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JPH02126648A - Treatment apparatus - Google Patents

Treatment apparatus

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Publication number
JPH02126648A
JPH02126648A JP63280915A JP28091588A JPH02126648A JP H02126648 A JPH02126648 A JP H02126648A JP 63280915 A JP63280915 A JP 63280915A JP 28091588 A JP28091588 A JP 28091588A JP H02126648 A JPH02126648 A JP H02126648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tweezers
semiconductor wafer
processing
processed
wafer
Prior art date
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Granted
Application number
JP63280915A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2673239B2 (en
Inventor
Masami Akumoto
飽本 正己
Osamu Hirakawa
修 平河
Noriyuki Anai
穴井 徳行
Yoshio Kimura
義雄 木村
Masanori Tateyama
建山 正規
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP28091588A priority Critical patent/JP2673239B2/en
Publication of JPH02126648A publication Critical patent/JPH02126648A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2673239B2 publication Critical patent/JP2673239B2/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PURPOSE:To sharply reduce dust particles to be produced when an object to be treated is supported by using a pair of tweezers by a method wherein the tweezers capable of delivering the object to be treated are installed at each treatment unit, faces where at least three parts protrude from their plane so as to support the object to be treated can be vacuum-sucked in at least one part of the protruding faces. CONSTITUTION:A semiconductor wafer 22 is supported by three points of a first protruding part, a second protruding part and a third protruding part 50, 51, 52 on a pair of tweezers 23; since a contact area to the wafer 22 can be reduced considerably, it is possible to restrain a dust particle from being produced as low as possible during an alignment operation. In addition, when the semiconductor water 22 is vacuum-sucked and held on the tweezers 23, an opening part 53 for vacuum suction use is formed only at the third protruding part 52. Accordingly, a danger that the rear of the wafer is damaged by a pressure during a vacuum suction operation can be reduced sharply as compared with an apparatus where an opening part for suction use is formed over a prescribed length region; through this constitution, it is possible to solve a problem that the dust particle is produced.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、被処理体の搬送経路に沿って複数の処理ユニ
ットを有する処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Field of Application) The present invention relates to a processing apparatus having a plurality of processing units along a conveyance path of an object to be processed.

(従来の技術) この種の処理装置として、半導体製造に使用されるもの
が挙げることができる。半導体ウェハは複数の処理工程
で各種の処理を受けるが、近年、上記半導体ウェハに形
成される半導体の集積度が高まるにつれ、処理工程は増
加し複雑化している。
(Prior Art) Examples of this type of processing apparatus include those used in semiconductor manufacturing. Semiconductor wafers undergo various treatments in a plurality of processing steps, and in recent years, as the degree of integration of semiconductors formed on semiconductor wafers has increased, the number of processing steps has increased and become more complex.

例えば、半導体ウェハのレジスト処理工程もより微細化
されており、微細加工の使用例として、半導体ウェハに
塗布されたレジスト膜の上に更にCEL膜を塗布形成す
ることや、レジストの平坦化層を形成するための多層レ
ジスト膜形成が行われるなど、レジストの塗布現像工程
がより複雑化している。
For example, the resist processing process for semiconductor wafers has become more fine-grained, and examples of the use of microfabrication include coating and forming a CEL film on a resist film coated on a semiconductor wafer, and forming a flattening layer on a resist. The resist coating and developing process has become more complex, including the need for multilayer resist film formation.

一方、半導体製造の環境も上記微細化に伴ってダストの
付着による半導体素子の欠陥を防止するために、よりク
リーン度の高いものが要求されており、装置自体からの
発塵もより厳しく低減する必要がある。
On the other hand, with the miniaturization mentioned above, the semiconductor manufacturing environment is also required to have a higher level of cleanliness in order to prevent defects in semiconductor elements due to dust adhesion, and dust generation from the equipment itself must be reduced more strictly. There is a need.

このため、従来の半導体ウェハの搬送の一般的な使用で
あったOリングを使用したベルト搬送は、上記の発塵の
問題が多く採用することができなくなっている。
For this reason, belt conveyance using an O-ring, which has been commonly used in the conventional semiconductor wafer conveyance, cannot be adopted due to the above-mentioned problem of dust generation.

上記の点を考慮した処理装置例えばレジスト処理装置の
一例として、下記のような構成の装置が実用化されてい
る。
As an example of a processing apparatus, such as a resist processing apparatus, which takes the above points into consideration, an apparatus having the following configuration has been put into practical use.

すなわち、第5図に示すように、ウェハの搬送経路1に
沿ってピンセット2が同図の左右方向に移動可能になっ
ていて、この搬送経路1の両側に半導体ウェハ3を収納
したウェハキャリア4を備えたローラ装置5と、複数の
処理ユニット6とがそれぞれ配置されている。そして、
搬送経路1に沿って移動可能なピンセット2は、キャリ
アカセット4又は処理ユニット6と対向する位置にて停
止され、ピンセット2の面上に半導体ウェハ3を吸着例
えば真空吸着することで、半導体ウェハ3の受け渡しが
可能となっている。このように、半導体ウェハ3の搬送
に際して、従来のベルト搬送を採用せずピンセット2に
より実行することで、上述したダストの発生を大幅に低
減でき、しがち、上記構成によりたとえ処理ユニット6
の数が増大したとしても、−台のピンセット2を兼用す
ることで装置のコンパクト化が維持することができる。
That is, as shown in FIG. 5, tweezers 2 are movable along a wafer transport path 1 in the left-right direction in the figure, and wafer carriers 4 holding semiconductor wafers 3 are placed on both sides of this transport path 1. A roller device 5 equipped with a roller device 5 and a plurality of processing units 6 are respectively arranged. and,
The tweezers 2, which are movable along the transport path 1, are stopped at a position facing the carrier cassette 4 or the processing unit 6, and the semiconductor wafer 3 is sucked onto the surface of the tweezers 2, for example by vacuum suction. delivery is possible. In this way, when the semiconductor wafer 3 is transported, by using the tweezers 2 instead of using the conventional belt transport, the above-mentioned dust generation can be greatly reduced.
Even if the number of tweezers 2 increases, the compactness of the device can be maintained by using two tweezers 2.

(発明が解決しようとする問題点) 上述した装置に採用される従来のピンセット、例えば真
空吸着方式のピンセットは、第6図に示すようにコ字状
の載置面10の全面が半導体ウェハ4の裏面と接触する
ように形成されている。この載置面10の所定領域に亘
って真空吸着部12が形成されるようになっている。
(Problems to be Solved by the Invention) As shown in FIG. is formed so as to be in contact with the back surface of the A vacuum suction portion 12 is formed over a predetermined area of this mounting surface 10.

ここで、半導体ウェハ4の裏面をミクロ的に考察すると
、この面は比較的ざらざらしており、山形の突起状部が
前記ピンセット2の載置面1oと接触することになる。
Here, microscopically considering the back surface of the semiconductor wafer 4, this surface is relatively rough, and the chevron-shaped protrusions come into contact with the mounting surface 1o of the tweezers 2.

このように、比較的ざらざらしている半導体ウェハ3の
裏面が広範囲に亘ってピンセット2の載置面1oと接触
し、しがも、比較的広い開口面積を有する前記吸着部1
2にて半導体ウェハ3を吸着することにより、ウェハ3
の裏面の突起状部分が破損し、これがダストとして半導
体製造装置内に飛散してしまうという問題があった。
In this way, the relatively rough back surface of the semiconductor wafer 3 comes into contact with the mounting surface 1o of the tweezers 2 over a wide range, and the suction section 1 having a relatively wide opening area
2 by suctioning the semiconductor wafer 3, the wafer 3
There was a problem in that the protruding portion on the back surface of the device was damaged, and this was scattered as dust into the semiconductor manufacturing equipment.

