JPH0142391B2 - - Google Patents
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- JPH0142391B2 JPH0142391B2 JP56069565A JP6956581A JPH0142391B2 JP H0142391 B2 JPH0142391 B2 JP H0142391B2 JP 56069565 A JP56069565 A JP 56069565A JP 6956581 A JP6956581 A JP 6956581A JP H0142391 B2 JPH0142391 B2 JP H0142391B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/02—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S13/00
- G01S7/03—Details of HF subsystems specially adapted therefor, e.g. common to transmitter and receiver
- G01S7/032—Constructional details for solid-state radar subsystems
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロ波ドツプラ信号を検出するマ
イクロ波集積回路基板（以下、「MIC基板」と称
す）に関し、特に方向弁別機能が付加されたドツ
プラ信号検出MIC基板に関するものである。
イクロ波集積回路基板（以下、「MIC基板」と称
す）に関し、特に方向弁別機能が付加されたドツ
プラ信号検出MIC基板に関するものである。
従来、この種のマイクロ波ドツプラ信号検出
MIC基板として第１図に平面図を示すものがあ
る。第１図において、１はマイクロ波帯において
低誘電損失を有するセラミツクスやテフロン
（Teflon：米国デユポン社商品名）などからなる
絶縁性基板、２〜１１は蒸着法やメツキ法で形成
されたクロムと金との多層金属膜をフオトエツチ
ング法などで形成したマイクロストリツプ線路で
あり、２は送受信用マイクロストリツプ線路、３
および４はそれぞれ第１ミキサ用Ｔ分岐および第
２ミキサ用Ｔ分岐、５および６はそれぞれ第１ミ
キサ終端用1/4波長線路および第２ミキサ終端用
１／４波長線路、７および８はそれぞれ第１ドツプ
ラ信号出力端子および第２ドツプラ信号出力端
子、９，１０および１１はそれぞれソース電極伝
送線路、ドレイン電極伝送線路およびゲート電極
伝送線路、１２はソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ
およびゲート電極Ｇがそれぞれの伝送線路９，１
０および１１にハンダ付けされた３端子マイクロ
波半導体素子としてのガリウム・ヒ素メタルセミ
コンダクタ電界効果トランジスタ（以下「GaAs
MES FET」と称す）、１３は酸化チタンなどか
らなりドレイン電極伝送線路１０とゲート電極伝
送線路１１とに電磁的に結合するように配置され
た誘電体共振器、１４および１５はそれぞれマイ
クロ波周波数で動作する２端子半導体素子として
の第１シヨツトキバリヤダイオードおよび第２シ
ヨツトキバリヤダイオード（以下、「SBダイオー
ド」と称す）、１６は誘電体共振器１３以外での
寄生マイクロ波発振を防止するためのゲート側安
定化抵抗、１７はGaAs MES FETのバイアス
電圧が送受信用マイクロストリツプ線路２に印加
されるのを防ぐための直流電圧阻止コンデンサで
ある。第１ミキサ用Ｔ分岐３、第１ミキサ終端用
１／４波長線路５、第１ドツプラ信号出力端子７、
第1SBダイオード１４などが第１ミキサ回路を構
成し、第２ミキサ用Ｔ分岐４、第２ミキサ終端用
１／４波長線路６、第２ドツプラ信号出力端子８、
第2SBダイオード７５などが第２ミキサ回路を構
成している。
MIC基板として第１図に平面図を示すものがあ
る。第１図において、１はマイクロ波帯において
低誘電損失を有するセラミツクスやテフロン
（Teflon：米国デユポン社商品名）などからなる
絶縁性基板、２〜１１は蒸着法やメツキ法で形成
されたクロムと金との多層金属膜をフオトエツチ
ング法などで形成したマイクロストリツプ線路で
あり、２は送受信用マイクロストリツプ線路、３
および４はそれぞれ第１ミキサ用Ｔ分岐および第
２ミキサ用Ｔ分岐、５および６はそれぞれ第１ミ
キサ終端用1/4波長線路および第２ミキサ終端用
