JPH02132654A - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録デ
ータを再生する光情報記録媒体とその記録方法に関する
。

［従来の技術コ レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光１’＋！Ｊ報記録媒体は、
Ｔｅｓ　　Ｂｉｓ　　Ｍｎ等の金属層や、シアニン、メ
ロシアニン、フタ口シアニン等の色素層等からなる記録
層を有し、レーザ光の１１＜｛射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。この記録層を有する光情報
記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変形、昇
華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層の背後に
空隙を設けることが一般に行なわれている。具体的には
例えば、空間部を挾んで２枚の基板を積層する、いわゆ
るエアサンドイツチ構造と呼ばれる積層ｖＩ造がとられ
る。

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板ｌ側
からレーザ光を照射し、ピツｉ・を形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、」二記基板１側から
記録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピツ１
・とそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読
みとる。

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で［ａに広く実用化されている。

この皿の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
ず、記録データを再生するためのプレピツ１・やブレグ
ループを予めプレス等の手段でポリカーボネー１・製の
基板の上に形成し、この」二にＡｕ％　Ａｇ，ＣｕＸ　
ＡＩ等の金属膜からなる光反射層を形成し、さらにこの
上を保護層で覆ったものである。

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実川化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパク１・ディ
スクプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広《普及し
ている。

［発明が解決しようとする課題］ 上記書き込み可能な光情報記録媒体は、１１￥生に際し
、既に広《普及したＣＤとの互換性を有し、ＣＤプレー
ヤでそのまま再生できることが強く望まれる。

しかしながら、前者の書き込み可能な光１ｔｊｌ　報記
録媒体は、ＣＤには無い記録層を有し、基板にではなく
、この記録層にピットを形成して記録する手段がとられ
る。さらに、この記録層にピッｌ・を形成するのを容易
にするための空隙層等を佇することから、再生信号が自
ずとＣＤと異なってくる。このため、いわゆるＣＤにつ
いての規格を定めた上記ＣＤフォーマソ１・を満足する
ことが困難である。従って、従来においては、ＣＤに適
合する１↓ｔき込み可能な光情報記録媒体を提供するこ
とができなかった。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、データの出生に際し、ＣＤフォーマ
ットに適合する出力信５号が得られる書き込みが可能な
光情報記録媒体とこの光情報記録媒体に適した情報記録
方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ すなわち、上記目的を達成するため、本発明では、第一
に、透光性基板の−１二に直接または池の層を介して、
レーザ光の照射により融解、分解する光吸収層と、その
背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録
媒体において、上記光吸収層と上記光反射層との間に、
同基板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質
層が、ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５においてＭ１
００以上、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８において１００
℃（４．６ｋｇ／ｃｍ２）以上の何れか少なくとも一方
の特性を有する光情報記録媒体を提供する。

第二に、透光性基板の上に直接または他の層を介して、
レーザ光の照射により融解、分解する光吸収層と、その
背後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録
媒体において、ト記光反射層のレーザ光が入射する背後
側に、同基板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、こ
の硬質層が、ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５におい
てＭ１００以上、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８において
１００℃（４．６ｋｇ／ｃｍり　以上の何れか少なくと
も一方の特性を仔する光情報記録媒体を提供する。

第三に、透光性基板の上に直接または他の層を介して、
レーザ光の照射により融解、分解する光吸収層を有する
光情報記録媒体を用い、−１二記基板側から人射させた
レーザ光を光吸収層に照射して、ピットを形成する光情
報記録方法において、レーザ光の照射時の光吸収層の１
ｊ１１解、分解に伴い、基板の表面を一部変形させて、
ピットを形成する光情報記録方法を提供する。

第四に、透光性基板の上に直接または他の層を介して、
レーザ光の照射により融解、分解する光吸収層を佇する
光情報記録媒体を用い、上記基板側から人射させたレー
ザ光を光吸収層に照射して、ビットを形成する光情報記
録方法において、レーザ光の照射時の光吸収層の…１解
、分解に伴い、光吸収層の成分と基板の成分とを部分的
に混合させて、化合させ、その部分の光学的特性を変化
させてビットを形成する光情報記録方法を提供する。

