｏｌ、６２（１９８
３）、　１９２３−１９３６に詳しく記載されている。

先々側発明のオーバーライトで特徴的なことの１つは、
使用する媒体にある。この媒体は、垂直磁気異方性を有
する第１層を記録層とし、垂直磁気異方性を有する第２
層を記録補助層とする多層構造を有し、第１層の磁化は
そのままに第２層の磁化のみが記録の直前までに初期補
助磁界器ｎｉ。

により、「Ａ向き」に揃られる特別な媒体である。

また、先々側発明のオーバーライトで特徴的なことの１
つは、ビーム強度の高レベルと低レベルである。情報に
従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調されたレー
ザービームが媒体に照射されたと仮定する。すると、 （１１高レベルのビームによって、媒体温度が高温ＴＨ
に上昇した状態では、第曹層、第２層共に磁化はほぼ又
は全く消失する。ビームの照射がなくなって、ＴＨｕＴ
ｃｔより少し下がった状態で、第２層に磁化が出現する
。

このとき、第２層の磁化の向きは、記録磁界Ｈｂに従わ
されて同じ向きとなる。従わされた第２層の磁化の向き
は、室温に戻ったとき、そのままの場合と、反転する場
合に２通りある。後者は、室温に戻る途中に補償温度Ｔ
ｃｏｅｐ、２が存在する場合である。

他方、第１層の磁化は、第２層に制御される。

その結果、室温で、第２層が「逆Ａ向き」の磁化、第１
層が媒体のタイプにより 「逆へ向きＪ　−Ｐタイプ。

又は「Ａ向きＪ　−−−Ａタイプ の磁化を有するビットが形成される。

＋２１　　他方、低レベルのビームによって、媒体温度
が低／ｇＬＴｔに上昇した状態では、第２層の磁化の向
きは、「Ａ向き」−初期化の向きの場合と、「逆Ａ向き
」の場合と２通りある。後者は、低温ＴＬに上昇する途
中に補償温度Ｔ　Ｃ０ｍ９＋　１が存在する場合である
。しかし、いずれにせよ、ＴＬで第２層には確かな磁化
が存在する。

そして、ビームの照射がなくなって、ＴＬ　％Ｔｃ＋よ
り少し下がった状態で、第１層に磁化が出現する。この
とき、第１層の磁化の向きは、記録磁界Ｈｂがプラスに
作用しようがマイナスに作用しようが、第２層に制御さ
れる。第２層は、界面磁壁エネルギーを介して第１層の
磁化の向きを制御する。

その結果、室温で、第２層が「Ａ向き」の磁化、第冨層
が媒体のタイプにより 「Ａ向き」−・〜・−Ｐタイプ 又は「逆Ａ向きＪ　−−ｍ−−−Ａタイプの磁化を有す
るビットが形成される。

ビームは１本ではなく、「近接した２本のビーム」とし
、先行ビームを低レベルで点灯して原則として変調せず
、それにより常に逆Ａ向き〔又はＡ向き」〕のビピッを
形成し、□つまり、これで前の情報が消去される□次い
で、後行ビームを高レベルと前記低レベルと同等又はそ
れよりも低い基底レベル（ゼロレベルを含む）との間で
情報に従いパルス変調することにより、高しヘルのとき
にのみＡ向き〔又は逆Ａ向き」〕のビピッを形成し、こ
れにより記録することをしてもよい。

ビーム強度 情報信号の例　　　１１１００１１１１０００いずれに
せよ、必要な高レベルと低レベルと場合により基底レベ
ルが与えられれば、前述の文献等に記載された変調手段
を部分的に修正するだけで、ビーム強度を上記の如く変
調することは、当業者にとって容易である。

尚、ここでは、「Ａ向き」は、磁性層に対して上向き又
は下向きの何れか−・方を意味し、他方は「逆Ａ向き」
と称される。

また、ここでは、ΩΩＯ」又基ＡＡΔＬという表現は、
先に〔〕の外のＯＯＯを読んだときには、以下のΩΩΩ
ｐ）のときにも、 〔〕の外のＯＯＯを読むことにする。それに対して先に
○○○を読まずに〔〕内の△△△の方を選択して読んだ
ときには、以下のＯΩΩ（又珪ＡムＡ〕のときにもＯＯ
Ｏを読まずに〔〕内の△△Δを読むものとする。

オーバーライト可能な媒体は、第１実施態様と第２実施
態様とに大別される。いずれの実施態様においても、そ
の断面構造を模式的に示すと、次の通りである。に分け
られる。

第１層は、室温で保磁力が高く磁化反転温度が低い記録
層である。第２層は第１層に比べ相対的に室温で保磁力
が低く磁化反転温度が高い記録補助層である。いずれも
垂直磁化膜からなる。なお、第置層と第２層ともに、そ
れ自体多層Ｂｔｌから構成されていてもよい。

第１実施態様では、第１層の保磁力をＩ−１、い第２層
のそれをＨｏ、第１層のキュリー点を］゛。い第２層の
それをＴｅ３、室温をＴＲ１低レヘルのレーザービーム
を照射した時の記録媒体の温度をＴｔ、高レベルのレー
ザービームを照射した時のそれをＴＨ５第１層が受ける
結合磁界をＨ９い第２層が受ける結合もｎ界を）Ｉｏｚ
とした場合、記録媒体は、下記の式ｌを満足し、そして
室温で式２〜５を満足する。

ＴＲ＜Ｔｃ＋４ＴＬ＜Ｔｃｘ＃ＴＩＩ−−−−−−式Ｉ
Ｈｃ＋　＞　Ｈｃｚ　＋　ＩＨｏｔ　＋　ＨＤ！＋−−
−−−−−−一弐２Ｈｃ　ｌ＞　Ｈｏ　１−−−−一−
−”””””’−”−””’−’−”’−−−−−’−
’−式３ＨＣ！　＞　Ｈｌｌ＋２　’−”−’−”−’
−”’−−”’−”−”’−−−””−式４Ｈｃｆｆ＋
Ｈ６ｚ＜　１）１ｉｎｉ、　Ｉ＜）（ＣＩ＋：）（ＤＩ
”−’−”式５上記式中、符号「ｚ」は、等しいか又は
ほぼ等しいことを表す。また上記式中、複合力、；につ
いては、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅ
ｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ（ｐ
ａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。なお、フ
ェロ磁性体媒体はＰタイプに属する。

つまり、保磁力と温度との関係をグラフで表すと、次の
如くなる。細線は第１層のそれを、太線は第２層のそれ
を表す。

ＴＬＴ、ｌ 従って、この記録媒体に室温で初期補助磁界（ｌｌｉｎ
ｉ、）を印加すると、式５によれば、第１層の磁化の向
きは反転（ｒｅｖｅｒｓｅ）せずに、第２層の磁化のみ
が反転する。そこで、記録前に媒体に初期補助磁界（Ｈ
４ｎ＋、）を印加すると、第２層のみを「Ａ向き」−一
ここでは「Ａ向き」を便宜的に本明細書紙面において上
向きの矢？で示し、「逆Ａ向き」を下向きの矢ａで示す
□に磁化させることができる。そして、ＩＩ　ｉ　ｎ　
ｉ　、がゼロになっても、弐４により、第２層の磁化官
は再反転せずにそのまま保持される。

初期補助磁界（旧ｎｉ、）により第２層のみが、記録直
前まで「Ａ向き」？に磁化されている状態を概念的に表
すと、次のようになる。

ここで、第１層における磁化の向き０は、それまでに記
録されていた情報を表わす。以下の説明においては、向
きに関係がないので、以下Ｘで示す。そして、上記の表
を簡単のために、次のように表す。

ここにおいて、高レベルのレーザービームを照射して媒
体温度をＴイに上昇させる。すると、Ｔ、はキュリー点
ＴＣＩより高温度なので第１層の磁化は消失してしまう
。更にＴＨはキュリー点ＴＣ１付近なので第２膚の磁化
も全く又はほぼ消失する。ここで、媒体の種類に応じて
「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の記録磁界（Ｈｂ）を印加
する。記録磁界（Ｈｂ）は、媒体自身からの浮遊磁界で
もよい。説明を面単にするために「逆Ａ向き」の記録磁
界（Ｈｂ）を印加したとする。媒体は移動しているので
、照射された部分は、レーザービームがら直ぐに遠ざか
り、空気で冷却される。Ｈｂの存在下で、媒体の温度が
低下すると、第２層の磁化は、Ｈｂに従い、反転されて
「逆Ａ向き」の磁化となる（状態２Ｎ＞。

そして、さらに放冷が進み、媒体温度がＴＣＩより少し
下がると、再び第１層の磁化が現れる。その場合、磁気
的結合（交換結合）力のために、第１層の磁化の向きは
、第２層の磁化の向きの影響を受ける。その結果、媒体
に応じて８　（Ｐタイプの媒体の場合）又は？　（Ａタ
イプの媒体の場合）が生じる。

