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JPH01276544A - X線蛍光増倍管 - Google Patents

X線蛍光増倍管

Info

Publication number
JPH01276544A
JPH01276544A JP10622988A JP10622988A JPH01276544A JP H01276544 A JPH01276544 A JP H01276544A JP 10622988 A JP10622988 A JP 10622988A JP 10622988 A JP10622988 A JP 10622988A JP H01276544 A JPH01276544 A JP H01276544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
substrate
phosphor layer
light
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10622988A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Ono
勝弘 小野
Hideo Abu
秀郎 阿武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10622988A priority Critical patent/JPH01276544A/ja
Publication of JPH01276544A publication Critical patent/JPH01276544A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明はX線蛍光増倍管に係り、特にその入力面の改
良に関する。
(従来の技術) 一般に、X線蛍光増倍管を使用した被写体観察システム
は、第7図に示すように構成され、X線管1の前方にX
線蛍光増倍管ヱが配置され、被写体3を透過した変調X
線の入射により、このX線蛍光増倍管ヱに得られる出力
像を、例えば撮像カメラで観察してモニタテレビに再生
出来るように構成されている。
即ち、X線蛍光増倍管Z内には、一端部に入力面4、他
端部にこの入力面4に対向して出力蛍光面5が配設され
、動作時には変調されたX線像を入力面4で光学像に、
更にこの光学像を光電子像に変換し、この光電子像を集
束加速して、出力蛍光面5に輝度増強された出力像を得
ている。そして、この出力像を例えば撮像カメラにより
観察するようになっている。
ところで、従来のX線蛍光増倍管2の入力面4は、第8
図に示すように、球面状に形成されたアルミニウム基板
6の凹面によう化ナトリウム賦活よう化セシウム蛍光体
の柱状晶7からなる蛍光体層8が形成され、この蛍光体
層8上に酸化アルミニウム層と酸化インジウム層からな
る中間層9を介して光電面10が形成された構造になっ
ている。
(発明が解決しようとする課題) さて、被写体3のX線被爆を少なくするためには、被写
体透過X線を損失なく蛍光体層8に入力させて、その吸
収量を多くすることが要請される。
蛍光体層8については、X線吸収量を多くするためには
蛍光体の柱状晶7を長くした方が良いが、柱状晶7が長
くなると光の屈折回数が増加し、柱状晶7側面から他の
柱状晶7に伝搬する光の量が増加し、解像度を低下させ
る。そのため、柱状晶7を余り長くすることは出来ず、
400μm程度が限度である。
そこで、柱状の蛍光体内で発光した光が他の柱状の蛍光
体に伝播しないようにするため、これら柱状の蛍光体間
にギャップを作り、このギャップに光反射物質を埋め込
んだ蛍光体スクリーンが米国特許明細書節4,011,
454号に示されている。これは、パターン化した入力
基板上に蛍光体を蒸若し、450〜500℃で熱処理を
することにより隣接する柱状の蛍光体の間のギャップを
入力基板の四部と同じ程度に広げ、蛍光体と同じ高さま
でこのギャップを光の反射物質又は光の吸収物質を含む
物質で埋めることを特徴とする蛍光体スクリーンである
これは、米国特許明細書節4.011,454号に開示
されているように、蛍光体を125μn1以上厚くする
場合、加温処理と蛍光体の蒸着を多数回繰り返す必要が
あり、製作に時間を要し、高価なものとなる。例えば、
基板温度を500℃から50℃まで冷却する時間を40
分とすると、500μmの厚さの蛍光体層を作るのに(
5+60+40)x500/125−420分を要する
こととなる。
更に、米国特許明細書節4,011,454号では、蛍
光体の表面から裏面までギャップがあるため、このギャ
ップに他種の蛍光体又は光の反射物質を埋め込んでいる
。しかし、熱膨張差等により微小なギャップを生じ、そ
の表面にシリコンレジン等の透明体をコーティングして
