[go: up one dir, main page]

JPH02142482A - Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith - Google Patents

Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith

Info

Publication number
JPH02142482A
JPH02142482A JP29696088A JP29696088A JPH02142482A JP H02142482 A JPH02142482 A JP H02142482A JP 29696088 A JP29696088 A JP 29696088A JP 29696088 A JP29696088 A JP 29696088A JP H02142482 A JPH02142482 A JP H02142482A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dna
sequence
region
gene
intron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29696088A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumikiyo Nakawa
名川 文清
Tadanori Yoshimatsu
吉松 忠憲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wakunaga Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Wakunaga Pharmaceutical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wakunaga Pharmaceutical Co Ltd filed Critical Wakunaga Pharmaceutical Co Ltd
Priority to JP29696088A priority Critical patent/JPH02142482A/en
Publication of JPH02142482A publication Critical patent/JPH02142482A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)

Abstract

NEW MATERIAL:A synthetic intron DNA, having a region containing the 5' and 3'-terminal consesus sequences and a region containing a sequence of a branching part, either of at least one set of recurring base sequences in the opposite directions being a sequence of region containing a consesus sequence and/or a region containing the branching part and at least one of the above- mentioned one set of the base sequences in the opposite directions, present in base sequences other than the above-mentioned regions and sandwiching regions containing the sequence of the branching part. USE:A genetic expression controlling agent and reagent for elucidating a splicing mechanism. PREPARATION:For example, a synthetic intron is linked to a plasmid pUC118 and cloned to provided a plasmid pUC-INTRON, which is then cleaved with restriction enzymes SnaBI and PstI to afford DNA fragments. The resultant DNA fragments are then linked to a DNA fragment cleaved with restriction enzymes XbaI and PstI using a T4DNA ligase to provided a synthetic intron DNA.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 技術分野 本発明は、合成イントロンD N A 、、それを含む
組換えDNAおよびこの組換えDNAで形質転換された
形質転換体に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Background of the Invention] Technical Field The present invention relates to synthetic intron DNA, recombinant DNA containing the same, and transformants transformed with this recombinant DNA.

先行技術 現在、遺伝子工学で扱われている遺伝子は、主に、(1
)mRNAから逆転写によって得られるcDNAからな
る遺伝子、(2)生体から単離されたゲノムDNAから
なる遺伝子、(3)化学的に合成されたDNAからなる
遺伝子などである。
Prior art Currently, the genes used in genetic engineering are mainly (1
) genes consisting of cDNA obtained by reverse transcription from mRNA; (2) genes consisting of genomic DNA isolated from a living body; and (3) genes consisting of chemically synthesized DNA.

このうち(2)は、真核生物の場合イントロンを含んで
いるのが普通である。一方、(1)および(3)は通常
イントロンを含んでいない。また、(2)であっても、
酵母などの下等真核生物や、原核生物では、イントロン
を持たない遺伝子が普通である。
Of these, (2) usually contains an intron in eukaryotes. On the other hand, (1) and (3) usually do not contain introns. Also, even if (2),
In lower eukaryotes such as yeast and prokaryotes, genes that do not have introns are common.

遺伝子からイントロン配列部分を取り除いたものを得る
ためには、当該遺伝子のcDNAを単離することにより
、比較的簡単に行うことができる。
A gene with intron sequences removed can be obtained relatively easily by isolating the cDNA of the gene.

また、最近、イントロン配列部分のみを合成し、または
単離し、これを任意の遺伝子内部に挿入する技術が確立
されており(詳細は特願昭62−276944号明細書
参照)、この技術の確立により、遺伝子工学の分野にお
ける応用が期待されている。
In addition, recently, a technology has been established in which only the intron sequence part is synthesized or isolated and inserted into any gene (see Japanese Patent Application No. 62-276944 for details). Therefore, applications in the field of genetic engineering are expected.

しかしながら、イントロン自体を人工的に合成し、改変
して新たな機能を付加させた例は、未だ報告されていな
いのが現状である。
However, at present, there have been no reports of cases in which introns themselves have been artificially synthesized and modified to add new functions.

〔発明の概要〕 要旨 本発明は、遺伝子操作の技術的可能性をさらに発展させ
ることを目的とし、合成イントロンDNA、すなわち任
意の遺伝子の発現を温度で制御することのできる温度感
受性イントロンとしての機能を有する合成イントロンD
NA、それを含む組換えDNA、およびこの組換えI)
NAで形質転換された形質転換体、を提供することによ
り、上記目的を達成しようとするものである。
[Summary of the Invention] Summary The present invention aims to further develop the technical possibilities of gene manipulation, and the present invention aims to further develop the technical possibilities of genetic manipulation. Synthetic intron D with
NA, recombinant DNA containing it, and this recombinant I)
The purpose is to achieve the above object by providing a transformant transformed with NA.

すなわち、本発明による合成イントロンDNAは、5′
端および3′端コンセンサス配列を含む領域ならびにブ
ランチ形成部位の配列を含む領域を有するイントロンD
NAにおいて、上記イントロンDNAに下記の(1)お
よび(または)(2)によって定義される少なくとも一
組の逆方向反復塩基配列域を持たせたことを特徴とする
ものである。
That is, the synthetic intron DNA according to the present invention has a 5'
Intron D with a region containing the end and 3' end consensus sequences and a region containing the branching site sequence
NA is characterized in that the intron DNA has at least one set of inverted repeat base sequence regions defined by (1) and (2) below.

(1) 該少なくとも一組の逆方向反復塩基配列の一方
はコンセンサス配列を含む領域および(または)ブラン
チ形成部位の配列を含む領域の配列であること、 (2) 該少なくとも一組の逆方向反復塩基配列がコン
センサス配列を含む領域およびブランチ形成部位の配列
を含む領域以外の塩基配列域に存在していて、該一組の
逆方向塩基配列の少なくとも一つはブランチ形成部位の
配列を含む領域を挾んで存在すること。
(1) One of the at least one set of inverted repeat base sequences is a sequence of a region including a consensus sequence and/or a region including a branch forming site sequence; (2) the at least one set of inverted repeats. The base sequence is present in a base sequence region other than the region containing the consensus sequence and the region containing the branch forming site sequence, and at least one of the set of reverse base sequences is present in the region containing the branch forming site sequence. To exist in between.

また、本発明による組換えDNAは、この合成イントロ
ンDNAまたは該DNAを含む任意の遺伝子が発現ベク
ターに挿入または連結されたこと、を特徴とするもので
ある。
Furthermore, the recombinant DNA according to the present invention is characterized in that this synthetic intron DNA or any gene containing this DNA is inserted or ligated into an expression vector.

また、本発明による形質転換体は、この合成イントロン
DNAまたは該DNAを含む任意の遺伝子が発現ベクタ
ーに挿入または連結された組換えDNAにより形質転換
されたこと、を特徴とするものである。
Furthermore, the transformant according to the present invention is characterized in that it has been transformed with a recombinant DNA in which this synthetic intron DNA or any gene containing this DNA is inserted or ligated into an expression vector.