そこで、本発明の目的とするところは、被処理体の搬送
をピンセットを使用して行いながらも、ダストの発生を
より低減することができる微細処理に好適な処理装置を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, it is an object of the present invention to provide a processing apparatus suitable for fine processing, which can further reduce dust generation while transporting the object to be processed using tweezers.

[発明の構成コ (問題点を解決するための手段) 本発明は、被処理体の搬送経路に沿って複数の処理ユニ
ットを有する処理装置において、被処理体を吸着して前
記搬送経路に沿って移動可能であって、かつ、各処理ユ
ニットに対しテ被処理体の受け渡しが可能なピンセット
を設け、かつ、このピンセットはその平面よりも少なく
とも3箇所で突出して被処理体を支持する面を有し、こ
の突出面の少なくとも1箇所で被処理体を真空吸着可能
としたものである。
[Configuration of the Invention (Means for Solving the Problems)] The present invention provides a processing apparatus that includes a plurality of processing units along a conveyance path for objects to be processed. The tweezers are provided with tweezers that are movable and capable of transferring objects to be processed to and from each processing unit, and the tweezers have a surface that protrudes at least three points from the plane of the tweezers and supports the objects to be processed. The object to be processed can be vacuum-adsorbed at at least one location on the protruding surface.

(作 用) 本発明では、ピンセット上に被処理体を支持する際には
、このピンセットの平面よりも少なくとも3カ所で突出
している突出面にて被処理体を支持しているので、従来
のようにピンセットの全面にて被処理体を支持するもの
に比べれば、その接触面積は大幅に減少することになる
。しかも、この接触面の少ない前記突出面の少なくとも
1カ所にて被処理体を真空吸着しているので、この真空
吸着のための開口面積も少なく維持することができる。
(Function) In the present invention, when the object to be processed is supported on the tweezers, the object to be processed is supported by the protruding surfaces that protrude from the plane of the tweezers at least in three places. Compared to the case where the object to be processed is supported by the entire surface of the tweezers, the contact area is significantly reduced. Furthermore, since the object to be processed is vacuum-suctioned at at least one location on the protruding surface, which has a small contact surface, the opening area for vacuum suction can also be kept small.

このように、被処理体との接触面積が比較的小さく、し
かも真空吸着のための開口面積も小さくなるので、被処
理体のピンセットに対する接触面をミクロ的に考察した
場合の突起状部分の破損を従来よりも大幅に低減するこ
とができる。
In this way, the contact area with the object to be processed is relatively small, and the opening area for vacuum suction is also small, so when considering the contact surface of the object to the tweezers from a microscopic perspective, damage to the protruding portion is less likely. can be significantly reduced compared to conventional methods.

このため、被処理体搬送時でのダストの発生を低減でき
、被処理体を微細化処理する場合にあってもその歩留り
を向上することができる。
Therefore, the generation of dust during transport of the object to be processed can be reduced, and the yield can be improved even when the object to be processed is subjected to finer processing.

(実施例) 以下、本発明をレジスト塗布現像装置に適用した一実施
例について、図面を参照して説明する。
(Example) Hereinafter, an example in which the present invention is applied to a resist coating and developing device will be described with reference to the drawings.

まず、実施例の全体概要を第4図を参照して説明する。First, the overall outline of the embodiment will be explained with reference to FIG.

本体21の中央部付近には、被処理体例えば半導体ウェ
ハ22を保持する保持機構例えば吸着保持すると共に単
独動作が可能で上下に配置された2つのピンット23.
23 (一方は図示せず)を有し、かつこのピンセット
23.23 (一方は図示せず)をX(縦)方向、y(
横)方向、2(垂直)方向、θ(回転)移動可能に構成
された第1の搬送機tlv24が配置されている。尚、
この第1の搬送機構24は、例えばステッピングモータ
及びこれに連結されたボートスクリュー等の回転駆動機
構(図示せず)によって移動1回転される。
Near the center of the main body 21, there is a holding mechanism for holding an object to be processed, such as a semiconductor wafer 22, for example, two pins 23 arranged above and below, which are capable of holding an object to be processed, such as a semiconductor wafer 22, by suction and can be operated independently.
23 (one not shown), and the tweezers 23.23 (one not shown) in the X (vertical) direction and the y (
A first transport machine tlv24 is arranged, which is configured to be movable in the lateral (lateral) direction, 2 (vertical) directions, and θ (rotation). still,
The first transport mechanism 24 is moved one rotation by a rotation drive mechanism (not shown) such as a stepping motor and a boat screw connected thereto.

次に、上記第1の搬送機構24の一方側の位置には、こ
の第1の搬送機構24のY方向の移動経路25に沿って
、複数の処理機構例えば半導体ウェハ22とレジスト膜
との密着圧を向上させるために行うHMDS処理機構2
6と、半導体ウェハ22上に塗布され第1層目のレジス
ト中に残存する溶剤を加熱蒸発させるための第1のプリ
ベーク機構27と、この第1のプリベーク機構27で加
熱処理された半導体ウェハ22を冷却する第1の冷却機
構28とが、図の左から右へと並置されている。
Next, at a position on one side of the first transport mechanism 24, a plurality of processing mechanisms, such as a semiconductor wafer 22 and a resist film, are provided along a moving path 25 of the first transport mechanism 24 in the Y direction. HMDS treatment mechanism 2 to improve pressure
6, a first pre-bake mechanism 27 for heating and evaporating the solvent remaining in the first layer resist coated on the semiconductor wafer 22, and the semiconductor wafer 22 heat-treated by the first pre-bake mechanism 27. A first cooling mechanism 28 that cools the air conditioner and the first cooling mechanism 28 are arranged side by side from left to right in the figure.

一方、上記移動経路25の上記各機構と対向する手前側
の位置には、半導体ウェハ22の上面に第1層目のレジ
ストを回転塗布する第1の塗布機構29と、半導体ウェ
ハ22の上面に第2層目のレジストを回転塗布する第2
の塗布機構30とが図の左から右へと並置されている。
On the other hand, at a position on the front side of the movement path 25 facing the above-mentioned mechanisms, there is a first coating mechanism 29 for rotating and coating the first layer of resist on the top surface of the semiconductor wafer 22; The second step is to spin-coat the second layer of resist.
The coating mechanisms 30 are arranged side by side from left to right in the figure.

尚、上記第1のプリベーク機構27は、必要に応じて例
えば2〜4段と多段積みに配置構成される。そして、上
記第1の搬送機構24により半導体ウェハ22を上記各
機構に任意に搬送可能に設けられる。上記のように第1
の処理装置ユニット31が構成されている。
Note that the first pre-bake mechanism 27 is arranged in multiple stages, for example, two to four stages, as required. The first transport mechanism 24 is arranged to be able to transport the semiconductor wafer 22 to each of the mechanisms as desired. As above, the first
A processing device unit 31 is configured.

次に、この第1の処理装置ユニット31の右側には、半
導体ウェハ22を一時的に待機させる載置台32を有す
る待機機構33が設けられている。
Next, on the right side of this first processing equipment unit 31, a standby mechanism 33 having a mounting table 32 on which the semiconductor wafer 22 is temporarily placed on standby is provided.