いるが、これにピンホールを生じ、その上に形成した光
電面の感度が低くなると共に、光電面感度の経時変化が
大きくなる。
又、蛍光体表面に光の反射物質が付青し、これを完全に
除去することが極めて困難であり、感度が著しく低下す
る。
又、被写体3から発生する散乱X線や、入力面4付近の
真空外囲器から発生する散乱X線が蛍光体層8の柱状晶
7で吸収され、これがコントラストを低下させている。
これらを改良するために、例えば特開昭55−2180
5号公報に記載された発明において、隔壁によって区画
されて複数の開口部を有する重金属材料からなる蜂巣状
保持板と、この保持板の開口部に蛍光物質を充填してな
る入力蛍光面をHする蛍光増倍管が開示されている。
しかるに、この特開昭55−21805号公報に記載さ
れた発明には、蜂巣状保持板を電子ビーム又はレーザー
ビーム等により孔開は加工することが開示されているが
、この方法では、例えば12インチ口径の入力面粗の蜂
巣状保持板を作るためには、およそ1000時間以上の
加工時間を要し、非現実的である。
この発明は、上記従来の課題を解消し、X線吸収率が高
く、解像度(及びコントラスト)を向上した安価で高信
頼度のX線蛍光増倍管を提供することを目的とする。
〔発明の構成コ (課題を解決するための手段) この発明は、入力面が、凹凸にパターン化された表面を
白゛すると共に多数の透孔が穿設された入力J!仮と、
この入力基板上に形成された蛍光体層と、この蛍光体層
上に直接又は間接に形成された光電面とからなり、 上記蛍光体層は上記入力基板の凹凸パターンに対応した
ブロック状結晶からなり、且つ上記入力基板の透孔に沿
い先細りにして上記光電面側では実質的に閉鎖されたギ
ャップを白゛し、更に上記ギャップ内に少なくとも光の
反射物質又は光の吸収物質を含む物質が充填されてなり
、充分な空間解像度と極めて高いコントラスト及び低ノ
イズを実現させたX線蛍光増倍管である。
(作用) この発明によれば、被写体観察システムに使用した場合
、X線管から放射されたX線は被写体を通過し、X線蛍
光増倍管の入力窓に入射する。これらは、入力面に到達
し、入力基板を透過した後、光学的に遮蔽された隔壁に
よって囲まれた蛍光体を発光させる。この蛍光体は充分
な厚さがあるため、入射したX線をほぼ10096吸収
させることが出来る。この蛍光体内で発生した光は、隣
の蛍光体との間の光学的反射物質で隔離され、有効にそ
の表面に到達する。従って、クロストークを生じること
なく、高解像度、高コントラストのX線蛍光増イΔ管を
提供出来る。
又、蛍光体は表面ではほぼ連続性を保っているため、適
当な保3膜を設けることにより、表面の連続性を保つこ
とができ、高信頼度の光電面が得られる。
以上により、この発明のX線蛍光増倍管では、中間的な
空間周波数帯でのMTFが大幅に改善され、極めて高コ
ントラストのX線画像を得ることが出来る。
(実施例) 以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
即ち、この発明のX線蛍光増倍管は、第5図に示すよう
に構成され、真空外囲器10は、X線透過性金属材料よ
りなる入力窓20と、この入力窓20に気密封むされた
円筒状の金属よりなる胴部30と、この胴部30にコバ
ールからなる円筒状封管部材40を介して気密封着され
たガラスよりなる出力端部50とからなっている。
このような真空外囲器10の入力窓20の内側には入力
面60が設けられ、この入力而立」−に対向して、出力
端部50内側には出力蛍光面70と陽t!i!i90が
配設されている。又、真空外囲器1旦の胴部30の内側
には、集束電極80が同軸的に配設されている。
動作時には、入力窓20に入射されたX線像は入力面6
0で光電子像に変換され、この変換された光電子像は陽
極90と集束電極80により加速・集束されて出力蛍光
面70に至り、ここに高輝度の光像を出現させる。
ここで、この発明の要部をなす入力面1旦について、第
1図、第2図、第3図を参照して詳述する。尚、第1図
は第2図の一部分を拡大表示したものである(便宜上、
第1図と第2図は天地が逆に描いである)。又、第2図
は第5図の入力面60を模式的に拡大して示した断面図
であり、寸法は相似関係となっていない。更に、第3図
(a)、(b)、(C)は第1図における入力基板64
0を説明するための図であり、第3図(b)は入力基板
640の断面図で表面基板641と補強基板642とか
ら構成されている。そして、第3図(a)は第3図(b
)のA−A’での断面を表わしている。第3図(C)は
、第3図(b)のB−B’での断面図であり、表面基板
641の裏面が見えている。
即ち、入力面廷は、第2図に示すように構成され、入力
JJIR640上に形成された蛍光体層600と、この
蛍光体層600上に形成された酸化インジウムを主成分