効果 本発明による合成イントロンDNA、それを含む組換え
DNA、およびこの組換えDNAで形質転換された形質
転換体等を用いることによって、合成イントロンDNA
を含む、発現を望む任意の遺伝子の転写産物RNAが、
該合成イントロンDNA中の互いに逆方向反復塩基配列
の関係にある塩基配列部位に対応する部位同士で、温度
条件によっては、すなわち低温になるほど分子内ハイブ
リダイズして、スプライシング反応が阻害されるように
なるため、このハイブリダイズする領域の長さ等を適宜
調整すれば、宿主の培養温度で遺伝子の発現を調節する
ことができる。
Effects By using the synthetic intron DNA according to the present invention, a recombinant DNA containing the same, and a transformant transformed with this recombinant DNA, synthetic intron DNA can be obtained.
The transcript RNA of any gene desired to be expressed, including
Depending on the temperature conditions, that is, the lower the temperature, the more intramolecular hybridization occurs between the sites corresponding to the base sequence sites in the synthetic intron DNA that are in the relationship of mutually inverted repeat base sequences, and the splicing reaction is inhibited. Therefore, by appropriately adjusting the length of this hybridizing region, etc., gene expression can be regulated at the culture temperature of the host.

このことを利用すれば、以下のような効果が期待できる
By utilizing this fact, the following effects can be expected.

(1)  塩基配列の構成的に発現可能ないかなる遺伝
子の発現をも制御する事ができる。従って、強力ではあ
るが調節することができないプロモーター(例えば後記
実験例で示した酵母PGKブロモーター)を利用して外
来遺伝子を発現させる場合においても、その外来遺伝子
の発現を調節する事ができるので、最も適切なる時期に
該遺伝子の発現を誘導することができる。
(1) It is possible to control the expression of any gene whose base sequence can be expressed constitutively. Therefore, even when a foreign gene is expressed using a strong but unregulatable promoter (for example, the yeast PGK promoter shown in the experimental example below), the expression of the foreign gene can be regulated. , the expression of the gene can be induced at the most appropriate time.

(2)  調節可能なプロモーターに連結しである遺伝
子の発現を、プロモーターによる調節に加えて、さらに
第二の調節機構として本発明を利用して、調節すること
ができる。従って、プロモーターのみの調節では不完全
である場合に、より完全に該遺伝子の発現を制御するこ
とができる。
(2) Expression of a gene linked to a regulatable promoter can be regulated using the present invention as a second regulation mechanism in addition to regulation by the promoter. Therefore, when regulation of the promoter alone is incomplete, expression of the gene can be more completely controlled.

(3)  単離した未知または既知の遺伝子の温度感受
性変異株を簡単に作製することができる。すなわち、本
発明による合成イントロンDNAを挿入した発現可能な
任意の遺伝子は、その発現を温度で制御することができ
るので、該任意の遺伝子を温度感受性に変換させること
が容易である。従って、遺伝子の機能を解明する際の遺
伝解析に利用できる。
(3) Temperature-sensitive mutant strains of isolated unknown or known genes can be easily created. That is, since the expression of any gene that can be expressed into which the synthetic intron DNA of the present invention has been inserted can be controlled by temperature, it is easy to convert the gene to be temperature sensitive. Therefore, it can be used for genetic analysis to elucidate gene function.

(4)  上記(1)、(2)および(3)のいずれに
おいても、遺伝子発現の微妙な調節が可能である。すな
わち、宿主の培養温度を:A節することによって、発現
量を微妙に変化させることができる。これにより、外来
遺伝子の発現量を宿主にとって最も都合の良い程度に加
減することが容易であり、また、発現量の微妙な違いに
よる宿主への影響なども検討することができる。
(4) In any of the above (1), (2), and (3), subtle regulation of gene expression is possible. That is, by controlling the culture temperature of the host, the expression level can be subtly changed. Thereby, it is easy to adjust the expression level of the foreign gene to the most convenient level for the host, and it is also possible to examine the effects on the host due to subtle differences in the expression level.

(5)  スプライシングの機構解明に利用できる。(5) It can be used to elucidate the mechanism of splicing.

たとえば、(3)で述べた遺伝子の温度感受性株を利用
し、これと相補的な変異株を単離することによって、ス
プライシングに関与する遺伝子を同定することが可能で
ある。
For example, by using a temperature-sensitive strain of the gene described in (3) and isolating a complementary mutant strain thereof, it is possible to identify genes involved in splicing.

〔発明の詳細な説明〕[Detailed description of the invention]

合成イントロンDNA 本発明でいうイントロンとは、遺伝子中に存在する翻訳
に関与しない特殊な塩基配列部位であり、RNAポリメ
ラーゼによって転写されるが、転写後スプライシングと
呼ばれる反応により転写産物RNAから取り除かれてし
まう配列をコードするDNA配列のことをいう。これら
イントロンには、t RNAをコードするDNAに存在
するもの、rRNAをコードするDNAに存在するもの
、ポリペプチドをコードするDNAに存在するものなど
様々な種類(Ann、l?ev、Biochem、、 
4L1035−69(1979) 、 Ann、 Re
v、Biochem、 、 50 、349−83 <
1981) 、 Ann 。
Synthetic intron DNA An intron in the present invention is a special base sequence site that exists in a gene and is not involved in translation, and is transcribed by RNA polymerase, but is removed from the transcript RNA by a reaction called post-transcriptional splicing. A DNA sequence that encodes a sequence. There are various types of these introns, including those that exist in DNA that encodes tRNA, those that exist in DNA that encodes rRNA, and those that exist in DNA that encodes polypeptides (Ann, LEV, Biochem,
4L1035-69 (1979), Ann, Re
v, Biochem, 50, 349-83 <
1981), Ann.

Rev、Biochem、、 52.441−88(1
983)、^nn、Rev、Bioch−etn、 、
 55 、597−1329 (198B) 、 An
n、Rev、Biochem、 、 55゜1119−
1.150(198B)、Ann、Rev、Genet
、、 20.671−708(1986))がある。
Rev. Biochem, 52.441-88 (1
983), ^nn, Rev, Bioch-etn, ,
55, 597-1329 (198B), An
n, Rev, Biochem, , 55°1119-
1.150 (198B), Ann, Rev, Genet
, 20.671-708 (1986)).

ところで、ポリペプチドをコードする遺伝子のイントロ
ンには特殊な少なくとも3種の塩基配列、すなわち(1
) 5’端コンセンサス配列、(2)ブランチ形成部位
の配列、および(3)3’端コンセンサス配列、があり
、これらの配列がスプライシングに必要であるとされて
いる。従って、上記ポリペプチドをコードする遺伝子由
来のイントロンを使用する場合は、このイントロンが少
なくともこれらの配列を含んでいる必要がある。
By the way, introns of genes encoding polypeptides have at least three special base sequences, namely (1
) 5' end consensus sequence, (2) branch forming site sequence, and (3) 3' end consensus sequence, and these sequences are said to be necessary for splicing. Therefore, when using an intron derived from a gene encoding the above polypeptide, this intron must contain at least these sequences.

本発明による合成イントロンDNAとは、上記のような
5′端および3′端コンセンサス配列を含む領域ならび
にブランチ形成部位の配列を含む領域を有するイントロ
ンDNAにおいて、上記イントロンDNAに下記の(1
)および(または)(2)によって定義される少なくと
も一組の逆方向反復塩基配列域を持たせたことを特徴と
するものであり、所望の遺伝子の発現を温度依存性とす
ることができる温度感受性イントロンとしての機能を有
するDNAであることを前記したところである。
The synthetic intron DNA according to the present invention is an intron DNA having a region containing the 5' end and 3' end consensus sequences as described above and a region containing the branch forming site sequence, and the above intron DNA has the following (1
) and (or) (2), and is characterized by having at least one set of inverted repeat base sequence regions defined by (2), and the temperature at which the expression of a desired gene can be made temperature dependent. As mentioned above, the DNA has a function as a sensitive intron.

