JPH01276634A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は拡散炉、減圧ＣＶＤ装置などの半導体製造装置
に関するものである。

従来の技術 近年の半導体製造技術の進歩とともにウェハはより大口
径化へと飛躍的に進歩しており、現在では８〜１０イン
チ径のウェハ用の製造装置が実用化しつつある。また、
製造袋・置の制御技術も高度なものが要求され、多くの
装置でコンピュータ制御を行なっているのが現状である
。

第２図は従来の拡散炉の断面図、第３図は一般的な使用
例を示すものである。

第２図において、１は断熱部、２はこの断熱部の内面に
沿って円筒状に巻装されて固定したヒーター、３Ｖｉヒ
ーター２で形成された空間内を貫通するように設けた反
応管である。２ａおよび２ｂは前記ヒーター２の両端の
電極である。このように形成された拡散炉は一般的に第
３図に示すように数段積み重ねて設けられ、その近傍に
コンピューターを利用した制御装置４を配置して使用さ
れる。

５は前記制御装置４の表示装置であり、ＣＲＴデイスプ
レィが使用される。６は前記制御装置４の外部記憶装置
であり、記憶容量などの点から磁気ディスク装置、磁＾
テープ装置などが使用されている。

上記構成において、前記制御装置４によシ両端の電極２
ａ　、　２ｂからヒーター２に電流が流されて反応管３
内の温度が所定の温度を保つように制御されている。す
なわち、ヒーター２に流れる電流を増減することにＢヒ
ーター２の発熱量を制御し、反応管３内の温度を一定に
保っている。このように一定温度に保持された反応管３
の内部の所定の位置にウェハを挿入し、外部記憶装置６
内ＩＣあらかじめ記憶された処理条件に従って温度１時
間。

ガスなどを制御することによってウェハの拡散処理を行
なう。すなわち、制御装置４は外部記憶装置６に磁気信
号で記憶された処理条件を電気信号に変換して読み取シ
、それに従ってヒーター２の電流の増減などの制御を行
なっているのである。

また、このとき表示装置６には温度、ガスなどの条件や
そのときの拡散炉の状況などを表示する。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような従来の構成においては、ヒー
ター２から発生する強力な磁界によって制御装置４の表
示装置５や外部記憶装置６が誤動作するという問題があ
った。すなわち、ヒーター２が円筒状に巻かれているた
めにこれがコイルとして動作し、供給された電流によシ
強力な磁界を発生しているのである。この磁界は拡散炉
の外部にまで達しておシ、温度制御のためにヒーター２
に供給する電流を変化するとそれに応じて磁界の強度が
変化し、その到達範囲内に表示装置５が存在した場合に
は画像の歪み、ゆれなどが発生し、また外部記憶装置６
が存在した場合には磁気信号の反転などの障害を発生す
ることがある。さらに、近年のウェハの大口径化に伴っ
てヒーター径は大口径化し、また熱容量の増加に伴うヒ
ーター２への印加電圧の上昇および供給する電流の増加
によ多発生する磁界は強大なものとなシ、外部への磁界
の到達範囲は広大なものとなっておシ、これによる障害
はよシ顕著に見られるようになっている。

本発明はこのような問題を解決するもので、ヒーターの
特性を損なうことなく、外部への磁界の影響を防止した
半導体製造装置を提供することを目的とするものである
。

課題を解決するための手段 この問題を解決するために本発明は、平行でかつコイル
状に巻装された２本のヒーター線からなるヒーターと、
このヒーターに電流を供給する電源部と、前記２本のヒ
ーター線に流れる電流が互いに逆方向でかつ等しくなる
ように制御する制御部と、前記ヒーターの内部を貫通す
る反応管とを備えたものである。

作用 この構成により、平行な２本のヒーター線に流れる等し
い電流によ多発生する磁界は互いに打消し合い、磁界の
発生を防止し、外部への磁界の影響を防止することがで
きる。

実施例 以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。

第１図において、１１は２本の互いに平行なヒーター線
１２．１３をコイル状に巻装して形成されたヒーターで
、円筒状の断熱材１４の内面に沿って固定して設けられ
ている。１５は前記ヒーター１１で形成された空間内を
貫通するように設けた反応管、１２ａ　。

１２ｂおよび１３ａ、１３ｂは前記各ヒーター線１２お
よび１３の両端の電極である。１６は電源部で、電力線
１７を介して電極１２ａ　、　１２ｂおよび１３ａ　、
　１３ｂより各ヒーター線１２および１３に電力を供給
するようになっている。１８は制御装置である。

以上のように構成された半導体製造装置の動作について
説明すると、まず制御装置１８にょシミ源部１６から電
力線１７および電極１２ａ　、　１２ｂ　、　１３ａ　
、　１３ｂを通して２本のヒーターＡＩ　１２　、１３
に電流が流されて反応管１５内部が所定の温度に保たれ
ている。このとき、ヒーター線１２　、１３　Ｋ流れる
電流は互いに逆方向でかつ等しい電流値であるように制
御する。

すなわち、例えば電ＦＭ１２ａから電ｆ＠　１２ｂへ電
流を流した場合には等しい電流を電ＦＭ１３ｂがら電Ｆ
ＩＭ　１３ａへ流すように制御を行なうのである。この
ようにコイル状のヒーター１１に電流を流した場合には
その電流値に比例して磁界を発生するのであるが、２本
のヒーター線１２　、１３は常に平行な状態でコイル状
に固定されており、そこに流れる電流は互いに逆方向で
あるために各々のヒーター線１２　、１３から発生する
磁界は互いに逆向きであシ、互いに打ち消し合う関係に
ある。また、２本のヒーター線１２　、１３に流れる電
流値は常に等しく制御されているために結局発生する磁
界は完全に打ち消し合い、外部への磁界の影響はまった
く発生しなくなる。

なお、本実施例では直流電源を用いた場合について説明
したが、２本のヒーター線１２．１３に供給する電流値
が常に等しいという条件を満足する限シ交流電源を用い
てもよい。また、電源装置が一系統しかない場合には第
１図において電ＦｌｉＡ１２ｂと１３ａ　、　１２ａと
１３ｂをそれぞれ直接接続し、電流を供給することによ
り２本のヒーター線１２．１３に流れる電流値は等しく
なシ、本実施例と同様の効果が得られることは言うまで
もない。

発明の効果 以上のように本発明によれば、平行でかつコイル状に巻
装された２本のヒーター線からなるヒーターと、このヒ
ーターに電流を供給するＹ！Ｌ源部と、その電流が常に
互いに逆方向でかつ等しくなるように制御する制御部と
、ヒーター内部を貫通する反応管とを備えることにより
、２本のコイル状のヒーター線により発生する磁界が常
に互いを打ち消し合い、外部への磁界の影響を完全に防
止することができる優れた半導体製造装置を実現できる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における半導体製造装置の要
部切欠斜視図、第２図は従来の半導体製造装置の要部切
欠斜視図、第３図は一般的な使用例を示す斜視図である
。 １１・・・ヒーター％　１２ａ　、　１２ｂ・・・ヒー
ター線、１５・・・反応管、１６・・・電源部、１８・
・・制御部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、平行でかつコイル状に巻装された２本のヒーター線
   からなるヒーターと、このヒーターに電流を供給する電
   源部と、前記２本のヒーター線に流れる電流が互いに逆
   方向でかつ等しくなるように制御する制御部と、前記ヒ
   ーターの内部を貫通する反応管とを備えた半導体製造装
   置。