[go: up one dir, main page]

JPH0160970B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0160970B2
JPH0160970B2 JP13651282A JP13651282A JPH0160970B2 JP H0160970 B2 JPH0160970 B2 JP H0160970B2 JP 13651282 A JP13651282 A JP 13651282A JP 13651282 A JP13651282 A JP 13651282A JP H0160970 B2 JPH0160970 B2 JP H0160970B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
constant current
field effect
transmission gate
effect transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP13651282A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5927622A (en
Inventor
Yoshiro Nakayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP13651282A priority Critical patent/JPS5927622A/en
Publication of JPS5927622A publication Critical patent/JPS5927622A/en
Publication of JPH0160970B2 publication Critical patent/JPH0160970B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 技術分野 本発明は、絶縁ゲート電界効果トランジスタを
用いて、アナログ信号の伝送を制御するアナログ
スイツチ回路に関する。 (ロ) 背景技術 一般に、アナログスイツチ回路は、第1図に示
すように、第1及び第2の電極が各々共通接続さ
れたP型及びN型の電界効果トランジスタ1及び
2より構成される伝送ゲートを有しており、
各々の共通電極が入力端子4及び出力端子5に接
続されている。そして、伝送ゲートを構成する
2個の電界効果トランジスタ1及び2の各ゲート
には、第2図イに示すような、急峻に変化する制
御信号Vc及びその反転信号が印加され、伝送ゲ
ートのオンオフ制御が行なわれている。又、オ
ン抵抗を下げ、歪率を良くするため、伝送ゲート
3のN型電界効果トランジスタ2のP型基板(P
ウエル領域)の電位を、伝送ゲートのオン時に
は入力電圧Viに、そして、オフ時には電源電位
Vssに切換えるための切換回路を付加したもの
も広く使用されており、この切換回路は、伝送
ゲートと同一構成であつて、入力端子4とP型
基板との間に接続されたゲート回路7と、P型基
板と電源端子Vssとの間に接続されたN型電界効
果トランジスタ8とより構成されている。そし
て、このゲート回路7を構成するP型電界効果ト
ランジスタ9とN型電界効果トランジスタ8のゲ
ートには、制御信号Vcの反転信号が印加され、
N型電界効果トランジスタ10には制御信号Vc
が印加されている。 ところが、通常、アナログ信号を伝送する伝送
ゲートは、インピ−ダンスを低くするため、伝送
ゲートを構成する電界効果トランジスタのサイズ
が一般のトランジスタに比べ大きく、ゲート絶縁
膜も薄い。このため、ゲート・ソース容量及びゲ
ート・ドレイン容量も大きくなり、従来の如く、
ゲートに急峻に変化する制御信号が印加される
と、その立ち上がり又は立ち下がりの微分波形が
ノイズとして出力信号に現われてしまうという欠
点があつた。 そこで、本願出願人は、伝送ゲートを構成す
る電界効果トランジスタ1及び2のゲート電位
を、徐々に上昇及び下降させることにより、ノイ
ズの発生を防止することを考えたが、従来回路で
は、伝送ゲートを構成する電界効果トランジス
タのゲートを制御する信号で、切換回路を構成
する電界効果トランジスタのゲートを制御してい
たので、切換回路のP型及びN型電界効果トラ
ンジスタ9及び8が一定期間共にオンしてしま
い、このため、入力アナログ電圧Viが電源電位
Vss近傍まで一定期間低下してしまうという問題
がでてきた。 (ハ) 発明の目的 本発明は、アナログスイツチの伝送ゲートを構
成する電界効果トランジスタのゲートと基板との
間に比較的大きなゲート容量が存在することに注
目し、このゲート容量を定電流で充放電させるこ
とにより、切換時のノイズの発生を防止すると共
に、切換回路を構成する電界効果トランジスタの
ゲートには、伝送ゲートを構成する電界効果トラ
ンジスタのゲートを制御する信号とは異なる信号
を印加することにより、入力アナログ電圧が電源
電圧近傍まで一定期間低下してしまうのを防止す
る新規なアナログスイツチ回路を提供するもので
ある。 (ニ) 実施例 第3図は、MOS電界効果トランジスタを用い
て構成した本発明によるアナログスイツチ回路の
