JPH0214288Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0214288Y2 JPH0214288Y2 JP1981194848U JP19484881U JPH0214288Y2 JP H0214288 Y2 JPH0214288 Y2 JP H0214288Y2 JP 1981194848 U JP1981194848 U JP 1981194848U JP 19484881 U JP19484881 U JP 19484881U JP H0214288 Y2 JPH0214288 Y2 JP H0214288Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- absorber
- lead wires
- electrodes
- ceramic dielectric
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は電源線及び信号線等から侵入する線間
のサージ（誘導雷、誘導性負荷の開閉によるサー
ジ等）及び電圧レベルは低いが機器の誤動作やテ
レビジヨン受像機、ラジオ受信機等の雑音の原因
になるノイズ、線−アース間に侵入する同様のサ
ージ、ノイズを抑制するための吸収器に関し、そ
の目的とするところは小形でかつ単一部品のもの
を提供することにある。
のサージ（誘導雷、誘導性負荷の開閉によるサー
ジ等）及び電圧レベルは低いが機器の誤動作やテ
レビジヨン受像機、ラジオ受信機等の雑音の原因
になるノイズ、線−アース間に侵入する同様のサ
ージ、ノイズを抑制するための吸収器に関し、そ
の目的とするところは小形でかつ単一部品のもの
を提供することにある。
電子機器を誘導雷等の異常電圧から保護するに
は、従来から酸化亜鉛バリスタ等の電圧依存性非
直線抵抗素子Ａが第１図のように使用されてい
る。は入力、は出力端子である。更に、制限
電圧特性を良くするために第２図のようにサージ
電流を制限する限流要素としてインダクタンスＢ
を挿入することが行われている。また、機器の誤
動作の原因や雑音の原因になるノイズの除去には
第３図のようにセラミツク誘電体Ｃとインダクタ
ンスＢを挿入することが行われている。最近で
は、非直線抵抗性を有するセラミツク誘電体素子
A′も第４図のように使用され、サージ、ノイズ
を吸収するように構成されている。しかし、何れ
の場合にもリード線等によつて個別部品を接続す
る方法をとつているので取付スペースおよび工数
等に問題があつた。
は、従来から酸化亜鉛バリスタ等の電圧依存性非
直線抵抗素子Ａが第１図のように使用されてい
る。は入力、は出力端子である。更に、制限
電圧特性を良くするために第２図のようにサージ
電流を制限する限流要素としてインダクタンスＢ
を挿入することが行われている。また、機器の誤
動作の原因や雑音の原因になるノイズの除去には
第３図のようにセラミツク誘電体Ｃとインダクタ
ンスＢを挿入することが行われている。最近で
は、非直線抵抗性を有するセラミツク誘電体素子
A′も第４図のように使用され、サージ、ノイズ
を吸収するように構成されている。しかし、何れ
の場合にもリード線等によつて個別部品を接続す
る方法をとつているので取付スペースおよび工数
等に問題があつた。
そこで本考案は、板状に形成された電圧依存性
非直線抵抗体またはセラミツク誘電体から成る基
板本体の対向する二面のうち一方の面に単一電極
を設け、この単一電極よりリード線を外部へ引き
出し、他方の面に２つの電極を各々独立して設
け、この２つの電極より各々２本のリード線を引
出すと共にこの各リード線にフエライトビーズを
挿入して、単一部品とすると共に小形化したもの
であつて、以下本考案の一実施例を第５図〜第１
０図に基づいて説明する。
非直線抵抗体またはセラミツク誘電体から成る基
板本体の対向する二面のうち一方の面に単一電極
を設け、この単一電極よりリード線を外部へ引き
出し、他方の面に２つの電極を各々独立して設
け、この２つの電極より各々２本のリード線を引
出すと共にこの各リード線にフエライトビーズを
挿入して、単一部品とすると共に小形化したもの
であつて、以下本考案の一実施例を第５図〜第１
０図に基づいて説明する。
第５図は電圧非直線抵抗性を有するセラミツク
誘電体素子の正面図で、第６図はその背面図、第
７図は底面図である。１は基板本体で、対向する
２面のうち、一方の面には単一電極２が形成さ
れ、他方の面には独立して２つの電極３ａ，３ｂ
が形成されている。
誘電体素子の正面図で、第６図はその背面図、第
７図は底面図である。１は基板本体で、対向する
２面のうち、一方の面には単一電極２が形成さ
れ、他方の面には独立して２つの電極３ａ，３ｂ
が形成されている。
第８図は本考案による吸収器の正面図で、第９
図はその背面図である。４は基板本体１の単一電
極２面に半田付けなどによつて接続されたリード
線で、これが外部端子とされる。５，６は基板本
体１の電極３ａの電極面に半田付けなどで接続さ
れたリード線で、このリード線５，６は、１本の
リード線を折曲個所７で折り曲げた構造を有して
いる。また、電極３ｂの電極面には同様にリード
線８，９が、１本のリード線を折曲個所１０で折
り曲げ半田付けなどで接続されている。これらの
リード線５，６，８および９は、外部端子となる
が、各々のリード線の基板側の根元部にはフエラ
イトビーズ１１〜１４がはめこまれている。ま
た、図示されていないが、通常は耐候的性能を向
上させるために、基板本体１部は樹脂コーテイン
グが施こされている。
図はその背面図である。４は基板本体１の単一電
極２面に半田付けなどによつて接続されたリード
線で、これが外部端子とされる。５，６は基板本
体１の電極３ａの電極面に半田付けなどで接続さ
れたリード線で、このリード線５，６は、１本の
リード線を折曲個所７で折り曲げた構造を有して
いる。また、電極３ｂの電極面には同様にリード
線８，９が、１本のリード線を折曲個所１０で折
り曲げ半田付けなどで接続されている。これらの
リード線５，６，８および９は、外部端子となる
が、各々のリード線の基板側の根元部にはフエラ
イトビーズ１１〜１４がはめこまれている。ま
た、図示されていないが、通常は耐候的性能を向
上させるために、基板本体１部は樹脂コーテイン
グが施こされている。
このように構成したため、吸収器のリード線５
及び８を電源線又は信号線側に接続し、リード線
４を被保護機器Ｄの筐体アースに接続し、リード
線の６及び９を機器側に接続した場合の電気的等
価回路は第１０図のようになる。
及び８を電源線又は信号線側に接続し、リード線
４を被保護機器Ｄの筐体アースに接続し、リード