［作　　　用コ 第一と第二の手段による光情報記録媒体及び第三の手段
による光情ｔｉｈ記録方法によれば、光吸収層にレーザ
光を照射したとき、間光吸収層がレーザ光を吸収して融
解、分解すると共に熱を発生する。このため、基板の表
面が局部的に軟化することにより変形し、ピットが形成
される。また、上記レーザ光の照射によって…！解、分
解した成分が、軟化したノ；Ｕ板の中に拡！ｉ＆　１／
、ノ．（板を形成する成分と部分的に混合して、化合し
、そこに光吸収層２や基板ｌの他の部分とは光学的に異
なった部分が生成し、ピットが形成される。

この場合において、光吸収層の背後側には、上記ノλ板
に比して熱変形しにくい硬質層を有するため、上記のよ
うな変形や光学特性の変化は、レーザ光が入射する基板
側で起こる。

こうして形成されるピットは、予めプレス等の手段によ
って基板の表面に形成されるビソ１・と近似（光学的）
するものである。また、光吸収層の背後に密若しで金属
層による光反射層を設けることもできる。従って、形態
的にもＣＤに近似した光情報記録媒体が得られ、ＣＤフ
ォーマッ１・に適合した記録可能な光情報記録媒体が容
易に得られる。

［実　施　例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第３図に示す。同図において、ｌは、透光性を有
する基板、２は、その」一に形成された光吸収層で、照
射されたレーザ光を吸収して融解、分解し、当該光吸収
層２や基板Ｉの表面にピブ１・を形成する作用を有する
層である。また３は、その上に形成された光反射層、４
は、その外側に設けられた保護層を示す。

第１図〜第３図で示した実施例は、光吸収層２と光反射
層３との間に、硬質層６が介／１されている場合である
。また、第４図と第５図で示した実施例は、光反射層３
の背後に硬質層６を配置した場合である。さらに、図示
してはいないが、保護層４に硬質層としての機能を持た
せることができる。何れの場合も、硬質層は、ノ、ｋ板
より熱変形しにくいもので形成され、かつそのロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５においてＭ１００以上、熱変
形温度ＡＳＴＭＤ６４８において１００℃（４．　　６
　ｋ　ｇ／　ｃ　ｍ２）　　以！一の何れか少なくとも
一方の特性を有することが必要である。

第２図と第４図は、レーザ光による記録前の状態を、第
３図と第５図は、記録後の状態、すなわち、光ピックア
ップ８からの記録用のレーザ光の照射したとき、光吸収
層２の｝Ｊ１１解、分解と、基板１の軟化とに伴い、基
板１の中に光吸収層２の分解成分が拡散して、その部分
の光学的特性が変化すると共に、その部分が凸状に変形
され、ピッｌ−　５が形成された状態を模式的に示す。

第６図は、透光性基板１の表面に形成されたトラッキン
グ表示手段であるところのプレグループ９に沿ってピッ
ト５を形成するため、Ｌ二記プレグループ９に沿って光
吸収層２にＥＦＭ信号に変調されたレーザスボッ１・を
照射した後、保護層４と光反射層３を透光性基板１から
剥離し、さらに同基板ｌの表面から光吸収層２を除去し
た状態を模式的に示している。