実施例を示す回路図であり、伝送ゲート11は第
1図に示す従来例と同様、第1及び第2の電極が
各々共通接続され、この共通電極が各々入力端子
12及び出力端子13に接続されたP型MOS電
界効果トランジスタ14(以下、PMOSTと呼
ぶ)とN型MOS電界効果トランジスタ15(以
下、NMOSTと呼ぶ)とより構成されており、
PMOST14のN型基板は一方の電源端子VDD
接続されている。又、PMOST16及びNMOST
17より成るゲート回路18とNMOST19よ
り構成される切換回路20も、第1図と同様に構
成されており、ゲート回路18とNMOST19
との接続点に伝送ゲート11のNMOST15の
P型基板が接続されている。ここで伝送ゲート
1においては、PMOST14とNMOST15のゲ
ート容量、即ち、PMOST14のゲートとN型基
板との間のゲート容量CGPとNMOST15のゲー
トとP型基板との間のゲート容量CGNの容量比は
略2:1であり、本実施例でも2:1であるとす
る。尚、各ゲート容量は電圧依存性が少なくほぼ
一定である。 又、第3図において、21及び22は、ゲート
とドレインが接続されたPMOST23にNMOST
24が直列接続されたバイアス回路25から所定
バイアスがゲートに印加され、ソースが電源端子
VDDに接続された定電流回路として動作する定電
流PMOST、26及び27は、ゲートとドレイン
が接続されたNMOST28にPMOST29が直列
接続されたバイアス回路30から所定バイアスが
ゲートに印加され、ソースが電源端子Vssに接続
された定電流回路として動作する定電流
NMOSTであり、定電流PMOST22及び定電流
NMOST27の定電流値は、定電流PMOST21
及び定電流NMOST26の定電流値Ioの略2分
の1即ちIo/2に設定されている。そして、伝送
ゲート11を構成するPMOST14のゲートは、
PMOST31及びNMOST32の導電路を介して
各々定電流PMOST21及び定電流NMOST26
のドレインに接続されており、NMOST15の
ゲートは、PMOST33及びNMOST34の導電
路を介して各々定電流PMOST22及び定電流
NMOST27のドレインに接続されている。こ
のPMOST31及びNMOST32のゲートと切換
回路20のNMOST17のゲートには、第2図
イに示すような、急峻に変化する制御信号Vcが
印加され、、PMOST33及びNMOST34のゲ
ートと切換回路20のPMOST16とNMOST1
9のゲートには、制御信号Vcがインバータ35
及び36により反転された信号が印加されてい
る。 そこで、制御信号Vcが第2図イの如く「L」
レベルから「H」レベルに反転すると、その変化
は急峻なのでほぼ同時に、切換回路20
NMOST19がオフし、PMOST16及び
NMOST17がオンし、このため、伝送ゲート
11のNMOST15のP型基板と入力端子12
が接続される。又、制御信号Vcが「H」レベル
になると、NMOST32及びPMOST33がオン
し、PMOST31及びNMOST34がオフするの
で、伝送ゲート11を構成するPMOST14のゲ
ートは、NMOST32を介して定電流NMOST
26のドレインに接続され、NMOST15のゲ
ートは、PMOST33を介して定電流PMOST2
2のドレインに接続される。このため、PMOST
14のゲートとN型基板との間のゲート容量CGP
及びNMOST15のゲートとP型基板との間の
ゲート容量CGNは、各々定電流Io及びIo/2で充
電され、各ゲートの電位VGP及びVGNは、第2図
ロ及びハに示すように、ほぼ一定の傾きの直線に
沿つて徐々に下降及び上昇する。そして、ゲート
電位VGPがスレシヨルド電圧Vpより低下し、ゲー
ト電位VGNがスレシヨルド電圧VNより高くなる
と、PMOST14及びNMOST15がオンし、伝
送ゲートがオンして、入力アナログ信号Viが出
力端子13に伝送される。 又、制御信号Vcが「H」レベルから「L」レ
ベルに反転すると、その変化は急峻なのでほぼ同
時に切換回路20のPMOST16及びNMOST1
7がオフし、NMOST19がオンし、このため、
伝送ゲート11のNMOST15のP型基板は
NMOST19を介して電源端子Vssに接続され、
入力端子12はP型基板にも電源端子Vssにも接
続されない。又、NMOST32及びPMOST33
がオフし、PMOST31及びNMOST34がオン
するので、PMOST14のゲートはPMOST31
を介して定電流PMOST21のドレインに接続さ
れ、NMOST15のゲートはNMOST34を介
して定電流NMOST27のドレインに接続され
る。このため、PMOST14のゲートとN型基板
との間のゲート容量CGP及びNMOST15のゲー
トとP型基板との間のゲート容量CGNの電荷は、
各々定電流Io及びIo/2で放電され各ゲートの電
位VGP及びVGNは、ほぼ一定の傾きの直線に沿つ
て徐々に上昇及び下降する。そして、ゲート電位
VGPがスレシヨルド電圧Vpより高くなり、ゲート
電位VGNがスレシヨルド電圧VNより低くなると、
PMOST14NMOST15がオフし、伝送ゲート
11がオフして、入力アナログ信号Viが出力端
