JPH0214568A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 abstract description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被水素化処理部と透明電極層とアモルファス
シリコン部が同一基体上に設けられた半導体装置の製造
方法に関するものであり、特に多結晶シリコン膜により
構成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタからなる被水素
化処理部と透明電極層とアモルファスシリコシ部を有し
たラインセンサー等の半導体装置の製造に用いて好適な
半導体装置の製造方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a portion to be hydrogenated, a transparent electrode layer, and an amorphous silicon portion are provided on the same substrate, and in particular, The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device suitable for use in manufacturing a semiconductor device such as a line sensor having a hydrogenated portion consisting of a MOS thin film transistor made of a polycrystalline silicon film, a transparent electrode layer, and an amorphous silicone portion. It is something.
本発明は、被水素化処理部と透明電極層とアモルファス
シリコン部を共に有する半導体装置の製造方法において
、基体上に上記被水素化処理部及び透明電極層を形成し
、上記透明電極層上を電極保護膜で被覆した後、水素プ
ラズマ処理を行って被水素化処理部を水素化し、その後
アモルファスシリコン部を形成することにより、アモル
ファスシリコン部の特性を劣化させずに被水素化処理部
の特性の向上を図ることができ、水素プラズマ処理によ
る透明電極層のエツチングが防止できる半導体装置の製
造方法を提供しようとするものであ〔従来の技術〕
薄膜トランジスタの活性層を構成する多結晶シリコン膜
は、多数のトラップを有しているため、キャリアの移動
度μやライフ・タイムτ等の電気的、光電的特性が劣化
したり、リーク電流が発生する等の欠点を有している。The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device having both a portion to be hydrogenated, a transparent electrode layer, and an amorphous silicon portion, in which the portion to be hydrogenated and the transparent electrode layer are formed on a substrate, and the portion to be hydrogenated and the transparent electrode layer are formed on the transparent electrode layer. After being coated with an electrode protective film, hydrogen plasma treatment is performed to hydrogenate the hydrogenated part, and then an amorphous silicon part is formed, thereby improving the characteristics of the hydrogenating part without deteriorating the characteristics of the amorphous silicon part. The purpose of this invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that can improve etching performance and prevent etching of a transparent electrode layer due to hydrogen plasma treatment. Since it has a large number of traps, it has drawbacks such as deterioration of electrical and photoelectric characteristics such as carrier mobility μ and lifetime τ, and generation of leakage current.
従来、この欠点を解消するため、多結晶シリコン膜に対
して水素化処理を行うことが行われている。その水素化
処理の方法としては、例えば特開昭６１−４６０６９号
公報に記載されるように、多結晶シリコン膜に対して水
素プラズマ処理を行い、その後多結晶シリコン膜上に窒
化シリコン膜を形成し熱処理を行う方法や、他の方法と
しては、多結晶シリコン膜上に水素を含有した窒化シリ
コン膜やアモルファスシリコン膜等を形成し、これを水
素の拡散源として用い高温で熱処理するという方法等が
提案されている。Conventionally, in order to eliminate this drawback, polycrystalline silicon films have been subjected to hydrogenation treatment. As a method for the hydrogenation treatment, for example, as described in JP-A No. 61-46069, a polycrystalline silicon film is subjected to hydrogen plasma treatment, and then a silicon nitride film is formed on the polycrystalline silicon film. Another method is to form a hydrogen-containing silicon nitride film, amorphous silicon film, etc. on a polycrystalline silicon film, and use this as a hydrogen diffusion source to perform heat treatment at high temperatures. is proposed.
ところで、多結晶シリコン膜からなる薄膜トランジスタ
（被水素化処理部）を駆動回路部として用い、アモルフ
ァスシリコン部を光電変換部いわゆるセンサ一部として
用い、これら両者を同一基体上にて電極により接続した
構成の例えばラインセンサー等のような半導体装置があ
る。By the way, there is a configuration in which a thin film transistor made of polycrystalline silicon film (part to be hydrogenated) is used as a drive circuit part, an amorphous silicon part is used as a photoelectric conversion part, so-called sensor part, and both are connected by electrodes on the same substrate. For example, there are semiconductor devices such as line sensors.