さらに、この待機機構33の右側には、上記第1の処理
装置ユニット31と同様の構成の第2の処理装置ユニッ
ト34が設けられている。すなわち、半導体ウェハ22
を保持する保持機構例えば吸着保持する共に単独動作が
可能で上下に配置された2つのピンセット35.35(
一方は図示せず)を有し、かつこのピンセット35.3
5をX(縦)方向、Y(横)方向、Z(垂直)方向、θ
(回転)移動可能に構成され第2の搬送機構36か配置
されている。尚、この第2の搬送機構36は、例えばス
テッピングモータ及びこれに連結されたボールスクリュ
ー等の回転駆動機構(図示せず)によって移動1回転さ
れる。
Further, on the right side of this standby mechanism 33, a second processing device unit 34 having the same configuration as the first processing device unit 31 is provided. That is, the semiconductor wafer 22
For example, two tweezers 35.35 (
one has a pair of tweezers 35.3 (not shown), and the tweezers 35.3
5 in the X (vertical) direction, Y (horizontal) direction, Z (vertical) direction, θ
A second transport mechanism 36 which is configured to be (rotation) movable is disposed. The second transport mechanism 36 is moved one rotation by a rotational drive mechanism (not shown) such as a stepping motor and a ball screw connected thereto.

次に、上記第2の搬送機構36の一方側には、この第2
の搬送機構36のY方向の移動経路37に沿って、複数
の処理機構例えば、上記第1の処理装置ユニット31の
第2の塗布機構30によって半導体ウェハ22の上面に
塗布された第2層目のレジスト中に残存する溶剤を加熱
蒸発させるための第2のプリベーク機構38と、この第
2のプリベーク機構38で加熱処理された半導体ウェハ
22を冷却する第2の冷却機構39とが、図の左から右
へと並置されている。一方、上記移動経路37の上記各
機構と対向する手前側の位置には、例えば露光工程時の
光乱反射を防止するため、半導体ウェハ22に塗布され
たレジストの上面にCEL膜等の表面被覆層を塗布形成
する表面被覆層塗布機構40が配置されている。そして
、上記第1の処理装置ユニット31.第2の処理装置ユ
ニット34間、上記待機機構33を経由して任意に半導
体ウェハ35が搬送可能に構成されている。
Next, on one side of the second transport mechanism 36, this second
Along the movement path 37 in the Y direction of the transport mechanism 36, a plurality of processing mechanisms, for example, the second layer coated on the upper surface of the semiconductor wafer 22 by the second coating mechanism 30 of the first processing equipment unit 31, A second pre-bake mechanism 38 for heating and evaporating the solvent remaining in the resist, and a second cooling mechanism 39 for cooling the semiconductor wafer 22 that has been heat-treated by the second pre-bake mechanism 38 are shown in the figure. They are juxtaposed from left to right. On the other hand, at a position on the front side of the moving path 37 facing each of the mechanisms, a surface coating layer such as a CEL film is placed on the upper surface of the resist applied to the semiconductor wafer 22, for example, in order to prevent diffuse reflection of light during the exposure process. A surface coating layer coating mechanism 40 is disposed for coating and forming a surface coating layer. The first processing device unit 31. Semiconductor wafers 35 can be arbitrarily transported between the second processing device units 34 via the standby mechanism 33 .

次に、上記第1の処理装置ユニット31の左側の位置に
は、処理前の半導体ウェハ22を収納したウェハキャリ
ア41と処理後の半導体ウェハ22を収納するウェハキ
ャリア42を備え、半導体ウェハ22を吸着保持するピ
ンセット43、及び半導体ウェハ22を載置可能な載置
台44を有する半導体ウェハの搬入搬出機構45が配置
されている。また上記ウェハキャリア41.42を、昇
降機構(図示せず)により上下動可能に構成され、上記
ピンセット43をX移動機構46.Y移動機構47.θ
回転機構38によりそれぞれX方向、Y方向、θ移動可
能にも構成されている。そして、上記ピンセット43に
より処理前の半導体ウェハ22をウェハキャリア41か
ら取出して載置台44に載置し、またこの載置台44に
載置された処理済みの半導体ウェハ22をウェハキャリ
ア42に収納可能に構成されている。
Next, on the left side of the first processing equipment unit 31, a wafer carrier 41 that stores the semiconductor wafer 22 before processing and a wafer carrier 42 that stores the semiconductor wafer 22 after processing are provided. A semiconductor wafer loading/unloading mechanism 45 having tweezers 43 for holding by suction and a mounting table 44 on which the semiconductor wafer 22 can be placed is arranged. Further, the wafer carriers 41 and 42 are configured to be movable up and down by a lifting mechanism (not shown), and the tweezers 43 are moved by an X-moving mechanism 46. Y movement mechanism 47. θ
The rotation mechanism 38 is also configured to allow movement in the X direction, Y direction, and θ. Then, the unprocessed semiconductor wafer 22 is taken out from the wafer carrier 41 using the tweezers 43 and placed on the mounting table 44, and the processed semiconductor wafer 22 placed on the mounting table 44 can be stored in the wafer carrier 42. It is composed of

次に、上記ピンセット23.35の構造について第1図
を参照して説明する。なお、ピンセット23.35は共
に同一構成であるので、ここではピンセット23につい
て説明する。
Next, the structure of the tweezers 23, 35 will be explained with reference to FIG. Note that the tweezers 23 and 35 have the same configuration, so only the tweezers 23 will be described here.

前記ピンセット23は、その自由端がコ字状に形成され
た平板として構成され、その材質として、例えばテフロ
ンが含浸されるアルマイト処理されたアルミニウムを採
用している。
The tweezers 23 are configured as a flat plate with a U-shaped free end, and are made of, for example, alumite-treated aluminum impregnated with Teflon.

そして、このピンセット23の特徴的構成として、前記
平板の面よりも所定高さ例えば0.5m11突出した第
1.第2の突起部50.51が、前記コ字状の2つの先
端位置に形成され、かっ、そのピンセットのセンターラ
イン上であって、前記第1第2の突起部50.51より
も離間した位置には、第3の突起部52が、上記突起部
50.51の高さと同一高さにて形成されている。尚、
上記各突起部50,51.52の材質としては、好まし
くはその摺動抵抗の少ないテフロンがよく、この他セラ
ミック、デルリンなどが採用することができ、本実施例
のように処理ユニットとして熱処理工程を実施する場合
には、耐熱性、断熱性のある材質を用いることが好まし
い。
The characteristic structure of this tweezers 23 is that the first pair of tweezers 23 protrudes from the surface of the flat plate by a predetermined height, for example, 0.5 m11. Second projections 50.51 are formed at the two tip positions of the U-shape, and are on the center line of the tweezers and are spaced apart from the first and second projections 50.51. At this position, a third protrusion 52 is formed at the same height as the protrusion 50.51. still,
The material for each of the protrusions 50, 51, 52 is preferably Teflon, which has low sliding resistance, and other materials such as ceramics and Delrin can also be used. When performing this, it is preferable to use a material that has heat resistance and heat insulation properties.

上記ピンセット23は、上記各突起部50゜51.52
上に半導体ウェハ22を3点支持するものであり、さら
に、このピンセント23上で半導体ウェハ22を移動し
ないように支持するために真空吸着方式を採用している
。そして、この半導体ウェハ22を真空吸着するための
吸着用開口部53が、前記第3の突起部52にのみ形成
されている。
The tweezers 23 have each of the protrusions 50°51.52
The semiconductor wafer 22 is supported at three points on the pins 23, and a vacuum suction method is employed to support the semiconductor wafer 22 on the pins 23 so as not to move. A suction opening 53 for vacuum suctioning the semiconductor wafer 22 is formed only in the third projection 52.

さらに、本実施例ではビンセット23上で半導体ウェハ
22のアライメントが実施可能となっていて、このため
に前記ピンセット23上にはガイド部材54が固定され
、さらにこのガイド部材54と対向する位置であって、
このピンセット23と共に前記移動経路25に沿って移
動可能なベース56上には、ストッパ一部材55が配置
されている。
Further, in this embodiment, the semiconductor wafer 22 can be aligned on the pin set 23, and for this purpose, a guide member 54 is fixed on the tweezers 23, and furthermore, a guide member 54 is fixed at a position facing the guide member 54. There it is,
A stopper member 55 is disposed on a base 56 that is movable along the movement path 25 together with the tweezers 23 .

