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JPH01267391A - Vacuum pump - Google Patents

Vacuum pump

Info

Publication number
JPH01267391A
JPH01267391A JP9143988A JP9143988A JPH01267391A JP H01267391 A JPH01267391 A JP H01267391A JP 9143988 A JP9143988 A JP 9143988A JP 9143988 A JP9143988 A JP 9143988A JP H01267391 A JPH01267391 A JP H01267391A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pump
vacuum pump
exhaust
gas
rotor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9143988A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Nishiuchi
章 西内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9143988A priority Critical patent/JPH01267391A/en
Publication of JPH01267391A publication Critical patent/JPH01267391A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 不発明は、真空ポンプに係り、特にプロセスガスによる
反応生成物の排気路への付着を防止するために好適な真
空ポンプに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a vacuum pump, and particularly to a vacuum pump suitable for preventing reaction products caused by process gas from adhering to an exhaust path.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、半導体製造装置等において、清浄な真正を作り出
すために、檀々の真空ポンプが提案されておシ、この種
の真空ポンプとして、例えば特開昭61−247893
号公報に記載されている技術がある。
In recent years, various vacuum pumps have been proposed in order to produce clean genuine products in semiconductor manufacturing equipment, etc.;
There is a technology described in the publication No.

この種の真空ポンプは、一般的に吸気口から吸い込まれ
た気体を、ポンプ機構を構成しているロータ、ステータ
による流路を通って順次圧縮し、排気口から大気へ排気
するようになっている。
This type of vacuum pump generally compresses the gas sucked in from the intake port sequentially through a flow path made up of the rotor and stator that make up the pump mechanism, and then exhausts it to the atmosphere from the exhaust port. There is.

また、この株の真空ポンプにおいては、実開昭6O−4
j197号公報に示されているように、半導体製造装置
で取り扱うプロセスガスによシ、そのガス中の固形化し
易い物質が通路中に付着堆積した場合に、その付着堆積
物の除去を容易にすべく。
In addition, in the vacuum pump of this stock,
As shown in Publication No. J197, when process gas handled in semiconductor manufacturing equipment causes substances that tend to solidify in the gas to accumulate in the passages, it is easy to remove the deposits. I hope.

装置の分解組立を容易にしたものがある。There are devices that facilitate disassembly and assembly.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

前記従来技術においては、プロセスガスの流路に反応生
成物が付着堆積した場合に、ガス流路を閉基させるので
、付着堆積物の除去のために装置を分解するようにして
いるため、真空ポンプに接続した半導体製造装置等の稼
働を停止しなければならず1作業効率が低下するという
問題がおった。
In the above-mentioned conventional technology, when reaction products are deposited in the process gas flow path, the gas flow path is closed, and the device is disassembled to remove the deposit. There was a problem in that the operation of semiconductor manufacturing equipment and the like connected to the pump had to be stopped, resulting in a decrease in work efficiency.

本発明の目的は、前記従来技術の問題を解決し、気体の
排気路での反応生成物の付着による排気路の閉塞を防止
することができる真空ポンプを提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a vacuum pump that solves the problems of the prior art and can prevent the gas exhaust path from being blocked by reaction products attached thereto.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

前記目的は、気体の排気路に誘導加熱手段を設けること
Kより、遅成嘔れる。
The above object is achieved by providing induction heating means in the gas exhaust path.

〔作用〕[Effect]

排気路に設けられた誘導加熱手段は、発熱コイルと高周
波電源とで構成ちれており、発熱コイルに高周波電流を
流子と、磁力線が発生し、その磁力線によって金属製の
排気路壁面に無数のうず電流が発生し、金属には電気抵
抗があるため発熱する。
The induction heating means installed in the exhaust passage is composed of a heating coil and a high-frequency power source. When a high-frequency current is applied to the heating coil, magnetic lines of force are generated, and the magnetic lines of force cause numerous waves to be generated on the metal exhaust passage wall. An eddy current is generated, which generates heat because the metal has electrical resistance.

このため1反応生成物は排気路壁面では気化するので1
反応生成物の付着による排気路の閉塞を防止することが
できる。
For this reason, 1 reaction product vaporizes on the exhaust passage wall, so 1
It is possible to prevent the exhaust passage from being blocked due to adhesion of reaction products.

〔実施例〕〔Example〕

以下1本発明の実施例を図面によシ説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す縦断側面図。FIG. 1 is a longitudinal sectional side view showing one embodiment of the present invention.

第2図は第1図に示す実施例における要部の拡大断面図
でおる。
FIG. 2 is an enlarged sectional view of the main parts of the embodiment shown in FIG. 1.

その第1図に示す実施例の真空ポンプは、ポンプハウジ
ング1と、ポンプ機構7と、モータハウジング10と、
モータ11と、駆動軸14と、誘導加熱手段と、油溜め
19とを備えて構成されている。
The vacuum pump of the embodiment shown in FIG. 1 includes a pump housing 1, a pump mechanism 7, a motor housing 10,
It is configured to include a motor 11, a drive shaft 14, induction heating means, and an oil reservoir 19.