さらに、Ｓ　Ｔ　Ｍ　（Ｓｃａｎｉｎｇ　Ｔｕｎｎｅｌ
ｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて、上記プレグ
ループ９に沿う透光性基板ｌの表面の状態を観察した例
を、第７図に示す。同図では、チップ（探針）１０のプ
レグループ９に沿う方向、つまりトラッキング方向の移
動距離を横軸にとり、透光性基板■の表面の高度を縦軸
にとって示してある。同図（ａ）は、ピットの長さが１
００００オングス）・ロームと比較的短い場合であり、
ここでは高さ約２００オングストロームの凸状の明瞭な
変形が形成されていることが理解できる。また、同図（
ｂ）は、ビッＩ・の長さが４００００オングスｌ・ロー
ムと比較的長い場合であり、ここでは高さ約２００オン
グストロームの凸状の変形が認められるが、この変形の
中間部がやや低くなっており、変形の峰が２つに分かれ
ていることが分かる。

上記光情報記録媒体の層構造及び、その記録方法の具体
例について、以下に説明する。

（実施例！） 直径４６〜ｌｌ７ｍｍφの範囲に、幅０．８１１　ｒｒ
ｈ　　深さＯ−　　０　８　ａ　ｍ％　　ピッチＩ．８
μｒｎのスパイラル状のプレグループが形成された厚さ
１．２ｍｍ１外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφのポリ
カーボネート基板ｌを射出成形法により成形した。この
ポリカーボネー１・基板ｌのロックウェル硬度ＡＳＴＭ
Ｄ　　Ｄ７８５は、Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭ
Ｄ　　Ｄ６４．８は、１３２℃であった。

光吸収層を形成するための有機色素として、０．６５ｇ
の１．１’ジブチル３．　　３．　　３’３′テ１・ラ
メチル４，　　５．　　４’，　　５’　ジベンゾイン
ドジカーボシアニンバークロレ−１・（　Ｅｌ本感光色
素■製、品番ＮＫ３２１９）を、ジアセｌ・ンアルコー
ル溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板ｌの表面に
、スピンコ−１・法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光
吸収層２を形成した。

次に、このテ゛イスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域
の全面にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡｕ
膜を成膜し、光反射層３を形成した。さらに、この光反
射層３の１二に紫外線硬化性樹脂をスビンコートし、こ
れに紫外線を照射して硬化させ、膜厚ｌＯμｍの保護層
４を形成した。この保．穫層４の硬化後のロソクウェル
硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳ
ＴＭＤ６４８は、１５０℃であった。

こうして得られた光ディスクの上記記録１−ｉＪ能領Ｊ
ＩＩＩｉ７に、波長７８０ｎｍの半導体レーザを線速１
．２ｍ／ｓｅｅｓ　記録パワー６．０ｍＷで照射し、Ｅ
ＦＭ信号を記録した。そして、この光ディスクを、市販
のＣＤプレーヤ（ＡＬＩＩ・ｅｘＸＲ−Ｖ７３、再生光
の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率が７２％、Ｉｚ／Ｉｔｏｐが０．６５、Ｉｉ
／Ｌｏｐが０．３５、ブロックエラーレ−；・ＢＬＥＲ
が３．４Ｘ１０−３であった。

ＣＤ規格では、反射率が７０％以１二、１１１／Ｉ　ｌ
ａｐが０，６以上、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．３〜０．７、
ブロックエラーレートＢＬＥＲが３ＸＩ０２以下と定め
られており、この実施例による光ディスクは、この規格
を満足している。

さらに、上記記録後の光ディスクの保護層４と光反射層
４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板ｌ
の剥離面をＳ　Ｔ　Ｍ　（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｕｎｎ
ｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察したと
ころ１ピットの部分に凸状の変形が見られた。さらに、
基板Ｉの記録部分と未記録部分を分光光度計で測定した
ところ、記録部分では未記録部分で見られた樹脂のピー
ク以外のピークが見らオ２た。

なお、この実施例は、保護層４を硬質層として利用した
場合の実施例である。

（実施例２） 上記実施例！と同様の形状及びプレグループを佇するボ
リカーボネート基板（帝人化学製、バンライ１・）の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に硬質層６として、膜厚５　０　ｎ　ｍのシリコンアク
リル層を形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着
法により膜厚５０　ｎｍのＡｇ膜を形成し、さらにその
Ｌに」二記実施例ｌと同様の保護層４を形成した。