前記ガイド部材54は、例えばデルリンにて円弧状に形
成され、その内径が前記半導体ウェハ22の外径と路間
−となっている。そして、前記半導体ウェハ22の一端
側が前記ガイド部材54の円弧部分の内面と当接するこ
とで、このビンセット23上にて半導体ウェハ22をア
ライメント可能としている。そして、半導体ウェハ22
を前記ガイド部材54の円弧部分内面に当接させるため
に、前記ストッパ部材55を設けている。
The guide member 54 is made of Delrin, for example, and is formed in an arc shape, and its inner diameter is between the outer diameter of the semiconductor wafer 22 and the path. Then, one end side of the semiconductor wafer 22 comes into contact with the inner surface of the circular arc portion of the guide member 54, so that the semiconductor wafer 22 can be aligned on the bin set 23. Then, the semiconductor wafer 22
The stopper member 55 is provided in order to abut the inner surface of the circular arc portion of the guide member 54.

すなわち、このストッパ部材55はベース56に対して
上下動可能であって、半導体ウェハ22をアライメント
する場合には半導体ウェハ22の端面と当接する位置ま
で上昇させるようになってる。そして、このようにスト
ッパ部材55を上昇させた後に、ピンセット23を第1
図(A)の図示右側に移動することで、半導体ウェハ2
2の一端側を前記ガイド部材54に当接可能としている
That is, this stopper member 55 is movable up and down with respect to the base 56, and when aligning the semiconductor wafer 22, it is raised to a position where it comes into contact with the end surface of the semiconductor wafer 22. After raising the stopper member 55 in this way, the tweezers 23 are moved to the first position.
By moving to the right side of the figure (A), the semiconductor wafer 2
2 can come into contact with the guide member 54.

尚、前記ストッパ部材55は、第2図に示すように引張
りコイルスプリング57にて同図の左方向に常時移動付
勢されており、この結果半導体ウェハ22の一端側が前
記ガイド部材54に当接した後には、このストッパ部材
55は前記スプリング57の付勢力に抗して第2図の右
方向に待避することができるようになっている。従って
、半導体ウェハ22がガイド部材54に当接した後の衝
撃を吸収できるようにしている。
As shown in FIG. 2, the stopper member 55 is constantly urged to move in the left direction in the figure by a tension coil spring 57, and as a result, one end of the semiconductor wafer 22 comes into contact with the guide member 54. After this, the stopper member 55 can be retracted to the right in FIG. 2 against the biasing force of the spring 57. Therefore, the impact after the semiconductor wafer 22 contacts the guide member 54 can be absorbed.

次に、前記ピンセット23の駆動機構について説明する
Next, the drive mechanism of the tweezers 23 will be explained.

前述したように、第1の搬送機構24及び第2の搬送機
構36は、ダブルピンセット構造となっていて、従って
、第]の搬送機構24について説明すれば上述したピン
セット23Lt第1図(B)。
As described above, the first conveyance mechanism 24 and the second conveyance mechanism 36 have a double tweezers structure. Therefore, if the first conveyance mechanism 24 is explained, the above-mentioned tweezers 23Lt FIG. 1(B) .

(C)に示すように上下にそれぞれ配置されている。そ
して、本実施例ではこの2つのピンセット23.23を
それぞれ独立して水平移動可能としている。
As shown in (C), they are arranged one above the other. In this embodiment, these two tweezers 23, 23 are each independently horizontally movable.

このために、上下の各ピンセット23.23をそれぞれ
独立して駆動するためのモータ60゜60(第1図(B
)では一つのみ図示)が設けられている。ここで、と下
の各ピンセット23゜23の駆動機構は共に同一構成を
有するので、上側のピンセット23の駆動系についての
み説明すると、前記モータ60の出力軸には第1のプー
リ61が固定され、一方、この第1のプーリ61の斜め
上方には第2のプーリ62が回転自在に設けられている
。そして、この第1.第2のプーリ61.62に第1の
ベルト63を掛は渡している。
For this purpose, a motor 60°60 (Fig. 1 (B
), only one is shown). Here, since the drive mechanisms of the lower and lower tweezers 23 and 23 have the same configuration, only the drive system of the upper tweezers 23 will be explained.The first pulley 61 is fixed to the output shaft of the motor 60. On the other hand, a second pulley 62 is rotatably provided diagonally above the first pulley 61. And this first one. The first belt 63 is passed around the second pulleys 61 and 62.

一方、前記第2のプーリ62に対して同軸にて一体的に
回転可能な第3のプーリ64が前記ピンセット23の搬
送経路の一端側に設けられ、この搬送経路の他端側には
第4のプーリ65が回転可能に設けられている。そして
、この第3.第4のプーリ64,65に第2のベルト6
6を掛は渡している。
On the other hand, a third pulley 64 coaxially and integrally rotatable with the second pulley 62 is provided at one end of the conveyance path of the tweezers 23, and a fourth pulley 64 is provided at the other end of the conveyance path. A pulley 65 is rotatably provided. And this third. The second belt 6 is connected to the fourth pulleys 64 and 65.
Kake has passed 6.

次に、上記ピンセット23.23と第2のベルト66と
の連結構成について説明する。
Next, the connection structure between the tweezers 23, 23 and the second belt 66 will be explained.

上側のピンセット23の連結について説明すると、この
ピンセット23はその走行方向と直交する方向に形成さ
れた略コ字状のピンセット支持アーム72に支持されて
いる。このピンセット支持アーム72の内側には、被案
内体71が固着されていて、この被案内体71は前記ベ
ース部材56上に形成したレール72に沿って移動自在
となっている。尚、このレール70には、第1図(A)
に示すように、前記ピンセット23の走行領域の両側で
あって、この走行方向と平行に形成されている。さらに
、前記被案内体71の内側には、前記第2のベルト66
を挟持する形でこのベルト66に連結されたベルト連結
体73を具備している。この結果、ピンセット23は前
記レール72に沿って移動自在であると共に、前記第2
のベルト66が搬送駆動されることで、このベルト66
に固着されたベルト連結体73が共に移動することにな
るので、ピンセット23の水平移動を実現することがで
きるようになっている。
To explain the connection of the upper tweezers 23, this tweezers 23 is supported by a substantially U-shaped tweezers support arm 72 formed in a direction perpendicular to the direction of travel thereof. A guided body 71 is fixed to the inside of this tweezers support arm 72, and this guided body 71 is movable along a rail 72 formed on the base member 56. In addition, this rail 70 is shown in FIG. 1(A).
As shown in , they are formed on both sides of the travel area of the tweezers 23 and parallel to the travel direction. Further, the second belt 66 is provided inside the guided body 71.
A belt connecting body 73 is connected to the belt 66 in such a manner as to sandwich the belt. As a result, the tweezers 23 are movable along the rail 72 and the second
This belt 66 is conveyed and driven.
Since the belt connecting body 73 fixed to the tweezers 23 moves together with the tweezers 23, horizontal movement of the tweezers 23 can be realized.

尚、このピンセット23の走行位置のリミット位置検出
を行うために、前記ベルト連結体73には被検出体74
が固着され、一方、前記ピンセット23の走行領域両端
側には検出体75.75が配置されている。この被検出
体74と検出体75とはリミットスイッチを構成するも
のであり、この被検出体74がいずれか一方の検出体7
5に検出されることによってエンド検出が可能となって
いる。尚、下側のピンセット23の第2のベルト66に
対する連結についても同様に(h成されている。
Incidentally, in order to detect the limit position of the traveling position of the tweezers 23, a detection object 74 is attached to the belt connecting body 73.
, and on the other hand, detecting bodies 75 and 75 are arranged at both ends of the travel area of the tweezers 23. The detected object 74 and the detected object 75 constitute a limit switch, and this detected object 74 is connected to either one of the detected objects 7.
5, the end detection is possible. Note that the lower tweezers 23 are connected to the second belt 66 in the same manner.