子13に伝送されなくなる。 このように、伝送ゲート11を構成する
PMOST14及びNMOST15のゲート容量を定
電流充放電して伝送ゲート11のオンオフ制御を
行なうので、ゲートに急峻な信号が印加されるこ
となく、ゲート電位はほぼ一定の傾きの直線に沿
つて上昇及び下降することとなり、伝送ゲート
1のオンオフ切換時のノイズの発生が防止され
る。又、切換回路20を構成するPMOST16と
NMOST17及び19のゲートには、伝送ゲー
11のPMOST14及びNMOST15のゲート
を制御する信号とは異なる急峻に変化する制御信
号Vc及びその反転信号が印加されるので、
PMOST16及びNMOST19が同時にオンする
ことがなくなり、従つて、入力端子12が電源端
子Vssに接続されることがなくなり、入力電圧Vi
の電源電圧Vssへの低下が防止される。 第3図の実施例においては、伝送ゲート11
ゲート容量CGPとCGNが異なるため、異なる定電流
回路で充電及び放電を行なうようにしたが、伝送
ゲート11を構成するPMOST14とNMOST1
5がオンオフするタイミングが若干ずれても実際
上あまり問題とならないので、定電流PMOST2
1及び22を共通にし、且つ、定電流NMOST
26及び27を共通にしてもほぼ同様の動作を行
わせることができる。 尚、第3図の実施例では、先ず制御信号Vcに
より切換回路20のゲート回路18をオンさせ
て、NMOST15のP型基板を入力端子12に
接続し、これと同時に、NMOST15のゲート
容量の定電流充電を開始し、その後伝送ゲート
1をオンさせていた。このため、NMOST15
のゲートとP型基板との間のゲート容量は、電圧
依存性が小さくほぼ一定であつて、実際上あまり
問題とはならないが、入力電圧の変化により定電
流充電中に若干変化する。そこで、制御信号Vc
を遅延させてその遅延信号を切換回路20へ入力
する遅延回路を設け、第2図ニに示すように、伝
送ゲート11がオンした後に、制御信号Vcの遅
延信号V′cを切換回路20のNMOST17のゲー
トに、そして、その反転信号を切換回路20の各
MOST16及び19のゲートに印加し、
NMOST15のP型基板の電位を、少なくとも
伝送ゲート11がオンするまでは、電源電位Vss
に保持し続け、そのゲート容量を確実に一定に保
つようにしてもよい。 (ホ) 効果 本発明によるアナログスイツチ回路は、伝送ゲ
ートを構成する電界効果トランジスタのゲート容
量を、定電流充電及び定電流放電することによ
り、伝送ゲートのオンオフ制御を行つているの
で、ゲート電位を一定の傾きの直線に沿つて、
徐々に上昇及び下降させることができ、従つて、
ゲートに急峻な電圧が印加されることに伴うノイ
ズの発生を確実に防止できる。更に、切換回路を
構成する電界効果トランジスタのゲートには、急
峻に変化する制御信号及びその反転信号、又は、
制御信号の遅延信号及びその反転信号を印加して
制御するようにしたので、入力アナログ電圧が切
換時に低下するのを防止でき、従つて、入力アナ
ログ信号を歪なく伝送することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Technical Field The present invention relates to an analog switch circuit that uses insulated gate field effect transistors to control the transmission of analog signals. (B) Background Art In general, as shown in FIG. 1, an analog switch circuit is a transmission circuit composed of P-type and N-type field effect transistors 1 and 2 whose first and second electrodes are commonly connected, respectively. It has gate 3 ,
Each common electrode is connected to an input terminal 4 and an output terminal 5. Then, a rapidly changing control signal Vc and its inverted signal as shown in FIG . On/off control is performed. In addition, in order to lower the on-resistance and improve the distortion factor, the P-type substrate (P
The potential of the well region) is set to the input voltage Vi when the transmission gate 3 is on, and to the power supply potential when the transmission gate 3 is off.