(1) 該少なくとも一組の逆方向反復塩基配列の一方
はコンセンサス配列を含む領域および(または)ブラン
チ形成部位の配列を含む領域の配列であること、 (2) 該少なくとも一組の逆方向反復塩基配列がコン
センサス配列を含む領域およびブランチ形成部位の配列
を含む領域以外の塩基配列域(以後、任意塩基配列域と
いう)に存在していて、該一組の逆方向反復塩基配列の
少なくとも一つはブランチ形成部位の配列を含む領域を
挾んで存在すること。
(1) One of the at least one set of inverted repeat base sequences is a sequence of a region including a consensus sequence and/or a region including a branch forming site sequence; (2) the at least one set of inverted repeats. The nucleotide sequence is present in a nucleotide sequence region other than the region containing the consensus sequence and the region containing the branch formation site sequence (hereinafter referred to as an arbitrary nucleotide sequence region), and at least one of the set of inverted repeat nucleotide sequences be present between the region containing the sequence of the branch formation site.

従って、本発明による合成イントロンDNAには、上記
(1)によって定義されるもの、上記(2)によって定
義されるもの、そして(1)および(2)の両者で定義
されるものがあることになる。
Therefore, the synthetic intron DNA according to the present invention includes those defined by (1) above, those defined by (2) above, and those defined by both (1) and (2). Become.

上記(1)で定義される合成イントロンDNAは、5′
端もしくは3′端コンセンサス配列を含む領域、および
ブランチ形成部位の配列を含む両領域以外の塩基配列域
(すなわち、任意塩基配列域)に、該領域の少なくとも
一つに対して逆方向反復塩基配列の関係となる領域を持
たせてなるものである。
The synthetic intron DNA defined in (1) above is 5'
In a base sequence region other than both the region containing the end or 3' end consensus sequence and the region containing the branch formation site sequence (i.e., arbitrary base sequence region), an inverted repeat base sequence is added to at least one of the regions. It is made up of areas that have the following relationship.

この合成イントロンDNAは、好ましくは5′端端側コ
ンセンサス列を含む領域の3′端側の任意塩基配列域に
該領域に対する逆方向反復塩基配列からなる領域を、ま
たは、ブランチ形成部位の配列を含む領域の5′端側の
任意塩基配列域に該領域に対する逆方向反復塩基配列か
らなる領域を有するもののいずれかである。
This synthetic intron DNA preferably has a region consisting of an inverted repeat base sequence or a branch forming site sequence in an arbitrary base sequence region on the 3' end of the region containing the 5' consensus sequence. It has a region consisting of an inverted repeat base sequence with respect to the region in an arbitrary base sequence region on the 5' end side of the region.

互いに逆方向反復塩基配列の関係にある、とは、一方が
他方の塩基配列に対して完全にもしくはほぼ相補的な塩
基配列を逆方向にした塩基配列を有する、ことを意味す
る。ここで、はぼ相補的とは、少数、たとえば一つまた
は二つ、の位置の塩基が互いに相補的ではないが、それ
以外の位置の塩基配列がすべて相補的な関係にあるとい
うことを意味する。
Being in a relationship of inverted repeat base sequences means that one base sequence has a base sequence that is completely or almost complementary to the other base sequence but is in the opposite direction. Here, "complementary" means that the bases at a small number of positions, for example, one or two, are not complementary to each other, but the base sequences at all other positions are complementary. do.

この互いに逆方向反復塩基配列の関係にある部分を有す
ることにより、転写産物RNAが低温、たとえば(30
)’C以下の温度、においてこの部分同士でハイブリダ
イズし、イントロンにおけるコンセンサス配列あるいは
ブランチ形成部位の配列部分がマスクされてスプライシ
ング反応が阻害されるようになる。
By having these portions in the relationship of mutually inverted repeat base sequences, the transcription product RNA can be kept at low temperatures, for example (30
)'C, these parts hybridize with each other, masking the consensus sequence in the intron or the sequence part of the branch formation site, and inhibiting the splicing reaction.

上記(2)で定義される合成イントロンDNAは、第4
図および第5図に示すように、少なくとも一組の逆方向
塩基配列において、該一組の塩基配列域(RとR′1)
の名配列域が、ブランチ形成部位の配列を含む領域(B
)を挾んで該領域の各側の任意塩基配列域に存在するも
のであるが(各(a)図参照)、第5図のように、他の
逆方向反復塩基配列の組(R2とR2′)が存在する場
合は、この組(R2とR2′)は領域(B)を挾まずに
その一方の側の任意塩基配列域のみに存在していてもよ
い。
The synthetic intron DNA defined in (2) above is the fourth
As shown in the figure and FIG. 5, in at least one set of reverse base sequences, the base sequence region (R and R'1) of the set
The name sequence region is the region containing the sequence of the branch formation site (B
) are present in arbitrary base sequence regions on each side of the region (see each figure (a)), but as shown in Figure 5, other pairs of inverted repeat base sequences (R2 and R2 '), this pair (R2 and R2') may exist only in an arbitrary base sequence region on one side of region (B) without sandwiching it.

このイントロンDNA部分による転写産物RNA部分が
ハイブリダイズによって折れ曲って二重構造を示すとき
は、第4− (b)図および第5− (b)図のように
、逆方向塩基配列R1〜R′ 部位に相当するR′ と
R″’、部位同士でハイブリダイズしてループ構造が形
成され、これによってブランチ形成部位の配列を含む領
域Bに相当する領域B′部分がこのループ構造内に閉じ
込められて該領域B′部分がマスクされた状態となる。
When the RNA portion of the transcript produced by this intron DNA portion is bent due to hybridization and exhibits a double structure, the reverse base sequence R1 to R R′ and R″′ corresponding to the ′ site hybridize with each other to form a loop structure, and as a result, the region B′ portion corresponding to region B containing the sequence of the branch forming site is confined within this loop structure. As a result, the region B' portion becomes in a masked state.

第5図の場合は、更に他の逆方向反復塩基配列の組(R
とR’)に相当するR2’とR2”’部位同士でもハイ
ブリダイズし、上記領域B′部分のマスキング状態がよ
り強いものとなる。
In the case of Fig. 5, another set of inverted repeat base sequences (R
and R') are also hybridized with each other, and the masking state of the region B' becomes stronger.

なお、図(a)中のCおよびC2は5′端また■ は3′端コンセンサス配列を含む領域を示す。In addition, C and C2 in figure (a) are the 5' end or ■ indicates the region containing the 3' end consensus sequence.

また、本発明による合成イントロンDNAは上記(1)
の要件および(2)の要件の両者で定義されるものをも
含むことは前記したところであるが、この場合に、上記
転写産物RNA部分が折れ曲がり構造を示すときは、コ
ンセンサス配列および(または)ブランチ形成部位を含
む領域と対応する部分(C’、C2’あるいはB’)で
もノ\イブリダイズするようになる。
Furthermore, the synthetic intron DNA according to the present invention is described in (1) above.
As mentioned above, it also includes what is defined by both the requirements (1) and (2), but in this case, when the RNA portion of the transcript exhibits a folded structure, the consensus sequence and/or branch The region corresponding to the region containing the formation site (C', C2' or B') also becomes hybridized.

これら合成イントロンDNAの具体例としては、酵母の
イントロンにおけるコンセンサス配列を有する下式(I
)および(n)で示されるものがある。
Specific examples of these synthetic intron DNAs include the following formula (I
) and (n).

〔なお、式中Nは、ASC,GおよびTより選ばれた一
つまたは二つ以上の任意の塩基配列を示すものであり、
どの様な組合せであってもよい。各式中の複数のNまた
はN′同士の塩基は相互に同じでも異なっていてもよい
。N′は、Nに相補的な配列を示すものであればよい。
[In the formula, N represents one or more arbitrary base sequences selected from ASC, G and T,
Any combination is possible. A plurality of N or N' bases in each formula may be the same or different. N' may be any sequence complementary to N.