前記ポンプハウジング1は、ハウジング本体2と、これ
の一端部に取シ付けられた第1のエンドプレート3と、
他端部に取り付けられた第2のエンドプレート4とで構
成もれている。前記第1のエンドプレート3には、吸気
口5が設けられておシ、この吸気口5は例えば半導体デ
バイスのアルミドライエツチング装置等の半導体製造装
置(図示せず)に連通している。前記第2のエンドプレ
ート4とポンプ機構7の最終段にわたって、排気路6が
設けられており、第2のエンドプレート4の端部には排
気口6′が設けられている。
The pump housing 1 includes a housing body 2, a first end plate 3 attached to one end of the housing body 2,
The second end plate 4 is attached to the other end. The first end plate 3 is provided with an air inlet 5, which communicates with semiconductor manufacturing equipment (not shown) such as an aluminum dry etching equipment for semiconductor devices. An exhaust passage 6 is provided across the second end plate 4 and the final stage of the pump mechanism 7, and an exhaust port 6' is provided at the end of the second end plate 4.

前記ポンプ機構7は、ポンプハウジング1の内部に固定
されたステータ8と、複数枚の羽根上つらねて構成され
かつステータ8の内部に回転可能に配置されたロータ9
とを有し、多段に構成ちれている。
The pump mechanism 7 includes a stator 8 fixed inside the pump housing 1, and a rotor 9 configured with a plurality of blades connected together and rotatably arranged inside the stator 8.
It has a multi-stage structure.

前記モータハウジング10は、ポンプハウジング1の@
2のエンドプレート3に固定てれている。
The motor housing 10 is located at the pump housing 1.
It is fixed to the end plate 3 of 2.

前記モータ11は、モータハウジング10の内部に固定
されたステータ12と、これの内部に回転可能に配置さ
れたロータ13とで構成されている。
The motor 11 includes a stator 12 fixed inside a motor housing 10, and a rotor 13 rotatably disposed inside the stator 12.

前記駆動軸14は、ポンプハウジング1の第2のエンド
プレート4に組み込まれた軸受15と。
The drive shaft 14 has a bearing 15 built into the second end plate 4 of the pump housing 1.

モータハウジング10の端部に固定され比軸受取り付は
板16に組み込まれた軸受15′とにより支持されてい
る。この駆動軸14は、前記モータ11によシ回転駆動
され、@記ポンプ機構7のロータ9を回転させるように
なっている。
The ratio bearing mount is fixed to the end of the motor housing 10 and is supported by a bearing 15' built into the plate 16. This drive shaft 14 is rotationally driven by the motor 11 and rotates the rotor 9 of the pump mechanism 7.

前記誘導加熱手段は、第2図に詳細に示すように、前記
排気口6′寄シの排気路6内に設けられた発熱コイル1
7と、高周波電源18とを備えて構成されている。前記
高周波電源18は1発熱コイル17を電磁誘導加熱させ
るようになっている。
As shown in detail in FIG. 2, the induction heating means includes a heating coil 1 provided in the exhaust passage 6 near the exhaust port 6'.
7 and a high frequency power source 18. The high frequency power source 18 is configured to heat one heating coil 17 by electromagnetic induction.

前記油溜め19は、前記軸受取シ付は板16に固定され
ている。この油溜め19には、軸受用の潤滑油20が取
容さnている。
The oil reservoir 19 is fixed to the plate 16 with the bearing receiving plate. This oil reservoir 19 contains lubricating oil 20 for bearings.

前記実施例の真空ポンプは1次の工うに運転され・、・
作用する。
The vacuum pump of the above embodiment is operated in the primary operation...
act.

モータ11により駆動軸14が回転駆動され。A drive shaft 14 is rotationally driven by the motor 11.

この駆動軸14によりポンプ機$7のロータ9が回転操
作嘔れるに伴い、吸気口5から吸い込まれた気体は、ス
テータ8とロータ9によって形成嘔れた流路内で順次圧
!!それ、排気路6t−通シ、排気口6′から大気近傍
に排出される。
As the rotor 9 of the pump machine 7 is rotated by the drive shaft 14, the gas sucked in from the intake port 5 is gradually pressured in the flow path formed by the stator 8 and rotor 9. ! It is discharged to the atmosphere from the exhaust passage 6t and the exhaust port 6'.

そして、前述しfc排気過程において、ロータ9が回転
している部分では気体は高温になるが、排気路6付近で
にポンプハウジング1のハウジング本体2と第2のエン
ドプレート4に熱が逃げるため、気体の温りは低下する
。このため、真空ポンプの吸気側が例えば半導体デバイ
スのアルミドライエツチング装置に連結筋れている場合
には、エツチング後の反厄生成物として塩化アルミニウ
ム(AtC6,)が生成てれる。
In the fc exhaust process mentioned above, the gas becomes high temperature in the part where the rotor 9 is rotating, but the heat escapes to the housing body 2 of the pump housing 1 and the second end plate 4 near the exhaust path 6. , the temperature of the gas decreases. For this reason, if the suction side of the vacuum pump is connected to, for example, an aluminum dry etching device for semiconductor devices, aluminum chloride (AtC6,) is produced as a reaction product after etching.