A device with a switching circuit 6 added for switching to Vss is also widely used, and this switching circuit 6 has the same configuration as the transmission gate 3 , and is connected to the gate connected between the input terminal 4 and the P-type board. It consists of a circuit 7 and an N-type field effect transistor 8 connected between a P-type substrate and a power supply terminal Vss. An inverted signal of the control signal Vc is applied to the gates of the P-type field effect transistor 9 and the N-type field effect transistor 8 that constitute this gate circuit 7.
The N-type field effect transistor 10 receives a control signal Vc.
is applied. However, in order to reduce the impedance of a transmission gate that transmits an analog signal, the field effect transistor that constitutes the transmission gate is usually larger in size than a general transistor, and the gate insulating film is also thinner. For this reason, the gate-source capacitance and gate-drain capacitance also increase, and as in the past,
When a rapidly changing control signal is applied to the gate, the differential waveform of its rising or falling edge appears as noise in the output signal. Therefore, the applicant of the present application considered preventing the generation of noise by gradually raising and lowering the gate potentials of the field effect transistors 1 and 2 that constitute the transmission gate 3. However, in the conventional circuit, the transmission Since the gate of the field effect transistor forming the switching circuit 6 was controlled by the signal controlling the gate of the field effect transistor forming the gate 3 , the P-type and N-type field effect transistors 9 and 8 of the switching circuit 6 Both are turned on for a certain period of time, and as a result, the input analog voltage Vi falls below the power supply potential.
A problem has arisen in which the voltage drops for a certain period of time to near Vss. (c) Purpose of the Invention The present invention focuses on the fact that there is a relatively large gate capacitance between the gate and substrate of a field effect transistor that constitutes the transmission gate of an analog switch, and charges this gate capacitance with a constant current. By discharging, the generation of noise during switching is prevented, and a signal different from the signal that controls the gate of the field effect transistor forming the transmission gate is applied to the gate of the field effect transistor forming the switching circuit. This provides a novel analog switch circuit that prevents the input analog voltage from dropping to near the power supply voltage for a certain period of time. (D) Embodiment FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of an analog switch circuit according to the present invention constructed using MOS field effect transistors, and the transmission gate 11 is similar to the conventional example shown in FIG. A P-type MOS field effect transistor 14 (hereinafter referred to as PMOST) and an N-type MOS field effect transistor 15 have first and second electrodes connected in common, and this common electrode is connected to an input terminal 12 and an output terminal 13, respectively. (hereinafter referred to as NMOST).
The N-type substrate of PMOST 14 is connected to one power supply terminal VDD . Also, PMOST16 and NMOST
The switching circuit 20 consisting of the gate circuit 18 consisting of the gate circuit 17 and the NMOST 19 is also configured in the same manner as shown in FIG.
The P-type substrate of the NMOST 15 of the transmission gate 11 is connected to the connection point with the NMOST 15 of the transmission gate 11. Here transmission gate 1
1, the gate capacitance of PMOST14 and NMOST15, that is, the capacitance ratio between the gate capacitance CGP between the gate of PMOST14 and the N-type substrate and the gate capacitance CGN between the gate of NMOST15 and the P-type substrate is approximately 2. :1, and in this embodiment it is also assumed to be 2:1. Note that each gate capacitance has little voltage dependence and is almost constant. In addition, in FIG. 3, 21 and 22 are NMOSTs connected to PMOST 23 whose gate and drain are connected.
A predetermined bias is applied to the gate from a bias circuit 25 in which 24 are connected in series, and the source is connected to the power supply terminal.