なお、NまたはN′の塩基数0〜1000が好ましく、
0〜100がより好ましい。〕 これらの2つの式に示されているように、互いに逆方向
反復塩基配列の関係にある一組の塩基配列、この場合に
はイントロンの上記配列を含む各領域の配列と該領域に
対する逆方向反復塩基配列からなる領域、とは直接結合
していてもよいし、任意の塩基配列を介して結合してい
てもよい。
In addition, the number of bases of N or N' is preferably 0 to 1000,
0 to 100 is more preferable. ] As shown in these two formulas, a set of base sequences that are mutually inverted repeat base sequences, in this case, the sequence of each region including the above sequence of an intron and the reverse direction to the region It may be directly bonded to a region consisting of a repetitive base sequence, or may be bonded via an arbitrary base sequence.

また、本発明でいうイントロンの上記配列を含む領域と
は、各配列、すなわちコンセンサス配列あるいはブラン
チ形成部位の配列、それ自体で構成されることをも含む
ものである。
Furthermore, the region containing the above-mentioned sequence of an intron as used in the present invention includes each sequence, that is, a consensus sequence or a branch forming site sequence, which is composed of itself.

合成イントロンDNAの調製 互いに逆方向反復塩基配列の関係となる塩基配列、すな
わち上記合成イントロンDNAの5′端もしくは3′端
コンセンサス配列を含む領域または、ブランチ形成部位
の配列を含む領域の5′端側もしくは3′端側に位置す
る、該領域に対する逆方向反復塩基配列から成る領域、
あるいは前記任意塩基配列域において互いに逆方向反復
塩基配列の関係となる塩基配列、の長さを、十分長くす
る場合は、形質転換するための宿主が生育可能ないかな
る温度においてもスプライシング反応は阻害され、また
逆に短くする場合は、宿主が生育可能ないかなる温度に
おいても正しいスプライシング反応の機能が維持される
Preparation of synthetic intron DNA Base sequences that are mutually inverted repeat base sequences, that is, the 5' end or 3' end of the synthetic intron DNA, or the 5' end of the region containing the consensus sequence or the branch forming site sequence. a region consisting of an inverted repeat base sequence with respect to the region, located on the side or 3'end;
Alternatively, if the length of the base sequences that are mutually inverted repeat base sequences in the arbitrary base sequence region is made sufficiently long, the splicing reaction will be inhibited at any temperature at which the host for transformation can grow. , and conversely, when shortened, the correct splicing reaction function is maintained at any temperature at which the host can grow.

従って、この逆方向反復塩基配列の長さ、逆方向反復塩
基配列の相補性の程度、あるいは互いに逆方向反復塩基
配列の関係にある両塩基配列の間隔、などを適宜調整す
ることによって、任意の温度でスプライシング反応が生
ずるようにすることのできる調節可能な温度感受性イン
トロン、すなわち本発明による合成イントロンDNAを
造成することができる。このような合成イントロンDN
Aにおける、互いに逆方向反復塩基配列の関係となる両
塩基配列あるいはその他の部分の塩基配列の調製は、D
NA合成機による化学合成、あるいは既知の遺伝子の必
要なイントロン部分の使用、など任意の方法を用いるこ
とが可能である。
Therefore, by appropriately adjusting the length of this inverted repeat base sequence, the degree of complementarity of the inverted repeat base sequences, or the spacing between both base sequences that are in the relationship of mutually inverted repeat base sequences, it is possible to A tunable temperature-sensitive intron, ie, a synthetic intronic DNA according to the present invention, can be created at which temperature the splicing reaction can occur. Such a synthetic intron DN
In A, the preparation of both base sequences or other parts of the base sequences that are mutually inverted repeat base sequences is D.
Any method can be used, such as chemical synthesis using an NA synthesizer or use of the necessary intron portion of a known gene.

合成イントロンDNAの好ましい具体例としては、前記
、式(I)、(II)で示したような配列に調製するこ
とができる。
Preferred specific examples of synthetic intron DNA can be prepared into sequences as shown in formulas (I) and (II) above.

このように調製された温度感受性の合成イントロンDN
Aは、適当なりローニングベクター、たとえば大腸菌プ
ラスミド、にクローン化しておけば大量に調製すること
ができる。また、この合成イントロンDNAを適当な制
限酵素により切り出せ不ようにクローニングしておけば
、必要時に切り出すことが可能となる。この場合、好ま
しくは平滑末端を生じる制限酵素により切り出せるよう
にクローニングしておくのが良い。その具体例としては
、後記実験例で示した通り、合成イントロンDNAの塩
基配列が5naBIおよびPvuI[制限酵素認識部位
を有するように設定しておくことである。
Temperature-sensitive synthetic intron DN thus prepared
A can be prepared in large quantities by cloning it into an appropriate cloning vector, such as an E. coli plasmid. Furthermore, if this synthetic intron DNA is cloned in such a way that it cannot be excised using an appropriate restriction enzyme, it can be excised when necessary. In this case, it is preferable to clone in such a way that it can be excised with a restriction enzyme that produces blunt ends. A specific example of this is to set the base sequence of the synthetic intron DNA to have restriction enzyme recognition sites of 5naBI and PvuI, as shown in the experimental examples below.

合成イントロンDNAを含む組換えDNA本発明による
合成イントロンDNAを含んだ組換えDNAは、上記合
成イントロンDNAまたは該DNAを含む任意の遺伝子
を発現ベクターに挿入または連結したものである。上記
発現ベクターとは、合成イントロンDNAまたは該DN
Aを含む任意の遺伝子を、形質転換させるための宿主細
胞内へ移入させる役割を担う運搬体DNAをさす。
Recombinant DNA containing synthetic intron DNA The recombinant DNA containing synthetic intron DNA according to the present invention is obtained by inserting or ligating the above synthetic intron DNA or any gene containing the DNA into an expression vector. The above expression vector is a synthetic intron DNA or
It refers to a carrier DNA that plays the role of transferring any gene containing A into a host cell for transformation.

従って、発現ベクターは宿主細胞内において、自律的に
増殖するものであっても良いし、また、宿主染色体に組
み込まれるもの、あるいは、宿主染色体の一部と置き換
わるものであっても良いし、さらに、宿主染色体様に振
るまう環状あるいは直鎖状のものであっても良い。この
ようなベクターには、プラスミド、ファージ、コスミド
などが含まれるが、プラスミドがより好ましい。また、
これらのベクターは、合成イントロンDNAを挿入した
任意の遺伝子が該ベクターによって宿主内に移入された
ことを示すマーカーとなる遺伝子を持っていることが望
ましい。
Therefore, the expression vector may be one that grows autonomously within the host cell, one that is integrated into the host chromosome, or one that replaces a part of the host chromosome, and , it may be circular or linear that behaves like a host chromosome. Such vectors include plasmids, phages, cosmids, etc., with plasmids being more preferred. Also,
These vectors preferably have a gene that serves as a marker indicating that any gene into which the synthetic intron DNA has been inserted has been transferred into the host by the vector.

これらの具体例としては、後記実施例で示した、1)マ
ーカーとして酵母のLEU2遺伝子を持ち、酵母内で自
律的に増殖する多コピー型プラスミドYEp13.11
)マーカーとして酵母のURA3遺伝子を持ち、酵母内
で染色体様に振るまう環状のCEN型プラスミドpFN
8などがある。
Specific examples of these include 1) multicopy plasmid YEp13.11, which has the yeast LEU2 gene as a marker and grows autonomously in yeast, as shown in the Examples below;
) A circular CEN-type plasmid pFN that has the yeast URA3 gene as a marker and behaves like a chromosome in yeast.
There are 8 etc.