この半導体装置は、従来、第５図に示すように、先ず絶
縁基体２２上に被水素化処理部２１をＣＶＤ法等の方法
により形成し、その後ポリシリコンに不純物をドーピン
グしてなる電極２３、耐圧性を向上させるために形成す
るＳｉＯ□膜２４、半導体装置のセンサ一部として機能
するアモルファスシリコン部２５及び金属配線層２６を
順次積層して形成していた。そして、この半導体装置の
被水素化処理部２１を水素化処理する方法としては、第
６図に示すように、上記被水素化処理部２１上にバンシ
ベーション膜２７を形成した後、水素を含有した窒化シ
リコン膜２８を形成し、高温にてアニール処理を施すこ
とにより水素化処理を行っていた。Conventionally, as shown in FIG. 5, in this semiconductor device, a hydrogenated portion 21 is first formed on an insulating substrate 22 by a method such as a CVD method, and then an electrode 23 is formed by doping polysilicon with an impurity. A SiO□ film 24 formed to improve voltage resistance, an amorphous silicon portion 25 functioning as a part of a sensor of a semiconductor device, and a metal wiring layer 26 were sequentially laminated. As shown in FIG. 6, as a method for hydrogenating the hydrogenated portion 21 of this semiconductor device, after forming a bancivation film 27 on the hydrogenated portion 21, hydrogen-containing A silicon nitride film 28 is formed, and then hydrogenated by annealing at a high temperature.
ところが、上記半導体装置のアモルファスシリコン部２
５は耐熱性に劣るため、窒化シリコン膜２８を形成した
後、高温アニール処理を施した場合には特性の劣化を招
くおそれがある。また、水素化処理のために形成した窒
化シリコン膜２８は、半導体装置の構成上不要なもので
あるため、除去する必要があり製造工程も煩雑となる。However, the amorphous silicon portion 2 of the semiconductor device
5 has poor heat resistance, so if high temperature annealing treatment is performed after forming the silicon nitride film 28, there is a risk of deterioration of the characteristics. Further, the silicon nitride film 28 formed for the hydrogenation treatment is unnecessary for the structure of the semiconductor device, and therefore needs to be removed, which complicates the manufacturing process.
一方、被水素化処理部２１とアモルファスシリコン部２
５との導通を図るために形成されるポリシリコンよりな
る電極は、光の透過率が高くない。On the other hand, the hydrogenated portion 21 and the amorphous silicon portion 2
The electrode made of polysilicon, which is formed to establish electrical conduction with 5, does not have high light transmittance.
そのため、基体側から入射した光をアモルファスシリコ
ン部で感知する形式の半導体装置の場合には、該アモル
ファスシリコン部に充分に光が到達せずセンサーとして
の機能の低下を招くことになる。したがって、光の透過
率の向上を図るために５ｎＯｚ等のいわゆる透明電極を
使用することが提案されている。Therefore, in the case of a semiconductor device in which the amorphous silicon portion senses light incident from the base side, sufficient light does not reach the amorphous silicon portion, resulting in a decline in the sensor function. Therefore, it has been proposed to use a so-called transparent electrode of 5 nOz or the like in order to improve the light transmittance.
ところで、半導体装置の被水素化処理部に対して水素化
処理を施す方法として水素プラズマ処理法が提案されて
いる。この水素プラズマ処理は、従来行っていたように
窒化シリコン膜の形成及び除去工程を省くことができ製
造工程上の簡略化が図れる。Incidentally, a hydrogen plasma treatment method has been proposed as a method for performing hydrogenation treatment on a portion of a semiconductor device to be hydrogenated. This hydrogen plasma treatment can omit the steps of forming and removing a silicon nitride film, which were conventionally performed, and can simplify the manufacturing process.