The constant current PMOSTs 26 and 27, which operate as constant current circuits connected to V DD , have a predetermined bias applied to their gates from a bias circuit 30 in which a PMOST 29 is connected in series to an NMOST 28 whose gate and drain are connected, and the source is Constant current that operates as a constant current circuit connected to the power supply terminal Vss
NMOST, constant current PMOST22 and constant current
The constant current value of NMOST27 is the constant current PMOST21
The constant current value Io of the constant current NMOST 26 is set to approximately one half, that is, Io/2. The gate of the PMOST 14 that constitutes the transmission gate 11 is
Constant current PMOST 21 and constant current NMOST 26 through the conductive paths of PMOST 31 and NMOST 32, respectively.
The gate of NMOST15 is connected to the drain of constant current PMOST22 and constant current through conductive paths of PMOST33 and NMOST34, respectively.
Connected to the drain of NMOST27. A rapidly changing control signal Vc as shown in FIG . NMOST1
9, the control signal Vc is connected to the inverter 35.
and 36, inverted signals are applied. Therefore, the control signal Vc becomes "L" as shown in Figure 2 A.
When the level is reversed to "H" level, the change is steep, so almost at the same time, the switching circuit 20
NMOST19 turns off, PMOST16 and
NMOST17 is turned on, and therefore the P-type substrate of NMOST15 of transmission gate 11 and input terminal 12
is connected. Furthermore, when the control signal Vc becomes "H" level, NMOST32 and PMOST33 are turned on and PMOST31 and NMOST34 are turned off, so that the gate of PMOST14 that constitutes the transmission gate 11 receives a constant current NMOST via NMOST32.
The gate of NMOST15 is connected to the drain of PMOST26, and the gate of NMOST15 is connected to the drain of PMOST26 through PMOST33.
Connected to the drain of 2. For this reason, PMOST
Gate capacitance C GP between the gate of 14 and the N-type substrate
The gate capacitance CGN between the gate of NMOST15 and the P-type substrate is charged with constant currents Io and Io/2, respectively, and the potentials VGP and VGN of each gate are as shown in Figure 2 B and C. , it gradually descends and rises along a straight line with an almost constant slope. Then, when the gate potential V GP falls below the threshold voltage Vp and the gate potential V GN becomes higher than the threshold voltage V N , PMOST14 and NMOST15 are turned on, the transmission gate is turned on, and the input analog signal Vi is transferred to the output terminal 13. transmitted. Moreover, when the control signal Vc is inverted from the "H" level to the "L" level, the change is steep, so that the switching circuit 20 PMOST16 and NMOST1 are switched almost simultaneously.
7 is turned off and NMOST19 is turned on, so that
The P-type substrate of NMOST15 of transmission gate 11 is
Connected to power supply terminal Vss via NMOST19,
The input terminal 12 is not connected to the P-type substrate or to the power supply terminal Vss. Also, NMOST32 and PMOST33
is turned off and PMOST31 and NMOST34 are turned on, so the gate of PMOST14 is connected to PMOST31.
The gate of the NMOST 15 is connected to the drain of the constant current NMOST 27 via the NMOST 34. Therefore, the charges of the gate capacitance C GP between the gate of PMOST 14 and the N-type substrate and the gate capacitance C GN between the gate of NMOST 15 and the P-type substrate are as follows.
The potentials V GP and V GN of each gate discharged with constant currents Io and Io/2, respectively, gradually rise and fall along a straight line with a substantially constant slope. And the gate potential
When V GP becomes higher than the threshold voltage Vp and the gate potential V GN becomes lower than the threshold voltage V N ,
The PMOST 14 and the NMOST 15 are turned off, the transmission gate 11 is turned off, and the input analog signal Vi is no longer transmitted to the output terminal 13. In this way, the transmission gate 11 is configured.
Since the gate capacitors of PMOST 14 and NMOST 15 are charged and discharged at a constant current to control on/off of the transmission gate 11 , a steep signal is not applied to the gate, and the gate potential rises and falls along a straight line with an almost constant slope. Therefore, transmission gate 1
The generation of noise during on/off switching of 1 is prevented. Furthermore, the PMOST 16 that constitutes the switching circuit 20 and
Since the gates of NMOSTs 17 and 19 are applied with a rapidly changing control signal Vc and its inverted signal, which is different from the signal controlling the gates of PMOST 14 and NMOST 15 of the transmission gate 11 ,
PMOST16 and NMOST19 are no longer turned on at the same time, so the input terminal 12 is no longer connected to the power supply terminal Vss, and the input voltage Vi
This prevents the power supply voltage from dropping to Vss. In the embodiment shown in FIG . 3, since the gate capacitances C GP and C GN of the transmission gate 11 are different, charging and discharging are performed using different constant current circuits.