なお、」二記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５
はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、ｌ３
５℃であった。これに対し、七記硬質層６のロツクウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭｌ００であり、熱ｆｊＦｌ
［Ａ　Ｓ　’ｆ”　Ｍ　Ｄ　６４８は、２００℃であっ
た。

この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉ　，．／　１，。，が０．　　６　
３　、Ｉｓ／　ｆｔ。，が０，３３、ブロックエラーレ
−１−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが３．５ＸＩＯ”であった。

また、上記実施例ｌと同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　でｔｄ
ｌ察したところ、ピットの部分に凸状の変形が認められ
た。

この変形の中間部はやや低くなっており、変形６の峰が
２つに分かれていることが確認された。

（実施例３） 上記実施例Ｉと同様の形状及びプレグループを有するポ
リカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン）の
上に、−］二記と同様にして光吸収層２を形成した後、
この上に硬質層６古して、膜厚５０ｎｍのエポキシ樹脂
層を形成し、その」二に光反射層３として、真空ｈκ着
法により膜厚５０　ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにその
−ヒに上記実施例ｌと同様の保護層４を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３２
℃であった。これに対し、１二記硬質層６のロツクウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱変形温度Ａ
ＳＴＭＤ６４８は、　１４０℃であった。

この光ディスクについて、−１１記実施例１と同様にし
てデータを記録し、これを再生したところ、半導体レー
ザの反射率が７２％、Ｉｚ／ｌ，。，がＯ．　　Ｅ！２
、Ｉａ／　Ｉｔｏ−が０．３２、ブロツクエラーレ−１
−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが２．４Ｘ１０−”であった。

（実施例４） 上記実施例ｌと同様の形状及びプレグループを有するボ
リスチレン基板の上に、ト記七同様にして光吸収層２を
形成した後、この七に硬質層６として、膜厚５０ｎｍの
アクリル樹脂層を形成し、この一ヒに結若性を高めるた
めエボキシ｛Δ・１脂をスピンコートしてから、光反射
層３として、１′ｔ空熊着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ
膜を形成し、さらにこの上に上記実施例１と同様の保護
層４を形成した。なお、１二記基板のロックウ．　／ｌ
ｚ硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ８０であり、熱変形温度Ａ
ＳＴＭＤ８４８は、８　９　’Ｃ　テあった。これに対
し、上記硬質層６のロソクウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５
はＭ１００ｔ’あり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８Ｇ！
、１００゜ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉ　，，／　１，。，が０．６２、Ｉ
ｓ／Ｉｔ。，がｏ．３１、ブロックエラーレ−１・ＢＬ
ＥＲが７．ＯＸＩＯ”であった。

（実施例５） 上記実施例１と同様の形状及びプレグループを脊するポ
リメチルメタクリレ−１・基板の１−に、上記と同様に
して光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６として
、膜厚５０ｎｍのポリエステル樹脂層を形成し、その上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの
Ａｕ膜を形成し、さらにこの上に、結若性を高めるため
エボ牛シ樹１指をスピンコートしてから、上記実施例１
と同様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロック
ウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形
温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１１０℃であった。これに対
し、１一記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８
５はＭｌ　ｔｏであり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６　４８
は、１１５℃であった。

この光ディスクについて、上記実一施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が７２％、Ｉ，，／１，。，が０．６４，Ｉ３
／Ｉｔｏｐが０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲ
が８．ＯＸｆＯ−”であった。

（実施例６） 」二記実施例■と同様の形状及びプレグループを有する
ポリオレフィン基板の上に、Ｉ、Ｉ’ジブチル３、３、
３′　３ｌテ１・ラメチル５、５′ジエトキシインドジ
カーボシアニンバークロレ−１・を用いて、上記実施例
ｌと同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬
質層６として、１摸厚５０ｎｍのシリコンアクリル樹脂
層を形成し、その上に光反射層３として、貞空％Ｘ若法
により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの一ヒ
に、結石性を高めるためエボキン樹脂をスピンコートし
てから、」二記実施例ｌと同様の保護層４を形成した。