しかしながら、上記水素プラズマ処理による水素化処理
も高温条件下で行うため、アモルファスシリコン部を形
成した後に該処理を行ったのでは、アモルファスシリコ
ン部の劣化は免れない。However, since the hydrogenation treatment by the hydrogen plasma treatment is also performed under high temperature conditions, if the treatment is performed after forming the amorphous silicon portion, deterioration of the amorphous silicon portion is inevitable.
また、光の透過率を向上させるために形成した透明電極
は、水素プラズマ処理に対する耐エツチング性に劣るた
め、透明電極を形成した後、同等手当てをしないで水素
プラズマ処理を施した場合にはエツチングされてしまい
該透明電極層がなくなってしまうという問題がある。In addition, transparent electrodes formed to improve light transmittance have poor etching resistance to hydrogen plasma treatment, so if hydrogen plasma treatment is performed without the same treatment after forming the transparent electrodes, etching may occur. There is a problem that the transparent electrode layer is lost due to the transparent electrode layer being removed.
そこで、本発明はアモルファスシリコン部の特性を劣化
させずに被水素化処理部の特性を向上させ、さらに基体
側から入射した光のアモルファスシリコン部への透過率
を向上させる目的で形成した透明電極層の水素プラズマ
処理によるエツチングを防止する半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。Therefore, the present invention aims to improve the characteristics of the hydrogenated portion without deteriorating the characteristics of the amorphous silicon portion, and further improve the transmittance of light incident from the substrate side to the amorphous silicon portion. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device that prevents etching of layers due to hydrogen plasma treatment.
本発明は、上述の目的を達成するために提案されたもの
であって、被水素化処理部と透明電極層とアモルファス
シリコン部を共に有する半導体装置の製造方法において
、基体上に上記被水素化処理部及び透明電極層を形成す
る工程と、上記透明電極層上を電極保護膜で被覆する工
程と、水素プラズマ処理を行って上記被水素化処理部を
水素化する工程と、上記アモルファスシリコン部を形成
する工程とからなることを特徴とするものである。The present invention has been proposed to achieve the above-mentioned object, and includes a method for manufacturing a semiconductor device having both a portion to be hydrogenated, a transparent electrode layer, and an amorphous silicon portion. a step of forming a treated portion and a transparent electrode layer, a step of covering the transparent electrode layer with an electrode protective film, a step of hydrogenating the portion to be hydrogenated by hydrogen plasma treatment, and a step of hydrogenating the portion to be hydrogenated, and the amorphous silicon portion. The method is characterized in that it consists of a step of forming.
ここで、本発明の製造方法にかかる半導体装置は、水素
プラズマ処理により水素化されて特性の向上が図られる
被水素化処理部を有している。この被水素化処理部は、
例えば、多結晶シリコンにより活性層を形成した薄膜ト
ランジスタ等がその一例として挙げられる。また、本発
明の製造方法にかかる半導体装置は、アモルファスシリ
コンを材料として形成されるアモルファスシリコン部を
有している。このアモルファスシリコン部は、例えば、
光の入射を感知して光電変換するようなセンサ一部とし
ての使用がその一例として挙げられる。Here, the semiconductor device according to the manufacturing method of the present invention has a hydrogenated portion that is hydrogenated by hydrogen plasma treatment to improve its characteristics. This hydrogenated part is
For example, a thin film transistor whose active layer is formed of polycrystalline silicon is one example. Further, the semiconductor device according to the manufacturing method of the present invention has an amorphous silicon portion formed using amorphous silicon as a material. This amorphous silicon part is, for example,
One example is its use as part of a sensor that senses incident light and converts it into electricity.