Constant current PMOST2
1 and 22 in common, and constant current NMOST
Even if 26 and 27 are used in common, almost the same operation can be performed. In the embodiment shown in FIG. 3, first, the gate circuit 18 of the switching circuit 20 is turned on by the control signal Vc, the P-type substrate of the NMOST 15 is connected to the input terminal 12, and at the same time, the gate capacitance of the NMOST 15 is determined. Start current charging, then transfer gate 1
1 was turned on. For this reason, NMOST15
The gate capacitance between the gate and the P-type substrate has little voltage dependence and is almost constant, so it does not pose much of a problem in practice, but it changes slightly during constant current charging due to changes in the input voltage. Therefore, the control signal Vc
A delay circuit is provided to delay the control signal Vc and input the delayed signal to the switching circuit 20 , and as shown in FIG . to the gate of NMOST 17, and the inverted signal to each of the switching circuits 20 .
Apply to the gates of MOST16 and 19,
The potential of the P-type substrate of the NMOST 15 is kept at the power supply potential Vss at least until the transmission gate 11 is turned on.
The gate capacitance may be kept constant to ensure that the gate capacitance remains constant. (e) Effect The analog switch circuit according to the present invention performs on/off control of the transmission gate by constant current charging and constant current discharging of the gate capacitance of the field effect transistor constituting the transmission gate. Along a straight line with a constant slope,
can be gradually raised and lowered, thus
It is possible to reliably prevent noise from being generated due to application of a steep voltage to the gate. Furthermore, the gate of the field effect transistor constituting the switching circuit is supplied with a rapidly changing control signal and its inverted signal, or
Since control is performed by applying a delayed signal of the control signal and its inverted signal, it is possible to prevent the input analog voltage from decreasing at the time of switching, and therefore the input analog signal can be transmitted without distortion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のアナログスイツチ回路を示す回
路図、第2図は本発明アナログスイツチ回路の動
作説明の為の波形図、第3図は本発明によるアナ
ログスイツチ回路の実施例を示す回路図である。 主な図番の説明、11……伝送ゲート、
4,12……入力端子、5,13……出力端子、
7,18……ゲート回路、20……切換回
路、19……NMOST、14……伝送ゲートを
構成するPMOST、15……伝送ゲートを構成す
るNMOST、21,22……定電流PMOST、2
6,27……定電流NMOST、2530……
バイアス回路、35,36……インバータ。
Fig. 1 is a circuit diagram showing a conventional analog switch circuit, Fig. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the analog switch circuit of the present invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the analog switch circuit according to the present invention. be. Explanation of main drawing numbers, 3 , 11 ...transmission gate,
4, 12... Input terminal, 5, 13... Output terminal,
7, 18... Gate circuit, 6 , 20 ... Switching circuit, 19... NMOST, 14... PMOST forming a transmission gate, 15... NMOST forming a transmission gate, 21, 22... Constant current PMOST, 2
6, 27...constant current NMOST, 25 , 30 ...