この欣毀１．は、その後媒体の温度が室温まで低下する
間に、途中に補償温度Ｔ　ｃｏａｔ、があるか否かで、
そのままであったり、再反転したりする。

その結果、次の秋胆土、に変わることもある。

この高レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では高温サイクルと呼ぶことにする。

次に、低レベルのレーザービームを照射して媒体温度を
ＴＬに上昇させる。ＴＬはキュリー点Ｔ、１付近なので
第１層の磁化は全（又はほぼ消失してしまうが、キュリ
ー点Ｔ’ｃｚよりは低温であるので第２層の磁化は消失
しない。

ここでは、記録磁界（Ｈｂ）は、不要であるが、高速度
（短時間）でＨｂをＯＮ、　ＯＦＦすることは不可能で
ある。従って、止むを得ず高温サイクルのときのままに
なっている。

しかし、）Ｉｃｚはまだ大きいままなので、Ｈｂによっ
て第２層の磁化が反転することはない。媒体は移動して
いるので、照射された部分は、レーザービームから直ぐ
に遠ざかり、空気で冷却される。冷却が進むと、再び第
鵞層の磁化が現れる。

現れる磁化の向きは、磁気的結合力のために第２層の磁
化の向きの影響を受ける。その結果、媒体によって？　
（Ｐタイプの場合）又は８　（Ａタイプの場合）の磁化
が出現する。

この秋胆ユ、は、その後媒体の温度が室温まで低下する
間に、途中に補償温度Ｔ　ｃｏ＋ｍｐ、があるか否かで
、そのままであったり、再反転したりする。

その結果、次の状皿土、に変わることもある。

この低レベルのレーザービームによる状態の変化をここ
では低温サイクルと呼ぶことにする。

以上、説明したように、第１層の磁化の向きがどうであ
れ、高温サイクルと低温サイクルとによって、互いに反
対向きの磁化？又は８を有するビットが形成される。つ
まり、レーザービームを情報に従い高レベル（高温サイ
クル）と低レベル（低温サイクル）との間でパルス状に
変調することによりオーバーライトが可能となる。

凡久工１娠体■墳金 又は　　　　　　　　　　又は Ａ　イブ　の６人 又は　　　　　　　　　　又は なお、記録媒体は一般にディスク状であり、記録時、媒
体は回転される。そのため、記録された部分（ビット）
は、１回転する間に再び旧ｎ＋、の作用を受け、その結
果、第２層の磁化は元の「Ａ向き」？に揃えられる。し
かし、室温では、第２層の磁化の影響が第１層に及ぶこ
とはなく、そのため記録された情報は保持される。

そこで、第１Ｊｉに直線偏光を照射すれば、その反射光
には情報が含まれているので、従来の光磁気記録媒体と
同様に情報が再生される。

このような第１層及び第２Ｎを構成する垂直磁化膜は、
■補償温度を有せずキュリー点を有するフェロ磁性体及
びフェリ磁性体、並びに■補償温度、キュリー点の双方
を有するフェリ磁性体の非晶質或いは結晶質からなる群
から選択される。

以上の説明は、キュリー点を利用した第１実施態様の説
明である。それに対して第２実施態様は室温より高い所
定の温度に於いて低下したＨｃをを利用するものである
。第２実施態様は、第１実施態様に於けるＴｅｌの代わ
りに第１層が第２層に磁気結合される温度Ｔ’ｓ＋を使
用し、ＴＣｇの代わりに第２層がＨｂで反転する温度Ｔ
ｓｔを使用すれば、第１実施態様と同様に説明される。

第２実施態様では、第１層の保磁力を）（ｃ＋、第２層
のそれを１（ｅｘ、第１層が第２Ｎに磁気的に結合され
る温度をＴ□とし、第２層の磁化がＨｂで反転する温度
をＴＳ！、室温をＴ、ｌ、低レベルのレーザービームを
照射した時の媒体の温度をＴＬｏ、高レベルのレーザー
ビームを照射した時のそれをＴＨ１第１層が受ける結合
磁界をＩ（Ｄい第２層が受ける結合磁界をＨＤｚとした
場合、記録媒体は、下記式６を満足し、かつ室温で式７
〜１０を満足するものである。

Ｔ　寓＜　Ｔ　＠　＋　漫Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　＠　ｚ　郊
Ｔ　Ｍ　””−’−’−’−’−”式６Ｈｃ＋　＞　Ｈ
ｅｗ　＋　ｌ　Ｈ＋＋＋　＋　Ｈｏｗｌ　−−−−−−
−−−一・−−ｍ−・・−式７ＨＣＩ　＞　ＨＤ　＋　
　−−−−−−−”−””””’−’−−−−−”’・
−・式８ＨＣ！　＞　ＨＤ　ｆｆｉ　’−’−−”””
’−”””’−”’−−−−−−”’−−””’−式９
ＨＣ！　＋　Ｈｏｔ＜　１Ｈ４ｎｉ、　Ｉ＜　Ｈ（１±
）Ｉ　ｏ　ｒ”’−’−式１０上記式中、複合上、＋：
については、上段が後述するＡ　（ａｎｔｉｐａｒａｌ
ｌｅｌ）タイプの媒体の場合であり、下段は後述するＰ
　（ｐａｒａｌｌｅｌ）タイプの媒体の場合である。

第１、第２実施態様ともに、第１層、第２層の双方が遷
移金属（例えばＦ　ｅ　＋　Ｇ　ｏ　）−重希土類金属
（例えばＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙその他）合金組成から選択さ
れた非晶質フェリ磁性体である記録媒体が好ましい。

第１層と第２層の双方とも、遷移金属 （ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ　　ｍｅｔａｌ）　−重希土類
金属（ｈｅａｖｙｒａｒｅ　　ｅａｒｔｈ　　ｍｅｔａ
ｌ）合金組成から選択された場合には、各合金としての
外部に現れる磁化の向き及び大きさは、合金内部の遷移
金属原子（以下、ＴＭと略す）のスピン（ｓｐｉｎ）の
向き及び大きさと重希土類金属原子（以下、ＲＥと略す
）のスピンの向き及び大きさとの関係で決まる。例えば
ＴＭのスピンの向き及び大きさを点線のヘクトルτで表
わし、ＲＥのスピンのそれを実線のへクトル↑で表し、
合金全体の磁化の向き及び大きさを二重実線のヘクトル
官で表す。このとき、ベクトル？はベクトル↑とベクト
ルＴとの和として表わされる。ただし、合金の中では７
ＭスピンとＲＥスピンとの相互作用のためにベクトル↑
とベクトル↑とは、向きが必ず逆になっている。従って
、↓と↑との和或いは１と↑との和は、両者の強度が等
しいとき、合金のベクトルはゼロ（つまり、外部に現れ
る磁化の大きさはゼロ）になる。このゼロになるときの
合金組成は補償組成（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎｃｏｍ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ　）　と呼ばれる。それ以外の組成の
ときには、合金は両スピンの強度差に等しい強度を存し
、いずれか大きい方のベクトルの向きに等しい向きを有
するベクトル（官又は８）を有する。

このベクトルの磁化が外部に現れる。例えば↑。は？と
なり、ｆ↓は番となる。

ある合金組成の７ＭスピンとＲＥスピンの各ベクトルの
強度が、どちらか一方が大きいとき、その合金組成は、
強度の大きい方のスピン名をとって○○リッチ例えばＲ
Ｅリッチであると呼ばれる。

第１層と第２層の両方について、ＴＭリッチな組成とＲ
Ｅリンチな組成とに分けられる。従って、縦軸座標に第
１層の組成を横軸座標に第２層の組成をとると、媒体全
体としては、種類を次の４象限に分類することができる
。先に述べたＰタイプはＩ象限と■象限に属するもので
あり、Ａタイプは■象限と■象限に属するものである。

ＲＥリッチ（第１１） ↓ ＴＭリンチ（第１層） 〔縦横座標の交点は、両層の補償組成を表す。〕一方、
温度変化に対する保磁力の変化を見ると、キュリー点（
保磁力ゼロの温度）に達する前に保磁力が一旦無限大に
増加してまた降下すると言う特性を持つ合金組成がある
。この無限大のときに相当する温度は補償温度（Ｔｃ、
、、、　）と呼ばれる。

補償温度は、ＴＭリンチの合金組成においては、−室温
からキュリー点の間には存在しない。室温より下にある
補償温度は、光磁気記録においては無意味であるので、
この明細書で補償温度とは室温からキュリー点の間に存
在するものを言うことにする。

第１層と第２層の補償温度の有無について分類すると、
媒体は４つのタイプに分類される。第■象限の媒体は、
４つ全部のタイプが含まれる。４つのタイプについて、
「保磁力と温度との関係を表すグラフ」を書くと、次の
通りになる。なお、細線は第１層のそれであり、太線は
第２層のそれである。

り〕二４上 保磁力 保磁力 タＡ二乙■ 保磁力 保磁力 ここで、第１層と第２層の両方についてＲＥリッチか７
Ｍリッチかで分け、かつ補償温度を持つか持たないかで
分けると、記録媒体は次の９クラスに分類される。

第１表 第　１　表　　（続き） 〔先願発明の説明〕 しかしながら、先々願の明細書に具体的に開示された媒
体では、記録感度を低下させずに、Ｃ／Ｎ比の高いオー
バーライト可能な光磁気記録媒体を得ることは困難であ
るという問題点があった。

