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JPH01311870A - High frequency inverter circuit - Google Patents

High frequency inverter circuit

Info

Publication number
JPH01311870A
JPH01311870A JP63140871A JP14087188A JPH01311870A JP H01311870 A JPH01311870 A JP H01311870A JP 63140871 A JP63140871 A JP 63140871A JP 14087188 A JP14087188 A JP 14087188A JP H01311870 A JPH01311870 A JP H01311870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phase
capacitor
terminals
power supply
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63140871A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazunari Komatsugi
小松木 和成
Hisashi Fujimoto
久 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP63140871A priority Critical patent/JPH01311870A/en
Publication of JPH01311870A publication Critical patent/JPH01311870A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To inhibit the steep discharge from a capacitor by approachingly connecting a DC side power capacitor to bridge circuits for each phase of an inverter corresponding to the said power capacitor in dividing, and by holding the inductance portion mutually between terminals. CONSTITUTION:A DC side capacitor (power capacitor) 3 is divided into equal capacitors 3U and 3V on a U-phase side and a V-phase side. The terminals P and N of this capacitor 3U are approachingly connected to the terminals P and N of a phase-divided bridge circuit on the U-phase side respectively composed of an updown arm stack 1U and a snubber circuit 2U. The capacitor 3V is connected similarly. A distribution inductance 51 on the DC side of this inverter therefore becomes equivalent as before, so that the voltage duty of the switching transistor can be reduced. Further, the terminals P and N of each of capacitors 3U and 3V are connected respectively through a distribution inductances 52 of a suitable magnitude. The voltage rise caused by the added inductance component is absorbed by the power capacitor 3.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

この発明は高周波のスイッチング動作を行う半導体スイ
ッチング手段をブリッジ接続してなる電圧形インバータ
回路における、ブリッジの相別上下アーム単位のスタッ
クを多相接続させる時の直流側の回路に関するもので、 特にスナバコンデンサの放電時の共振を抑制し、発生ノ
イズを低減した高周波インバータ回路に関する。 なお以下各図において同一の符号は同一もしくは相当部
分を示す。
This invention relates to a circuit on the DC side when a stack of upper and lower arms of the bridge is connected in multiple phases in a voltage source inverter circuit formed by bridge-connecting semiconductor switching means that perform high-frequency switching operations. The present invention relates to a high frequency inverter circuit that suppresses resonance during discharge of a capacitor and reduces generated noise. Note that in the following figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

【従来の技術】[Conventional technology]

第5図はこの種のインバータの回路例を示す。 同図においてUl、U2.Vl、V2はいわゆる単相ブ
リッジ回路を構成するスイッチングトランジスタで、U
l、U2はそれぞれtJ相側の上、下のアームを、また
Vl、V2はそれぞれ■相別の上、下のアームを構成し
ている。そしてこの1〜ランジスタ01、U2はそれぞ
れ自身に逆並列に接続されたフリーホイングダイオード
(FWDともいう)Dと組合されて1単位のスタック(
便宜上上下アームスタック、または相別のスイッチング
トランジスタのハーフブリッジ接続回路という意味で相
別ブリッジ回路と呼ぶ、)1(NU)を構成している。 同様にトランジスタVl、V2もそれぞれ自身に逆並列
に接続されたFWDDと組合されて上下アームスタック
1(IV)を構成している62 (211゜2V)はそ
れぞれこの上下アームスタックIU、1■のP、N端子
間に接続されたスナバ回路でそれぞれスナバコンデンサ
C5(C3υ、  C3V)を備えている。 3は直流電源間に接続された電源コンデンサ、4は」二
下アームスタックNノ、IVにおける上。 下のアームの接続点間に挿入された交流の負荷である。 また5は電源コンデンサ3のP、 N端子を、それぞれ
上下アームスタックItJ、IVの各P。 N端子へ接続する配線が持つ漂遊インダクタンスとして
の配線インダクタンスである。 このようにこのインバータ回路は直流側の配線インダク
タンス分を極力抑制させた構造となっている、このこと
はスイッチングトランジスタの動作時の電圧責務を良好
に低くさせる効果があり有用な構成である。
FIG. 5 shows a circuit example of this type of inverter. In the figure, Ul, U2. Vl and V2 are switching transistors that constitute a so-called single-phase bridge circuit, and U
1 and U2 constitute the upper and lower arms of the tJ phase side, respectively, and Vl and V2 constitute the upper and lower arms of the ■ phase, respectively. These transistors 1 to 01 and U2 are each combined with a free-wheeling diode (also called FWD) D connected in antiparallel to itself to form a stack of one unit (
1 (NU), which is referred to as a phase-specific bridge circuit in the sense of an upper and lower arm stack or a half-bridge connection circuit of phase-specific switching transistors, is configured for convenience. Similarly, transistors Vl and V2 are also combined with FWDD connected in antiparallel to themselves to constitute upper and lower arm stack 1 (IV). The snubber circuit is connected between the P and N terminals, and each has a snubber capacitor C5 (C3υ, C3V). 3 is the power supply capacitor connected between the DC power supply, 4 is the upper part of the lower arm stack N, and the upper part of the IV. This is an AC load inserted between the connection points of the lower arm. In addition, 5 connects the P and N terminals of the power supply capacitor 3 to each P of the upper and lower arm stacks ItJ and IV, respectively. This is the wiring inductance as a stray inductance of the wiring connected to the N terminal. As described above, this inverter circuit has a structure in which the wiring inductance on the DC side is suppressed as much as possible, and this is a useful configuration that has the effect of satisfactorily lowering the voltage duty during operation of the switching transistor.