なお、］一記ノλ板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８
５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１
４０℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ１００であり、熱変形温
度ＡＳＴＭＤ６４８は、２００℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７４％、Ｉ，．／Ｊ，。，が０．　　６　１　
１Ｉ３／　Ｉｔ０ｐが０．３３、ブロックエラーレ−１
−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが２．３ＸＩＯ−”であった。

（実施例７） 上記実施例１と同様の形状及びプレグループを有するエ
ポキシ樹脂基板の」二に１、１″　ジブチル３、３、３
′　３′テ１・ラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパーク口レートを用いて、上記実施例ｌと
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚５０ｎｍのシリコン樹脂層を形成し、そ
の上に光反射層３として、ｊ”：空蒸着法により膜厚５
０　ｎｍのＡＩ膜を形成し、さらにこのｌ二に、上記実
施例ｌと同様の保護層４を形成した。

なお、」二記基板のロックウェル硬度Ａ　Ｓ　Ｔ　Ｍ　
Ｄ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
は、１３５℃であった。これに対し、上記硬質層６のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ１００であり、熱
変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、　１８０′Ｃであった。

この光ディスクについて、−Ｌ記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半４体レーザ
の反射率が７３％、Ｉｚ／Ｉ，。，が０．　　６　１　
，　１３／　Ｉｔ。，が０．３０、ブロツクエラーレ−
１−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが２．ＯＸＩＯ”であった。

（実施例８） −Ｌ記実施例ｌと同様の形状及びプレグループを有する
ポリｈ−ボネー｝　Ｊ．Ｋ板（帝人化゛′ｔ゛製、パン
ライ１・）の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成
した後、この上に光反射層３として、真空蒸若法により
１摸厚５０ｎｍのＡｇ膜を形成し、この上に硬質層６と
して、膜厚５０ｎ’ｒｎのシリコンアクリル層を形成し
、さらにこの十に」二記実施例１と同様の保護層４を形
成した。なお、上記人（板のロックウェル硬度ＡＳＴＭ
Ｄ７８５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８
は、■３５℃であった。これに対し、１二記硬質層６の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ！００であり、
熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、２００℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉ＋＋／１１。，が０．６４、Ｉ３／
Ｉｔ。，が０．３４、ブロックエラーレ−１・ＢＬＥＲ
が３．７ＸＩＯ−”であった。

（実施例９） 上記実施例ｌ．！−同様の形状及びプレグループを有す
るポリカーボネート基板（三菱ガス化学製、ユーピロン
）の上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、
その上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５　
０　ｎ　ｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの上に保護層を
兼ねる硬質層６として、膜厚５０ｎｍのエポキシ樹脂層
を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴ
ＭＤ７８５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４
８は、１３５℃であった。これに対し、上記硬質層６の
ロツクウエル硬瓜ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱
変形温度ＡｓＴＭＤ０６４８は、　■・４０℃であった
。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、＋ｚ／１，。，が０．６３，Ｉ３／Ｉ
ｔ。，が０，３３、ブロツクエラーレ−１−　Ｂ　Ｌ　
Ｅ　Ｒが２．７Ｘ！Ｏ”であった。

（実施例１０） 」二記実施例Ｉと同様の形状及びプレグループを有する
ポリスチレン基板の上に、１一記と同様にして光吸収層
２を形成した後、この１−に光反射層３として、真空燕
若法により膜厚５０ｎｍのＡ　ｕ　Ｉ１！Ａ！を形成し
、この上に保護層を１『ねる硬質層６として、膜厚５０
　ｎｍのアクリル樹脂層を形成した。なお、上記ｐ板の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ８０であり、熱
変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、８９℃であった。これに
対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８
５はＭＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、
　１００’Ｃであった。