１／４波長線路、７および８はそれぞれ第１ドツプ
ラ信号出力端子および第２ドツプラ信号出力端
子、９，１０および１１はそれぞれソース電極伝
送線路、ドレイン電極伝送線路およびゲート電極
伝送線路、１２はソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ
およびゲート電極Ｇがそれぞれの伝送線路９，１
０および１１にハンダ付けされた３端子マイクロ
波半導体素子としてのガリウム・ヒ素メタルセミ
コンダクタ電界効果トランジスタ（以下「GaAs
MES FET」と称す）、１３は酸化チタンなどか
らなりドレイン電極伝送線路１０とゲート電極伝
送線路１１とに電磁的に結合するように配置され
た誘電体共振器、１４および１５はそれぞれマイ
クロ波周波数で動作する２端子半導体素子として
の第１シヨツトキバリヤダイオードおよび第２シ
ヨツトキバリヤダイオード（以下、「SBダイオー
ド」と称す）、１６は誘電体共振器１３以外での
寄生マイクロ波発振を防止するためのゲート側安
定化抵抗、１７はGaAs MES FETのバイアス
電圧が送受信用マイクロストリツプ線路２に印加
されるのを防ぐための直流電圧阻止コンデンサで
ある。第１ミキサ用Ｔ分岐３、第１ミキサ終端用
１／４波長線路５、第１ドツプラ信号出力端子７、
第1SBダイオード１４などが第１ミキサ回路を構
成し、第２ミキサ用Ｔ分岐４、第２ミキサ終端用
１／４波長線路６、第２ドツプラ信号出力端子８、
第2SBダイオード７５などが第２ミキサ回路を構
成している。
このように構成されたドツプラ信号検出MIC
基板では、ゲート電極Ｇで発生する微少なマイク
ロ波信号をGaAs MES FET１２で増幅してド
レイン電極Ｄに出力するとともに、ドレイン電極
伝送線路１０、ゲート電極伝送線路１１および誘
電体共振器１３により構成されている帯域通過フ
イルタを通じてゲート電極Ｇに正帰還し、この帰
還作用によつて発振周波数0のマイクロ波電力を
発振する。発振したマイクロ波電力は、GaAs
MES FET１２のソース電極Ｓより取出され、一
部は送受信用マイクロストリツプ線路２、ストリ
ツプ線路―導波管変換器（図示してない）および
マイクロ波アンテナ（図示してない）を通じて移
動物体に放射され、一部は第１ミキサ用Ｔ分岐３
を通じて第1SBダイオード１４に、他の一部は第
２ミキサ用Ｔ分岐４を通じて第2SBダイオード１
５に送られる。一方、外部の移動物体で反射さ
れ、ドツプラ周波数偏移±dを受けた反射周波数
r 0±dの反射マイクロ波電力も、マイクロ波ア
ンテナ、ストリツプ線路―導波管変換器および送
受信用マイクロストリツプ線路２を通過した後、
一部は第１ミキサ用Ｔ分岐３を通じて第1SBダイ
オード１４に一部は第２ミキサ用Ｔ分岐４を通じ
て第2SBダイオード１５に送られる。ここで、符
号は移動物体が検出基板に近づく場合は正、遠ざ
かる場合は負とする。各々のSBダイオード１４，
１５に加えられた発振周波数0と反射周波数rの
マイクロ波電力は、ダイオードの整流作用によつ
て混合され、第１ドツプラ信号出力端子７および
第２ドツプラ信号出力端子８にドツプラ周波数d
の信号が生じる。このドツプラ信号を信号処理す
ることによつて、移動物体の存在や速度を検知す
ることが可能である。また、第１ミキサ用Ｔ分岐
３と第２ミキサ用Ｔ分岐４との送受信用マイクロ
ストリツプ線路２上での間隔（図示ｄ）は1/8波
長であるので、第１ドツプラ信号出力端子７と第
２ドツプラ信号出力端子８に生じるドツプラ信号
の位相差は、ドツプラ周波数偏移±dの正負、つ
まり移動物体の進行方向に依存して、正または負
となる。この位相差を信号処理することによつ
て、移動物体の方向を弁別できる。
基板では、ゲート電極Ｇで発生する微少なマイク
ロ波信号をGaAs MES FET１２で増幅してド
レイン電極Ｄに出力するとともに、ドレイン電極
伝送線路１０、ゲート電極伝送線路１１および誘
電体共振器１３により構成されている帯域通過フ
イルタを通じてゲート電極Ｇに正帰還し、この帰
還作用によつて発振周波数0のマイクロ波電力を
発振する。発振したマイクロ波電力は、GaAs
MES FET１２のソース電極Ｓより取出され、一
部は送受信用マイクロストリツプ線路２、ストリ
ツプ線路―導波管変換器（図示してない）および
マイクロ波アンテナ（図示してない）を通じて移
動物体に放射され、一部は第１ミキサ用Ｔ分岐３
を通じて第1SBダイオード１４に、他の一部は第
２ミキサ用Ｔ分岐４を通じて第2SBダイオード１
５に送られる。一方、外部の移動物体で反射さ
れ、ドツプラ周波数偏移±dを受けた反射周波数