【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]

しかしながら第5図のインバータ回路においても、スナ
バコンデンサC8の過充重分の放電現象を考えた時には
、より大きな放電電流が流れる動作モードが有ることが
判明し、その高周波の放電現象がノイズ源となって他の
電子機器3周囲の環境に悪影響を与えることがある。 その原因となるインバータの動作の電流経路は第6図な
いし第8図に示すとおりである。即ち第6図はスイッチ
ングトランジスタのUlおよびVlに対応するアームが
導通経路となるモード(モード1とする)における主回
路電流の経路を示す。このモード1では主回路電流は同
図中の矢印の向きに流れている。 次に第7図はスイッチングトランジスタU1が消弧した
モード2での主回路電流の経路を示す。 このモード2では、スナバコンデンサC5(C3U)に
は合宿主回路電流が流れていた直流側の配線インダクタ
ンス5(5tlP)分によるエネルギが流入し電圧が上
昇していく。そして普通ならば、このモード2の状態で
スナバコンデンサC3Uの放電が始まり、このコンデン
サ電圧は直流側のコンデンサ3の電圧値と平衡する。し
かし高周波スイッチングでは、トランジスタU1の消弧
に引き続いて、トランジスタV2が点弧される状態、 即ちモード3がUlの消弧によるスナバコンデンサC5
Uの充電後の放電が終了する以前に起こる。 第8図はこのモード3の動作を示し、同図(A)は主回
路電流の経路を、また同図(B)はスナバコンデンサC
5Uの放電々流の経路を示す。即ちこのモード3では第
8図(A)の実線経路を矢印の方向に主回路電流が流れ
るが、このとき同時に同図の点線の経路で、VlのFW
DDを消弧するための短絡電流が流れる。これを契機に
(相前後して)トランジスタUl側のスナバコンデンサ
CS[+の放電が開始されると、第8図(B)に示す経
路で放電電流が流れ、結果的に高周波の共振電流となり
これがノイズ妨害を惹起する。 そこで本発明の課題は、高周波のスイッチング動作を行
うブリッジ接続のインバータ回路において、直流側の電
源コンデンサ3をU相の上下アームスタック側と■相の
上下アームスタック側の2つに分け、かつこの電源コン
デンサ3のP端子同志およびN端子同志を有意なインダ
クタンス成分を含む配線で結合するインバータ回路の構
成方法を提供することにより、スイッチング動作時にス
ナバコンデンサの電圧を上昇させる直流側のインダクタ
ンスを増加させることなくスナバコンデンサ放電時の突
流電流を抑制し7、前記のノイズ妨害を防止することに
ある。
However, even in the inverter circuit shown in Fig. 5, when considering the discharge phenomenon of the overcharged snubber capacitor C8, it was found that there is an operation mode in which a larger discharge current flows, and this high-frequency discharge phenomenon is considered to be a noise source. This may adversely affect the environment around other electronic devices 3. The current path of the inverter operation that causes this is as shown in FIGS. 6 to 8. That is, FIG. 6 shows the path of the main circuit current in a mode (mode 1) in which the arms corresponding to Ul and Vl of the switching transistor serve as conductive paths. In this mode 1, the main circuit current flows in the direction of the arrow in the figure. Next, FIG. 7 shows the path of the main circuit current in mode 2 when the switching transistor U1 is turned off. In this mode 2, energy due to the wiring inductance 5 (5tlP) on the DC side through which the joint host circuit current was flowing flows into the snubber capacitor C5 (C3U), and the voltage increases. Normally, the snubber capacitor C3U starts discharging in this mode 2 state, and this capacitor voltage is balanced with the voltage value of the capacitor 3 on the DC side. However, in high frequency switching, mode 3 is a state in which the transistor V2 is turned on following the extinction of the transistor U1, that is, mode 3 is the state in which the snubber capacitor C5 is turned on due to the extinction of the transistor U1.
This occurs before U finishes discharging after charging. Figure 8 shows the operation in mode 3, where (A) shows the path of the main circuit current, and (B) shows the snubber capacitor C.
The path of the 5U discharge current is shown. That is, in this mode 3, the main circuit current flows in the direction of the arrow along the solid line path in FIG.
A short circuit current flows to extinguish the DD. When this triggers (sequentially) the discharging of the snubber capacitor CS[+ on the transistor Ul side to begin, a discharge current flows along the path shown in Figure 8 (B), resulting in a high-frequency resonant current. This causes noise interference. Therefore, an object of the present invention is to divide the power supply capacitor 3 on the DC side into two parts, the U-phase upper and lower arm stack side and the ■-phase upper and lower arm stack side, in a bridge-connected inverter circuit that performs high-frequency switching operations. By providing a method for configuring an inverter circuit that connects the P terminals and N terminals of the power supply capacitor 3 with wiring containing a significant inductance component, the inductance on the DC side that increases the voltage of the snubber capacitor during switching operation is increased. The object of the present invention is to suppress the rush current at the time of discharging the snubber capacitor 7 and prevent the above-mentioned noise interference.