次に、上記の2つのピンセット23.23を具備したベ
ース部材56の駆動について説明すると、このベース部
材56は搬送経路25に沿って図示Y方向に移動可能で
あり、さらに、ベース部材56の高さ方向の位置を可変
するためにZ方向にも移動自在となっている。また、ピ
ンセット23の向を可変するために、ベース部材56は
その回転方向であるθ方向に回動自在となっている。こ
のように、ベース部材56をY方向に移動可能とするこ
とで、各処理ユニットに対してピンセット23を配置す
ることができ、さらにベース部材56を回転することで
、この各処理ユニットと対向する向きにピンセット23
のコ字状部分を配置することができる。また、1つの処
理ユニットに対して2つのピンセット23.23を選択
的に使用するために、前記ベース部材56の高さ位置を
変更し、処理ユニット内の半導体ウェハ22の支持位置
にいずれか一方のピンセット23を設定スることができ
るようになっている。尚、上記のベース部材56のY方
向駆動、Z方向駆動及びθ方向駆動の構造については、
種々の直線駆動方式あるいは回転駆動方式を採用するこ
とができ、ここではその詳細な説明を省略する。
Next, the driving of the base member 56 equipped with the two tweezers 23 and 23 described above will be explained. It is also movable in the Z direction to change the position in the horizontal direction. Further, in order to change the direction of the tweezers 23, the base member 56 is rotatable in the θ direction, which is the direction of rotation thereof. In this way, by making the base member 56 movable in the Y direction, the tweezers 23 can be arranged with respect to each processing unit, and by further rotating the base member 56, the tweezers 23 can be arranged to face each processing unit. Tweezers 23 in the direction
The U-shaped part can be placed. In addition, in order to selectively use the two tweezers 23, 23 for one processing unit, the height position of the base member 56 is changed, and one of the tweezers 23, 23 is placed at a supporting position for the semiconductor wafer 22 in the processing unit. tweezers 23 can be set. Regarding the structure of the Y-direction drive, Z-direction drive, and θ-direction drive of the base member 56,
Various linear drive systems or rotational drive systems can be employed, and detailed description thereof will be omitted here.

次に、作用について説明する。Next, the effect will be explained.

先ず、搬入搬出機構45のX移動機構46.Y移動機構
47.θ回転機構48を動作させてピンセット43をウ
ェハキャリア42下に移動させる。
First, the X moving mechanism 46 of the loading/unloading mechanism 45. Y movement mechanism 47. The θ rotation mechanism 48 is operated to move the tweezers 43 below the wafer carrier 42 .

そして、昇降機構(図示せず)により上記ウエノ\キャ
リア42を下降させて収納している処理前の半導体ウェ
ハ22を1枚上記ピンセット43に載せて吸着保持する
。次に、このピンセット43をX方向に移動させて半導
体ウェハ22を取出した後、Y方向に移動させて載置台
44上に上記処理前の半導体ウェハ22を載置する。
Then, the wafer carrier 42 is lowered by an elevating mechanism (not shown), and one of the unprocessed semiconductor wafers 22 stored therein is placed on the tweezers 43 and held by suction. Next, the tweezers 43 are moved in the X direction to take out the semiconductor wafer 22, and then moved in the Y direction to place the unprocessed semiconductor wafer 22 on the mounting table 44.

そして、第1の処理装置ユニット31の第1の搬送機構
24を図の左Y方向に移動させて、搬入搬出機構45の
載置台44に載置されている処理前の半導体ウェハ22
を例えば上側のピンセット23が受取り吸着保持する。
Then, the first transport mechanism 24 of the first processing apparatus unit 31 is moved in the left Y direction in the figure, and the unprocessed semiconductor wafer 22 placed on the mounting table 44 of the loading/unloading mechanism 45 is moved.
For example, the upper tweezers 23 receive it and hold it by suction.

ここで、前記半導体ウェハ22のピンセット23による
吸着保持及びアライメント動作について、第3図を参照
して説明する。
Here, the suction holding and alignment operations of the semiconductor wafer 22 by the tweezers 23 will be explained with reference to FIG.

搬入搬出機構45より受渡された半導体ウェハ22は、
ピンセット23の第1.第2.第3の突起部50,51
.52にて3点支持されることになる。この際、このピ
ンセット23上の半導体ウェハ22は未だアライメント
動作が実行されてなく、従ってウェハ22の一端面がガ
イド部材54に当接しない状態となっている。
The semiconductor wafer 22 delivered by the loading/unloading mechanism 45 is
The first tweezers 23. Second. Third protrusion 50, 51
.. It will be supported by three points at 52. At this time, the alignment operation of the semiconductor wafer 22 on the tweezers 23 has not yet been performed, and therefore one end surface of the wafer 22 does not come into contact with the guide member 54.

そこで、第3図(A)に示すようにストッパ部材55を
上昇させ、半導体ウェハ22の端面と当接可能な位置に
て停止する。その後、ピンセット23にて半導体ウェハ
を真空吸着せずに、このピンセット23をストッパ部材
55に向けて水平移動する。そして、半導体ウェハ22
の端面がストッパ部材55に当接後もさらにこのピンセ
ット23を水平移動させると、半導体ウェハ22はピン
セット23の上記各突起部50,51.52上でスライ
ドして、最終的に前記ガイド部材54に当接した形で停
止されることになる。尚、この際第3図(B)に示すよ
うに、万一半導体ウェハ22がピンセット23上にてそ
の中心がずれた形で支持されている場合にあっても、ガ
イド部材54の円弧状部分によって案内することで、そ
の正確な位置に位置決めすなわちアライメントすること
かできる。(第3図(C)参照)。
Therefore, as shown in FIG. 3(A), the stopper member 55 is raised and stopped at a position where it can come into contact with the end surface of the semiconductor wafer 22. Thereafter, the tweezers 23 are horizontally moved toward the stopper member 55 without vacuum-chucking the semiconductor wafer with the tweezers 23 . Then, the semiconductor wafer 22
When the tweezers 23 are further moved horizontally even after the end surface of the tweezers 23 comes into contact with the stopper member 55, the semiconductor wafer 22 slides on each of the protrusions 50, 51, 52 of the tweezers 23, and finally touches the guide member 54. It will be stopped when it comes into contact with the At this time, as shown in FIG. 3(B), even if the semiconductor wafer 22 is supported on the tweezers 23 with its center shifted, the arc-shaped portion of the guide member 54 It is possible to position or align the object at that precise position by guiding the object. (See Figure 3(C)).

ここで、上記のクリアライメント動作を実施するに際し
て、半導体ウェハ22は各突起部50゜51.52上で
スライド移動することになるが、ピンセット23の全面
にてウェハ22を受けるものと比較すれば、ウェハ22
との接触面積をかなり少なくすることができるので、こ
のアライメント時での発塵を極力押えることができる。
Here, when carrying out the above-mentioned clear alignment operation, the semiconductor wafer 22 slides on each projection 50°, 51.52, but compared to receiving the wafer 22 with the entire surface of the tweezers 23. , wafer 22
Since the contact area can be considerably reduced, dust generation during this alignment can be suppressed as much as possible.