そして、本発明の製造方法にかかる半導体装置は、上記
被水素化処理部と透明電極層とアモルファスシリコン部
を同一基体上に形成してなる半導体装置であって、その
−例としては、被水素化処理部を駆動回路部として機能
させ、アモルファスシリコン部をセンサ一部として機能
させるようなラインセンサーやエリアセンサー等の装置
が挙げられる。The semiconductor device according to the manufacturing method of the present invention is a semiconductor device in which the hydrogenated portion, the transparent electrode layer, and the amorphous silicon portion are formed on the same substrate. Examples include devices such as line sensors and area sensors in which the amorphous silicon part functions as a drive circuit part and the amorphous silicon part functions as a part of the sensor.
また、上記被水素化処理部とアモルファスシリコン部と
の導通を図る透明電極層の材料としては、例えばＳｎＯ
，やＩＴＯ等、従来より透明電極層の材料として用いら
れている材料がいずれも使用可能である。Further, as the material of the transparent electrode layer that aims at electrical conduction between the hydrogenated portion and the amorphous silicon portion, for example, SnO
, ITO, and other materials conventionally used as materials for transparent electrode layers can be used.
そして、この透明電極層の上部には、電極保護膜が形成
されている。この電極保護膜は、耐エツチング性や耐圧
性に優れる材料であることが好ましく、例えばＳｉｎｇ
やＳｉＮ等の材料が挙げられる。この電極保護膜は、プ
ラズマＣＶＤ法により容易に被覆形成することができる
が、被覆形成方法はこれに限られるものではない、また
、この電極保護膜は、その膜厚を１００〜５００人、好
ましくは１００〜２００人程度とすることが好ましい。An electrode protective film is formed on the transparent electrode layer. This electrode protective film is preferably made of a material with excellent etching resistance and pressure resistance.
and SiN. This electrode protective film can be easily formed by a plasma CVD method, but the coating formation method is not limited to this. The number of participants is preferably about 100 to 200 people.
上述のような膜厚であれば透明１掻を透過した光を充分
にアモルファスシリコン部へ透過させることができる。With the film thickness as described above, the light that has passed through the transparent layer can be sufficiently transmitted to the amorphous silicon portion.
上述のように、被水素化処理部と透明電極層及び透明電
極層上に電極保ｉ１膜を形成した後、水素プラズマ処理
を施すことにしたため、透明電極層は電極保護膜によっ
て保護されるので水素プラズマ処理を施してもエツチン
グされることがない。As mentioned above, since we decided to perform hydrogen plasma treatment after forming the electrode protection film on the hydrogenated area, the transparent electrode layer, and the transparent electrode layer, the transparent electrode layer is protected by the electrode protection film. It will not be etched even when subjected to hydrogen plasma treatment.
また、水素プラズマ処理を行った後にアモルファスシ“
１３７部を形成することにしたため、アモルファスシリ
コン部の特性を劣化させることなく、被水素化処理部の
特性を向上させることができる。In addition, after hydrogen plasma treatment, amorphous
Since the 137th portion is formed, the characteristics of the portion to be hydrogenated can be improved without deteriorating the characteristics of the amorphous silicon portion.
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法をラインセン
サーの製造に通用した一実施例について図面を参照しな
がら説明する。Hereinafter, an embodiment in which the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is applied to manufacturing a line sensor will be described with reference to the drawings.
先ず、第１図に示すように、絶縁基体２上に常法により
多結晶シリコン膜３．５を活性層として形成した薄膜ト
ランジスタを構成する被水素化処理部１を形成する。す
なわち、絶縁基体２上には不純物が導入されてソース領
域６．ドレイン領域７を構成する多結晶シリコン膜３が
ＣＶＤ法によって形成されている。なお、上記絶縁基体
２は、例えばガラス基体や半導体基体上に酸化物膜が形
成されてなるものを使用することができる。First, as shown in FIG. 1, a portion to be hydrogenated 1 constituting a thin film transistor having a polycrystalline silicon film 3.5 formed as an active layer is formed on an insulating substrate 2 by a conventional method. That is, impurities are introduced onto the insulating substrate 2 to form the source region 6. Polycrystalline silicon film 3 constituting drain region 7 is formed by CVD. Note that the insulating substrate 2 may be, for example, a glass substrate or a semiconductor substrate on which an oxide film is formed.