合成イントロンDNAを挿入し、宿主細胞内へ移入させ
る任意の遺伝子は、宿主細胞において発現を望む遺伝子
であり、宿主細胞由来のものであっても良いし、外来遺
伝子であっても良く、ポリペプチドをコードするものが
普通であるが、RNA、たとえばtRNAやrRNA、
をコードするものであってもよい。この具体例としては
、後記実験例で示した酵母のURA3遺伝子などがある
Any gene into which synthetic intron DNA is inserted and transferred into the host cell is a gene that is desired to be expressed in the host cell, and may be derived from the host cell or may be a foreign gene, and may be a gene that is desired to be expressed in the host cell, and may be derived from the host cell or may be a foreign gene. RNA, such as tRNA, rRNA,
It may also be coded. A specific example of this is the yeast URA3 gene shown in the experimental example below.

イントロンの遺伝子への挿入に関しての詳細は、特願昭
62−276944号の明細書に記載されているが、以
下にその概要を本発明に関連させて説明すれば下記の通
りである。
Details regarding the insertion of an intron into a gene are described in the specification of Japanese Patent Application No. 62-276944, and the outline thereof will be explained below in relation to the present invention.

イントロン(すなわち本発明による合成イントロンDN
A)の末端が平滑末端である場合は、遺伝子を塩基の過
不足なく平滑末端を生じるように切断し、そこに合成イ
ントロンDNAを正しい向きに挿入すればよい(正しい
向きとは、転写後スプライシングと呼ばれる反応により
合成イントロンDNAが転写産物から取り除かれる向き
をさす)。これには様々な方法が可能であるが、例えば
以下のようにして遺伝子に合成イントロンDNAを挿入
することができる。
introns (i.e. synthetic intronic DNs according to the invention)
If the end of A) is blunt, the gene can be cut to create a blunt end with just the right number of bases, and the synthetic intron DNA can be inserted there in the correct direction (the correct direction means post-transcriptional splicing). refers to the direction in which the synthetic intron DNA is removed from the transcript by a reaction called Although various methods are possible for this, for example, synthetic intron DNA can be inserted into a gene as follows.

1)平滑末端を生じる制限酵素で切断し、そこに合成イ
ントロンDNAを正しい向きに挿入する。
1) Cut with a restriction enzyme that produces blunt ends, and insert synthetic intron DNA therein in the correct orientation.

2)粘着液末端を生じる制限酵素で切断したのち、片方
の末端をDNAポリメラーゼにより平滑末端とし、もう
一方の末端を単鎖特異的DNAa s eにより平滑末
端とする。そこに合成イントロンDNAを正しい向きに
挿入する。
2) After cutting with a restriction enzyme that produces a sticky end, one end is made blunt with DNA polymerase, and the other end is made blunt with single-strand specific DNAase. Insert the synthetic intron DNA there in the correct direction.

もし遺伝子を塩基の過不足なく平滑末端を生じるように
切断することが難しい場合は、挿入によって遺伝子の塩
基に過不足が生じないように合成イントロンDNAの片
方あるいは両方の末端に必要な塩基対を付加するか、あ
るいは余分な塩基対を末端から除去したのち、合成イン
トロンDNAを正しい向きに挿入しなければならない(
以上、上記明細書を参照されたい)。
If it is difficult to cut the gene so as to produce a blunt end with no excess or deficiency of bases, insert the necessary base pairs at one or both ends of the synthetic intron DNA so that the insertion does not result in excess or deficiency of bases in the gene. After adding or removing extra base pairs from the ends, the synthetic intron DNA must be inserted in the correct orientation (
Please refer to the above specification).

合成イントロンDNAの任意の遺伝子への挿入位置は、
転写される領域内であればどこの位置でもよく、具体例
には遺伝子の転写産物に含まれる領域のうち、ポリペプ
チドをコードする領域(エクソン部分)、あるいは上記
RNAをコードする領域がある。好ましくは、上記ポリ
ペプチドをコードする領域であり、さらに好ましくは、
そのうちの5′端近傍である。
The insertion position of synthetic intron DNA into any gene is
It may be located anywhere within the transcribed region, and specific examples include a polypeptide-encoding region (exon portion) included in the transcription product of a gene, or the above-mentioned RNA-encoding region. Preferably, it is a region encoding the above polypeptide, more preferably,
This is near the 5' end.

形質転換体 本発明による形質転換体は、合成イントロンDNAまた
は該DNAを含む任意の遺伝子を発現ベクター挿入また
は連結した上記組換えDNAを適当な宿主細胞内に移入
させることにより、得ることができる。使用する発現ベ
クターがマーカー遺伝子、たとえば栄養要求性、薬剤耐
性等に関する遺伝子、を有する場合は、このマーカー遺
伝子を指標にして、形質転換体を識別することが容易と
なる。
Transformants A transformant according to the present invention can be obtained by transfecting into an appropriate host cell the above-mentioned recombinant DNA into which a synthetic intron DNA or any gene containing the DNA has been inserted or ligated into an expression vector. When the expression vector used has a marker gene, for example, a gene related to auxotrophy, drug resistance, etc., transformants can be easily identified using this marker gene as an indicator.

形質転換体となる宿主は次の性質を有するものであれば
、いずれの微生物あるいは培養細胞(植物または動物細
胞など)でも良い。
The host serving as a transformant may be any microorganism or cultured cell (plant or animal cell, etc.) as long as it has the following properties.

1)合成イントロンDNAのスプライシングの機構を有
すること。
1) Having a mechanism for splicing synthetic intron DNA.

ii)合成イントロンDNAのスプライシングを調節す
る各種温度において生育可能であること。
ii) Ability to grow at various temperatures to regulate splicing of synthetic intronic DNA.

好ましくは、酵母菌株であり、その−具体例として後記
実験例で示したサツカロミセス・セレビシェ(Sacc
haromyces cerevisJae)がある。
Preferably, it is a yeast strain, and a specific example thereof is Saccaromyces cerevisiae (Sacc), which is shown in the experimental example below.
haromyces cerevis Jae).

〔実験例〕[Experiment example]

温度感受性合成イントロンDNAの作製(1)  互い
に逆方向反復塩基配列の関係となる塩基配列を有する合
成イントロンDNAの作製(a)  プラスミドpUC
−lNTR0N (合成したイントロンAおよびBをそ
れぞれプラスミドpUc118に結合してクローニング
した後、二種のプラスミドから各イントロンを含む制限
酵素DNA断片を精製し、両断片を結合してこれをクロ
ーン化したもの。このクローンのイントロン部分の塩基
配列は第3図に示されている。)(詳細は特願昭62−
276944号明細書参照)(50μg)を制限酵素5
naBIおよびPstIで切断した後、ポリアクリルア
ミドゲル電気泳動により約33塩基対のイントロンの5
′端コンセンサス配列を含む断片を精製した。これを、
プラスミドpUC−lNTR0N (3μg)を制限酵
素Xbalで切断後、大腸菌DNAポリメラーゼ・クレ
ノー断片で平滑末端とし、さらに、制限酵素PstIで
切断したものとT4DNAリガーゼを用いて結合した。
Preparation of temperature-sensitive synthetic intron DNA (1) Preparation of synthetic intron DNA having base sequences that are mutually inverted repeat base sequences (a) Plasmid pUC
-lNTR0N (Synthesized introns A and B were each ligated to plasmid pUc118 and cloned, then restriction enzyme DNA fragments containing each intron were purified from the two plasmids, and both fragments were ligated and cloned. The nucleotide sequence of the intron portion of this clone is shown in Figure 3.
276944) (50 μg) was treated with restriction enzyme 5
After cutting with naBI and PstI, polyacrylamide gel electrophoresis revealed that the approximately 33 base pair intron 5
A fragment containing the 'end consensus sequence was purified. this,
Plasmid pUC-1NTR0N (3 μg) was cut with restriction enzyme Xbal, blunt-ended with Escherichia coli DNA polymerase Klenow fragment, and then ligated with the restriction enzyme PstI using T4 DNA ligase.