さらに、上記各突起部50,5L  52の材質として
、例えば摺動抵抗の少ないテフロンなどを採用すること
により、ダストの発生をより低減することが可能である
。尚、半導体ウェハ22のアライメント動作は、ストッ
パ部材55とガイド部材54との間に挾み込んで行うも
のであるが、この際ストッパ部材55は第2図に示すよ
うに引張りコイルスプリング57の付勢力に抗して退避
可能であるので、このウェハ22の端面がガイド部材5
4に衝撃的に当接されることを防止することができる。
Further, by employing Teflon, which has low sliding resistance, as the material for each of the projections 50, 5L 52, it is possible to further reduce the generation of dust. Note that the alignment operation of the semiconductor wafer 22 is performed by inserting it between the stopper member 55 and the guide member 54. At this time, the stopper member 55 is attached to a tension coil spring 57 as shown in FIG. Since the wafer 22 can be retracted against the force, the end surface of the wafer 22 is connected to the guide member 5.
4 can be prevented from impacting.

尚、通常半導体ウェハ22は、その一部分に第1図(A
)に示すようにオリエンテーションフラット22aを具
備するので、前記ストッパ部材55はこのオリエンテー
ションフラット22aを押圧することになる。ただし、
オリエンテーションフラットがストッパ一部にこなくて
もアライメントは可能である。
Incidentally, the semiconductor wafer 22 normally has a portion shown in FIG.
), since the orientation flat 22a is provided, the stopper member 55 presses the orientation flat 22a. however,
Alignment is possible even if the orientation flat does not cover part of the stopper.

上記のようにしてアライメント動作が終了した後に、ピ
ンセット23上にて半導体ウェハ22を真空吸着保持す
ることになる。この際、本実施例では真空吸着するため
の吸着用開口部53が、第3の突起部52にのみ形成さ
れているので、従来のピンセットのように吸着用開口部
が所定長さ領域に亘って形成されているものと比べれば
、バキューム吸引時での圧力によりウェハの裏面を破損
させるおそれを大幅に低減することができる。したがっ
て、このような構成によっても発塵の問題を解消するこ
とが可能となる。
After the alignment operation is completed as described above, the semiconductor wafer 22 is held by vacuum suction on the tweezers 23. At this time, in this embodiment, the suction opening 53 for vacuum suction is formed only in the third protrusion 52, so that the suction opening 53 extends over a predetermined length region as in conventional tweezers. Compared to the case where the wafer is formed using a wafer, the risk of damaging the back surface of the wafer due to pressure during vacuum suction can be significantly reduced. Therefore, this configuration also makes it possible to solve the problem of dust generation.

次に、このピンセット23を処理プロセスに応じて例え
ばHMDS処理機構26に向って移動させ、上記半導体
ウェハ22を上記HMDS処理機構26にセットしてH
MD S [(CH3) 3S i NH8i  (C
H3) 31 を蒸気状にして上記半導体ウェハ22に
塗布する。同時に、搬入搬出機構45を動作させ、次に
処理する半導体ウェハ22をウェハキャリア42から1
枚取出して載置台44に載置する。以下、同様に動作さ
せる。
Next, the tweezers 23 are moved toward, for example, the HMDS processing mechanism 26 according to the processing process, the semiconductor wafer 22 is set in the HMDS processing mechanism 26, and the
MD S [(CH3) 3S i NH8i (C
H3) 31 is made into a vapor state and applied to the semiconductor wafer 22. At the same time, the loading/unloading mechanism 45 is operated, and the semiconductor wafer 22 to be processed next is transferred from the wafer carrier 42 to 1.
The sheet is taken out and placed on the mounting table 44. Hereafter, operate in the same manner.

上記HMSD処理機構26での処理が終了すると、第1
の搬送機構24を移動させ例えば下側のピンセット23
の独立した水平移動によりHMDS処理が終了した半導
体ウェハ22を上記HMDS処理機構26から取出す。
When the processing in the HMSD processing mechanism 26 is completed, the first
For example, by moving the transport mechanism 24 of the lower tweezers 23
The semiconductor wafer 22 on which the HMDS processing has been completed is taken out from the HMDS processing mechanism 26 by independent horizontal movement.

ここで、上記HMSD処理機構26にて処理している時
間を利用して、上記第1の搬送機構24を移動して、載
置台44に載置されている半導体ウエノ\22を上側の
ピンセット23にて受取っていれば、下側のピンセット
23を用いての処理済み半導体ウェハ22の受取後に、
即座に上側のピンセット23を用いて処理前の半導体ウ
ェハ22をHMDS処理機構26にセットすることがで
き、スルーブツトを向上することができる。次に、前記
下側のピンセット23に保持している処理済みの半導体
ウェハ22を次の処理のため第1の塗布機構29にセッ
トする。
Here, by using the processing time in the HMSD processing mechanism 26, move the first transport mechanism 24 to transfer the semiconductor wafer \22 placed on the mounting table 44 to the upper tweezers 23. , after receiving the processed semiconductor wafer 22 using the lower tweezers 23,
The unprocessed semiconductor wafer 22 can be immediately set in the HMDS processing mechanism 26 using the upper tweezers 23, thereby improving throughput. Next, the processed semiconductor wafer 22 held by the lower tweezers 23 is set in the first coating mechanism 29 for the next process.

上記第1の塗布機構29では例えばスピンコーティング
法によりレジストを半導体ウェハ22上面に所要量滴下
して半導体ウェハ22を回転して塗布する。この第1の
塗布機構29による塗布が終了した半導体ウェハ22は
次の処理のための第1の搬送機構24により第1のプリ
ベーク機構27にセットして加熱する。
In the first coating mechanism 29, a required amount of resist is dropped onto the upper surface of the semiconductor wafer 22 by, for example, a spin coating method, and the resist is coated by rotating the semiconductor wafer 22. The semiconductor wafer 22 that has been coated by the first coating mechanism 29 is set in the first pre-bake mechanism 27 and heated by the first transport mechanism 24 for the next process.

上記のようにして半導体ウェハ22を順に、HMDS処
理機構26=第1の塗布機構29−第1のプリベーク機
構27−第1の冷却機構28−第2の塗布機構20に半
導体ウェハ22を搬送セットしてそれぞれ処理を行う。
As described above, the semiconductor wafer 22 is transferred in order to the HMDS processing mechanism 26 = first coating mechanism 29 - first pre-bake mechanism 27 - first cooling mechanism 28 - second coating mechanism 20. and process each.

そして、上記第1の処理装置ユニット31における最後
の処理である第2の塗布機構30による塗布か終了する
と、第1の搬送機構24を動作させて半導体ウェハ22
を例えば上側のピンセット23で取出しX方向、θ方向
、Y方向、2方向に移動し、待機機構33の載置台32
に上記半導体ウェハ22を載置する。この時、第1の冷
却機I■28で処理を終えた半導体ウェハ22を下側の
ピンセット23で取出し、上記上側のピンセット23で
第2の塗布が終了した半導体ウェハ22を取出した後に
、上記下側のピンセット23に保持している半導体ウェ
ハ22を上記第2の塗布機構30に直ちにセットするよ
うに動作することができる。また、上記第1の搬送機構
24は、待機機構33の載置832に半導体ウェハ22
を載置した後は、第1の処理装置ユニット31を自在に
動作できる。
When the coating by the second coating mechanism 30, which is the last process in the first processing apparatus unit 31, is completed, the first transfer mechanism 24 is operated to transfer the semiconductor wafer 22 to the semiconductor wafer 22.
For example, take it out with the upper tweezers 23 and move it in the X direction, θ direction, Y direction, and the mounting table 32 of the standby mechanism 33.
The semiconductor wafer 22 is placed on. At this time, the semiconductor wafer 22 that has been processed in the first cooler I2 28 is taken out with the lower tweezers 23, and after the semiconductor wafer 22 that has been coated with the second coating is taken out with the upper tweezers 23, the It can operate to immediately set the semiconductor wafer 22 held by the lower tweezers 23 into the second coating mechanism 30. Further, the first transport mechanism 24 carries the semiconductor wafer 22 on the mounting 832 of the standby mechanism 33.
After placing the first processing device unit 31, the first processing device unit 31 can be freely operated.