とする保護膜620と、この保訛膜620上に形成され
た光電面630とからなっている。
先ず、入力基板640から説明すると、この入力基板6
40は第3図(a)、(b)、(c)に示すように構成
され、表面基板641と補強基板642が接合されてな
っている。
表面基板641は厚さ100μm程度の薄板であり、ス
テンレスやアルミニウム等からなっている。xHの透過
率を良くする点では、アルミニウムが好ましいが、加工
性の点からはステンレスが好ましい。
このような表面、2!仮641の表面は凹凸にパターン
化されている。即ち、幅す、6約80〜90μm1厚さ
t。約30μmのタイル状突起643があり、その周囲
は深さがdlの凹溝644により隣のタイル状突起64
3から約100μmの周期を有して分離されている。製
造時には、このタイル状突起643はプレス加工又はエ
ツチング等により作られている。又、タイル状突起64
3の隣り合う間隔すは約10〜20μmである。この時
に生じる凹溝644の深さは、既述のようにd、である
。次に裏面から深さd2の凹部646をエツチング加工
等により作る。この時、表面基板641の厚さをtとす
ると、t<d、 十d2の関係が成立つようにしておく
。表面の凹溝644の交叉点の中心と裏面の四部646
の中心を一致させておくと、この凹溝644と凹部64
6が連続して表面基板641を貫通する多数の透孔が形
成されることになる。而も、表面のタイル状突起643
は裏面の隔壁645によって支持されるため、脱落する
ことはない。
このようにして作られた表面基板641は、プレス加工
等により第2図に示すように凹面となる   ゛ように
変形させである。この際、メツシュ形状が変形しないよ
うに凹部646にプラスチック等を充填しておいてから
、プレス加工した後、取り去ると好適である。
一方、補強基板642は、比較的厚板、例えば500μ
rrlのアルミニウム板で出来ている。比較的厚いため
、現(1:の技術では貫通した小孔を開けることが困難
であるので、約300μmの大きな透孔649が穿設さ
れている。そして、隔壁647の周期(ピッチ)は凡そ
300μmであり、上記のタイル状突起643の周期(
ピッチ)の整数倍となっている。上記の透孔649は、
当然、表面基板641の凹溝644及び凹部646から
なる多数の透孔と連通しており、この結果、入力基板6
40仝体としても多数の透孔が穿設されていることにな
る。
このように構成された補強基板642は、表面基板64
1と同様にして第2図に示すように凹面に形成されてい
る。この際、その曲率半径は表面基板641の外面のそ
れよりも大きくなっており、これらを重ね合わせること
により第2図に示すような入力基板640の構造になる
ことが出来る。
この際、表面基板641の隔壁648と補強基板642
の隔壁647とが、ある周期をもって一致するように取
付けられている。これらの取付けに際しては、これらの
外縁部(図示せず)を点溶接等により接合することによ
り、機械的に接合する。
この場合、補強基板642は表面基板641を機械的に
補強するだけであるため、隔壁648と隔壁647とが
至る所で密に接触している必要はなく、従って、これら
の基板の加工精度はそれ程必要がなく、十分容品に工業
的に作製することが出来た。 次に、入力基板640上
に形成された螢光体層600について、製造方法的に説
明する。
第1図に示すように、タイル状突起643上に例えばC
sIをQ、Qltoor、250℃なる条件で蒸着する
ことにより、多数の針状結晶の束をなしたブロック状結
晶601が成長する。この際、上記の条件ではタイル状
突起643の凹溝644の幅が約30μrnであるので
、この直上ではブロック状結晶601間のギャップ60
2が30μIII程度となり、ブロック状結晶601の
成長と共に、そのギャップ602は狭くなる。そして、
凡そ400μmの厚さになると、その表面はギャップの
ない連続した而となる。
つまり、この発明では、ブロック状結品601柑互間の
ギャップ602は、入力基板640を構成する表面基板
641の透孔である凹溝644に沿い、先細りにして充
電面630側では実質的に閉鎖されており、表面基板6
41側では20μm以上、充電面630側では1μm以
ドに設定されている。
上記の条件左異なる場合に、Cslの表面においてもパ
ターン化したギャップが生じることがあるが、この場合
には、その表面により高真空下で第2層1]のCs■結
品を薄く蒸着する(後述の他の実施例2照)ことにより
、表面が連続になる。
これは、その表面に保護膜620にピンホール等が生じ
るのを防止して、その上層に形成した光電面630の感
度低ドを防止するためである。
この光電面630の形成に先立って、次の工程を行なう
。即ち、入力基板640の裏面(Cslと反対側)から