この光ディスクについて、一ヒ記実施例１と同様にして
データを記録し、これを再生したところ、半導体レーザ
の反射率が７２％、ＩＩ，／１，。，が０．　　８３、
ｌ３／Ｉｔ０−が０．３２、ブロツクエラーレ−１−　
Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが７．　　ＩＸＩＯ”であった。

（実施例１１） 上記実施例Ｉと同様の形状及びプレグループを有するポ
リメチルメタクリレ−１・基板の１゛に、上記と同様に
して光吸収層２を形成した後、その」二に光反射層３と
して、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し
、さらにこの１二に、結ｎ性を高めるためエボキシ樹脂
をスビンコー１・シてから、保護層を兼ねる硬質層６と
して、膜厚５０　ｎｍのポリエステル樹脂層を形成した
。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
ＭＩＯＯであり、熱変形記度ＡＳＴＭＤ６４８は、１１
０℃であった。これに対し、上記硬質層６のロツクウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭＩＩＯであり、熱変形温度
ＡＳＴＭＤ６４８は、　１１５℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再牛したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉ，，／１，。，が０．６５．１３／
Ｉｔ。，が０，３４、プロノクエラーレ−１−　Ｂ　Ｌ
　Ｅ　Ｒが８．３ＸＩＯ″３であった。

（実施例１２） 上記実施例ｌと同様の形状及びプレグループを有するポ
リオレフィン基板の上に、Ｉ、Ｉ’ジブチル３、３、３
’３’テｌ・ラメチル５、５′　ジエトキシインドジカ
ーボシアニンバーク口レートを用いて、上記実施例ｌと
同様の方法で光吸収層２を形成した後、その−１二に光
反射層３として、真空蒸若法により膜厚５　０　ｎ　ｍ
のＡＵ膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるた
めエボキシ樹脂をスピンコー１・シてから、保護層を兼
ねる硬質層６として、膜厚５　０　ｎ　ｒｎのシリコン
アクリル樹脂層を形成した。なお、上記基板のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ７５であり、熱変形温度
ＡＳＴＭＤ６４８は、１４０℃であった。これに対し、
−ヒ記硬４ｙＨ層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８
５はＭ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、
２００℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉ，，／１，。，が０．６２、Ｉ３／
Ｉｔ。，が０．３４、ブロツクエラーレ−１・ＢＬＥＲ
が２．４ＸＩＯ−’ｌであった。

（実施例１３） 上記実施例ｌと同様の形状及びプレグループを有するエ
ボキシ樹脂基板の上にＩＸ　１’　ジブチル３、３、３
′　３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカー
ボシアニンパーク口レートを用いて、上記実施例ｌと同
様の方法で光吸収層２を形成した後、その上に光反ロ・
１層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡｌｌ
模を形成し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、
膜厚５０ｎｍのシリコン樹脂層を形成した。なお、上記
基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であ
り、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、　１３５℃であっ
た。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳ
ＴＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形ルｉ度Ａ　Ｓ　
ｉ’　Ｍ　Ｄ６４８は、　１８０℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例１ど同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉ，，／１、。，が０．６２、Ｉａ／
Ｉｉ。，が０．３２、グロソクエラーレ−１−　Ｂ　Ｌ
　Ｅ　Ｒが２．　　ＩＸＩＯ−”であった。

（比較例） 上記実施例において、紫外線硬化性樹脂により形成され
た保護層４の硬化後のロノクウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８
５を、Ｍ６０、熱変形ｌ！．！　Ｉ長ＡＳＴＭＤ６４８
を４．６ｋｇ／ｃｒｎ２．９０℃としたこと以外は、同
実施例と同様にして、光ディスクを製作した。