そして、上記多結晶シリコン膜３の所定箇所には、さら
にＳｉＯ□膜４と多結晶シリコンｌｌ１５が積層形成さ
れており、上記５ｉＯｚ膜４はゲート絶縁膜を、多結晶
シリコンＩＩｕ５はゲートを構成している。Further, a SiO□ film 4 and polycrystalline silicon II15 are laminated at predetermined locations on the polycrystalline silicon film 3, and the 5iOz film 4 constitutes a gate insulating film and the polycrystalline silicon IIu5 constitutes a gate. ing.
このような構成の積層体の最上層には眉間絶縁膜として
ＳｉＯ２膜８が全体に亘って形成され、特にソース領域
６及びドレイン領域７上の所定部分には開口部８ａ、８
ｂが開口して形成されている。A SiO2 film 8 is formed as an insulating film between the eyebrows in the uppermost layer of the laminate having such a structure, and in particular, openings 8a, 8 are formed in predetermined portions above the source region 6 and drain region 7.
b is formed with an opening.
このような構成よりなる被水素化処理部１は、ラインセ
ンサーの駆動回路部の一部として機能する。The hydrogenation treatment section 1 having such a configuration functions as a part of the drive circuit section of the line sensor.
次に、第２図に示すように、上述のような構成の被水素
化処理部１の最上層に形成されたＳ ｉ Ｏ。Next, as shown in FIG. 2, S i O is formed on the uppermost layer of the hydrogenated portion 1 having the above-described structure.
膜８の所定部分に開口して形成された開口部８ａ。An opening 8a is formed in a predetermined portion of the membrane 8.
８ｂに電極９ａ、９ｂをＣＶＤ法により形成する。Electrodes 9a and 9b are formed on 8b by the CVD method.
この電極９ａ、９ｂは、ポリシリコンに不純物をドーピ
ングして導電性を付与することにより形成されるもので
ある。特に、一方の電極９ａは、開口部８ａから絶縁基
体２上まで連続して配設されている。These electrodes 9a and 9b are formed by doping polysilicon with impurities to impart conductivity. In particular, one electrode 9a is disposed continuously from the opening 8a to the top of the insulating base 2.
そして、次に絶縁基体２上まで配設された電極９ａにそ
の一部が積層するように絶縁基体２上にＳｎＯ□からな
る透明電極層１０をスパッタリングして形成した後パタ
ーニングを行う、これによって、透明電極層１０は、絶
縁基体２上であって、次の工程でアモルファスシリコン
部１２が形成される部分、いわゆる窓電極部に形成され
る。そして、上記透明電極層１０の一部は被水素化処理
部１との導通が図られるように電極９ａと接続されて形
成されている。この透明電極層１０は、絶縁基体２側か
ら入射した光をこの上部に形成するアモルファスシリコ
ン部１２へ良好に透過させる目的で形成された電極であ
る。なお、上記透明電極層１０は、少なくとも絶縁基体
２とアモルファスシリコン部１２との間の窓電極部に形
成されていればよいが、被水素化処理部１から窓電極部
に亘って透明電極層１０を形成してもよいことは言うま
でもない、また、透明電極層１０の材料としては上記Ｓ
ｎ Ｏ！の他ＩＴＯ等通常透明電極として形成される
材料であれば何れのものも使用可能である。Next, a transparent electrode layer 10 made of SnO□ is formed on the insulating base 2 by sputtering so that a part of it is laminated on the electrode 9a disposed up to the top of the insulating base 2, and then patterning is performed. The transparent electrode layer 10 is formed on the insulating substrate 2 in a portion where an amorphous silicon portion 12 will be formed in the next step, that is, a so-called window electrode portion. A part of the transparent electrode layer 10 is formed so as to be connected to the electrode 9a so as to establish electrical continuity with the portion 1 to be hydrogenated. This transparent electrode layer 10 is an electrode formed for the purpose of allowing light incident from the insulating substrate 2 side to be transmitted well to the amorphous silicon portion 12 formed above. The transparent electrode layer 10 may be formed at least in the window electrode section between the insulating substrate 2 and the amorphous silicon section 12; Needless to say, the transparent electrode layer 10 may be formed using the above-mentioned S.
n O! In addition, any material that is normally formed as a transparent electrode, such as ITO, can be used.