光の反射率が高い反射物質603を挿入する。この反射
物質603は例えばTiO2やAl2O3等の微粉でも
よく、入力基板640の裏面から圧入する。この場合、
補強基板642は十分な強度を持たせているため、変形
等が生じることはな(、十分容易に反射物質603をブ
ロック状結晶601のギャップ602に挿入することが
出来る。
この際、ギャップ602は螢光体層600つまりCsI
の表面では実質的に零となっているため、反射物質60
3はCslの表面には出て来なく、Cs1表面の光の透
過率を同等低下させることがない。
上記した状態で450〜500℃での高温処理すること
により、Cslの透明度が増し、入力面の高感度化が図
れる。
更に、補強基板642の透孔649内に類似のX線透過
率を有する物質、好適には同一材質の粒子651を充填
することにより、X線吸収量の均一化を図り、補強基板
642の隔壁647が識別されないようにする。
又、この工程は、この粒子651の挿入により反射物質
603の充填度を向上させることが出来る。
更に、補強基板640の外面には、金属の薄膜(図示せ
ず)を設けることにより、これらの粒子651が出て来
ないように保持している(後述の他の実施例参照)。表
面基板641は、パターンの周期が100μmと小さく
、X線蛍光増倍管の限界解像度の近くにあり、このパタ
ーンは画像に出現しないようにしである。
さて、動作時には、入射面60にX線が入射した時、X
線が入力基板640を透過し、螢光体層600のブロッ
ク状結晶601に入射して発光する。ブロック状結晶6
01は針状結晶の束であるので、この中でも光の透過率
は深さ方向の方が横方向のそれよりも大きいが、ギャッ
プ602に充填された光の反射物質603により反射さ
れ・隣接する蛍光体内に光が洩れることがなく、有効に
表面に導かれる。
表面の近くでは、蛍光体が極めて薄い層で連続となって
おり、この部分で起こる光の散乱は無視出来るようにし
である。その上層部の透明導電膜で出来た保護膜620
により、その上方に形成した光電面630を構成するア
ルカリ金属の移動を防+I=し、高信頼性を保つように
している。
上記したように、光の散乱による解像度の劣化が起こら
ないため、蛍光体層600を1mm程度に厚くすること
が出来、X線吸収効率を増すことが出来る。
(他の実施例) 上記実施例では、入力M、l1ilE640は表面基板
641と補強基板642とからなっているが、表面基板
641の強度が十分であるときは、補強基板642を省
略することも出来る。
又、表面基板641のタイル状突起643は、その形が
正方形以外の形状であっても、差し障りはない。
又、表面基板641の表面のタイル状突起643と裏面
の四部646との相対位置関係は、タイル状突起643
が分離しないで且つ貫通した透孔が出来るならば、相対
的にずらしてあっても良い。
又、この条件が満たされるなら、周期がずれていても良
い。
又、第6図に示すように、ブロック状結晶601の表面
つまりブロック状結晶601と保護膜620との間に蛍
光体の薄層605を形成しても良いことは勿論である。
この際、これにより解像力がコントラストを低下させな
いため、この蛍光体の薄層605は針状結晶の集合であ
ることが好ましい。尚、第6図中の650は透孔649
内の粒子651の脱落を防l卜するための薄板である。
又、上記実施例ではギャップ602内に光の反射物質6
03が充填されていたが、ギャップ602内に導電性粒
子と光の反射物質とからなる粒子を充填しても良い。こ
の場合、導電性粒子は光電面630側に充填され、光の
反射物質は入力基板640側に充填されている。勿論、
導電性粒子と光の反射物質は入力基板640の後方から
挿入される。
又、ギャップ602内に充填される光の反射物質603
を、入力基板640側で^密度に充填しても良い。即ち
、X線の入射する位置に近いところ、つまり入力基板6
40に近いところで発生する光の方が解像度低下効果が
大であり、この部分の光が隣接するブロック状結晶60
1へ伝播するのを防止することが、近い周波数でのMT
F向上にとって重要である。そこで、上記のように光の
反射物質603を、入力基板640側で高密度に充填す
ることが有効である。これを達成するためには、入力基
板640の後方から光の反射物質603を挿入すること
が有効であり、この結果、高MTFのX線蛍光増倍管が
実現出来る。
尚、このためには、入力基板640の表面基板641を
貫通した透孔つまり凹溝644、凹部646の大きさが
10〜200μmの範囲にあることが有効であった。
又、上記実施例ではギャップ602内に光の反射物質6
03が充填されていたが、ギャップ602内に光の吸収
物質又は少なくとも光の吸収物質を含む混合物質を充填
しても良い。この場合、ギャップ602に充填された光
の吸収物質により隣接する蛍光体に光が洩れることがな