次に、第2の処理装置ユニット34の第2の搬送機構4
6を図の右Y方向に移動し、例えば上側のピンセット3
5で待機機構33の載置台32に載置されている半導体
ウェハ22を受取り、アライメント動作後に保持する。
Next, the second transport mechanism 4 of the second processing device unit 34
6 in the right Y direction of the figure, for example, the upper tweezers 3.
5, the semiconductor wafer 22 placed on the mounting table 32 of the standby mechanism 33 is received and held after the alignment operation.

この動作は、第1の搬送機構24のピンセット22と同
様に実施することができる。そして、第2の搬送機構3
6をY方向、X方向、Z方向、θ方向に移動させ、上記
半導体ウェハ22を次の処理機構である第2のプリベー
ク機構38にセットする。この後、第2の処理装置ユニ
ット31の第2の塗布機構30による塗布処理が終了し
た半導体ウェハ22があれば、この半導体ウェハ22を
第1の搬送機構24で、取出し搬送して載置台32上に
載置する。
This operation can be performed similarly to the tweezers 22 of the first transport mechanism 24. Then, the second transport mechanism 3
6 in the Y direction, X direction, Z direction, and θ direction, and the semiconductor wafer 22 is set in the second prebake mechanism 38, which is the next processing mechanism. Thereafter, if there is a semiconductor wafer 22 for which the coating process by the second coating mechanism 30 of the second processing apparatus unit 31 has been completed, the semiconductor wafer 22 is taken out and transferred by the first transfer mechanism 24 to the mounting table 3. Place it on top.

上記第2のプリベーク機構38における処理が終了する
と、第2の搬送機構36の例えば下側のピンセット35
により処理終了した半導体ウェハ22を取出す。この後
上側のピンセット35にて保持している次の半導体ウェ
ハ22を第2のプリベーク機構38に受け渡した後に、
この下側のピンセット35にて保持されている半導体ウ
ェハ22を第2の冷却機構39にセットする。この第2
の冷却機構39の次には表面被覆層塗布機構40にセッ
トして順に処理を行う。
When the process in the second pre-bake mechanism 38 is completed, the lower tweezers 35 of the second conveyance mechanism 36
The semiconductor wafer 22 that has been processed is taken out. After this, the next semiconductor wafer 22 held by the upper tweezers 35 is transferred to the second pre-bake mechanism 38, and then
The semiconductor wafer 22 held by the lower tweezers 35 is set in the second cooling mechanism 39. This second
The cooling mechanism 39 is followed by the surface coating layer application mechanism 40, and processing is performed in this order.

そして、上記構成の実施例の最終処理である表面被覆層
塗布機構40による処理が終了すると、第2の搬送機構
36により上記表面被覆層塗布機(R40から半導体ウ
ェハ22を取出し待機機構33の載置台32に載置する
When the surface coating layer coating mechanism 40 completes the final processing of the embodiment with the above configuration, the semiconductor wafer 22 is taken out from the surface coating layer coating machine (R40) by the second transport mechanism 36 and placed on the standby mechanism 33. Place it on the stand 32.

次に、第1の処理装置ユニット31の第1の搬送機構2
4により上記載置台32に載置されている半導体ウェハ
22を受取り図の左Y方向に搬送する。上記のように、
第1の処理装置ユニット31と第2の処理装置ユニット
34間の半導体ウェハ22の搬送は、上記載置台32す
なわち待機機構33を経由して行う。
Next, the first transport mechanism 2 of the first processing device unit 31
4, the semiconductor wafer 22 placed on the mounting table 32 is transported in the left Y direction of the receiving drawing. As described above,
The semiconductor wafer 22 is transferred between the first processing equipment unit 31 and the second processing equipment unit 34 via the above-mentioned mounting table 32, that is, the standby mechanism 33.

1把半導体ウニへ22を第1の搬送機構24により左端
まで搬送すると、半導体ウェハ22を搬入搬出機構45
の載置台44に載置する。この時、この載置台44に処
理前の半導体ウェハ22がすでにある場合には、先にこ
の処理半導体ウェハ22を上記載置台44から受取って
おく。
When one batch of semiconductor wafers 22 is transported to the left end by the first transport mechanism 24, the semiconductor wafers 22 are transferred to the loading/unloading mechanism 45.
It is placed on the mounting table 44 of. At this time, if the unprocessed semiconductor wafer 22 is already on the mounting table 44, the processed semiconductor wafer 22 is received from the mounting table 44 first.

次に、搬入搬出機構45のピンセット43で上記半導体
ウェハ22を保持搬送し、ウェハキャリア42内に処理
終了した半導体ウェハ22を収納する。
Next, the semiconductor wafer 22 is held and transported by the tweezers 43 of the loading/unloading mechanism 45, and the processed semiconductor wafer 22 is stored in the wafer carrier 42.

上記のように、半導体ウェハ22を、順に、搬入搬出機
構45のウェハキャリア42から搬出した後節1の処理
装置ユニット31で処理をし、待機機構33を経由して
第2の処理装置ユニット34に送る。この第2の処理装
置ユニット34での処理が終了すると再び待機機構33
を経由して第1の処理ユニット31に戻し搬送して、搬
入搬出機構45のウェハキャリア42内に収納する。
As described above, the semiconductor wafers 22 are sequentially processed in the processing equipment unit 31 of the second section 1, which is carried out from the wafer carrier 42 of the loading/unloading mechanism 45, and transferred to the second processing equipment unit 34 via the standby mechanism 33. send to When the processing in this second processing device unit 34 is completed, the standby mechanism 33
The wafer is transported back to the first processing unit 31 via the wafer carrier 42 and stored in the wafer carrier 42 of the loading/unloading mechanism 45 .

上記説明から理解されるように、第1の処理装置ユニッ
ト31及び第2の処理装置ユニット34の各処理機構の
構成は、必要とする処理プロセスと、各処理の所要時間
と、半導体ウェハの搬送所要時間等に基づいて、スルー
プットが最高になるように上記処理機構数を設定するこ
とができる。
As understood from the above description, the configuration of each processing mechanism of the first processing equipment unit 31 and the second processing equipment unit 34 depends on the required processing process, the time required for each processing, and the transportation of semiconductor wafers. Based on the required time, etc., the number of processing mechanisms can be set so that the throughput is maximized.

また、処理機構数を増加するときには、上記のようにし
て構成した処理装置ユニットを待機機構33により例え
ば図の右方向に連結して増設すればよい。したがって、
従来の装置のように、1つの搬送機構しか有していない
ため半導体ウェハの搬送がスムーズには行えず、各処理
機構での無駄な待機時間を必要とし搬送のための所要時
間が長くなり、その結果スループットが低下するような
ことはない。
Further, when increasing the number of processing mechanisms, the processing device units configured as described above may be connected by the standby mechanism 33, for example, in the right direction in the figure. therefore,
Unlike conventional equipment, since it has only one transport mechanism, semiconductor wafers cannot be transported smoothly, and each processing mechanism requires unnecessary waiting time, which increases the time required for transport. As a result, throughput does not decrease.

すなわち、処理機構が増加したとしても増設は容易であ
り、また装置全体を最良の状態に動作設定することがで
きる。
That is, even if the number of processing mechanisms increases, it is easy to add them, and the entire apparatus can be set to operate in the best possible condition.

尚、上記実施例では、処理装置ユニットを直線状に配置
した例について説明したが、待機機構33にて連結され
、この待機機構33を経由して半導体ウェハを搬送でき
れば何れの配置でもよく、例えば直角に折曲げたり並置
して構成してもよい。
In the above embodiment, an example was explained in which the processing equipment units are arranged in a straight line, but any arrangement may be used as long as they are connected by the standby mechanism 33 and the semiconductor wafer can be transported via the standby mechanism 33. For example, They may be bent at right angles or juxtaposed.