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

前記の課題を解決するために本発明のインバータ回路は
、rそれぞれ半導体スイッチング手段(スイッチングト
ランジスタUl、U2など)を含む2つのブリッジアー
ムを直列に接続してなる構造体(IUなど、以下上下ア
ームスタックという)に、並列に少なくともスナバコン
デンサ(CSUなど)を含むスナバ回路(2[Jなど)
を接続し、この並列回路としての相別ブリッジ回路を変
換出力される交流の相別に設け、 前記の各相別ブリッジ回路の両端としての正(P)、負
(N)端子をそれぞれ直流電源間に接続し、 前記の各上下アームスタックにおける2つのブリッジア
ームの接続点からそれぞれ当該の上下アームスタックに
対応する相の前記交流を取出す高周波インバータ回路に
おいて、 前記直流電源の電圧を蓄える電源コンデンサ(3など)
を前記の相別に設け、 この相別の電源コンデンサの正(P)、負(N)端子を
それぞれ対応する前記相別ブリッジ回路の正、負端子に
接続し、 前記の各電源コンデンサの□正端子同志および負端子同
志を互に有意なインダクタンス成分(配線インダクタン
ス52など)を含む配線で結合する、ようにjするもの
とする。
In order to solve the above problems, the inverter circuit of the present invention has a structure (such as IU, hereinafter referred to as upper and lower arms) formed by connecting two bridge arms in series, each including a semiconductor switching means (switching transistors Ul, U2, etc.). A snubber circuit (such as 2 [J) that includes at least a snubber capacitor (such as CSU) in parallel in a stack (called a stack)
A phase-specific bridge circuit as a parallel circuit is provided for each phase of the AC to be converted and output, and the positive (P) and negative (N) terminals as both ends of each phase-specific bridge circuit are respectively connected between the DC power sources. and extracts the AC of the phase corresponding to the upper and lower arm stacks from the connection point of the two bridge arms in each of the upper and lower arm stacks, a power supply capacitor (3) that stores the voltage of the DC power supply Such)
are provided for each of the above phases, and the positive (P) and negative (N) terminals of the power supply capacitors for each phase are connected to the positive and negative terminals of the corresponding phase-specific bridge circuit, respectively, and the □positive of each of the above power supply capacitors is It is assumed that the terminals and the negative terminals are connected to each other by a wiring including a significant inductance component (such as the wiring inductance 52).