いため、蛍光体層600の解像特性を上記実施例と同様
に向上させることが出来る。
又、上記実施例ではギャップ602内に粉体を充填させ
る場合について述べたが、ギャップ602内に物質を充
填させる方法として、物質を液体状態にて充填した後、
固化させても良い。
[発明の効果コ この発明によれば、第6図の曲線Aに示す従来のMTF
を、曲線Bに示すように、空間周波数が10〜401p
/amでのMTFを極めて大きく改迫することが出来、
鮮明なX線画像を得ることが出来る。
更に、光の反射物質又は光の吸収物質を入力基板の後方
(裏面)から挿入するため、蛍光体の表面を汚すことな
(、高感度化を果たすことが出来る。
又、光の反射物質又は光の吸収物質を入力基板の後方(
裏面)から挿入するため、機械的な圧力を掛けることが
出来、蛍光体のギャップの充填率を高く出来る。
又、表面基板の表面のタイル状突起は、各々がその周囲
の溝によって全周にわたって、他の突起と分離されてい
るため、その上方に形成されたブロック状結晶もそれぞ
れ全周にイ〕たって独立したブロック状に形成される。
従って、表面基板の裏面から挿入された光の反射物質又
は光の吸収物質は、これらブロック状結晶を全周にわた
って包むように挿入される。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係るX線蛍光増倍管の入
力面の一部を拡大して示す断面図、第2図はこの発明の
一実施例に係るX!!j!蛍光増倍管の入力面の全体を
示す断面図、第3図(b)はこの発明のX線蛍光増倍管
の入力面の一部を構成する入力基板を示す断面図、同図
(a)は(b)のA−A’線に沿って切断し矢印方向に
見た断面図、同図(c)は(b)のB−B’線に沿って
切断し矢印方向に見た断面図、第4図はこの発明の他の
実施例に係るX線蛍光増倍管の入力面の一部を拡大して
示す断面図、第5図はこの発明の一実施例に係るX線蛍
光増倍管の全体を示す断面図、第6図はこの発明と従来
のX線蛍光増倍管における特性を示す特性曲線図、第7
図は従来のX線蛍光増倍管の全体を示す断面図、第8図
は従来のX線蛍光増倍管における入力面を示す断面図で
ある。 60・・・入力面、600・・・蛍光体層、601・・
・ブロック状結晶、602・・・ギャップ、603・・
・光の反射又は吸収物質、620・・・保護膜、630
・・・光電面、640・・・入力基板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入射X線像を入力面で光電子に変換し、この光電
    子を加速集束して出力蛍光面より電子工学的に増倍され
    た光像を得るようにしたX線蛍光増倍管において、 上記入力面は、凹凸にパターン化された表面を有すると
    共に多数の透孔が穿設された入力基板と、この入力基板
    上に形成された蛍光体層と、この蛍光体層上に直接又は
    間接に形成された光電面とからなり、 上記蛍光体層は上記入力基板の凹凸パターンに対応した
    ブロック状結晶からなり、且つ上記入力基板の透孔に沿
    い先細りにして上記光電面側では実質的に閉鎖されたギ
    ャップを有し、 更に上記ギャップ内に少なくとも光の反射物質又は光の
    吸収物質を含む物質が充填されてなることを特徴とする
    X線蛍光増倍管。
JP10622988A 1988-04-28 1988-04-28 X線蛍光増倍管 Pending JPH01276544A (ja)

Priority Applications (1)

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JP10622988A JPH01276544A (ja) 1988-04-28 1988-04-28 X線蛍光増倍管

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JP10622988A JPH01276544A (ja) 1988-04-28 1988-04-28 X線蛍光増倍管

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JPH01276544A true JPH01276544A (ja) 1989-11-07

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ID=14428297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10622988A Pending JPH01276544A (ja) 1988-04-28 1988-04-28 X線蛍光増倍管

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