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JPH02125635A - Ｌｓｉウェーハ - Google Patents

Ｌｓｉウェーハ

Info

Publication number
JPH02125635A
JPH02125635A JP27983788A JP27983788A JPH02125635A JP H02125635 A JPH02125635 A JP H02125635A JP 27983788 A JP27983788 A JP 27983788A JP 27983788 A JP27983788 A JP 27983788A JP H02125635 A JPH02125635 A JP H02125635A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lsi
wafer
test
lsi chips
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27983788A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryozo Fujiwara
藤原　良造
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP27983788A priority Critical patent/JPH02125635A/ja
Publication of JPH02125635A publication Critical patent/JPH02125635A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はしＳＩウェーハに関する。
最近のしＳｌの大規模化に伴い、ＬＳＩウニ・ハの試験
時間の長さが問題となってきた。
〔従来の技術〕
にｆ：来この種のＬＳＩウェーハは、ウェーハをスフラ
イフしてＬＳＩチップを分Ｍ　ｆ＆に封止（パッケージ
ング）する製品用ＬＳＩチップのみで構成されていた。
被試験ＬＳＩウェーハの特性判別試験は、全ＬＳＩチッ
プを対象に実施し、良品のＬＳＩチップのみが後にパッ
ケージングされていた。
（発明が解決しようとする課題〕 一ヒ述した従来のＬＳＩウェーハは、パッケージング後
の製品選別試験で不良品が多いと高価なパンケージを無
駄にするので、全ＬＳＩチップをウェーハ工程で試験す
ることを前提に設計されていた。
ところが最近のウェーハの大口径化とＬＳＩ内部の大規
模化に伴い、通常の全ＬＳＩチップをａ）１１定したの
では長時間を要して、ＬＳＩウェーハの試験コストが高
くなってしまう欠点があった。
本発明の目的は、ウェーハ工程でのＬＳＩチップ試験時
間が知いＬＳＩウェーハを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のＬＳＩウェーハは、半導体基板の主面に複数の
ＬＳＩチップを有するＬＳＩウェーハにおいて、前記Ｌ
ＳＩチップが、ウェーハ工程のＬＳＩチップ試験に対応
してパッドが設けられかつ前記ＬＳＩチップの１〜１０
％の割合で均等に配置されているモニタテスト用ＬＳＩ
チップを含を含んで構成されている。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
被試験ＬＳＩウェーハ１は、製品用ＬＳＩチップ２と、
モニタテスト用ＬＳＩチップ３とがら構成されている。
網線に示すようにモニタテスト用ＬＳＩチップ３は、廃
棄領域４を除くように境界線５の内側に約１／１６の割
合に均一に配置されている。
また、モニタテスト用ＬＳＩチップ３は、製品には使用
しないのでウェーハ工程でのＬＳＩチップ試験に用いら
れるパッドのみを設けることにユり構造が簡易化されて
いる。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、モニタ用ＬＳＩチップを
被試験ウェーハ上にはと均等に配置することによりウェ
ーハの試験時間を減少させる効果かある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の平面図である。 １・・・被試験ウェーハ、２・・・製品用ＬＳＩチップ
、３・・・モニタテスト用ＬＳＩチップ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板の主面に複数のＬＳＩチップを有するＬＳＩ
    ウェーハにおいて、前記ＬＳＩチップが、ウェーハ工程
    のＬＳＩチップ試験に対応してパッドが設けられかつ前
    記ＬＳＩチップの１〜１０％の割合で均等に配置されて
    いるモニタテスト用ＬＳＩチップを含むことを特徴とす
    るＬＳＩウェーハ。
JP27983788A 1988-11-04 1988-11-04 Ｌｓｉウェーハ Pending JPH02125635A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27983788A JPH02125635A (ja) 1988-11-04 1988-11-04 Ｌｓｉウェーハ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27983788A JPH02125635A (ja) 1988-11-04 1988-11-04 Ｌｓｉウェーハ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02125635A true JPH02125635A (ja) 1990-05-14

Family

ID=17616616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27983788A Pending JPH02125635A (ja) 1988-11-04 1988-11-04 Ｌｓｉウェーハ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02125635A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5102818A (en) * 1989-09-21 1992-04-07 Deutsche Itt Industries Gmbh Method for the smooth fine classification of varactor diodes
JPH1064968A (ja) * 1996-07-02 1998-03-06 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置の製造工程分析方法
EP0860872A1 (fr) * 1997-02-19 1998-08-26 EM Microelectronic-Marin SA Plaquette à gravure comprenant des circuits optoélectroniques et des circuits de test, et procédé de vérification de cette plaquette
US5949129A (en) * 1997-02-17 1999-09-07 Em Microelectronic-Marin Sa Wafer comprising optoelectronic circuits and method of verifying this wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5102818A (en) * 1989-09-21 1992-04-07 Deutsche Itt Industries Gmbh Method for the smooth fine classification of varactor diodes
JPH1064968A (ja) * 1996-07-02 1998-03-06 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置の製造工程分析方法
US5949129A (en) * 1997-02-17 1999-09-07 Em Microelectronic-Marin Sa Wafer comprising optoelectronic circuits and method of verifying this wafer
EP0860872A1 (fr) * 1997-02-19 1998-08-26 EM Microelectronic-Marin SA Plaquette à gravure comprenant des circuits optoélectroniques et des circuits de test, et procédé de vérification de cette plaquette

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