r 0±dの反射マイクロ波電力も、マイクロ波ア
ンテナ、ストリツプ線路―導波管変換器および送
受信用マイクロストリツプ線路２を通過した後、
一部は第１ミキサ用Ｔ分岐３を通じて第1SBダイ
オード１４に一部は第２ミキサ用Ｔ分岐４を通じ
て第2SBダイオード１５に送られる。ここで、符
号は移動物体が検出基板に近づく場合は正、遠ざ
かる場合は負とする。各々のSBダイオード１４，
１５に加えられた発振周波数0と反射周波数rの
マイクロ波電力は、ダイオードの整流作用によつ
て混合され、第１ドツプラ信号出力端子７および
第２ドツプラ信号出力端子８にドツプラ周波数d
の信号が生じる。このドツプラ信号を信号処理す
ることによつて、移動物体の存在や速度を検知す
ることが可能である。また、第１ミキサ用Ｔ分岐
３と第２ミキサ用Ｔ分岐４との送受信用マイクロ
ストリツプ線路２上での間隔（図示ｄ）は1/8波
長であるので、第１ドツプラ信号出力端子７と第
２ドツプラ信号出力端子８に生じるドツプラ信号
の位相差は、ドツプラ周波数偏移±dの正負、つ
まり移動物体の進行方向に依存して、正または負
となる。この位相差を信号処理することによつ
て、移動物体の方向を弁別できる。
このような従来のドツプラ信号検出基板は以下
に示す優れた特徴を有している。
に示す優れた特徴を有している。
(イ) マイクロ波発振は、高いＱ値（quality
factor）の誘電体共振器１３で安定化されてい
るので、発振周波数のスペクトルは尖鋭で、外
部負荷、バイアス電圧および雰囲気温度の変動
による発振周波数の変化が小さい。
factor）の誘電体共振器１３で安定化されてい
るので、発振周波数のスペクトルは尖鋭で、外
部負荷、バイアス電圧および雰囲気温度の変動
による発振周波数の変化が小さい。
(ロ) ドツプラ信号検出MIC基板はMIC化されて
いるため、低いコストで量産が可能でかつ信頼
性が非常に高い。
いるため、低いコストで量産が可能でかつ信頼
性が非常に高い。
しかし、従来のドツプラ信号検出MIC基板は、
移動物体の検知と方向弁別機能を有しているの
で、移動物体の検知だけを行なう場合、ドツプラ
信号の位相差を検出する必要はなく、第2SBダイ
オードを省略することができるはずである。実
際、ドツプラ信号検出MIC基板の大部分の応用
分野を占めるスピードメータ、自動ドア、警報
器、来客報知器などは、移動物体の検知機能のみ
を必要としている。ところが従来のドツプラ信号
検出MIC基板では、第2SBダイオードの取り付け
を省略すると、第２ミキサ用Ｔ分岐の影響を強く
受け、マイクロ波発振出力が極めて小さくなり、
事実上、ドツプラ信号の検出を行なうことができ
ないという欠点があつた。
移動物体の検知と方向弁別機能を有しているの
で、移動物体の検知だけを行なう場合、ドツプラ
信号の位相差を検出する必要はなく、第2SBダイ
オードを省略することができるはずである。実
際、ドツプラ信号検出MIC基板の大部分の応用
分野を占めるスピードメータ、自動ドア、警報
器、来客報知器などは、移動物体の検知機能のみ
を必要としている。ところが従来のドツプラ信号
検出MIC基板では、第2SBダイオードの取り付け
を省略すると、第２ミキサ用Ｔ分岐の影響を強く
受け、マイクロ波発振出力が極めて小さくなり、
事実上、ドツプラ信号の検出を行なうことができ
ないという欠点があつた。
本発明は、このような従来の欠点を除去するた
めになされたもので、方向弁別機能を付加する第
２ミキサ用Ｔ分岐を送受信用マイクロストリツプ
線路とをストリツプで離すことにより、移動物体
の検知のみの場合でも、さらに方向弁別の検知を
必要な場合でも使用可能なドツプラ信号検出
MIC基板を提供することを目的としたものであ
る。
めになされたもので、方向弁別機能を付加する第
２ミキサ用Ｔ分岐を送受信用マイクロストリツプ
線路とをストリツプで離すことにより、移動物体
の検知のみの場合でも、さらに方向弁別の検知を
必要な場合でも使用可能なドツプラ信号検出
MIC基板を提供することを目的としたものであ
る。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第２図は、本発明によるドツプラ信号検出
MIC基板の一実施例を示す平面図であり、第１
図と同一または相当部分は同一符号を用いてい
る。第１図に示した従来のMIC基板に対して第
２図に示した実施例のMIC基板が異なる点は、
第２ミキサ用Ｔ分岐４と送受信用マイクロストリ
ツプ線路２が、スリツト１８で分離されているこ
とである。
MIC基板の一実施例を示す平面図であり、第１