そこで、記録感度を低下させることなく、Ｃ７Ｎ比の大
きいオーバーライト可能な光磁気記録媒体を提供する発
明が成され、昭和６３年４月２８日付けで特許用ＩＩＩ
　（特願昭６３−１０５８３３号）された。この出願を
以下、「先願」と引用する。

先々願に具体的に開示された媒体と先願発明の媒体との
大きな相違点は、低温サイクルにある。

前者では、低温ＴＬのとき、第１層の磁化は全く又はほ
ぼ消失している。そして、媒体がビームと相対的に移動
することにより、媒体がビームのスボソＤＩ域から外れ
ると、媒体は冷え始める。

媒体温度が第１層のキュリー点ＴＣ＋より少し下がると
、第１層に磁化が出現する。このとき、第２層の磁化が
界面磁壁エネルギーσ、を通じて第１層に影響を及ぼす
。その結果、第１層には、第２層に対し安定な向きの磁
化が出現する。つまり、その温度での媒体のタイプに応
じて、パラレルな向き又はアンチパラレルな向きに磁化
が出現する。

出現した第１層の磁化の向きは、記録磁界Ｈｂがプラス
に作用してもマイナスに作用しても保持される。

それに対して、後者では、低温Ｔ、のとき、第１層には
弱い磁化が残存している。しかし、そのとき、第１層の
保磁力Ｈｃ＋と、記録磁界Ｈｂと、第２層から界面磁壁
エネルギーσ１を通じて第１層に影響を及ぼす磁界： σ− ２Ｍ５＋ｊ＋ の３者の関係が特別な関係となる。この特別な関係は、
記録磁界Ｈｂがプラスに作用しようがマイナスに作用し
ようが、それに構わずに、第２層の磁化が、第１層の磁
化の向きを第２層との間に磁壁を作らない向き（つまり
、安定な向き）に従わせることを意味する。即ち、第１
層の磁化は、その温度での媒体のタイプに応じて、第２
層に対してパラレルな向き又はアンチパラレルな向きに
強制される。

その後、前者、後者ともに、媒体は更に冷えて室温に戻
る。室温に戻る途中で補償温度Ｔ　Ｃｏ□。

を通過したときには、第１層、第２層共に、磁化の向き
が反転する。

しかし、結局のところ、低温サイクルで形成されたビッ
トは、室温では、次の磁化を有する。つまり、このビッ
トは、第２層が旧ｎｉ、で初期化された「Ａ向き」の磁
化を持ち、第１層が媒体のタイプに応じて「Ａ向き」又
は「逆Ａ向き」の磁化を持つ。

〔発明が解決しようとする課題〕

いずれにせよ、先々願明細書に具体的に開示された媒体
及び先願発明の媒体は、第１層（記録層）にＴｂＦｅＣ
ｏを用いている為に、２層間の交換結合力が大きくなっ
てしまい、その結果、第２層（記録補助層）の初期化状
態を安定にするには第２層の膜厚１ｔを大きくしなけれ
ばならず、製造コストが大きくなり、また媒体の記録感
度が低下するという問題があった。

つまり、第２層に用いる合金組成は、初期化磁界器ｎｉ
、を小さくする必要から保磁力■４．！を小さくしなけ
ればならず、　飽和磁気モーメントＭｓと保磁力Ｈ６と
の積が小さいので、交換結合力σ□が大きい場合、オー
バーライトの１つの条件である式： ％式％ を満足させるためには、どうしても第２層の膜厚１ｔを
厚くしなければならない、そのため、媒体温度を所定の
低温ＴＬ又は高温ＴＨに上昇させるためのレーザービー
ムの強度を高くしなければならないことが判明した。

本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
のであり、第２層の膜厚を減少させること番目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕 上記問題点の解決の為に、２層間の交換結合力の比較的
小さな合金組成について、長い間鋭意研究した結果、本
発明者は、ついに、ＤｙＦｅＣｏ合金又はＴｂＤｙＰｅ
Ｃｏ合金がそのような合金組成であることを見出した。

従って、本発明は、 垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直磁気
異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造を有
し、 層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、 第１層の磁化はそのままに第２層の磁化のみが記録の直
前までに初期補助磁界Ｈｉｎｉ．により「Ａ向き」に揃
えられ、 情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
たレーザービームが媒体に照射された場合、そのビーム
が、 （１）　　高レベルにあるとき、媒体温度は高温Ｔ９に
上昇し、その温度状態で、変調されない記録磁界Ｈｂが
作用するか、又はビームの照射がなくなって室温に低下
する過程で、変調されない記録磁界Ｈｂが作用すること
により、 結果として、室温で、第２層が「逆Ａ向き」磁化、第１
層が媒体のタイプにより「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向
き」磁化〕を有するビットが形成され、 （２）低レベルにあるとき、媒体温度は低温ＴＬに上昇
し、その温度状態では、 （２−１）少なくとも第２層の磁化は残存しており、そ
の温度状態で、変調されない記録磁界Ｈｂがプラスに（
パラレルな向きに）作用してもマイナスに（アンチパラ
レルな向きに）作用しても、第２層の残存磁化が作用す
るか、又は （２−２）ビームの照射がなくなって室温に低下する過
程で、変調されない記録磁界Ｈｂがプラスに作用しても
マイナスに作用しても、第２層の残存磁化が作用するこ
とにより、 結果として、室温で、第２層が「Ａ向き」磁化、第１層
が媒体のタイプにより「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き
」磁化〕を有するビットが形成される方式により、 レーザービームの変調だけでオーバーライトが可能な光
磁気記録媒体において、 少なくとも第１層を、ＤｙＦｅＣｏ又はＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ　　からなる合金組成から選択したことを特徴とする
オーバーライト可能な光磁気記録媒体 を提供する。

〔作用〕

本発明で、特に、ＤｙＦｅＣｏ合金又はＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ合金のうち、各成分の割合は、次のものが好ましい。

すなわち、 （Ｔｂ、＋　　ロＶ＋ｏｅ−ｕ　　）　　ｖ　　（Ｆｅ
＋ｏ＊−ｗｃＯｗ　　Ｌｏ。−ｖ（但し、０原子％≦Ｕ
く６０原子％ １０原子％＜Ｖ＜３０原子％ ５原子％＜Ｗ＜４０原子％　） である。割合を限定した理由は、次の通りである。

Ｕが６０原子％を越えると、２Ｎ間の交換結合力σ０が
大きくなってしまうからであり、■が１０〜３０原子％
を外れると、第１層の保磁力）１ｃｚが小さくなって記
録マークの安定性が劣化するからであり、 Ｗが５原子％より少ないと、キュリー点が低すぎて、環
境温度に対する読み出しレーザパワーマージンが小さく
なってしまい、また４０原子％より多いと、キュリー点
ＴＣ１が高くなり過ぎて、レプロセスが不安定となり、
オーバーライト特性が悪くなるからである。

本発明の媒体における第１層と第２層との温度特性の関
係は、次の３通りある。

（ｉ）　　Ｔ鳳＜Ｔｃ＋２＃Ｔｔ　＜ＴＣ２ｚＴＨ（ｉ
ｉ　）　　ＴＨ＜　ＴＬ　＜　ＴＣＩ　＜　”ｒ＋≦Ｔ
０（ｉｉｉ）　　ＴＩ　＜ＴＬ　＜Ｔｌｌ≦Ｔｃ１≦Ｔ
ＣＺ但し、 Ｔ、、；室温 Ｔｅｌ　：第１層のキュリー点 Ｔｃ！：第２層のキュリー点 ＴＬ　：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
媒体の温度 ＴＨｚ高レベルのレーザービームを照射した時の記録媒
体の温度 （ｉ）の媒体は、低温サイクルで、低温Ｔ、に加熱され
たとき、第１層の磁化は、はぼ又は全く消失している。

他方、第２層の磁化は、残有する。

つまり、低温サイクルは、先々側明細書に具体的に開示
された媒体の低温サイクルと同じである。

（１１）、（ｉｉｉ　）の媒体は、低温サイクルで、低
ｉｉＩ　Ｔ　Ｌに加熱されたとき、第１層、第２層共に
磁化は残存している。従って、低温サイクルは、先願発
明の低温サイクルと同じである。

結局、（ｉ）〜（ｉｉｉ　）のいずれの媒体も、低温サ
イクルにより、室温で次の磁化を持つビットが形成され
る。つまり、このビットは、第２層が旧ｎｉ、で初期化
された「Ａ向き」の磁化を持ち、第１層が媒体のタイプ
に応じて、「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」の磁化を持つ。

一方、高温サイクルは次の通りである。

（ｉ）の媒体は、高温サクイルで高温ＴＨに加熱された
とき、第１層の磁化は完全に消失しており、他方第２層
の磁化は又は全く消失している。

そして、媒体がビームと相対的に移動することによりビ
ームのスポット領域から外れると、媒体は冷え始める。

媒体がＴｃ２から少し下がったところで、第２層に磁化
が出現する。このとき、第２層の磁化の向きは記録磁界
Ｈｂに従わされて、同じ向きとなる。このとき第１層の
磁化は、まだ消失したままである。