次に、第３図に示すように、ＳｉＯ□からなる電極保護
膜１１をプラズマＣＶＤによって全面に被覆形成する。Next, as shown in FIG. 3, an electrode protective film 11 made of SiO□ is formed to cover the entire surface by plasma CVD.
この電極保ｉＩ！膜１１は、耐エツチング性や耐圧性に
優れた膜であり、次工程で行われる水素プラズマ処理に
よって透明電極層１０がエツチングされるのを防止する
ため及び耐圧性の改善を目的として形成されるものであ
る。この電極保護膜１１は、その膜厚を１００〜５００
人、好ましくは１００〜２００人程度として形成する。This electrode protection II! The film 11 is a film with excellent etching resistance and pressure resistance, and is formed for the purpose of preventing the transparent electrode layer 10 from being etched by the hydrogen plasma treatment performed in the next step and improving the pressure resistance. It is something. This electrode protective film 11 has a film thickness of 100 to 500
The number of participants is preferably about 100 to 200 people.
上述のような膜厚の範囲内であれば透明電極を透過した
光を充分にアモルファスシリコン部へ透過させることが
できる。なお、電極保護膜１１の材料としては３４０．
の他ＳｉＮ等も使用可能である。また、この電極保護膜
１１は、プラズマＣＶＤ法のみならず、この膜を形成で
きる方法であれば何れの方法によって形成してもよい。If the film thickness is within the above-mentioned range, the light transmitted through the transparent electrode can be sufficiently transmitted to the amorphous silicon portion. The material for the electrode protective film 11 is 340.
Other materials such as SiN can also be used. Further, this electrode protective film 11 may be formed not only by the plasma CVD method but also by any method that can form this film.
上述のようにして被水素化処理部１と電極９ａ。Hydrogenation treatment target portion 1 and electrode 9a as described above.
９ｂ及び透明電極層１０、そして電極保護膜］１を形成
した後、上記被水素化処理部１に対して水素プラズマ処
理を施す、この水素プラズマ処理は、プラズマＣＶＤ装
置を使用し、該装置内の温度条件を３５０℃とし、水素
ガスを使用して１時間プラズマ・アニール処理すること
により行う。9b, transparent electrode layer 10, and electrode protective film] 1, hydrogen plasma treatment is performed on the hydrogenated portion 1. This hydrogen plasma treatment is performed using a plasma CVD apparatus, and the inside of the apparatus is The temperature condition is set to 350° C., and plasma annealing is performed using hydrogen gas for one hour.
このようにして被水素化処理部１に対して水素プラズマ
処理を行うことにより、該破水素化処理部を構成する多
結晶シリコンＢ３，５のトラップ密度が減少し、キャリ
アの移動度μやライフ・タイムτ等の電気的、光電的特
性やリーク電流の発生等が抑制され、該破水素化処理部
１の特性の向上が図れる。また、透明電極層１０は、電
極保護膜１１が被覆形成されているのでエツチングされ
ることはない。By performing the hydrogen plasma treatment on the hydrogenated portion 1 in this manner, the trap density of the polycrystalline silicon B3, 5 constituting the hydrogenated portion 1 is reduced, and carrier mobility μ and life - Electrical and photoelectric characteristics such as time τ, occurrence of leakage current, etc. are suppressed, and the characteristics of the hydrogen rupture treatment section 1 can be improved. Further, since the transparent electrode layer 10 is covered with the electrode protective film 11, it will not be etched.