図と同一または相当部分は同一符号を用いてい
る。第１図に示した従来のMIC基板に対して第
２図に示した実施例のMIC基板が異なる点は、
第２ミキサ用Ｔ分岐４と送受信用マイクロストリ
ツプ線路２が、スリツト１８で分離されているこ
とである。
このように構成されたドツプラ信号検出MIC
基板では、従来のドツプラ信号検出MIC基板と
同様、第1SBダイオード１４で送信マイクロ波電
力と反射マイクロ波電力を混合して第１ドツプラ
信号出力端子７でドツプラ信号を得る。移動物体
の方向情報を必要としない場合、第1SBダイオー
ド１４のみを付けた従来のMIC基板と実施例の
MIC基板とを比較すると、第２ミキサ用Ｔ分岐
４の影響を受けないだけ発振出力が大きいという
利点がある。
基板では、従来のドツプラ信号検出MIC基板と
同様、第1SBダイオード１４で送信マイクロ波電
力と反射マイクロ波電力を混合して第１ドツプラ
信号出力端子７でドツプラ信号を得る。移動物体
の方向情報を必要としない場合、第1SBダイオー
ド１４のみを付けた従来のMIC基板と実施例の
MIC基板とを比較すると、第２ミキサ用Ｔ分岐
４の影響を受けないだけ発振出力が大きいという
利点がある。
一方、移動物体の方向情報を必要とする時は、
第３図で示すように第2SBダイオード１５を第２
ミキサ用Ｔ分岐４に取付けると共に、金線や金リ
ボンなどの線路接続用導体１９で第２ミキサ用Ｔ
分岐４と送受信用マイクロストリツプ線路２とを
接続する。この場合、従来とまつたく同様の原
理、つまり各々のドツプラ信号出力端子７，８の
生じる信号の位相差を比較することによつて、容
易に方向の弁別が可能となる。
第３図で示すように第2SBダイオード１５を第２
ミキサ用Ｔ分岐４に取付けると共に、金線や金リ
ボンなどの線路接続用導体１９で第２ミキサ用Ｔ
分岐４と送受信用マイクロストリツプ線路２とを
接続する。この場合、従来とまつたく同様の原
理、つまり各々のドツプラ信号出力端子７，８の
生じる信号の位相差を比較することによつて、容
易に方向の弁別が可能となる。
上記説明で明白なように、方向弁別機能を容易
に取り外すことのできる実施例のドツプラ信号検
出MIC基板の実用性は高いが、さらに本発明の
有効性を調べるため、GaAs MES FETとGaAs
SBダイオードでMIC基板を構成し高周波特性を
測定した。使用したGaAs MES FETはゲート
長1μm、ゲート幅400μm、飽和ドレイン電流60〜
70mAであり、SBダイオードは接合径10μmのニ
ツケル・パラジウム合金シヨツトキバリヤダイオ
ードからなつている。
に取り外すことのできる実施例のドツプラ信号検
出MIC基板の実用性は高いが、さらに本発明の
有効性を調べるため、GaAs MES FETとGaAs
SBダイオードでMIC基板を構成し高周波特性を
測定した。使用したGaAs MES FETはゲート
長1μm、ゲート幅400μm、飽和ドレイン電流60〜
70mAであり、SBダイオードは接合径10μmのニ
ツケル・パラジウム合金シヨツトキバリヤダイオ
ードからなつている。
第４図は、実施例および従来のドツプラ信号検
出MIC基板で得られた発振出力特性を示すグラ
フであり、横軸にGaAs MES FETに印加する
バイアス電圧VBを、縦軸に発振出力P0を示す。
第４図において、曲線ＡはSBダイオードを２個
使用、つまり方向弁別機能が付加された場合の実
施例および従来のドツプラ信号検出MIC基板の
発振出力、曲線ＢはSBダイオードを１個使用、
つまり移動物体の検知のみ行なう場合の実施例の
ドツプラ信号検出MIC基板の発振出力、曲線Ｃ
はSBダイオードを１個のみ使用した場合の従来
のドツプラ信号検出MIC基板の発振出力を示す。
第４図からわかるように、実施例のMIC基板で
は、移動物体の検知のみ必要な場合は、従来の
MIC基板の10倍以上の発振出力が得られ、また
移動物体の方向情報が必要な場合は、従来の
MIC基板と同等の発振出力が得られることが確
認された。また、従来のMIC基板において、第
2SBダイオードを省略した場合、曲線Ｃが示すよ
うに、発振出力は1mV程度しか得られず、ドツ
プラ信号検出MIC基板として実用できないこと
が確認された。
出MIC基板で得られた発振出力特性を示すグラ
フであり、横軸にGaAs MES FETに印加する
バイアス電圧VBを、縦軸に発振出力P0を示す。
第４図において、曲線ＡはSBダイオードを２個
使用、つまり方向弁別機能が付加された場合の実
施例および従来のドツプラ信号検出MIC基板の
発振出力、曲線ＢはSBダイオードを１個使用、
つまり移動物体の検知のみ行なう場合の実施例の