媒体は更に冷え続ける。その過程で、補償温度Ｔ（６ｍ
Ｂ＋１を通過した場合には、先に出現した第２層の磁化
は、反転する。

媒体温度がＴＣＩより少し下がると、第１層に磁化が出
現する。このとき、第２層の磁化が界面磁壁エネルギー
を介して影響を与える。その結果、第１層には、第２層
との間に磁壁を作らない安定な向きの磁化が出現する。

つまり、その温度での媒体のタイプに応じて第２層のそ
れとパラレル又はアンチパラレルの向きに磁化が第１Ｎ
に出現する。

出現した第１層の磁化は、記録磁界Ｈｂがプラスに作用
しようがマイナスに作用しようが、そのまま保持される
。

媒体は更に冷え続け、やがて室温に到達する。

その過程で、補償温度Ｔ　ｃｏｍｐ−を通過した場合に
は、第１層又は第２層の磁化は、反転する。

その結果、結局のところ、高温サイクルで形成されたビ
ットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層が旧ｎｉ、で初期化され
た「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、第１層が媒体
のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は「Ａ向き」の磁化を
持つ。

（１１）の媒体は、高温サイクルで高温Ｔ、に加熱さた
とき第１層の磁化は、完全に消失している。

しかし、第２層の磁化は、（ｉｉ−１）明確に弱い磁化
が残存しているものと、（ｉｉ−２）はぼ又は全く消失
しているものと２通りに分けられる。

（ｉｉ−１）の媒体は、次のような高温サイクルを示す
。高温での保磁力は弱いので、第２層の磁化の向きは、
記録磁界Ｈｂに従わされて同じ向きとなる。このとき第
１層の磁化は、まだ消失したままである。

そして、媒体がビームと相対的に移動することによりビ
ームのスポット領域から外れると、媒体は冷え始める。

媒体温度が室温へと低下する過程で、補償温度Ｔ　Ｃ１
１＆　ｅＨＺを通過した場合には、先に従わされた第２
層の磁化は、反転する。

媒体温度がＴｅｌより少し下がると、第１層に磁化が出
現する。この後、（１）の媒体と同じ低温サイクルが生
じる。

その結果、結局のところ、高温サイクルで形成されたビ
ットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層が旧ｎｉ、で初期化され
た「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、第１層が媒体
のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は「Ａ向き」の磁化を
持つ。

（ｉｉ−２）の媒体は、い→と同じ高温サイクルを示す
。

（ｉｉｉ　）の媒体は、高温サイクルでＴ□に加熱され
たとき、（ｉｉｉ−１）第１層、第２層共に弱い磁化が
明確に残存しているものと、（ｉｉｉ−２）第１層の６
ｎ化はほぼ又は全く消失しているが、第２１Ｈには弱い
磁化が明確に残有するものと、（ｉｉｉ−３）第１層、
第２層共に磁化がほぼ又は全く消失しているもの３通り
に分けられる。

（ｉｉｉ−１）の媒体は、次の高温サイクルを示す。

高温Ｔ　ｓでは、第１層、第２層に残有する磁化は、相
当に弱いので、記録磁界Ｈｂに従わされて同じ向きとな
る。

そして、媒体がビームと相対的に移動することによりビ
ームのスポット領域から外れると、媒体は冷え始める。

冷えるに従い、第２層の磁化Ｈｃｉは、第１層のそれに
比べ相対的に大きく増大する。そのため、第２層の磁化
が界面磁壁エネルギーを介して第１層の磁化の向きを制
御するようになる。即ち、低温サイクルと同じことが生
じる。

制御された第１層の磁化は、記録磁界Ｈｂがプラスに作
用しようがマイナスに作用しようが、そのまま保持され
る。

媒体温度は更に室温へと低下する。その過程で、補償温
度Ｔ　ｃｏｗｒｐ、１を通過した場合には、先にＨｂに
従わされた第２層の磁化及び第２層に制御された第１層
の磁化は、反転する。

しかし、結局のところ、この高温サイクルで形成された
ビットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層が旧ｎｉ、で初期化され
た「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、第１層が媒体
のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は「Ａ向き」の磁化を
持つ。

（１ｉｉ−２）の媒体は、次の高温サイクルを示す。

高温ＴＮでは、第２層に残有する磁化は、相当に弱いの
で、記録磁界Ｈｂに従わされて同じ向きとなる。このと
き、第１層の磁化は、消失したままである。

そして、媒体がビームと相対的に移動することによりビ
ームのスポット領域から外れると、媒体は冷え始める。

媒体温度がＴｃ１より少し下がると、第１層に磁化が出
現する。このとき、第２層の磁化は、界面磁壁エネルギ
ーを介して第１層に影響を与える。

そのため、第１層の磁化は、第２１ｍとの間に磁壁を作
らない安定な向きに出現する。向きを制御する。つまり
、第１層の磁化は、その温度での媒体のタイプ（Ｐ又は
Ａタイプ）に応じて、第２層のそれとパラレル又はアン
チパラレルの向きとなる。

出現した第１層の磁化は、記録磁界Ｈｂがプラスに作用
しようがマイナスに作用しようが、そのまま保持される
。

この後、媒体は更に冷えて室温に戻る。その過程で、補
償温度Ｔｃｏ＊ｐ、Ｚを通過した場合には、先にＨｂに
従わされた第２層の磁化及び出現した第１層の磁化は、
反転する。

しかし、結局のところ、この高温サイクルで形成された
ビットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層が１ｌｉｎｉ、で初期化
された「Ａ向き」とは反対向きの磁化を持ち、第１層が
媒体のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は「Ａ向き」の磁
化を持つ。

（ｉｉｉ−３）の媒体は、次の高温サイクルを示す。

高温ＴＨでは、第１層、第２層共に磁化がほぼ又は全く
消失している。

媒体がビームと相対的に移動することによりビームのス
ボッＨａｔ域から外れると、媒体は冷え始める。

媒体温度がＴ、いＴｃ！より少し下がると、第１層、第
２層に磁化が出現する。このとき、第１Ｎ、第２層の磁
化の向きは記録磁界Ｈｂに従わされて、同じ向きとなる
。

そして、媒体は更に冷える。冷えるに従い、第２層の磁
化ＨＣ２は、第１層のそれに比べ相対的に大きく増大す
る。そのため、第２層の磁化が界面磁壁エネルギーを介
して第１層の磁化の向きを制御するようになる。即ち、
低温サイクルと同じことが生しる。

制１ｆ（１）された第１層の磁化は、記録磁界Ｈｂがプ
ラスに作用しようがマイナスに作用しようが、そのまま
保持される。

媒体温度は更に低下して室温に至る。その過程で、補償
温度Ｔ　ｃｏ。、２を通過した場合には、先にＨｂに従
わされた第２層の磁化及び第２層に制御された第１層の
磁化は、反転する。

しかし、結局のところ、この高温サイクルで形成された
ビットは、室温では、次の磁化を有する。

つまり、このビットは、第２層が旧ｎｉ、で初期化され
た［Ａ向きＪとは反対向きの磁化を持ち、第１層が媒体
のタイプに応じて「逆Ａ向き」又は［Ａ向きＪの磁化を
持つ。

このように記録磁界Ｈｂを情報に応じて変調させること
はせずに、レーザービームの強度のみを情報に応じて変
調させるオーバーライト方式を可能にする合金組成は、
更に室温で下記４条件：Ｈｃ＋　＞　Ｈｃｚ　＋　ｌＨ
＋＋＋　＋　ＨｏｚｌＨＣｌ〉ＨＤＩ ＨＣ２＞ＨＯ２ Ｈｃｚ＋　Ｈｏｔ＜　　１Ｈｉｎｉ、　　ｌ　　＜　Ｈ
（１ｆ　ＨＤＩを満足する。

ただし、 ）（Ｃ１：第１層の保磁力 Ｈ（ｚ：第２層の保磁力 Ｈｏｔ：第１層が受ける結合磁界 Ｈｏｇ：第２層が受ける結合磁界 Ｈｉｎｉ、　　：初期補助磁界 ここで第１表に示したクラス１の記録媒体（Ｐタイプ・
Ｉ象限・タイプ１）に属する媒体Ｎｌｌを例にとり、本
発明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体階曹は、次式１１： ％式％ 及び式１１の２　Ｆ　Ｔ　ｃａｓｔ、　ｚ　　＜　Ｔ　
ｃ　＋の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以
下の説明は、ＴＨ＜Ｔｃ＋＜Ｔｅｘの関係を有するもの
について説明する。Ｔｃｏａｐ、２は、Ｔｔよりも高く
とも、等しくとも、低くともよいが、説明を簡単にする
目的から、以下の説明では、 Ｔ　Ｌ　＜　Ｔ　ｃａｍｐ、　ｚとする。以上の関係を
グラフで示すと、次の如くなる。なお、細線は第１層の
グラフを示し、太線は第２層のグラフを示す。

保磁力 ＴＲＩ　　　ＴＬｔ　　ＴｓＴｃ＋ＴｃｔＴ　ｅｌｌ１
１？＋　Ｉ　　　Ｔ　ｅｌｌ＠１１．　を室温Ｔ、で第
１層（記録層）の磁界が初期補助磁界旧ｎｉ、により反
転せずに第２層のみが反転する条件は、式１２である。