(b)   プラスミドptrc−lNTR0N (5
0μg)を制限酵素RvuIIおよびSac Iで切断
した後、ポリアクリルアミドゲル電気泳動により約38
塩基対のイントロンのブランチ形成部位および3′端の
コンセンサス配列を含む断片を精製した。これを、プラ
スミドpUC−lNTR0N(3μg)を制限酵素Xb
alで切断後、大腸菌DNAポリメラーゼ・クレノー断
片で平滑末端とし、さらに制限酵素5aclで切断した
ものとT4DNAリガーゼを用いて結合した。
(b) Plasmid ptrc-lNTR0N (5
0 μg) was digested with restriction enzymes RvuII and Sac I, and then subjected to polyacrylamide gel electrophoresis.
A fragment containing the base-paired intron branching site and the 3' consensus sequence was purified. This was combined with plasmid pUC-lNTR0N (3 μg) using restriction enzyme Xb.
After cutting with Al, the ends were made blunt with Escherichia coli DNA polymerase Klenow fragment, which was further cut with restriction enzyme 5acl and ligated with T4 DNA ligase.

これらのDNAを用い常法に従って、大腸菌E。Using these DNAs, Escherichia coli E was produced according to a conventional method.

coli  H8101株を形質転換し、アンピシリン
耐性株を選択することによりクローンを得たCpUC−
INT・A%pUC−INT・B)。
Clones were obtained by transforming E. coli H8101 strain and selecting ampicillin-resistant strains.
INT・A%pUC-INT・B).

プラスミドpUC−INT−A (10,czg)を制
限酵素Pstlで切断した後、Ba131ヌクレアーゼ
を用いてDNAをさまざまな長さに切除した。さらにD
NAポリメラーゼ・クレノー断片で平滑末端とし、Xb
aIリンカ−をT4DNAリガーゼを用いて結合させ、
制限酵素XbalおよびSca Iで切断して得られる
さまざまな長さのDNA断片をアガロース電気泳動で精
製した。
After cutting the plasmid pUC-INT-A (10, czg) with the restriction enzyme Pstl, the DNA was excised to various lengths using Ba131 nuclease. Further D
Make blunt ends with NA polymerase Klenow fragment and
aI linker is ligated using T4 DNA ligase,
DNA fragments of various lengths obtained by digestion with restriction enzymes Xbal and Sca I were purified by agarose electrophoresis.

これを、ptrc−INT−A (2μg)を制限酵素
XbalおよびSca Iで切断したものとDNAリガ
ーゼを用いて結合した。
This was ligated to ptrc-INT-A (2 μg) cut with restriction enzymes Xbal and Sca I using DNA ligase.

プラスミドpUC−INT −B (10μg)を制限
酵素Sac Iで切断した後、BAL−31ヌクレアー
ゼを用いてDNAをさまざまな長さに切除した。さらに
、DNAポリメラーゼ・クレノー断片で平滑末端とし、
Xbalリンカ−をT4DNAリガーゼを用いて結合さ
せ、制限酵素Xbalおよび5caIで切断して得られ
るさまざまな長さのDNA断片をアガロース電気泳動で
精製した。これを、pUC−INT−B (2μg)を
制限酵素Xbalおよび5caIで切断したものとDN
Aリガーゼを用いて結合した。
After cutting plasmid pUC-INT-B (10 μg) with restriction enzyme Sac I, the DNA was excised to various lengths using BAL-31 nuclease. Furthermore, the ends were made blunt with DNA polymerase Klenow fragment,
Xbal linkers were ligated using T4 DNA ligase, and DNA fragments of various lengths obtained by cutting with restriction enzymes Xbal and 5caI were purified by agarose electrophoresis. This was combined with pUC-INT-B (2 μg) cut with restriction enzymes Xbal and 5caI and DNA
It was ligated using A ligase.

これらのDNAを用い、常法に従って大腸菌E。Using these DNAs, Escherichia coli E was produced according to conventional methods.

coli  H8101株を形質転換し、アンピシリン
耐性株を選択することにより、5′端のコンセンサス配
列あるいは、ブランチ形成部位のコンセンサス配列を含
む領域に対する種々の長さの逆方向反復塩基配列を有す
るイントロンを持つクローンを得た(pUC−INT−
A’  1〜40、pUC−INT−B’  1〜40
)。
By transforming E. coli H8101 strain and selecting ampicillin-resistant strains, introns with inverted repeat base sequences of various lengths for the 5'-end consensus sequence or the region containing the branch-forming site consensus sequence were created. A clone was obtained (pUC-INT-
A' 1-40, pUC-INT-B' 1-40
).

(2)  温度感受性合成イントロンDNAのスクリー
ニング 上記の5′端コンセンサス配列あるいはブランチ形成部
位のコンセンサス配列を含む領域に対する種々の長さの
逆方向反復塩基配列を有するイントロンのうち温度感受
性であるイントロンは次のようにしてスクリーニングし
た。
(2) Screening of temperature-sensitive synthetic intron DNA Among introns with inverted repeat base sequences of various lengths for the region containing the above-mentioned 5'-end consensus sequence or branch formation site consensus sequence, the following introns are temperature-sensitive. It was screened as follows.

酵母のフォスフォグリセレートキナーゼ遺伝子のプロモ
ーター領域を持つプラスミドpUC−PGKp(3μg
)を、制限酵素Sph丁で切断し、T4DNAポリメラ
ーゼで平滑末端とし、さらに制限酵素Hi、 n d 
mで切断した後アガロース電気泳動でフォスフォグリセ
レートキナーゼ遺伝子のプロモーター領域を含む約16
00塩基対の断片を精製した。これをプラスミドpUC
−I NT−A’  1〜40あるいは、プラスミドp
UC−INT−B’  1〜40(各々1μg)を制限
酵素5naBIおよびHind]IIで切断したものと
T4DNAリガーゼを用いて結合した。これらのDNA
を用い、常法に従って大腸菌E。
Plasmid pUC-PGKp (3 μg) containing the promoter region of the yeast phosphoglycerate kinase gene
) was cut with the restriction enzyme Sph-D, made blunt-ended with T4 DNA polymerase, and further digested with the restriction enzyme Hi, n d
After cutting with m, agarose electrophoresis revealed approximately 16 cells containing the promoter region of the phosphoglycerate kinase gene.
A 00 base pair fragment was purified. This is plasmid pUC
-I NT-A' 1-40 or plasmid p
UC-INT-B'1 to 40 (1 μg each) were digested with restriction enzymes 5naBI and Hind]II and ligated using T4 DNA ligase. These DNA
E. coli using conventional methods.