ドツプラ信号検出MIC基板の発振出力、曲線Ｃ
はSBダイオードを１個のみ使用した場合の従来
のドツプラ信号検出MIC基板の発振出力を示す。
第４図からわかるように、実施例のMIC基板で
は、移動物体の検知のみ必要な場合は、従来の
MIC基板の10倍以上の発振出力が得られ、また
移動物体の方向情報が必要な場合は、従来の
MIC基板と同等の発振出力が得られることが確
認された。また、従来のMIC基板において、第
2SBダイオードを省略した場合、曲線Ｃが示すよ
うに、発振出力は1mV程度しか得られず、ドツ
プラ信号検出MIC基板として実用できないこと
が確認された。
本実施例では、発振回路としてGaAs MES
FETと誘電体共振器を用いた場合について述べ
たが、例えばシリコンのpn接合型トランジスタ
とマイクロストリツプ線路共振器を用いた発振回
路などの他の発振回路を用いることができること
は言うまでもない。
FETと誘電体共振器を用いた場合について述べ
たが、例えばシリコンのpn接合型トランジスタ
とマイクロストリツプ線路共振器を用いた発振回
路などの他の発振回路を用いることができること
は言うまでもない。
以上説明したように、本発明においては、絶縁
性基板上にマイクロ波発振回路とマイクロ波電力
送信用線路を構成し、この線路の適当な位置に接
続されている第１ミキサ用Ｔ分岐を備えた第１ミ
キサ回路、ならびにマイクロ波電力送受信用線路
の第１ミキサ用Ｔ分岐が接続されている位置から
１／８波長離れた位置において容易に導体で接続で
きるようにスリツトでマイクロ波電力送受信用線
路から分離された第２ミキサ用Ｔ分岐を備えた第
２ミキサ回路を配置したので、方向弁別機能の取
り外しが可能な実用性の高いドツプラ信号検出
MIC基板が得られるという効果がある。
性基板上にマイクロ波発振回路とマイクロ波電力
送信用線路を構成し、この線路の適当な位置に接
続されている第１ミキサ用Ｔ分岐を備えた第１ミ
キサ回路、ならびにマイクロ波電力送受信用線路
の第１ミキサ用Ｔ分岐が接続されている位置から
１／８波長離れた位置において容易に導体で接続で
きるようにスリツトでマイクロ波電力送受信用線
路から分離された第２ミキサ用Ｔ分岐を備えた第
２ミキサ回路を配置したので、方向弁別機能の取
り外しが可能な実用性の高いドツプラ信号検出
MIC基板が得られるという効果がある。
第１図は従来のドツプラ信号検出MIC基板の
構成を示す平面図、第２図および第３図は本発明
によるドツプラ信号検出MIC基板の一実施例の
構成を示す平面図であり、第２図は移動物体の検
知情報を、第３図は移動物体の検知情報および移
動方向情報を知るための構成を示す。第４図は従
来および実施例のMIC基板の特性を示すグラフ
である。 図において、１は絶縁性基板、２はび送受信用
マイクロストリツプ線路（マイクロ波電力送受信
用線路）、３は第１ミキサ用Ｔ分岐、４は第２ミ
キサ用Ｔ分岐、５は第１ミキサ終端用1/4波長線
路、６は第２ミキサ終端用1/4波長線路、７は第
１ドツプラ信号出力端子、８は第２ドツプラ信号
出力端子、９はソース電極伝送線路、１０はドレ
イン電極伝送線路、１１はゲート電極伝送線路、
１２はGaAs MES FET、１３は誘電体共振器、
１４は第1SBダイオード、１５は第2SBダイオー
ド、１６はゲート側安定化抵抗、１７は直流電圧
阻止用コンデンサ、１８はスリツト、１９は線路
接続用導体である。なお、図中同一符号はそれぞ
れ同一または相当部分を示す。
構成を示す平面図、第２図および第３図は本発明
によるドツプラ信号検出MIC基板の一実施例の
構成を示す平面図であり、第２図は移動物体の検
知情報を、第３図は移動物体の検知情報および移
動方向情報を知るための構成を示す。第４図は従
来および実施例のMIC基板の特性を示すグラフ
である。 図において、１は絶縁性基板、２はび送受信用
マイクロストリツプ線路（マイクロ波電力送受信
用線路）、３は第１ミキサ用Ｔ分岐、４は第２ミ
キサ用Ｔ分岐、５は第１ミキサ終端用1/4波長線
路、６は第２ミキサ終端用1/4波長線路、７は第
１ドツプラ信号出力端子、８は第２ドツプラ信号
出力端子、９はソース電極伝送線路、１０はドレ
イン電極伝送線路、１１はゲート電極伝送線路、
１２はGaAs MES FET、１３は誘電体共振器、
１４は第1SBダイオード、１５は第2SBダイオー
ド、１６はゲート側安定化抵抗、１７は直流電圧
阻止用コンデンサ、１８はスリツト、１９は線路
接続用導体である。なお、図中同一符号はそれぞ
れ同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上に、マイクロ波発振回路、マイ