この媒体魚１は式１２を満足する。

式１２： ％式％ 但し、Ｈ６１：第１層の保磁力 ＨＣ２：第２層の保磁力 Ｍ、１：第１層の飽和磁気モーメント （ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ　　＋＊ａｇｎｅｔｉｚａｔｉ
ｏｎ）Ｍｏ：第２層の飽和磁気モーメント ｔ１　：第１層の膜厚 Ｌ２　：第２層の膜厚 ４ｗ　：界面磁壁エネルギー （ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　　ｗａｌｌ　　ｅｎｅｒｇｙ）
このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式１５で示される。

Ｈｉｎｉ、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面
磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第
１層、第２層の磁化が反転せずに保持される条件は、式
１３〜１４で示される。この媒体隘１は式１３〜１４を
満足する。

式１３：　　Ｈｃ＋　＞□ ２　Ｍ、、　ｔ　。

式１４：　　Ｈｃｚ　＞□ ＭＨｔｌ 室温で式１２〜１４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに次式１５：％式％ を満足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？（↑。）
に揃えられる。このとき、第１層は前の記録状態のまま
で残る（状態１ａ又は１ｂ）。

〔「逆Ａ向き」ビット〕　　　〔「Ａ向き」ビット〕＊
　□　は磁壁を示す（以下、同様）。

この状態１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、記録磁界Ｈｂは、一般の磁界がそうであるように
、レーザービームの照射領域（スポット領域）と同一の
範囲に絞ることは難しい。媒体がディスク状の場合、−
旦記録された情報（ピノ日は、１回転した場合、途中で
旧ｎｉ、の影響を受け、再び状ｂｌａ、ｌｂとなる。そ
して、次に、そのビットは、レーザービームの照射領域
（スポット領域）に近いところを通過する。このとき、
状態ｌａ、ｌｂのビットは、記録磁界Ｈｂ印加手段に近
づくのでその影響を受ける。この場合、Ｈｂと反対向き
の磁化を有する状ＦＬｉ　１　ａのビットの第１層の磁
化の向きがＨｂによって反転させられたとすると、１回
転前に記録されたばかりの情報が消失することになる。

そうなってはならない条件は、σ− 次式１５の２　：　ＨＣＩ＞Ｈｂ　＋　−２Ｍ３．　ｔ
　。

で示され、ディスク状媒体は、室温でこの条件式を満足
させる必要がある。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの
条件は、式１５の２で示される。

さて、状Ｂｌａ、ｌｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

□　低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
、。１，１以上に上昇する。そうすると、Ｐタイプから
Ａタイプに移行する。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ各ス
スピン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転する
。その結果、第１層の磁化が反転する（状態１ａ−状態
２Ｌｓ、状１１１ｉｉ１ｂ　−状態２い）。

レーザービームの照射が続いて、媒体温度は、やがてＴ
Ｌになる。すると、 Ｈｃ＋＋Ｈｌ）　＜　− ２Ｍ５＋ｔ＋ の関係となり、Ｈｂ　↑が存在しても、状態２−は状Ｂ
３Ｌに遷移する。他方、状ｔｉ２Ｌｂは、Ｈｂ　↑が存
在しても、そのままの状態を保つため、同し状態３Ｌに
なる。

この状態でレーザービームのスポットｐＪｌ域から外れ
ると媒体温度は低下を始める。媒体温度がＴゎ。１．１
以下に冷えると、Ａタイプから元のＰタイプに戻る。そ
して、第１層のＲＥスピンとＴＭスピンとの大小関係が
逆転する（　礼−↑や　）。

その結果、第１層の磁化は、「Ａ向き」會となる（状態
４Ｌ）。

この状態４Ｌは媒体温度が室温まで下がっても保持され
る。

その結果、第１層に「Ａ向き」嘗のビットが形成される
。

□高温サイクル 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、Ｔ　ＣＯ＠　Ｄ　、ｌを経て低温Ｔ、に上昇する。

その結果、状Ｂ３Ｌと同じ状Ｂ２□になる。

高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度が第２層のＴ　ｃ　ｏ。、８を越
えると、ＡタイプがＰタイプに移行する。そして、第２
層のＲＥ、ＴＭ各ススピン方向は変わらないが、強度の
大小関係が逆転する（↑。−↑二）、そのため、第２層
の磁化が反転し、「逆Ａ向き」８の磁化になる（状態３
８）。

しかし、この温度では）Ｉｃｚがまだ大きいので、ｊＨ
ｂによって第２層の磁化が反転されることはない、さら
に温度が上昇し、ＴＨになると、第１層、第２層は、そ
の温度がキュリー点に近いので保磁力が小さくなる。そ
の結果、媒体は、下記＋１１〜（３）のいずれか１つの
関係式： ％式％ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う、この状態が状態４、ｌである。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下番始める。媒体温度がＴｅｏａｐ、！
以下になると、ＰタイプからＡタイプに移行する。そし
て、ＲＥ、ＴＭの各スピンの方向は変わらないが、強度
の大小関係が逆転する（、−↓ｆ）。その結果、第２層
の磁化は反転し、官から「逆Ａ向き」８になる（状態５
．）。

媒体の温度がこの状Ｂ７エのときの温度から更に低下し
て、Ｔｃｏａｐ、１以下になると、Ａタイプから元のＰ
タイプに戻る。そして、第１層のＲＥスピンとＴＭスピ
ンの強度の大小関係の逆転が起こる（　↓ニート　）。

その結果、第１層の磁化は反転し、「逆Ａ向き」８とな
る（状Ｍ　６　Ｎ　）。

そして、やがて媒体の温度は状Ｂ６層のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨＣ，は十分に大きい（式
１５の３参照）ので第１層の磁化８は、↑Ｈｂによって
反転されることな（、状Ｂ　６１１が保持される。

σ− 式１５の３　：　Ｈｂ　＜Ｈｃ＋＋□ ’ｌ　Ｍ、、　ｔ　。

こうして、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

次に第１表に示したクラス４の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・タイプ４）に属する媒体隘４を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体隠４は、次式２６： ％式％ の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、ＴＨ＜Ｔｃ＋＜Ｔｃｚとする。この関係をグラ
フで示すと、次の如くなる。

保磁力 Ｔ　＊　　　　　　Ｔ　ｔ　　　Ｔ　ＨＴ　ｃ　＋　Ｔ
　ｃ　ｚ室温ＴＩで第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ
。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式２７
である。この媒体隘４は式２７を満足する。

式２７： ％式％ このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式３０で示される。

Ｉｎｉ、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第１
層、第２層の磁化が反転せずに保持される条件は、式２
８〜２９で示される。この媒体隘４は式２８〜２９を満
足する。

σ。

２Ｍ、、ｔ。

σイ 式２９：　　　Ｉ（Ｃ！＞□ ２Ｍ３３Ｌ１ 室温で式２７〜２９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３０：％式％ の条件を満足する旧ｎｉ、により例えば「ＡＩ′ｉｉＴ
きｊ９　（↑、）に揃えられる。このとき、第１層は記
録状態のままで残る（状Ｂ１ａ又はｌｂ）。

この状ＪＩＦｉｌａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「逆Ａ向き」↓に印加するとす
る。

なお、媒体がディスク状の場合、記録されたビット（特
に第１層がＨｂと反対向きの状態１ｂのビット）がＨｂ
印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはならな
い条件は、次式３０の２：％式％ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層がＨｂ印加
手段に近づいたときＨｂによって反転してしまわない条
件は、次式３０の３：％式％ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つが
式３０の２及び式３０の３である。

さて、状１１ａ、ｌｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポット領域に到達する。レーザービームの強度
は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種があ
る。

□低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
Ｌに上昇する。そうすると、 Ｈｃ＋＋Ｈｂ＜− ２Ｍ５＋ｊ＋ の関係が成立する状態となり、状１１ａが状態２Ｌに遷
移する。他方、状Ｌｉ　１　ｂはそのままの状態を保つ
ため同じ状態２Ｌになる。

この状Ｂ２ｔにおいてレーザービームのスポット領域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

この状ｆｆＱｚＬは、媒体温度が室温まで下がっても、
室温でのＭＣＩが十分に大きい（式３０の４参照）ので
維持される。

σ賀 式３０の４　：　　Ｈｂ　＜）（ｃ、＋　−２Ｍ３．　
Ｌ　。

その結果、第１層に「Ａ向き」官のビットが形成される
。

□高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、低’／Ａ　Ｔ　ｔに上昇する。その結果、状態低温サ
イクルの状６２Ｌと同じ状Ｂ２　Ｎとなる。

ビームの照射が続いて、媒体温度が更に上昇しＴＨにな
ると、Ｔ、Ｉは第１層、第２層のキュリー点に近くなる
ので保磁力が小さくなる。その結果、媒体は、下記（１
）〜（３）のいずれか１つの関係式＝２Ｍｓ＋ｔ＋　　
　　２Ｍｓｚｔｚ Ｍ３１　ｔ　＋　　４ＭＳ２　Ｌ　ｔ （２）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　σ−Ｈ
ｂ＞Ｈｃ＋＋□ ２Ｍｓ＋ｔ＋ かつ　　Ｈｂ＞１（ｃｚ−□ ２　ＭＳ、　ｔ　。