coli  H8101株を形質転換しアンピシリン耐
性株を選択することにより目的とするクローンを得た(
pUC−PGKp−INT−A’  1〜40、pUC
−PGKp−INT−B’  1〜40)上記プラスミ
ドpUC−PGKp −INT−A’  1〜40、p
UC−PGKp −INT−B’1〜40(各々3μg
)を制限酵素PvuIIで切断し、BglUリンカ−を
T4DNAリガーゼを用いて結合し、さらに制限酵素H
indIIIおよびBglIIで切断した後、アガロー
ス電気泳動で約1700塩基対のDNA断片を精製した
。これを、プラスミドp F N 8 (F、Naga
wa、et、al、、Proc、Na−tl、Acad
、Sc1.USA、828557−8561(1985
))を制限酵素HindmおよびBamHIで切断した
ものとT4DNAリガーゼを用いて結合した。これらの
DNAを用い常法に従って大腸菌E、coliHBIO
I株を形質転換し、アンピシリン耐性株を選択すること
により目的とするクローンを得た(pFN−PGKp−
INT−A’  1〜40、pFN−PGKpiNT−
B’  1〜40)。
The desired clone was obtained by transforming E.coli H8101 strain and selecting an ampicillin-resistant strain (
pUC-PGKp-INT-A' 1-40, pUC
-PGKp-INT-B' 1-40) The above plasmid pUC-PGKp-INT-A' 1-40, p
UC-PGKp-INT-B'1-40 (3 μg each
) was cut with the restriction enzyme PvuII, a BglU linker was ligated with T4 DNA ligase, and then the restriction enzyme H
After digestion with indIII and BglII, a DNA fragment of about 1700 base pairs was purified by agarose electrophoresis. This was transformed into plasmid pFN8 (F, Naga
wa,et,al,,Proc,Na-tl,Acad
, Sc1. USA, 828557-8561 (1985
)) was digested with the restriction enzymes Hindm and BamHI and ligated using T4 DNA ligase. Using these DNAs, extract Escherichia coli E, coliHBIO according to the conventional method.
The target clone was obtained by transforming the I strain and selecting an ampicillin-resistant strain (pFN-PGKp-
INT-A' 1-40, pFN-PGKpiNT-
B' 1-40).

上記プラスミドpFN−PGKp−TNT−A’ 1〜
40およびpFN−PGKp −INT−B’1〜40
を用い常法に従って酵母Saccharom−yces
  ccrevlsjac  NY6八株へ(MATa
    ura3−52.1eu2−3.1eu2−1
12、his4−519)を形質転換し、URA+とな
った形質転換体を得た。
The above plasmid pFN-PGKp-TNT-A' 1~
40 and pFN-PGKp-INT-B'1-40
yeast Saccharom-yces according to a conventional method using
ccrevlsjac NY6 to eight stocks (MATa
ura3-52.1eu2-3.1eu2-1
12, his4-519) to obtain a URA+ transformant.

これら形質転換体を16℃あるいは36°Cて培養し、
β−ガラクトシダーゼの活性を調べ、36℃で培養した
場合に比べ16℃で培養した場合に活性の低下したクロ
ーンを得た(pFN−PGKp−INT−A’   コ
−、pFN−PGKp−INT−B’  1)。
These transformants were cultured at 16°C or 36°C,
The activity of β-galactosidase was examined, and clones with decreased activity when cultured at 16°C compared to when cultured at 36°C were obtained (pFN-PGKp-INT-A' co-, pFN-PGKp-INT-B '1).

これらの形質転換体のβ−ガラクトシダーゼ遺伝子から
合′成されるmRNAをブライマー伸長法で解析したと
ころ、36℃で培養した場合に検出される野生型と同じ
長さのバンドが16℃で培養した場合には検出されなか
った。これにより、このイントロンのスプライシングが
温度感受性になっていることが明らかである。
When the mRNA synthesized from the β-galactosidase gene of these transformants was analyzed by the Brimer extension method, a band with the same length as the wild type detected when cultured at 36°C was detected when cultured at 16°C. No cases were detected. This clearly shows that splicing of this intron is temperature sensitive.

これらクローンのイントロンの塩基配列は第1図および
第2図に示し7た通りである。
The intron base sequences of these clones are as shown in FIGS. 1 and 2.

なお、各図中における2つの位置の記号1=−−−−)
は、両範囲内の塩基配列が互いに逆方向反復配列の関係
にあることを示している。
In addition, the symbols 1 =----) at two positions in each figure
indicates that the base sequences within both ranges are in an inverted repeat sequence relationship.

温度感受性合成イントロンDNAを用いた遺伝子発現調
節温 プラスミドpUC−INT−A’  1あるいはpUC
−INT−B’  I C各々50μg)を制限酵素5
naBIおよびPvuUで切断した後アクリルアミドゲ
ル電気泳動により約123塩基対あるいは約104塩基
対のイントロンを含んだDNAIr片を精製した。
Gene expression regulation using temperature-sensitive synthetic intron DNA Temperature plasmid pUC-INT-A'1 or pUC
-INT-B' IC (50 μg each) was added with restriction enzyme 5
After digestion with naBI and PvuU, a DNA Ir piece containing an intron of about 123 base pairs or about 104 base pairs was purified by acrylamide gel electrophoresis.

これを、プラスミドY I p5  [1,) 5tr
u1.に、etat proc、NaL、Acad、S
c1.USA、 76.1035−+039(1979
)、2) Dotstein、D、eL al、Gen
e、8.17−24(+979)、3) Rose、e
t al、、Gene、29,113−124(198
4))  (2μg)を制限酵素5tuIで切断したも
のとT4DNAリガーゼを用いて結合した。
This is converted into plasmid Y I p5 [1,) 5tr
u1. ,etat proc,NaL,Acad,S
c1. USA, 76.1035-+039 (1979
), 2) Dotstein, D. eL al., Gen.
e, 8.17-24 (+979), 3) Rose, e
tal, Gene, 29, 113-124 (198
4)) (2 μg) was digested with restriction enzyme 5tuI and ligated with T4 DNA ligase.

これらのDNAを用い、常法に従って大腸菌E、col
i  H8101株を形質転換し、アンピシリン耐性株
を選択することによりイントロンが酵母S、cerev
isiaeのURA3遺伝子の内部に正しい向きに挿入
されているクローンを得た(Ylp−INT−A’  
1、Ylp−INT−B’  1)。
Using these DNAs, Escherichia coli E, col
i By transforming the H8101 strain and selecting ampicillin-resistant strains, the intron was transformed into yeast S, cerev
A clone inserted into the URA3 gene of Y. isiae in the correct orientation was obtained (Ylp-INT-A'
1, Ylp-INT-B' 1).

上記プラスミドYIp−INT−A’  1あるいは、
YIp−INT−B’  1 (各々3μg)を制限酵
素sph IおよびPvuIIで切断した後、アガロー
ス電気泳動によりイントロン配列を挿入したURA3遺
伝子を含む約2500塩基対のDNA断片を精製した。
The above plasmid YIp-INT-A' 1 or
After cutting YIp-INT-B' 1 (3 μg each) with restriction enzymes sph I and Pvu II, a DNA fragment of about 2500 base pairs containing the URA3 gene into which an intron sequence had been inserted was purified by agarose electrophoresis.

これを、プラスミドY E p 13 (Broach
j、R,、Methods in Enzymolo−
gy、 lot 、307(1983))  (2μg
)を制限酵素sph IおよびPvuIIで切断したも
のとT4DNAリガーゼを用いて結合した。
This was transformed into plasmid Y E p 13 (Broach
j,R,,Methods in Enzymolo-
gy, lot, 307 (1983)) (2 μg
) was digested with restriction enzymes sph I and Pvu II and ligated using T4 DNA ligase.

これらのDNAを用い、常法に従って大腸菌E。Using these DNAs, Escherichia coli E was produced according to conventional methods.

colt  H8101株を形質転換し、アンピシリン
耐性株を選択することにより目的のクローンを得た(Y
Ep−INT−A’  1およびYEp−INT−B’
  1)。
The desired clone was obtained by transforming the colt H8101 strain and selecting an ampicillin-resistant strain (Y
Ep-INT-A' 1 and YEp-INT-B'
1).