Bias circuit, 35, 36...inverter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 第1及び第2の電極が各々共通接続されたP
型及びN型の電界効果トランジスタより構成さ
れ、共通電極が各々入力端子及び出力端子に接続
された伝送ゲートと、該伝送ゲートと同一構成の
ゲート回路及びN型電界効果トランジスタより成
り、前記伝送ゲートのN型電界効果トランジスタ
のP型基板を前記入力端子及び第1の電源端子の
いずれか一方に切換接続する切換回路とを備えた
アナログスイツチ回路において、前記第1の電源
端子に接続された第1及び第2の定電流回路と、
第2の電源端子に接続された第3及び第4の定電
流回路と、前記伝送ゲートを構成するP型電界効
果トランジスタのゲートを制御信号に応じて前記
第1及び第3の定電流回路に切換接続する第1の
切換スイツチと、前記伝送ゲートを構成するN型
電界効果トランジンタのゲートを制御信号に応じ
て前記第4及び第2の定電流回路に切換接続する
第2の切換スイツチとを有し、前記伝送ゲートを
構成する電界効果トランジスタの各ゲート容量を
前記制御信号に応じて定電流充放電させることに
より、前記伝送ゲートをオンオフ制御すると共
に、前記制御信号又は該制御信号の遅延信号によ
り前記切換回路の各電界効果トランジスタのゲー
トを制御するようにしたことを特徴とするアナロ
グスイツチ回路。 2 特許請求の範囲第1項において、前記第1及
び第2の定電流回路を共通とし、且つ、前記第3
及び第4の定電流回路を共通としたことを特徴と
するアナログスイツチ回路。
[Claims] 1 P in which the first and second electrodes are each commonly connected
The transmission gate is composed of a transmission gate having a common electrode connected to an input terminal and an output terminal, respectively, a gate circuit having the same configuration as the transmission gate, and an N-type field effect transistor. a switching circuit for switchingly connecting a P-type substrate of an N-type field effect transistor to either the input terminal or a first power supply terminal; first and second constant current circuits;
Third and fourth constant current circuits connected to the second power supply terminal and the gates of the P-type field effect transistors constituting the transmission gate are connected to the first and third constant current circuits in accordance with a control signal. a first changeover switch for selectively connecting a gate of an N-type field effect transistor constituting the transmission gate; and a second changeover switch for selectively connecting a gate of an N-type field effect transistor constituting the transmission gate to the fourth and second constant current circuits in accordance with a control signal. By charging and discharging each gate capacitance of the field effect transistor constituting the transmission gate with a constant current according to the control signal, the transmission gate is controlled on and off, and the control signal or a delay signal of the control signal is controlled. An analog switch circuit characterized in that the gate of each field effect transistor of the switching circuit is controlled by: 2. In claim 1, the first and second constant current circuits are common, and the third
and a fourth constant current circuit.
JP13651282A 1982-08-04 1982-08-04 Analog switch circuit Granted JPS5927622A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13651282A JPS5927622A (en) 1982-08-04 1982-08-04 Analog switch circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13651282A JPS5927622A (en) 1982-08-04 1982-08-04 Analog switch circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5927622A JPS5927622A (en) 1984-02-14
JPH0160970B2 true JPH0160970B2 (en) 1989-12-26

Family

ID=15176900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13651282A Granted JPS5927622A (en) 1982-08-04 1982-08-04 Analog switch circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5927622A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05327436A (en) * 1992-05-25 1993-12-10 Toshiba Corp Analog switch
JP3610683B2 (en) * 1996-07-24 2005-01-19 株式会社デンソー Analog switch circuit
US9245886B2 (en) * 2013-07-12 2016-01-26 Xilinx, Inc. Switch supporting voltages greater than supply

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5927622A (en) 1984-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6930666B2 (en) Display device having an improved voltage level converter circuit
JP2996301B2 (en) Load and time adaptive current supply drive circuit
US5767719A (en) Delay circuit using capacitor and transistor
GB1589414A (en) Fet driver circuits
JPH0563541A (en) Output circuit for a semiconductor integrated circuit
EP0130273A2 (en) FET driver circuit
US4219743A (en) Buffer circuit
US4779015A (en) Low voltage swing CMOS receiver circuit
AU593454B2 (en) Apparatus and method for capacitor coupled complementary buffering
US4717845A (en) TTL compatible CMOS input circuit
US6781434B2 (en) Low charge-dump transistor switch
US4342928A (en) Circuit and method for voltage level conversion
IE54162B1 (en) Boosting circuit
US4468576A (en) Inverter circuit having transistors operable in a shallow saturation region for avoiding fluctuation of electrical characteristics
JPH0160970B2 (en)
JPH0160973B2 (en)
JPS6143896B2 (en)
JPH0160969B2 (en)
JPH0317244B2 (en)
EP0013117B1 (en) A mos dynamic logic circuit
JP2871902B2 (en) Current cell circuit
US20020084808A1 (en) Low charge-dump transistor switch
KR100234564B1 (en) Analogue delay circuit
JPH05235737A (en) High voltage output circuit
JPH04104516A (en) buffer circuit