２Ｍ、、ｔ　。

かつ　　Ｆｉｂ＞Ｈｃｚ＋□ ２　Ｍｓｚ　ｔ　ｔ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、ＨｂＯ向きに従う。この状態が状態３、である。

この状態３イにおいてレーザービームのスボ。

ト領域から外れると、媒体の温度は低下を始める。

やがて媒体温度は室温まで低下する。しかし、状Ｂ３イ
はそのままである。

こうして、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

次に第１表に示したクラス５の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ３）に属する媒体−５を例にとり、本発明
のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体陽５は次式３１： ％式％ の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、Ｔ□＜　Ｔ（１＜　Ｔ　ｃ　ｚとする。この関
係をグラフで示すと、次の如くなる。

保磁力 ＴＩ　　ＴＣＯ１１１９，ｌ　　　ＴＬ　ＴＨＴＣＩ　
　Ｔｃｚ室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界１ｌｉ
ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式３２
である。この媒体患５は式３２を満足する。

式３２： このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式３５で示される。

！Ｉ　ｉ　ｎ　ｉ　、が無くなると、第１層、第２洒の
磁化は界面磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。

それでも第１層、第２層の磁化が反転せずに保持される
条件は、式３３〜３４で示される。この媒体ＩＩ＆ｌｓ
は式３３〜３４を満足する。

σ８ ２Ｍ５＋Ｌ＋ σ− 式３４：　　　Ｈｃｔ＞　− ２Ｍ５ｚｔ□ 室温で式３２〜３４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式３胎σ８ ２　Ｍ３！　ｔｚ　　　　　　　　　　　　　　　　２
　ＭｓＩ　ｔ　ｌの条件を満足する旧ｎｉ、により例え
ば「Ａ向き」？　（。↑）に揃えられる。このとき、第
１層は記録状態のままで残る（状ｇ１ａ又はｌｂ）。

この状Ｂ１ａ、１ｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向き」↓に印加すると
する。

なお、媒体がディスク状の場合、前に記録されたビット
（特に第１ＮがＨｂと反対向きの状態１ａのビット）が
Ｈｂ印加手段に近づいたときＨｂによって反転してはな
らない条件は、次式３５の２： σ賀 Ｈｂ＜ｔ（ｃ＋−□ ２Ｍｓ＋ｔ＋ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層が、Ｈｂ印
加手段に近づいたときＨｂによって反転されてしまわな
い条件は、次式３５の３：％式％ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する条件の１つが
式３５の２及び弐３５の３である。

さて、状Ｊｌｉｌａ、ｌｂのビットは、いよいよレーザ
ービームのスポット領域に到達する。レーザービームの
強度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２種
がある。

□低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
　ＣＯ＠　ｐ　、１以上に上昇する。すると、Ａタイプ
からＰタイプに変化する。そして、第１層のＲＥ、ＴＭ
各ススピン方向は変わらないが、強度の大小関係が逆転
する。そのため、第盲層の磁化が反転する（状態１ａ−
状態２Ｌい　状態ｔｂ＝状態２Ｌｂ）。

この状態から、更に媒体温度が上がりＴＬになると、下
記条件式が満足される。

σ− Ｈｃ＋　＋　Ｈｂ　＜　− ２Ｍ！＋Ｌ＋ そうすると、状ＩＱ２Ｌ１１が状Ｌｉ　３　Ｌに遷移す
る。他方、状態２Ｌｋはそのままの状態を保つため同じ
状態３Ｌになる。

この状態でレーザービームのスポット領域から外れると
、媒体温度は低下を始める。媒体温度が更にＴＣＯ＋ｍ
ｔＨ１以下に冷えるとＰタイプから元のＡタイプにもど
る。そして、第１層のＲＥスピンと７Ｍスピンとの大小
関係が逆転する（、ニー↓−）。

その結果、第１層の磁化は、逆転し、「逆Ａ向き」各と
なる。これが状Ｍ４ｔである。

やがて、媒体温度は室温まで低下するが、状態４Ｌが維
持される。

その結果、第１Ｎに「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

□高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されると、媒体温度は
、Ｔ　ｃｏ□１を経て低温Ｔ、に上昇する。

その結果、状態３．と同じ状態２８となる。

ビームの照射が続き、やがて媒体温度はＴｅｌに上昇す
る。ＴＨは、第１層、第２層のキュリー点に近いので、
両層の保磁力は小さくなる。その結果、媒体は、下記＋
１１〜（３）のいずれか１つの関係式：％式％ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、Ｈｂの向きに従う。これが状Ｂ３□である。

この状Ｂ３Ｈにおいてレーザービームのスボ。

ト領域から外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度が低下してＴｃｏｓｐ、＋以下になると、Ｐタ
イプから元のＡタイプに戻る。そして、第１層の７Ｍス
ピンとＲＥスピンの強度の大小関係が逆転する（↑↓−
↑、）、そのため、第１層の磁化が反転し、「Ａ向き」
電の磁化になる（状ａ　４　Ｈ）。

そして、やがて媒体の温度は状態４８のときの温度から
室温まで低下する。室温でのＨｃ＋は十分に大きく、次
式３５の４＝ １（ｂ＜Ｈｃ＋＋□ ２Ｍｓ＋ｔ＋ が満足されるので、第１層の磁化は状態４８のまま安定
に維持される。

こうして、第１層に「Δ向き」のビットが形成される。

次に第１表に示したクラス７の記録媒体（Ｐタイプ・■
象限・クイ１４）に属する媒体Ｎａ７を例にとり、本発
明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体−７は、次式４１： ％式％ の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では＜　ＴＲＩ　＜　ＴＣｌ　＜　ＴＣ！どする。こ
の関係をグラフで示すと、次の如くなる。

保磁力 Ｔｍ　　　　　　　Ｔｔ　　ＴＨＴＣＩＴＣ２室温Ｔ、
で第１層の磁化が初期補助磁界旧ｎｉ。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４２
である。この媒体隘７は式４２を満足する。

式４２： ％式％ このとき、ｔｌｉｎｉ、の条件式は、式４５で示される
。

旧ｎｉ、が無くなると、第１層、第２層の磁化は界面磁
壁エネルギーにより互いに影響を受ける。それでも第１
層、第２層の各磁化が反転せずに保持される条件は、式
４３〜４４で示される。この媒体−７は弐４３〜４４を
満足する。

σ− ２Ｍ５＋Ｌ＋ σ。

式４４：　　　ＨＣ！＞□ ＭＢＬｚ 室温で式４２〜４４の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式４５；％式％ の条件を満足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？　
（、、Ｔ）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態
のままで残る（状ａｌａ又はｌｂ）。

この状８．１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは、「逆Ａ向き」↓に印加すると
する。

なお、媒体がディスク状の場合、記録されたビット（特
に第１層がＨｂと反対向きの磁化ををする状ａｌｂのビ
ット）が、Ｈｂ印加手段に近づいたとき、Ｈｂによって
反転してはならない条件は、次式４５の２： ％式％ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。また、初期化された第２層が、Ｈｂ印
加手段に近づいたときＨｂによって反転されてしまわな
い条件は、次式４５の３：％式％［ で示される。逆に言えば、Ｈｂを決定する１つの条件は
、式４５の２及び式４５の３で示される。

さて、状ｇｌａ、ｌｂのビットは、いよいよレーザービ
ームのスポラ）？ｉＪｔ域に到達する。レーザービーム
の強度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの２
種がある。

□　低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度がＴ
Ｌに上昇する。そうすると、下記条件：Ｈｃ＋　＋　Ｈ
ｂ　　＜　　− ２Ｍ□ｔ１ が満足され、状９１ａが状Ｂ２Ｌに遷移する。他方、状
態１ｂはそのままの状態を保つため、同じこの状Ｍ２ｔ
においてレーザービームのスポット領域から外れると、
媒体温度は低下を始める。

室温では、Ｈ（、は十分に大きい（式４５の２参照）の
で、状Ｂ２Ｌは室温でも維持される。

その結果、第１層に「Ａ向き」？のビットが形成される
。

□高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されて媒体温度は、低
′ＩＡＴＬに上昇する。その結果、状［２Ｌと同じ状態
２゜になる。

ビームの照射が続いて、媒体温度は更に上昇しＴＨにな
る。すると、Ｔイは第１層、第２層のキュリー点に近（
なるので、その結果、媒体は、下記（１１〜（３）のい
ずれか１つの関係式：％式％ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、↓Ｈｂの向きに従う。これが状Ｈ３０，である。

状８３．においてレーザービームのスポット領域から外
れると、媒体温度は低下し始める。

やがて媒体温度は室温に戻る。しかし、状態４□は変ら
ない。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」３のビットが形成され
る。