上記プラスミドYEp−INT−A’  1およびYE
p−INT−B’ を用い、常法に従って酵母S、ee
revisiae NYBA株(MataSura3−
52、 Ieu2−3、1eu2−112、his4−
519)を形質転換し、LEU+となった形質転換体を
得た。
The above plasmids YEp-INT-A' 1 and YE
Using p-INT-B', yeast S, ee
revisiae NYBA strain (MataSura3-
52, Ieu2-3, 1eu2-112, his4-
519) to obtain a LEU+ transformant.

これら形質転換体を36℃、23℃で培養しウラシル要
求性を調べたところ、培養3日後において36℃で培養
した場合はURA  であったが、23℃で培養した場
合はURA  であった。
These transformants were cultured at 36°C and 23°C and uracil auxotrophy was examined. Three days after culture, it was URA when cultured at 36°C, but URA when cultured at 23°C.

これらの結果から、プラスミドpUC−INT−A′1
あるいはpUC−INT−B’ 1由来のイントロンを
任意の遺伝子に挿入することによって、その遺伝子の発
現を温度によって調節できることは明らかである。
From these results, plasmid pUC-INT-A'1
Alternatively, it is clear that by inserting an intron derived from pUC-INT-B'1 into any gene, the expression of that gene can be regulated by temperature.

【図面の簡単な説明】 第1図は、プラスミドpUC−INT−A’  1のイ
ントロン領域の塩基配列を示すものであり、第2図は、
プラスミドpUC−INT−B’ 1のイントロン領域
の塩基配列を示すものであり、第3図は、プラスミドp
UC−lNTR0Nのイントロン領域の塩基配列を示す
ものである。 第4図および第5図は、それぞれ、本発明によるイント
ロンDNAにおける逆方向反復塩基配列の位置関係、お
よび転写産物RNAのハイブリダイズの際の二次構造を
示す説明図である。
[Brief Description of the Drawings] Figure 1 shows the base sequence of the intron region of plasmid pUC-INT-A'1, and Figure 2 shows the base sequence of the intron region of plasmid pUC-INT-A'1.
Figure 3 shows the base sequence of the intron region of plasmid pUC-INT-B'1.
This shows the base sequence of the intron region of UC-1NTR0N. FIG. 4 and FIG. 5 are explanatory diagrams showing the positional relationship of inverted repeat base sequences in intron DNA according to the present invention and the secondary structure during hybridization of transcript RNA, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、5′端および3′端コンセンサス配列を含む領域な
らびにブランチ形成部位の配列を含む領域を有するイン
トロンDNAにおいて、上記イントロンDNAに下記の
(1)および(または)(2)によって定義される少な
くとも一組の逆方向反復塩基配列域を持たせたことを特
徴とする、合成イントロンDNA。 (1)該少なくとも一組の逆方向反復塩基配列の一方は
コンセンサス配列を含む領域および(または)ブランチ
形成部位の配列を含む領域の配列であること、 (2)該少なくとも一組の逆方向反復塩基配列がコンセ
ンサス配列を含む領域およびブランチ形成部位の配列を
含む領域以外の塩基配列域に存在していて、該一組の逆
方向塩基配列の少なくとも一つはブランチ形成部位の配
列を含む領域を挾んで存在すること。 2、請求項1記載の合成イントロンDNAまたは該DN
Aを含む任意の遺伝子が発現ベクターに挿入または連結
されてなる組換えDNA。 3、請求項1記載の合成イントロンDNAまたは該DN
Aを含む任意の遺伝子が発現ベクターに挿入または連結
された組換えDNAにより形質転換された形質転換体。
[Scope of Claims] In an intronic DNA having a region containing consensus sequences at the 1, 5' and 3' ends, and a region containing a branch formation site sequence, the above intronic DNA contains the following (1) and/or (2). ) A synthetic intron DNA characterized by having at least one set of inverted repeat base sequence regions defined by: (1) One of the at least one set of inverted repeat base sequences is a sequence of a region containing a consensus sequence and/or a region containing a branch forming site sequence; (2) the at least one set of inverted repeat base sequences; The base sequence is present in a base sequence region other than the region containing the consensus sequence and the region containing the branch forming site sequence, and at least one of the set of reverse base sequences is present in the region containing the branch forming site sequence. To exist in between. 2. The synthetic intron DNA according to claim 1 or the DNA
A recombinant DNA obtained by inserting or ligating any gene containing A into an expression vector. 3. The synthetic intron DNA according to claim 1 or the DNA
A transformant transformed with a recombinant DNA in which any gene containing A is inserted or ligated into an expression vector.
JP29696088A 1988-11-24 1988-11-24 Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith Pending JPH02142482A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29696088A JPH02142482A (en) 1988-11-24 1988-11-24 Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29696088A JPH02142482A (en) 1988-11-24 1988-11-24 Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02142482A true JPH02142482A (en) 1990-05-31

Family

ID=17840421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29696088A Pending JPH02142482A (en) 1988-11-24 1988-11-24 Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02142482A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sugimoto et al. Schizosaccharomyces pombe ste11+ encodes a transcription factor with an HMG motif that is a critical regulator of sexual development.
US6734019B1 (en) Isolated DNA that encodes an Arabidopsis thaliana MSH3 protein involved in DNA mismatch repair and a method of modifying the mismatch repair system in a plant transformed with the isolated DNA
Roberts et al. Molecular analysis of a Neurospora crassa gene expressed during conidiation
Hanic-Joyce et al. Molecular characterization of the yeast PRT1 gene in which mutations affect translation initiation and regulation of cell proliferation.
HU213344B (en) Process for producing of stable dezintegrating plasmid-vectors
CA2384355A1 (en) Methods and means for modification of plant flowering characteristics
Bencini et al. The DNA sequence of argI from Escherichia coli K12
KR20010020482A (en) Improved protein expression strains
US5834237A (en) Combined use of two expression cassettes for the production of a protein of interest
WO1994010315A2 (en) Process for enhancing the content of a selected amino acid in a seed storage protein
HUT67448A (en) Yeast promoter and use thereof
Hermann et al. pYLZ vectors: Saccharomyces cerevisiae/Escherichia coli shuttle plasmids to analyze yeast promoters
Barklis et al. Structure of the promoter of the Dictyostelium discoideum prespore EB4 gene
JPH02142482A (en) Synthetic intron dna, recominant dna containing the same and transformant transformed therewith
Bolton et al. Recombinant DNA techniques: Isolation, cloning, and expression of genes
Lin et al. An intron‐containing meiosis‐induced recombination gene, rec15, of Schizosaccharomyces pombe
JP3797674B2 (en) Gene expression control DNA, expression cassette, expression vector, and transgenic plant
Yu et al. Acetylglutamate synthase from Neurospora crassa: structure and regulation of expression
EP1788084A1 (en) Yeast promoter
EP0295287B1 (en) Method for the production of porcine growth hormone using a synthetic gene in yeast cells
KR100842130B1 (en) Nucleic acid fragments, recombinant vectors using the same, and methods for promoting expression of structural genes using the same
WO2000032785A1 (en) Isolation and characterization of a n. crassa silencing gene and uses thereof
EP1050580B1 (en) Nucleic acid fragments, recombinant vector containing the same and method for promoting the expression of structural gene by using the same
US20030104467A1 (en) Process for preparation of full-length cDNA and anchor used for the same
JP3290108B2 (en) DNA sequence that increases promoter activity