上述のようにして、被水素化処理部ｌに対して水素化処
理を行った後、第４図に示すように、アモルファスシリ
コン部１２をｉ型アモルファスシリコンとｐ型炭素含有
アモルファスシリコンとを順次積層することにより形成
する。このアモルファスシリコン部１２を形成するにあ
たっては、本実施例においては被水素化処理部１に対し
て水素プラズマ処理を施したプラズマＣＶＤ装置をその
まま使用している。このように同一プラズマＣＶＤ装置
内で水素プラズマ処理とアモルファスシリコン形成とを
行うことにより、不純物の混入を抑制することができ作
製された半導体装置の歩留りが向上するとともに、半導
体装置の製造工程数の簡略化も図れる。なお、水素プラ
ズマ処理工程とアモルファスシリコン部、１２の形成工
程とは、必ずしも同一装置を使用しなくてもよい。アモ
ルファスシリコン部１２を形成するには、装置内の温度
条件を２５０℃〜２８０℃まで降下させ、プラズマＣＶ
Ｄ法により容易に形成することができる。After hydrogenating the portion l to be hydrogenated as described above, the amorphous silicon portion 12 is sequentially made of i-type amorphous silicon and p-type carbon-containing amorphous silicon, as shown in FIG. Formed by laminating. In forming this amorphous silicon portion 12, in this embodiment, a plasma CVD apparatus that performs hydrogen plasma treatment on the portion to be hydrogenated 1 is used as is. By performing hydrogen plasma treatment and amorphous silicon formation in the same plasma CVD equipment in this way, it is possible to suppress the incorporation of impurities, improve the yield of manufactured semiconductor devices, and reduce the number of manufacturing steps for semiconductor devices. It can also be simplified. Note that the hydrogen plasma treatment step and the step of forming the amorphous silicon portion 12 do not necessarily need to use the same apparatus. In order to form the amorphous silicon portion 12, the temperature condition inside the device is lowered to 250°C to 280°C, and plasma CV
It can be easily formed by method D.
このように形成されたアモルファスシリコン部１２は、
ラインセンサーの光電変換部としてのｍｔａを発渾する
センサ一部として形成される。The amorphous silicon portion 12 formed in this way is
It is formed as a part of a sensor that generates mta as a photoelectric conversion part of a line sensor.
上述のように高温で行われる水素化処理の後にアモルフ
ァスシリコン部１２を形成するのは、体熱性に劣るアモ
ルファスシリコン部１２を高温状態に置くことを防止し
、アモルファスシリコン部１２の特性が劣化することを
防ぐためである。Forming the amorphous silicon portion 12 after the hydrogenation treatment performed at high temperature as described above prevents the amorphous silicon portion 12, which has poor body heat properties, from being placed in a high temperature state, which may deteriorate the characteristics of the amorphous silicon portion 12. This is to prevent this.
そして、上述のようにして形成したアモルファスシリコ
ン部１２上には、ＡＪからなる金属配線層１３を形成す
る。Then, a metal wiring layer 13 made of AJ is formed on the amorphous silicon portion 12 formed as described above.
上述のように透明電極層１０の上部は、電極保護膜１１
、アモルファスシリコン部１２、金属配線層１３からな
る積層体構造となり、電極保護膜１１をそのままアモル
ファスシリコン部１２の一部として用いることができる
ので、この積層体を全体としてセンサ一部として機能さ
せることができる。As mentioned above, the upper part of the transparent electrode layer 10 is covered with the electrode protective film 11.
, the amorphous silicon part 12 and the metal wiring layer 13 form a laminate structure, and the electrode protective film 11 can be used as a part of the amorphous silicon part 12 as it is, so this laminate as a whole can function as a part of the sensor. I can do it.
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく
、本発明の技術的思想に基づく種々の変形が可能であり
、また同様の構成からなる他の種類の半導体装置におい
ても本発明を適用することができる。Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications based on the technical idea of the present invention are possible, and the present invention can also be applied to other types of semiconductor devices having similar configurations. Can be applied.