次に第１表に示したクラス８の記録媒体（Ａタイプ・■
象限・タイプ２）に属する媒体ｌＩ＆１８を例にとり、
本発明のオーバーライト原理について詳細に説明する。

この媒体ｌｌ＆１日は、次式４６： ％式％ の関係を有する。説明を簡単にする目的から、以下の説
明では、Ｔｏ　＜Ｔｃ＋＜Ｔｅｘとする。また、Ｔ　ｅ
ａ。、２は、ＴＬ、Ｔｃ＋より低くても等しくても高く
ても良いが、説明を簡単にする目的から、以下の説明で
は、ＴＬ＜Ｔ、、＜Ｔｃ、、、、２とする。この関係を
グラフで示すと、次の如くなる。

保磁力 室温Ｔ、で第１層の磁化が初期補助磁界ＩＩ　ｉ　ｎ　
ｉ　。

により反転せずに第２層のみが反転する条件は、式４７
である。この媒体磁８は室温で式４７を満足する０式４
７： このとき、旧ｎｉ、の条件式は、式５０で示される。

Ｉｆ　ｉ　ｎ　ｉ　、が無くなると、第１層、第２層の
磁化は界面磁壁エネルギーにより互いに影響を受ける。

それでも第１層、第２層の各磁化が反転せずに保持され
る条件は、式４８〜４９で示される。この媒体階８は弐
４８〜４９を満足する。

弐４８：ＨＣ１＞　− ２Ｍ３１ｔ１ 式４９　：　　　ＨＣＺ　＞　−−□−２１１＋４３２
Ｌｚ 室温で式４７〜４９の条件を満足する記録媒体の第２層
の磁化は、記録の直前までに式５０：％式％ の条件を満足する旧ｎｉ、により例えば「Ａ向き」？　
（↑、）に揃えられる。このとき、第１層は記録状態の
ままで残る（状ｕ１ａ又はｌｂ）。

この状態１ａ、ｌｂは記録直前まで保持される。

そして、記録磁界Ｈｂは「Ａ向き」↑に印加するとする
。

なお、媒体がディスク状の場合、１回転１ｎに記録され
たばかりのビット（特に第１層がＨｂと反対向きの磁化
を有する状態ｌｂのビット）がＨｂによって反転しては
ならない条件は、次式５０の２：％式％ で示され、ディスク媒体は、室温でこの条件式を満足さ
せる必要がある。逆に言えば、Ｈｂの大きさを決定する
１つの条件は、式５０の２で示される。

さて、状Ｑ、ｌａ、ｌｂのビットは、いよいよレーザー
ビームのスポｙｌ・’ｕＲ域に到達する。レーザービー
ムの強度は、先願発明と同様に、低レベルと高レベルの
２種がある。

□低温サイクル□ 低レベルのレーザービームが照射されて、媒体温度はＴ
Ｌに上昇する。そうすると、下記条件式；％式％ が満足され、状Ｑ１ａが状態２．に遷移する。他方、状
ｆｌ１Ｍ　ｌ　ｂはそのままの状態を保つため、同し状
態２Ｌになる。

この状８２Ｌにおいてレーザービームのスポット傾城か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

状態２Ｌは、媒体温度が室温まで下がってもＨｃ＋が十
分に大きい（式５０の２参照）ので、維持される。

その結果、第１層に「逆Ａ向き」８のビットが形成され
る。

□高温サイクル□ 高レベルのレーザービームが照射されて媒体温度は、先
ず低Ａ　Ｔ　ｔに上昇する。その結果、低温サイクルの
状１２ｔ　と同じ状Ｌｉ２Ｎとなる。

高レベルのレーザービームの照射により、媒体温度は更
に上昇する。媒体温度がＴ　Ｃａ　ａ　０．２を超える
と、ＡタイプからＰタイプに移行する。そして第２層の
ＲＥスピン（↑）及び７Ｍスピン（↓）の向きは変わら
ずに、強度の大小関係が逆転する（↑−−↑′、）。そ
の結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」ａとなる
。この状態が状態３゜である。

しかし、この温度では１］、２がまだ大きいので、第２
層の磁化８は↑Ｈｂで反転されることはない。

更にビームの照射が続き、やがて媒体温度は更に上昇し
てＴ、になる。すると、媒体温度は第１層、第２層のキ
ュリー点近くになるので、両層の保磁力は小さくなる。

その結果、媒体は、下記（１）〜（３）のい「れか１つ
の関係式： ％式％ を満足する。そのため、両層の磁化は、はぼ同時に反転
し、↑Ｈｂの向きに従う。これが状Ｍ　４　、ｌである
。

この状態４．においてレーザービームのスボソＨｉ域か
ら外れると、媒体温度は低下を始める。

媒体温度がＴｃｏ＋ａｐ、！より下がると、Ｐタイプか
ら元のＡタイプに戻る。そして、第２層のＲＥスビン（
↓）及びＴＭスピン（↑）の向きは変わらずに、強度の
大小関係が逆転する（。゛　−↓↑　）。

その結果、第２層の磁化は反転して「逆Ａ向き」８とな
る。この状態では、）Ｉｃｚは既に相当大きくなってい
るので第２層の磁化８は↑ｌｌｂにより反転されること
はない。この状態が状態５゜である。

やがて媒体の温度は状態５Ｈのときの温度から室温まで
低下する。しかし、状態５゜は変わらない。

こうして、第１層に「Ａ向き」官のビットが形成される
。

以下、参考例及び実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されるものではない。

〔実施例〕

３元のＩＩＦマグネトロン・スパッタリング装置を用い
、厚さ１．２ｍｍ　、直径１３０ＩＩｌ１１１のディス
ク状ガラス基板を該装置の真空チャンバー内にセットす
る。

真空チャンバー内を一旦２　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒまで
排気した後、アルゴンガスを導入し、＾「ガス圧を３×
１０−Ｔｏｒｒに保持しながら、成膜速度約５人／秒で
、スパッタリングを行なう。

最初にターゲットとしてＴｂＤｙＦｅＣｏ合金を用い、
基板上に、膜厚ｔｌ＝６００人の、 （ＴｂａｏＤＶａｏ）ｚｔ（Ｆｅｓ３Ｃｏ＋、）ｖｚの
垂直磁化膜からなる第１層（記録層）を形成する。尚、
合金組成における添字数字の単位は、原子％である。以
下、同様である。

続いて、真空状態を保持したままターゲットとしてＴｂ
ＤｙＦｅＣｏ合金を用いて、スパッタリングを行ない、
第１層の上に膜厚ｔｚ＝７００人の（Ｔｂ４ｏＤＶａｏ
）ａｔ（ＦｅｙｏＣｏ：＋ｏ）７３垂直磁化膜からなる
第２層（記録補助層）を形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性（２５℃）を下記第２表に示す。

第２表 〔比較例〕 実施例と同様に、最初にターゲットとしてＴｂＦｅＣｏ
合金を用いて、膜厚ｔ、＝６００人の、Ｔｂｚ＋Ｆｅｔ
ｏＣ。

、の垂直磁化膜からなる第１層を形成した後、真空状態
を保持したまま、ターゲットとしてＴｂＤｙＦｅＣｏ合
金を用いて、第１層の上に膜ｒ￥ｔ、＝　　９００人の
（Ｔｂ４ｏＤｙ６ｏ）　ｚｖ（ＦｅｔｏＣｏｉｏ）　７
３垂直磁化膜からなる第２層を形成する。

こうして製造したクラス８　（Ａタイプ・第■象限・タ
イプ２）に属する２層光磁気記録媒体について、磁気特
性（２５℃）を下記第３表に示す。

第３表 ＊　Ｉ　Ｔｂｚ＋　ＦｅｔｏＣＯｑ ＊　２　（Ｔｂ４ｏＤｙｂｏ）ｚｔ（Ｐｅ、ｏＣＯ３ｏ
）７ｚ〔媒体の評価〕 （１）第１層及び第２層の最小膜厚ｔ１及び１ｔの計算
： 室温で第２層が旧ｎｉ、により初期化され、磁化の向き
が「Ａ向き」又は「逆Ａ向き」に揃えられたとき、第１
層及び第２ＩＷの磁化の向きが保たれる条件は、クラス
８の媒体の場合、 ２　Ｍｇ２　ｔ　１　　　　　　　　２　Ｍｓｔ　Ｌ　
！で表される。この式を膜厚ｔ１及びｔ２について解く
と、 ２　Ｍｓ＋　Ｈｃ＋　　　　　　　　　　２　ＭｓｚＨ
ｃｚとなる。上記実施例及び比較例の媒体について、第
１及び第２層に必要な最小膜厚ｔ１及び【２を計算した
。この結果を下記第４表に示す。

尚、別途、実施例、比較例の媒体について、Ｃ／Ｎ比を
測定したので、合わせて第４表に示す。

第　　４　　表 〔膜厚の単位は入〕 （２）（Ｃ／Ｎ比の測定〕 （２）−１，１−パーライト可能な光磁気記録装置の説
明この装置は記録専用であり、その全体構成を第４図（
概念図）に示す。

この装置は、基本的には、 （ａ）記録媒体２０を移動させる手段の一例としての回
転手段２１； （ｂ）初期補助磁界旧ｎｉ、印加手段２２；（Ｃ）レー
ザービーム光源２３； （ｄ）記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、（
１）上向き磁化を有するビットと下向き磁化を有するビ
ットの何れか一方のビットを形成させるのに適当な媒体
温度Ｔｔ＋を与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成させるのに適当な媒体温度ＴＬを与える低レベルと
にパルス状に変調する手段２４； （ｅ）記録磁界Ｈｂ印加手段２５； からなる。