クロ波電力送受信用線路、上記マイクロ波電力送
受信用線路に接続されている第１ミキサ用Ｔ分岐
を備えた第１ミキサ回路、および上記マイクロ波
電力送受信用線路の上記第１ミキサ用Ｔ分岐が接
続されている位置より1/8波長離れた位置におい
て上記マイクロ波電力送受信用線路とスリツトで
分離して配置されると共に接続用導体で上記マイ
クロ波電力送受信用線路と接続可能な第２ミキサ
用Ｔ分岐を備えた第２ミキサ回路を設けたことを
特徴とするドツプラ信号検出マイクロ波集積回路
基板。 ２ マイクロ波発振回路が増幅素子と信号帰還用
の誘電体共振器を備えていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のドツプラ信号検出マイ
クロ波集積回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56069565A JPS57182664A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Microwave integrated circuit substrate for detecting doppler signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56069565A JPS57182664A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Microwave integrated circuit substrate for detecting doppler signal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57182664A JPS57182664A (en) | 1982-11-10 |
| JPH0142391B2 true JPH0142391B2 (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=13406415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56069565A Granted JPS57182664A (en) | 1981-05-06 | 1981-05-06 | Microwave integrated circuit substrate for detecting doppler signal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57182664A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205881A (ja) * | 1985-03-09 | 1986-09-12 | Japan Radio Co Ltd | ３ＧＨｚ帯舶用レ−ダ装置 |
| JP2687003B2 (ja) * | 1989-01-12 | 1997-12-08 | 新日本無線株式会社 | マイクロ波移動物体検知装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104514A (ja) * | 1974-01-18 | 1975-08-18 | ||
| JPS5516288A (en) * | 1979-03-09 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Microwave circuit device |
-
1981
- 1981-05-06 JP JP56069565A patent/JPS57182664A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104514A (ja) * | 1974-01-18 | 1975-08-18 | ||
| JPS5516288A (en) * | 1979-03-09 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Microwave circuit device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57182664A (en) | 1982-11-10 |
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