JPH02137221A - 横型拡散炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造工程で用いられる横型拡散炉
に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の横型拡散炉に於ては、炉芯管内の横方向
に温度差を設け、その調整をすることができる機構とな
っているが、炉芯管内の上下方向での温度差を調整出来
る様な構造にはなっていなかった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の横型拡散炉は、炉芯管内の上下方向の温
度差を調整出来る構造になっていないなめ、半導体基板
を熱処理する際に、半導体基板の上部と下部に温度差を
生じていた。このため、半導体基板の面内における酸化
膜の厚さにばらつきが生じたりし、半導体装置の特性に
大きなばらつきを生ずるという欠点があった。

本発明の目的は、炉芯管内の上下方向における温度を均
一にすることができる横型拡散炉を提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の横型拡散炉は、外筒の内部に順次設けられた断
熱材層とヒータと炉芯管とを有する横型拡散炉であって
、前記外筒の内部に炉芯管内の上下方向における温度差
を調整するためのサブヒータまたは冷却管を設けたもの
である。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の一部切
り欠き正面図及びＡ−Ａ’線断面図である。

第１図（ａ）、（ｂ）において、横型拡散炉は外筒４と
その内部に順次設けられた断熱材３とスパイラル状に回
かれたメインヒータ１及び炉芯管２とから主に構成され
ている。そして特にメインヒータ１の下部にはサブヒー
タ６が設けられている。

このように構成された第１の実施例によれば、メインヒ
ータ用端子台５を通してメインヒータ１に電流を流して
加熱した場合、炉芯管内の上下方向に温度差を生じるが
、サブヒータ用端子台７を通してサブヒータ６に電流を
流すことにより、この炉芯管内の温度差を調整し、均一
にすることができる。従って炉芯管２内で熱処理される
半導体基板の温度は、上部及び下部共均−になるため、
例えば、半導体基板表面に形成される酸化膜の厚さは一
定となる。

第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。

上部の断熱材３の内部に耐熱材で作られた空冷管８が挿
入されており、この中に空気を流す事により上部のみを
強制的に空冷できるようになっている。その結果炉芯管
内の上下間での温度の均一を図る事が出来る。

尚、上記実施例においては、サブヒータまたは冷却管を
単独に用いた場合について説明したが、−緒に用いても
よい。またサブヒータや冷却管は複数をあってもよいこ
とは勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、横型の拡散炉内に、炉芯
管内の上下方向における温度差を調整するためのサブヒ
ータまたは冷却管を設けることにより、炉芯管内の上下
方向の温度を均一にすることができる。従って半導体基
板の処理もばらつきなく行うことができるため、炉芯管
内の温度差に起因する酸化膜の厚さのばらつきや特性の
ばらつきをなくすことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の一部切
り欠き正面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の
第２の実施例の断面図である。 １・・・メインヒータ、２・・・炉芯管、３・・・断熱
材、４・・・外筒、５・・・メインヒータ用端子台、７
・・・サブヒータ用端子台、８・・・空冷管。 ｊ′メインヒータ ２−、Ｆ見管 ３　断熱材 ４外間 メインヒータ用端子台 サブヒータ ツブじ一夕用禍子色 空冷管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 外筒の内部に順次設けられた断熱材層とヒータと炉芯管
   とを有する横型拡散炉において、前記外筒の内部に炉芯
   管内の上下方向における温度差を調整するためのサブヒ
   ータまたは冷却管を設けたことを特徴とする横型拡散炉
   。