Ｈｉｎｉ、印加手段２２として、ここでは、媒体に応じ
て、強度が、 実施例の媒体：５０００　０ｅ 比較例の媒体：５０００　０ｓ で磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石を使用し、Ｈｂ
印加手段２５として、ここでは、どの媒体についても強
度が３０００ｅで磁界の向きが「Ａ向き」↑の永久磁石
を使用する。

永久磁石２２と２５は、ディスク状記録媒体２０の半径
方向の長さに相当する長さを有する棒状のものである。

この磁石２２と２５は、本記録装置に固定して設置し、
光ａ２３を含むピンクアンプと共に移動させることはし
ないことにする。

（２）　−２，Ｃ／Ｎ比の測定 前述の記録装置（第４図参照）を使用して光磁気記録を
実施する。まず、回転手段２１で前記実施例及び比較例
の媒体２０を１２ｍ／秒の一定線速度で移動させる。そ
の媒体２０に対し、レーザービームを照射する。ビーム
の強度は、手段２４により調節可能であり、媒体に応じ
て、下記とおり設定された。

第５表 そしてビームは、手段２４により情報に従いパルス状に
変調される。ここでは、記録すべき情報を周波数ＩＭＩ
Ｉ２の信号とした。従って、ビームをその周波数で変調
させながら媒体２０に照射した。

これにより、同周波数の信号が記録されたはずである。

記録した情報を別の光磁気再生装置で再生すると、Ｃ／
Ｎ比は、 ６０ｄＢ　　−一−−−−−−−−−−−−−−−−−
一実施例６０ｄＢ−−−−−−−−−−−、−−−比較
例であり、記録されていることが確かめられた。

次に媒体２０の既に記録した領域に、今度は周波数２Ｍ
Ｈｚの信号を新たな情報として記録した。

この情報を同様に再生すると、新たな情報が再生され、
オーバーライトが可能であることが判ったが、そのオー
バーライト時のＣ／Ｎ比は、前記第４表記載の通りであ
った。

なお、この条件では、媒体は、下記第６表に示した温度
に達した。

第６表 〔発明の効果〕 以上のとおり、本発明に従い、オーバーライト可能な多
層光磁気記録媒体の第１層（記録Ｎ）をＤｙＦｅＣｏ合
金又はＴｂＤｙＦｅＣｏ合金とすることにより、２Ｎ間
の交換結合力σ。を減少させ、第２層の膜厚を減少でき
た。これにより全体の膜厚ｔ＋ｚが薄くなり、そのため
媒体の感度が向上し、より低いレーザパワーでオーバー
ライトが可能となり、高速なオーバーライトが可能とな
った。従って、レーザービームの強度が小さくて済み、
また、媒体の材料コストが低減され、媒体製造時間が短
縮された。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例にがかるオーバーライト可能
な光磁気記録媒体の縦断面を示す概念図である。 第２図は、光磁気記録方式の記録原理を説明する概念図
である。 第３図は、光磁気記録方式の再生原理を説明する概念図
である。 第４図は、先願発明にかかるオーバーライト可能な光磁
気記録装置の主要部を説明する概念図である。 〔主要部分の符号の説明〕 Ｌ−一一一　レーザービーム Ｌρ　−直線偏光 Ｂｌ−−−−「Ａ向き」磁化を有するビットＢ　、−−
−ｒ逆Ａ向き」磁化を有するビット１−　・−記録層（
第１１ ２−　・−記録補助層（第２層） Ｓ　−−一基板 ２０　・−オーバーライト可能な光磁気記録媒体２１−
−記録媒体を回転させる回転手段２２−−初期補助磁界
旧ｎｉ、印加手段２３　　レーザービーム光源 ２４　　記録すべき２値化情報に従い、ビーム強度を、
（１）ｒＡ向き」磁化を有するビット又は「逆Ａ向き」
磁化を有するビットの何れか一方を形成するのに適当な
温度を媒体に与える高レベルと、（２）他方のビットを
形成するのに適当な温度を媒体に与える低レベルとの間
でパルス状に変調する手段 ２５−記録磁界Ｈｂ印加手段

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　垂直磁気異方性を有する第１層を記録層とし、垂直
   磁気異方性を有する第２層を記録補助層とする多層構造
   を有し、 層平面に対して上向き又は下向きの何れか一方を「Ａ向
   き」とし、他方を「逆Ａ向き」とするとき、 第１層の磁化はそのままに第２層の磁化のみが記録の直
   前までに初期補助磁界Ｈｉｎｉ．により「Ａ向き」に揃
   えられ、 情報に従い高レベルと低レベルとの間でパルス変調され
   たレーザービームが媒体に照射された場合、そのビーム
   が、 （１）高レベルにあるとき、媒体温度は高温Ｔ＿Ｈに上
   昇し、その温度状態で、変調されない記録磁界Ｈｂが作
   用するか、又はビームの照射がなくなって室温に低下す
   る過程で、変調されない記録磁界Ｈｂが作用することに
   より、 結果として、室温で、第２層が「逆Ａ向き」磁化、第１
   層が媒体のタイプにより「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向
   き」磁化〕を有するビットが形成され、 （２）低レベルにあるとき、媒体温度は低温Ｔ＿Ｌに上
   昇し、その温度状態では、少なくとも第２層の磁化は残
   存しており、その温度状態で、変調されない記録磁界Ｈ
   ｂが作用しても、第２層の残存磁化が作用するか、又は
   ビームの照射がなくなって室温に低下する過程で、変調
   されない記録磁界Ｈｂが作用しても、第２層の残存磁化
   が作用することにより、 結果として、室温で、第２層が「Ａ向き」磁化、第１層
   が媒体のタイプにより「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き
   」磁化〕を有するビットが形成される方式により、レー
   ザービームの変調だけでオーバーライトが可能な光磁気
   記録媒体において、少なくとも第１層に、ＤｙＦｅＣｏ
   又はＴｂＤｙＦｅＣｏを用いたことを特徴とするオーバ
   ーライト可能な光磁気記録媒体。 ２　請求項第１項記載の記録媒体において、少なくとも
   第１層を、一般式： （ＴｂｕＤｙ＿１＿０＿０＿−＿Ｕ）＿Ｖ（Ｆｅ＿１＿
   ０＿０＿−＿ＷＣｏ＿Ｗ）＿１＿０＿０＿−＿Ｖ（但し
   、０原子％≦Ｕ＜６０原子％ １０原子％＜Ｖ＜３０原子％ ５原子％＜Ｗ＜４０原子％　） からなる合金組成から選択したことを特徴とするオーバ
   ーライト可能な光磁気記録媒体。 ３　請求項第１項記載の記録媒体において、Ｔ＿Ｒ＜Ｔ
   ＿Ｃ＿１≒Ｔ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｃ＿２≒Ｔ＿Ｈ又はＴ＿Ｒ＜Ｔ
   ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｃ＿１＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿Ｃ＿２又はＴ＿Ｒ＜Ｔ
   ＿Ｌ＜Ｔ＿Ｈ≦Ｔ＿Ｃ＿１≦Ｔ＿Ｃ＿２であることを特
   徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体。 但し、 Ｔ＿Ｒ：室温 Ｔ＿Ｃ＿１：第１層のキュリー点 Ｔ＿Ｃ＿２：第２層のキュリー点 Ｔ＿Ｌ：低レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 Ｔ＿Ｈ：高レベルのレーザービームを照射した時の記録
   媒体の温度 ４　請求項第１項記載の記録媒体において、第２層が室
   温とキュリー点との間に補償温度Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿
   ．＿２を有しており、かつ、Ｔ＿ｃ＿ｏ＿ｍ＿ｐ＿．＿
   ２＜Ｔ＿Ｃ＿１であることを特徴とするオーバーライト
   可能な光磁気記録媒体。 ５　請求項第１項記載の記録媒体において、室温で下記
   ４条件： Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｃ＿２＋｜Ｈ＿Ｄ＿１■Ｈ＿Ｄ＿２｜
   Ｈ＿Ｃ＿１＞Ｈ＿Ｄ＿１ Ｈ＿Ｃ＿２＞Ｈ＿Ｄ＿２ Ｈ＿Ｃ＿２＋Ｈ＿Ｄ＿２＜｜Ｈｉｎｉ．｜＜Ｈ＿Ｃ＿１
   ±Ｈ＿Ｄ＿１を満足することを特徴とするオーバーライ
   ト可能な光磁気記録媒体媒体。 ただし、 Ｈ＿Ｃ＿１：第１層の保磁力 Ｈ＿Ｃ＿２：第２層の保磁力 Ｈ＿Ｄ＿１：第１層が受ける結合磁界 Ｈ＿Ｄ＿２：第２層が受ける結合磁界 Ｈｉｎｉ．：初期補助磁界 ６　請求項第１項記載の記録媒体に於いて、第１層が遷
   移金属−重希土類合金組成から選択したものであること
   を特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体。