以上の説明より明らかなように、本発明にかかる半導体
装置の製造方法においては、被水素化処理部と透明電極
層及び透明電極層上に電極像１１１１を形成した後、水
素プラズマ処理を施すことにしたため、透明電極層は電
極保護膜によって保護されるので水素プラズマ処理を施
してもエツチングされることがない。As is clear from the above description, in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, hydrogen plasma treatment is performed after forming the electrode image 1111 on the portion to be hydrogenated, the transparent electrode layer, and the transparent electrode layer. As a result, the transparent electrode layer is protected by the electrode protective film and is not etched even when subjected to hydrogen plasma treatment.
また、水素プラズマ処理を行った後にアモルファスシリ
コン部を形成することにしたため、アモルファスシリコ
ン部の特性を劣化させることなく、被水素化処理部の特
性を向上させることができる。Furthermore, since the amorphous silicon portion is formed after hydrogen plasma treatment, the characteristics of the portion to be hydrogenated can be improved without deteriorating the characteristics of the amorphous silicon portion.
第１図乃至第４図は本発明にかかる半導体装置の製造方
法の一例を順を追って示す概略断面図である。
第５図乃至第６図は従来の半導体装置の製造方法の一例
を順を追って示す概略断面図である。
ｌ・・・被水素化処理部
１０・・・透明電極層
１１・・・電極保護膜
１２・・・アモルファスシリコン部
特許出願人 ソニー株式会社
代理人 弁理士 小泡 晃
（他二名）
有２ズ1 to 4 are schematic cross-sectional views sequentially showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. 5 and 6 are schematic cross-sectional views sequentially showing an example of a conventional method for manufacturing a semiconductor device. l... Part to be hydrogenated 10... Transparent electrode layer 11... Electrode protective film 12... Amorphous silicon part Patent applicant Sony Corporation representative Patent attorney Akira Kobu (two others) Yujizu
Claims (1)
を共に有する半導体装置の製造方法において、 基体上に上記被水素化処理部及び透明電極層を形成する
工程と、 上記透明電極層上を電極保護膜で被覆する工程と、 水素プラズマ処理を行って上記被水素化処理部を水素化
する工程と、 上記アモルファスシリコン部を形成する工程とからなる
半導体装置の製造方法。[Claims] A method for manufacturing a semiconductor device having both a hydrogenated portion, a transparent electrode layer, and an amorphous silicon portion, comprising: forming the hydrogenated portion and the transparent electrode layer on a substrate; A method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: covering an electrode layer with an electrode protective film; performing hydrogen plasma treatment to hydrogenate the portion to be hydrogenated; and forming the amorphous silicon portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164157A JPH0214568A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164157A JPH0214568A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214568A true JPH0214568A (en) | 1990-01-18 |
Family
ID=15787822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164157A Pending JPH0214568A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214568A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401685A (en) * | 1992-12-30 | 1995-03-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for hydrogenating thin film transistor by using a spin-on-glass film |
| US5888856A (en) * | 1994-11-22 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Method of fabricating a top-gate type thin film transistor with dangling bonds of silicon partly combined with hydrogen |
| US6057182A (en) * | 1997-09-05 | 2000-05-02 | Sarnoff Corporation | Hydrogenation of polysilicon thin film transistors |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164157A patent/JPH0214568A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5401685A (en) * | 1992-12-30 | 1995-03-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for hydrogenating thin film transistor by using a spin-on-glass film |
| US5888856A (en) * | 1994-11-22 | 1999-03-30 | Nec Corporation | Method of fabricating a top-gate type thin film transistor with dangling bonds of silicon partly combined with hydrogen |
| US6087206A (en) * | 1994-11-22 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Method of fabricating a top-gate type thin film transistor with dangling bonds of silicon partly combined with hydrogen |
| US6057182A (en) * | 1997-09-05 | 2000-05-02 | Sarnoff Corporation | Hydrogenation of polysilicon thin film transistors |
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