【作 用】[For use]

この発明は、直流側電源コンデンサを各上、下アームス
タック別に分割配置し、直流側のインダクタンス分を極
力小さくするとともに、各電源コンデンサのP或いはN
端子間の接続線には、スナバコンデンサ放電時の最大ピ
ークを所望の値にするための、そして高周波の共振を抑
制するに足るインダクタンス分を持たせた構成としたも
のである。
In this invention, the DC side power supply capacitors are arranged separately for each upper and lower arm stack, and the inductance on the DC side is minimized, and the P or N of each power supply capacitor is
The connecting wire between the terminals is configured to have enough inductance to set the maximum peak at the time of discharging the snubber capacitor to a desired value and to suppress high frequency resonance.

【実施例】【Example】

次に第1図ないし第4図に基づいて本発明の詳細な説明
する。 第1図は本発明の一実施例としての回路図で第5図に対
応し、第2図ないし第4図は第1図の動作説明図で、そ
れぞれ第6図ないし第8図に対応するものである。 第1図においては直流側コンデンサ(電源コンデンサ)
3はU相別と■相別の同コンデンサ30゜3vに分割さ
れ、このコンデンサ3UのP、N端子はそれぞれ上下ア
ームスタックIUとスナバ回路2UとからなるU相別の
相別ブリッジ回路のP。 N端子と近接して接続され、同様にコンデンサ3VのP
、N端子もそれぞれ上下アームスタックIVとスナバ回
路2vとからなる■相別の相別ブリッジ回路のP、N端
子と近接して接続されている。 従ってこのインバータの直流側の配線インダクタンス(
つまりスイッチングトランジスタの動作時にスナバコン
デンサC3を充電するエネルギ源となるインダクタンス
)51は従来例と同等もしくはそれ以下の値となりスイ
ッチングトランジスタの電圧責務は軽減される。さらに
各電源コンデンサ3U、3νのP端子およびN端子はそ
れぞれ互に適当な大きさの配線インダクタンス52を介
して、それぞれ接続されている。 第2図、第3図および第4図(A)はそれぞれ前記と同
様なモード1.モード2およびモード3における主回路
電流の経路を示す、この場合従来と異なり主回路電流の
電流経路に特に配線インダクタンス52が含まれるが、
モードの切替り時にこの配線インダクタンス52に蓄え
られていたエネルギは第4図(A)の点線のように電源
コンデンサ30゜3vに吸収されるので、スイッチング
トランジスタの電圧責務を増大させる惧れはなく、前述
のように直流側配線インダクタンス51の減少によって
むしろ前記電圧責務は軽減される。 また第4図(B)に示すモード3でのスナバコンデンサ
C3Uの放電経路においては、この経路に新たに含まれ
るようになった配線インダクタンス52はこの放電経路
全体の配線インダクタンス骨中で、主要な大きさを持ち
、高周波の共振を抑制することが可能となる。 なお前記の配線インダクタンス52としては配線自体が
持つ漂遊インダクタンスであっても、必要に応じ積極的
に挿入されたりアクドル、あるいは可飽和リアクトルで
あってもよい。 また以上の実施例においてはいわゆる単相ブリッジ接続
の高周波インバータについて説明したが、3相ブリツジ
インバータ等の多相インバータ接続においても、直流電
源コンデンサを相別に分割し、この分割された電源コン
デンサのP、N端子をそれぞれ各相別ブリッジ回路のP
、N端子と接続したうえ、この各電源コンデンサのP端
子同志およびN端子同志をそれぞれ相互に配線インダク
タンス52を持つ配線で結合することにより、本発明を
同様に適用することが可能である。
Next, the present invention will be explained in detail based on FIGS. 1 to 4. FIG. 1 is a circuit diagram as an embodiment of the present invention, and corresponds to FIG. 5, and FIGS. 2 to 4 are operation explanatory diagrams of FIG. 1, and correspond to FIGS. 6 to 8, respectively. It is something. In Figure 1, the DC side capacitor (power supply capacitor)
3 is divided into the same capacitor 30°3V for each U phase and ■ phase, and the P and N terminals of this capacitor 3U are the P and N terminals of a phase bridge circuit for each U phase consisting of an upper and lower arm stack IU and a snubber circuit 2U, respectively. . Connected closely to the N terminal, and similarly connected to the P of the capacitor 3V.