第3図はAtC15の蒸気圧線図である。FIG. 3 is a vapor pressure diagram of AtC15.

この第3図に示すように、kLcLsは大気圧付近では
約180C以下の温度で固体となるので。
As shown in Figure 3, kLcLs becomes solid at temperatures below about 180C near atmospheric pressure.

前記流路を通って米次反応生成物は、排気路6の内壁で
冷却芒れ、この内壁に付層する。
The reaction product passing through the flow path is cooled on the inner wall of the exhaust path 6 and forms a layer on the inner wall.

そこで、8導加熱手段の高岡am源18を通して発熱コ
イル17に高周波電流を流す。前記発熱コイル17に高
周波電流を流すと、磁力縁が発生し、その磁力縁によっ
て金f4表の排気路6の壁面に無数のうず[流が発生し
、金属には11L気抵抗が有るため発熱する。この発熱
コイル17による電磁誘導加熱によって排気路6が昇温
嘔れるため。
Therefore, a high frequency current is passed through the heating coil 17 through the Takaoka am source 18 of the 8-conductor heating means. When a high frequency current is passed through the heating coil 17, a magnetic edge is generated, and the magnetic edge generates countless eddies on the wall of the exhaust passage 6 of the metal F4 table, and heat is generated because the metal has 11L air resistance. do. This is because the temperature of the exhaust passage 6 increases due to electromagnetic induction heating by the heating coil 17.

前記付着物であるhtctsは気化する。したがって、
排気路6への反応生成物の付層が焦(なり。
The adhering substance, htcts, is vaporized. therefore,
The reaction product builds up in the exhaust path 6.

この反応生成物の付着による排気路6の閉塞を防止する
ことが可能となる。
It becomes possible to prevent the exhaust passage 6 from being blocked due to the adhesion of this reaction product.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明した本発明によれば、気体の排気路に誘導加熱
手段を設け、電磁誘導加熱によ#)、排気路壁面に付着
する反応生成物を気化する工うにしているので1反応生
成物の付層による排気路の閉塞を防止し得る効果がある
According to the present invention as described above, the induction heating means is provided in the gas exhaust passage, and the reaction products adhering to the exhaust passage wall are vaporized by electromagnetic induction heating. This has the effect of preventing clogging of the exhaust passage due to the layering.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の!−夾施例を示す縦断側面図。 第2図は第1図に示す*九例における要部の拡大断面図
、第3図はALCLsの蒸気圧扇回である。 1・・・ポンプハウジング、5・・・吸気口、6・・・
排気路。 61・・・排気口、7・・・ポンプ機構、10・・・モ
ータハウジング、11・・・モータ、14・・・駆動軸
、17・・・誘導加熱手段を構成している発熱コイル、
18・・・同じく^周波電源。
Figure 1 shows the features of the present invention! - Longitudinal side view showing a further example. FIG. 2 is an enlarged sectional view of the main part of the *9 example shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a vapor pressure fan circuit of ALCLs. 1...Pump housing, 5...Intake port, 6...
exhaust path. 61...Exhaust port, 7...Pump mechanism, 10...Motor housing, 11...Motor, 14...Drive shaft, 17...Heating coil forming induction heating means,
18...Same as ^ frequency power supply.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、モータにより駆動軸を介してポンプ機構のロータを
回転させ、ポンプハウジングに設けられた吸気口から気
体を吸い込み、前記ポンプ機構によりほぼ大気圧に加圧
し、その気体をポンプハウジングに設けられた排気路か
ら排気口を通じて大気に排出する真空ポンプにおいて、
前記排気路に誘導加熱手段を設けたことを特徴とする真
空ポンプ。
1. The rotor of the pump mechanism is rotated by the motor via the drive shaft, gas is sucked in through the intake port provided in the pump housing, the pump mechanism pressurizes the rotor to approximately atmospheric pressure, and the gas is transferred to the pump mechanism provided in the pump housing. In a vacuum pump that exhausts air from the exhaust path to the atmosphere through the exhaust port,
A vacuum pump characterized in that the exhaust path is provided with induction heating means.
JP9143988A 1988-04-15 1988-04-15 Vacuum pump Pending JPH01267391A (en)

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JP9143988A JPH01267391A (en) 1988-04-15 1988-04-15 Vacuum pump

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JP (1) JPH01267391A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0512691U (en) * 1991-07-24 1993-02-19 株式会社島津製作所 Turbo molecular pump
JP2002285991A (en) * 2001-03-27 2002-10-03 Boc Edwards Technologies Ltd Turbo molecular pump
EP2952743A4 (en) * 2013-01-31 2016-08-31 Edwards Japan Ltd VACUUM PUMP

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