線の６及び９を機器側に接続した場合の電気的等
価回路は第１０図のようになる。
フエライトビーズ１１〜１４によるインダクタ
ンス成分はサージノイズの高周波成分に対して限
流、減衰効果を示し、非直線抵抗特性を有するセ
ラミツク誘電体素子の制限電圧特性およびノイズ
抑制特性を更に向上させることが可能となる。ま
た、基板本体１上で入出力線を一体化する構造と
なつているため、従来例第４図で示したように個
別部品を接続した時に接続リード線に起因する線
間インダクタンスが発生せず、更に特性が向上
し、機器に侵入するサージ・ノイズに対して有効
なサージノイズ吸収器が、取り付け接続の簡単な
単一部品とて提供される。
ンス成分はサージノイズの高周波成分に対して限
流、減衰効果を示し、非直線抵抗特性を有するセ
ラミツク誘電体素子の制限電圧特性およびノイズ
抑制特性を更に向上させることが可能となる。ま
た、基板本体１上で入出力線を一体化する構造と
なつているため、従来例第４図で示したように個
別部品を接続した時に接続リード線に起因する線
間インダクタンスが発生せず、更に特性が向上
し、機器に侵入するサージ・ノイズに対して有効
なサージノイズ吸収器が、取り付け接続の簡単な
単一部品とて提供される。
上記実施例では基板本体１として電圧非直線抵
抗特性を有するセラミツク誘電体としたが、これ
に酸化亜鉛バリスタ等の電圧依存性非直線抵抗体
を使用した場合にはサージに対して効果のある吸
収器となり、また、普通のセラミツク誘電体を使
用した場合にはノイズに対して効果のある吸収器
となる。
抗特性を有するセラミツク誘電体としたが、これ
に酸化亜鉛バリスタ等の電圧依存性非直線抵抗体
を使用した場合にはサージに対して効果のある吸
収器となり、また、普通のセラミツク誘電体を使
用した場合にはノイズに対して効果のある吸収器
となる。
以上説明のように本考案のサージ・ノイズ吸収
器によると、単一部品として供給でき、しかも従
来に比べて小形化することができる。さらに、フ
エライトビーズを使用することにより、簡単な構
造でより大きいインダクタンスを得ることができ
る。また従来のように接続リード線に起因する線
間インダクタンスが発生せず、特性が向上するも
のである。
器によると、単一部品として供給でき、しかも従
来に比べて小形化することができる。さらに、フ
エライトビーズを使用することにより、簡単な構
造でより大きいインダクタンスを得ることができ
る。また従来のように接続リード線に起因する線
間インダクタンスが発生せず、特性が向上するも
のである。
第１図〜第４図は従来例を示す回路図、第５図
〜第１０図は本考案の吸収器の一実施例を示し、
第５図は基板本体の正面図、第６図は同背面図、
第７図は同底面図、第８図は吸収器の正面図、第
９図は同背面図、第１０図は吸収器の電気的等価
回路図である。 １……基板本体、２……電極〔単一電極〕、３
ａ，３ｂ……電極、４，５，６，８，９……リー
ド線、１１，１２，１３，１４……フエライトビ
ーズ。
〜第１０図は本考案の吸収器の一実施例を示し、
第５図は基板本体の正面図、第６図は同背面図、
第７図は同底面図、第８図は吸収器の正面図、第
９図は同背面図、第１０図は吸収器の電気的等価
回路図である。 １……基板本体、２……電極〔単一電極〕、３
ａ，３ｂ……電極、４，５，６，８，９……リー
ド線、１１，１２，１３，１４……フエライトビ
ーズ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 板状に形成された電圧依存性非直線抵抗体ま
たはセラミツク誘電体から成る基板本体の対向
する二面のうち一方の面に単一電極を設け、こ
の単一電極よりリード線を外部へ引き出し、他
方の面に２つの電極を各々独立して設け、この
２つの電極より各々２本のリード線を引出すと
共にこの各リード線にフエライトビーズを挿入
した吸収器。 ２ 基板を、電圧依存性非直線抵抗特性を有する
セラミツク誘電体から形成した実用新案登録請
求の範囲第１項記載の吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19484881U JPS58100434U (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19484881U JPS58100434U (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 吸収器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100434U JPS58100434U (ja) | 1983-07-08 |
| JPH0214288Y2 true JPH0214288Y2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=30108148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19484881U Granted JPS58100434U (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100434U (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5292728B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2013-09-18 | パナソニック株式会社 | 静電気対策部品 |
| JP6362104B2 (ja) * | 2014-08-27 | 2018-07-25 | 九州フィールドエンジニアリングシステム株式会社 | 商用電源用避雷装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54114736U (ja) * | 1978-01-31 | 1979-08-11 | ||
| JPS5577325A (en) * | 1978-12-06 | 1980-06-11 | Hitachi Ltd | Pulse current absorbing circuit |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP19484881U patent/JPS58100434U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58100434U (ja) | 1983-07-08 |
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