, N terminals are also connected in close proximity to P and N terminals of a phase-specific bridge circuit consisting of an upper and lower arm stack IV and a snubber circuit 2v, respectively. Therefore, the wiring inductance on the DC side of this inverter (
In other words, the inductance (51) which serves as an energy source for charging the snubber capacitor C3 during operation of the switching transistor has a value equal to or less than that of the conventional example, and the voltage responsibility of the switching transistor is reduced. Further, the P terminal and N terminal of each power supply capacitor 3U, 3ν are connected to each other via a wiring inductance 52 of an appropriate size. FIGS. 2, 3, and 4A each show the same mode 1 as described above. Showing the main circuit current path in mode 2 and mode 3, in this case unlike the conventional case, the wiring inductance 52 is particularly included in the main circuit current path.
The energy stored in the wiring inductance 52 during mode switching is absorbed by the 30° 3V power supply capacitor as shown by the dotted line in Figure 4 (A), so there is no risk of increasing the voltage responsibility of the switching transistor. As described above, the voltage duty is rather reduced by reducing the DC side wiring inductance 51. In addition, in the discharge path of the snubber capacitor C3U in mode 3 shown in FIG. 4(B), the wiring inductance 52 newly included in this path is the main wiring inductance of the entire discharge path. It has a large size and can suppress high frequency resonance. Note that the wiring inductance 52 may be a stray inductance possessed by the wiring itself, or may be actively inserted as required, an acdle, or a saturable reactor. Furthermore, in the above embodiments, a so-called single-phase bridge-connected high-frequency inverter has been described, but in a multi-phase inverter connection such as a three-phase bridge inverter, the DC power supply capacitor is divided into phases, and the divided power supply capacitors are Connect the P and N terminals to the P and N terminals of each phase bridge circuit.
, and N terminals, and also connect the P terminals and N terminals of each power supply capacitor to each other with wiring having a wiring inductance 52, thereby making it possible to apply the present invention in the same manner.