尚、この、待機機構33を実状に合せて変形するのは言
うまでもない。
It goes without saying that this standby mechanism 33 may be modified to suit the actual situation.

また、上記実施例では、半導体ウェハ22の搬入搬出機
構45を装置の左端に設けたが、右側に設けてもよい。
Further, in the above embodiment, the loading/unloading mechanism 45 for the semiconductor wafer 22 is provided at the left end of the apparatus, but it may be provided at the right side.

また、上記実施例の例えば塗布機(hを現像機構に置き
かえて構成することにより現像装置として適用使用する
ことがてき、この細波処理体の搬送経路に沿って一連の
処理ユニットを有する種々の処理装置に適用可能である
In addition, by replacing, for example, the coating machine (h) with a developing mechanism, it can be used as a developing device. Applicable to the device.

そして、本発明の第1の特徴的構成としては、半導体ウ
ェハ22などの被処理体をその接触面積を少なくした形
でピンセット23上に支持するものであり、この際この
ような半導体ウェハ22を安定して支持するためには、
3点以上の箇所に突起部゛を形成して支持可能とすれば
よい。また、本発明の第2の特徴的構成としては、上記
のように形成したピンセット上の突起部の少なくと1力
所以上に吸着用開口部53を形成し、比較的狭い面積の
吸着用開口部53にて半導体ウェハ22を吸着支持する
ことで、従来よりも発塵の問題を大幅に解消することに
あり、この吸着用開口部53を各突起部に形成するもの
であってもよい。
The first characteristic configuration of the present invention is to support an object to be processed, such as a semiconductor wafer 22, on the tweezers 23 with a reduced contact area. For stable support,
Protrusions may be formed at three or more locations to enable support. Further, as a second characteristic configuration of the present invention, a suction opening 53 is formed at at least one force point of the protrusion on the tweezers formed as described above, and the suction opening 53 has a relatively narrow area. By suctioning and supporting the semiconductor wafer 22 at the portion 53, the problem of dust generation can be solved to a greater extent than in the past, and this suction opening 53 may be formed in each protrusion.

また、ピンセット23上にてアライメント動作可能とす
る場合には、上記実施例のガイド部材54及びストッパ
部材55としては、例えばピンにて構成することも可能
であり、その形状についても種々の変形実施が可能であ
る。
In addition, in the case where the alignment operation is possible on the tweezers 23, the guide member 54 and the stopper member 55 of the above embodiment can be configured with pins, for example, and various modifications can be made to the shape. is possible.

さらに、処理のスループットを向上するためには、−台
の搬送機構に上記のように2つのビンセットを搭載する
ものが好ましいが、処理ニーズに応じて3つ以上のピン
セットを搭載することもできる。
Furthermore, in order to improve processing throughput, it is preferable that the transport mechanism of the stand be equipped with two bin sets as described above, but it is also possible to install three or more tweezers depending on processing needs. .

[発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、被処理体を比較的
少ない接触面積で載置保持することができ、さらに比較
的狭い面積の吸着用開口部にて被処理体を真空吸着する
ことで、この双方の構成の効果としてビンセットにて被
処理体を支持する際の発塵を大幅に低減でき、特に近年
の微細化処理に好適な処理装置を提供することが可能と
なる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, it is possible to place and hold the object to be processed with a relatively small contact area, and furthermore, the object to be processed can be placed and held in the suction opening with a relatively small area. By vacuum adsorption, the effect of both of these configurations is that dust generation when supporting the object to be processed with a bin set can be significantly reduced, making it possible to provide a processing device that is especially suitable for recent miniaturization processing. becomes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明を半導体製造装置に適用した場合のビ
ンセット及びその駆動機構を説明するためのもので、同
図(A)は搬送機構の平面図、同図(B)は搬送機構の
一部を切欠した側面図、同図(C)は搬送機構の一部を
省略した正面図、第2図は、ピンセット上にて被処理体
をアライメントする場合のガイド部材とストッパ部材と
の関係を説明するための概略説明図、第3図は、ピンセ
ット上での被処理体のアライメント動作を説明するため
の概略説明図、第4図は、実施例装置の全体構成を説明
するための概略説明図、第5図は、従来の処理装置での
被処理体搬送方法を説明するだめの概略説明図、第6図
は、被処理体を吸着保持する従来のピンセット構造を説
明するための概略説明図である。 22・・・被処理体、23・・・ビンセット、50〜5
2・・・突起部、53・・・吸着用開口部、54・・・
ガイド部材、55・・・ストッパ部材、57・・・付勢
部材。 代理人 弁理士 井  上   −(他1名)弔 図 ・第 図
FIG. 1 is for explaining a bin set and its drive mechanism when the present invention is applied to semiconductor manufacturing equipment, and FIG. 1 (A) is a plan view of the transport mechanism, and FIG. (C) is a front view with a part of the conveyance mechanism omitted, and FIG. 2 is a side view with a part cut away. 3 is a schematic explanatory diagram for explaining the relationship, FIG. 3 is a schematic explanatory diagram for explaining the alignment operation of the object to be processed on the tweezers, and FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the overall configuration of the embodiment apparatus. 5 is a schematic explanatory diagram for explaining a method of transporting a processed object in a conventional processing apparatus, and FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a conventional tweezers structure for suctioning and holding a processed object. It is a schematic explanatory diagram. 22... Object to be processed, 23... Bin set, 50-5
2... Protrusion, 53... Adsorption opening, 54...
Guide member, 55...stopper member, 57...biasing member. Agent: Patent attorney Inoue - (1 other person) Funeral map/diagram

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)被処理体の搬送経路に沿って複数の処理ユニット
を有する処理装置において、 被処理体を吸着して前記搬送経路に沿って移動可能であ
って、かつ、各処理ユニットに対して被処理体の受け渡
しが可能なピンセットを設け、かつ、このピンセットは
その平面よりも少なくとも3箇所で突出して被処理体を
支持する面を有し、この突出面の少なくとも1箇所で被
処理体を真空吸着可能としたことを特徴とする処理装置
(1) In a processing apparatus having a plurality of processing units along a conveyance path of an object to be processed, the object can be adsorbed and moved along the conveyance path, and a A pair of tweezers capable of transferring the object to be processed is provided, and the tweezers have a surface that protrudes from the flat surface of the tweezers at least three places to support the object to be processed, and the object to be processed is evacuated at at least one of the protruding surfaces. A processing device characterized by being capable of adsorption.
(2)ピンセットには、被処理体の端部と当接すること
で被処理体を位置決め可能なガイド部材が形成され、こ
のガイド部材と対向する位置にて被処理体の他の端部と
当接可能なストッパーを設け、ピンセットに被処理体を
支持した非吸着状態でこのピンセットをストッパー側に
移動することで、被処理体をカイト部材に当接させるプ
リアライメント動作を可能としたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の処理装置。
(2) The tweezers are formed with a guide member that can position the object by coming into contact with the end of the object, and comes into contact with the other end of the object at a position facing the guide member. A feature is that a stopper that can be touched is provided, and by moving the tweezers toward the stopper in a non-adsorbed state with the object supported by the tweezers, it is possible to perform a pre-alignment operation in which the object to be processed comes into contact with the kite member. A processing device according to claim 1.
(3)上記搬送経路に沿って一体的に移動されるピンセ
ットを複数設け、各ピンセットが独立して処理ユニット
との間で被処理体の受け渡しが可能である特許請求の範
囲第1項又は第2項記載の処理装置。
(3) A plurality of tweezers are provided which are integrally moved along the transport path, and each tweezers can independently transfer objects to and from the processing unit. 2. Processing device according to item 2.
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