この光ディスクに、上記実施例と同様にして波長７８０
ｎｍの半桿体レーザを線速１．２ｍ／　ｓ　ｅ　ｃで照
射し、ＥＦＭ信号を記録したところ、人（板ｌの板而側
には、十分明瞭なビノＩ・が確認できなかった。そして
、この光ディスクを、上記実施例！で用いたのと同じＣ
Ｄフレーヤで再生したところ、光ディスクの反射率が７
１％、Ｉ　ｚ／　Ｉ　ｔｏ−が０．　　７、ｌ　３／　
Ｉ　ｔ。−が０．３７であったが、ブロックエラーレ−
１−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが１．５Ｘ１０−１あり、上述し
たＣＤ規格を満足することができなかった。

［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記録
方法によれば、レーザ光の！１１｝射により、ＣＤに光
学的に近似した凹状のビソｌ・を形成できると共に、光
吸収尼１の背後に光反射層を密着することもできること
から、ＣＤに近似する層構造をとることができる。これ
によって、ＣＤフォーマットに適合した記録可能な光情
報記録媒体が容易に得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造のー・例を７１クす模
式半断而斜視図、第２図は、第１図の光記録前の１・ラ
ッキング方向に断面した拡大断面図、第３図は、第１図
の光記録後の１・ラノキング方向に断而した拡大断面図
、第４図は、他の実施例を示し光情報記録媒体の１・ラ
ッキング方向に断而した拡大断面図、第５図は、その光
記録後の１・ラッキング方向に断面した拡大断面図、第
６図は、記録後の光情報記録媒体の透光１’ｌ　）．ｋ
　４反の表面を示す要部拡大斜視図、第７図は、ト記透
光性基板の表面をＳ　Ｔ　Ｍ　（Ｓｃｎｎｎｉｇ　Ｔｕ
ｃ＋ｎｅｌ　ｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察し
たときのチップの１・ラッキング方向に沿う移動距離と
高度の関係を示すグラフの例ある。 １・・・基板　２・・・光吸収層　３・・・光反射層　
４・・・保護層　６・・・硬質層 高度（人） υ　＋　ｃｎ　　　ω ｏ　　０　　０　　０ ｏ　　Ｏ　　ｏ　　Ｏ 高度（人）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）透光性基板の上に直接または他の層を介して、レ
   ーザ光の照射により融解、分解する光吸収層と、その背
   後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録媒
   体において、上記光吸収層と上記光反射層との間に、同
   基板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、この硬質層
   が、ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５においてＭ１０
   ０以上、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８において１００℃
   （４．６ｋｇ／ｃｍ＾２）以上の何れか少なくとも一方
   の特性を有することを特徴とする光情報記録媒体。
2. （２）透光性基板の上に直接または他の層を介して、レ
   ーザ光の照射により融解、分解する光吸収層と、その背
   後にレーザ光を反射する光反射層を有する光情報記録媒
   体において、上記光反射層のレーザ光が入射する背後側
   に、同基板に比して熱変形しにくい硬質層を有し、この
   硬質層が、ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５において
   Ｍ１００以上、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８において１
   ００℃（４．６ｋｇ／ｃｍ＾２）以上の何れか少なくと
   も一方の特性を有することを特徴とする光情報記録媒体
   。
3. （３）透光性基板の上に直接または他の層を介して、レ
   ーザ光の照射により溶解、分解する光吸収層を有する光
   情報記録媒体を用い、上記基板側から入射させたレーザ
   光を光吸収層に照射して、ピットを形成する光情報記録
   方法において、レーザ光の照射時の光吸収層の融解、分
   解に伴い、基板の表面を一部変形させて、ピットを形成
   することを特徴とする光情報記録方法。
4. （４）透光性基板の上に直接または他の層を介して、レ
   ーザ光の照射により融解、分解する光吸収層を有する光
   情報記録媒体を用い、上記基板側から入射させたレーザ
   光を光吸収層に照射して、ピットを形成する光情報記録
   方法において、レーザ光の照射時の光吸収層の融解、分
   解に伴い、光吸収層の成分と基板の成分とを部分的に混
   合させて、化合させ、その部分の光学的特性を変化させ
   てピットを形成することを特徴とする光情報記録方法。