【発明の効果】【Effect of the invention】

この発明によれば、ブリッジ接続の多相インバータにお
いて直流側電源コンデンサを分割し、この分割された各
電源コンデンサを対応するインバータの各相別ブリッジ
回路に、より近接させて接続したうえ、この各電源コン
デンサのP端子同志およびN端子同志の相互間には適当
なインダクタンス分を配線もしくは可飽和リアクトルの
付加により持たせたため、急峻なスナバコンデンサの放
電が抑制できる。また、付加したインダクタンス分によ
るスイッチング時の電圧上昇は、直流側の電源コンデン
サで吸収されるため、スナバコンデンサの容量アップに
はならない。
According to this invention, the DC side power supply capacitor in a bridge-connected multiphase inverter is divided, each of the divided power supply capacitors is connected closer to each phase-specific bridge circuit of the corresponding inverter, and each of the divided power supply capacitors is Since an appropriate amount of inductance is provided between the P terminals and the N terminals of the power supply capacitor by wiring or adding a saturable reactor, steep discharge of the snubber capacitor can be suppressed. In addition, the voltage increase during switching due to the added inductance is absorbed by the power supply capacitor on the DC side, so the capacitance of the snubber capacitor does not increase.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例としての回路図、第2図ない
し第4図は第1図の動作説明用の電流経路図、第5図は
第1図に対応する従来の回路図、第6図ないし第8図は
第5図の動作説明用の電流経路図で、それぞれ第2図な
いし第4図に対応するものである。 ULU2.Vl、V2  ニスイツチングトランジスタ
D:フリーホイリングダイオード(FWD)、1(1[
J、IV):上下アームスタック、2  (20,2ν
):スナバ回路、csccsu、 csv>  ’スナ
バコンデンサ、3 (3υ、3V):電源コンデンサ、
4:負荷、51.52  N配線インダクタンス。 1、よ−下アームスタック ラド 1 図 51(5+UP) 1■ 牙 5図
FIG. 1 is a circuit diagram as an embodiment of the present invention, FIGS. 2 to 4 are current path diagrams for explaining the operation of FIG. 1, and FIG. 5 is a conventional circuit diagram corresponding to FIG. 1. 6 to 8 are current path diagrams for explaining the operation of FIG. 5, and correspond to FIGS. 2 to 4, respectively. ULU2. Vl, V2 Niswitching transistor D: Free wheeling diode (FWD), 1 (1 [
J, IV): Upper and lower arm stack, 2 (20,2ν
): Snubber circuit, csccsu, csv>'Snubber capacitor, 3 (3υ, 3V): Power supply capacitor,
4: Load, 51.52 N wiring inductance. 1. Lower arm stack rad 1 Figure 51 (5+UP) 1■ Fang Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1)それぞれ半導体スイッチング手段を含む2つのブリ
ッジアームを直列に接続してなる構造体(以下上下アー
ムスタックという)に、並列に少なくともスナバコンデ
ンサを含むスナバ回路を接続し、 この並列回路としての相別ブリッジ回路を変換出力され
る交流の相別に設け、 前記の各相別ブリッジ回路の両端としての正、負端子を
それぞれ直流電源間に接続し、 前記の各上下アームスタックにおける2つのブリッジア
ームの接続点からそれぞれ当該の上下アームスタックに
対応する相の前記交流を取出す高周波インバータ回路に
おいて、 前記直流電源の電圧を蓄える電源コンデンサを前記の相
別に設け、 この相別の電源コンデンサの正、負端子をそれぞれ対応
する前記相別ブリッジ回路の正、負端子に接続し、 前記の各電源コンデンサの正端子同志および負端子同志
を互に有意なインダクタンス成分を含む配線で結合する
、 ようにしたことを特徴とする高周波インバータ回路。
[Claims] 1) A snubber circuit including at least a snubber capacitor is connected in parallel to a structure formed by connecting two bridge arms in series (hereinafter referred to as an upper and lower arm stack) each including a semiconductor switching means, and A phase-specific bridge circuit as a parallel circuit is provided for each phase of the AC to be converted and output, and the positive and negative terminals as both ends of each phase-specific bridge circuit are respectively connected between the DC power supplies, and in each of the above upper and lower arm stacks. In a high frequency inverter circuit that extracts the alternating current of the phase corresponding to the upper and lower arm stacks from the connection point of the two bridge arms, a power supply capacitor for storing the voltage of the direct current power supply is provided for each of the phases, and a power supply capacitor for each phase is provided. The positive and negative terminals of the power supply capacitors are connected to the positive and negative terminals of the corresponding phase-separated bridge circuit, respectively, and the positive terminals and negative terminals of each of the power supply capacitors are connected to each other by wiring containing a significant inductance component, A high frequency inverter circuit characterized by:
JP63140871A 1988-06-08 1988-06-08 High frequency inverter circuit Pending JPH01311870A (en)

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JP (1) JPH01311870A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03245727A (en) * 1990-02-21 1991-11-01 Mitsubishi Electric Corp Snubber circuit
JPH066983A (en) * 1992-03-26 1994-01-14 Sanshin Dengu Seizo Kk Inverter unit

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