[go: up one dir, main page]

JPH02132836A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH02132836A
JPH02132836A JP28711088A JP28711088A JPH02132836A JP H02132836 A JPH02132836 A JP H02132836A JP 28711088 A JP28711088 A JP 28711088A JP 28711088 A JP28711088 A JP 28711088A JP H02132836 A JPH02132836 A JP H02132836A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bump
film
pad
electrode
semiconductor equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28711088A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP28711088A priority Critical patent/JPH02132836A/ja
Publication of JPH02132836A publication Critical patent/JPH02132836A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１ 本発明はパッド電極部にバンブを有する牟導体装置のパ
ッド電極部の製法に関する。
【従来の技術】
従来．Ａｕバンブあるいは半田バンブ等のバンブをＡ　
！２　’Ｑｆ極パッド部に形成する半導体装置に於では
、ＡＩ２電極パッド表面にＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ、Ａｕ．　
Ｔ　ｉ　−Ｎ　ｉ−Ａｕ．　Ｔ　ｉ　−Ｗ−Ａｕ、等の
多層膜構造をとっていた。多層ＲＱ構造におけるＴｉや
Ｃｒ膿は下地Ａβ電極との密着性を向上すると共に、Ｃ
工膜やＰｔ．Ｐｄ．Ｎｉ、Ｗ、あるいはＣｕ膜等は更に
その上に形成されるＡｕＵｉやＡｕボール・バンブ等と
の下地Ａεバッド電極との合金化を防止するバリャー層
としての作用をもたせていた． ［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、Ｔｉ−Ｐｔ−ＡｕやＴ
ｉ−Ｐｄ−Ａｕでは高価につき，且つｐｔやＰｄのエッ
チングが困難であると云う課題があり、その他の多層膜
横造では、ＣｒやＮｉ，Ｗ等の耐蝕性が劣ると云う課題
があった。 本発明は、かかる従来技術の課題を解決し，低廉で且つ
エッチングが容易であり，且つ耐蝕性にすぐれたバンプ
部の電極膜構造とその製法を提供する事を目的とする． ［課題を解決するための千段］ 上記課題を解決するために、半導体装置のパッド電極部
に於で、Ａｊ２パッド表面には、少なくとも、ＴｉＮ膜
が形成し、該ＴｉＮＩＦＪ上にバンプな形成する手段を
とる事を基本とする。 ［実　施　例］ 以下，実施例により本発明を詳述する。 第１図は本発明の一実施例を示すバンブをＡＩ２パッド
部に有する半導体装置のバンプ部の断面図である。すな
わち，Ｓｉ基板１の表面にはＳｉＯ２膿２が形成され、
該ＳｉＯ２膜２上にＡｆｆ配線３が施され、更にその上
にＡＲパッド部を窓開けした層間絶縁ｔｌｉ４が形成さ
れ、前記八βパッド部の表面にスバック法等により．１
５００人厚程度のＴｉＮ膜５に引続き．１５００人厚程
度のＡｕ膜６が蒸着され，ホトレジスト、露光によりＡ
ｕバンブ部を窓開けし、電気メッキ法等によりＡｕバン
ブ７を形成後，下地Ａ　ｕ　ＤＩ　６とＴｉＮ膜５をＡ
ｕバンブ７をマスクにして等してプラズマエッチングあ
るいはイオンエッヂングで除去したものである。 尚ＴｉＮＩＩＡ５は、チタン・ターゲットを用いて予め
窒素雰囲気でＴｉＮｌ！！を形成し，その後、アルゴン
雰囲気に切換えて、Ｔ　ｉ　ＩＱを形成し、該Ｔｉ膜上
にＡ　ｕ　１１２　６を形成したＴｉＮ−Ｔｉ　−Ａｕ
構造となす事も出来る。ＴｉＮ膜５の作用は、下地ＡＲ
配線３と、Ａｕとの合金化を防ぐバＪヤ効果があり，最
小限必要な股である。 更にＡｕバンブ７は半田バンブ等他のバンブ材であって
も良いことは云うまでもない．又、ＴｉＮ膜は勿論Ｔｉ
膜は耐蝕性にすぐれた材料である。 ［発明の効果］ 本発明により低廉で、且つエッチングが容易で、且つ耐
蝕性にすぐれたパンブ部の電極膜構造を提供できる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置におけるバ
ンプ部の断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板 ・　ＳｉＯ−　　膜 ・Ａε配線 ・層間絶縁模 ・ＴｉＮＩｌ＠ ・Ａ　１１　ｊｉ菓 Ａｕバンブ 以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　１卯　雅　誉（他１名）第１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半導体装置のパッド電極部に於て、Ａｌパッド表面に
    は少なくともＴｉＮ膜が形成され、該ＴｉＮ膜上にバン
    プが形成されて成る事を特徴とする半導体装置。
JP28711088A 1988-11-14 1988-11-14 半導体装置 Pending JPH02132836A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28711088A JPH02132836A (ja) 1988-11-14 1988-11-14 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28711088A JPH02132836A (ja) 1988-11-14 1988-11-14 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02132836A true JPH02132836A (ja) 1990-05-22

Family

ID=17713189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28711088A Pending JPH02132836A (ja) 1988-11-14 1988-11-14 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02132836A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309025A (en) * 1992-07-27 1994-05-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor bond pad structure and method
WO1994024694A1 (en) * 1993-04-14 1994-10-27 Amkor Electronics, Inc. Interconnection of integrated circuit chip and substrate
JPH07122604A (ja) * 1993-10-26 1995-05-12 Nec Corp 半導体集積回路装置
US5795818A (en) * 1996-12-06 1998-08-18 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit chip to substrate interconnection and method
US11499506B2 (en) 2019-03-05 2022-11-15 Honda Motor Co., Ltd. Opening/closing mechanism of intake member

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5309025A (en) * 1992-07-27 1994-05-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Semiconductor bond pad structure and method
WO1994024694A1 (en) * 1993-04-14 1994-10-27 Amkor Electronics, Inc. Interconnection of integrated circuit chip and substrate
US5478007A (en) * 1993-04-14 1995-12-26 Amkor Electronics, Inc. Method for interconnection of integrated circuit chip and substrate
JPH07122604A (ja) * 1993-10-26 1995-05-12 Nec Corp 半導体集積回路装置
US5795818A (en) * 1996-12-06 1998-08-18 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit chip to substrate interconnection and method
US6163463A (en) * 1996-12-06 2000-12-19 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit chip to substrate interconnection
US11499506B2 (en) 2019-03-05 2022-11-15 Honda Motor Co., Ltd. Opening/closing mechanism of intake member

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0191438A (ja) 半導体装置
JPS5846631A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH02132836A (ja) 半導体装置
JPH06151815A (ja) 半導体装置とその製造方法
JPH03192768A (ja) 半導体装置
JPH04199628A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62274624A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0492453A (ja) 半導体装置
JPH0587144B2 (ja)
JPH0230137A (ja) 半導体装置の配線形成方法
JP3096461B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH05343401A (ja) 半導体装置
JPH01253257A (ja) 半導体集積デバイス
JP3052425B2 (ja) 半導体装置の配線
JPS62155537A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3016785B2 (ja) 半導体装置
JP2674473B2 (ja) 配線構造
JP3256977B2 (ja) 半導体装置
JP2890948B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0444228A (ja) 半導体装置
JPS5913345A (ja) 半導体装置
JPS62281466A (ja) 半導体装置
JPH01196852A (ja) 半導体集積回路装置の電極配線
JPH04100232A (ja) 半導体装置
JPS6118153A (ja) 半導体装置およびその製造方法