JPH01263289A - 高純度無酸素銅の製造方法 - Google Patents
高純度無酸素銅の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高純度＠酸素銅とくに半導体チップとリード
フレームを接続するボンディングワイヤに使用して有用
な高純度無酸素鋼の製造方法に関するものである。
フレームを接続するボンディングワイヤに使用して有用
な高純度無酸素鋼の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子を樹脂封止し、これをパ
ッケージ内に収容したパッケージ型の半導体デバイスに
おいては、半導体チップ電極とリードフレームの間を接
続するためにボンディングワイヤが使用されている。
ッケージ内に収容したパッケージ型の半導体デバイスに
おいては、半導体チップ電極とリードフレームの間を接
続するためにボンディングワイヤが使用されている。
当初よりこのボンディングワイヤとしてはもっばら金が
主流を占めてきた。これは、金が金属中で最も化学的に
安定していること、大気中で酸化しないこと、展延性に
すぐれ樹脂封止した際のストレスに十分耐えるＲ械的強
度を有していること、導電性が高いことなど数々の長所
を有する上、−般に行なわれている熱圧着ボンディング
に最適な諸性質を有しているためである。
主流を占めてきた。これは、金が金属中で最も化学的に
安定していること、大気中で酸化しないこと、展延性に
すぐれ樹脂封止した際のストレスに十分耐えるＲ械的強
度を有していること、導電性が高いことなど数々の長所
を有する上、−般に行なわれている熱圧着ボンディング
に最適な諸性質を有しているためである。
しかし、金は資源的にみて少なく、高価なものであり、
半導体素子の生産量の飛躍的な増大と相俟って、これを
銅に置き換えようという気運が高まってきた。
半導体素子の生産量の飛躍的な増大と相俟って、これを
銅に置き換えようという気運が高まってきた。
銅は高い導電性を有し、機械的強度にもすぐれ、価格的
にも金に比べれば非常に低廉であって、胴に換えること
ができれば大きなメリットを発揮することかできる、し
かしながら、ボンディングワイヤとして使用するには、
ボンディング法に適当な性質を有していなければならな
いという制約がある。すなわち、ボンディングを行なう
には、ワイヤの先端を加熱溶融してボール状となし、こ
のボールに超音波と熱を加えつつ半導体チップ上に押圧
して圧着接続する方法がとられる。金線に代えて銅線を
ボンディングワイヤとして使用する上で最大の問題点と
されるものに、従来の銅線では前記溶融ボールが金線よ
りも硬くなるという問題がある。ボールが硬すぎると、
上記圧着接続させようとした際に、チップにクラックを
発生させるおそれが生ずる。
にも金に比べれば非常に低廉であって、胴に換えること
ができれば大きなメリットを発揮することかできる、し
かしながら、ボンディングワイヤとして使用するには、
ボンディング法に適当な性質を有していなければならな
いという制約がある。すなわち、ボンディングを行なう
には、ワイヤの先端を加熱溶融してボール状となし、こ
のボールに超音波と熱を加えつつ半導体チップ上に押圧
して圧着接続する方法がとられる。金線に代えて銅線を
ボンディングワイヤとして使用する上で最大の問題点と
されるものに、従来の銅線では前記溶融ボールが金線よ
りも硬くなるという問題がある。ボールが硬すぎると、
上記圧着接続させようとした際に、チップにクラックを
発生させるおそれが生ずる。
銅に限らず金属は一般にこれを高純度化することにより
軟かくすることができる。この故に、銅線をより一層高
純度化し、ボンデインワイヤとして使用可能な軟かさを
保有せしめようとする努力が払われてきた。
軟かくすることができる。この故に、銅線をより一層高
純度化し、ボンデインワイヤとして使用可能な軟かさを
保有せしめようとする努力が払われてきた。
金属を高純度化する技術としては、従来より電解精錬法
とゾーン精製法が知られている。
とゾーン精製法が知られている。
電解精錬法は、原料としての４Ａｉｌ材を陽極とし、こ
れを電解して陰極に析出させるものである。ｇ：Ｉとそ
の中に含まれている不純物とでは電気化学的な活性化エ
ネルギーに相違があり、これを利用して陰極銅を高純度
化するものである。
れを電解して陰極に析出させるものである。ｇ：Ｉとそ
の中に含まれている不純物とでは電気化学的な活性化エ
ネルギーに相違があり、これを利用して陰極銅を高純度
化するものである。
一方、ゾーン精製法は、銅を溶融させこれが凝固する際
に純度の高い部分がまず凝固し、不純物を含む部分が遅
く凝固する性質を利用するものであり、精製対象物の一
部帯域（ゾーン）のみを溶融させ、この溶融ゾーンをゆ
っくりと長手方向に移動してやることで、最後に凝固す
るところに不純物を濃縮し他の部分を高純度化しようと
するものである。
に純度の高い部分がまず凝固し、不純物を含む部分が遅
く凝固する性質を利用するものであり、精製対象物の一
部帯域（ゾーン）のみを溶融させ、この溶融ゾーンをゆ
っくりと長手方向に移動してやることで、最後に凝固す
るところに不純物を濃縮し他の部分を高純度化しようと
するものである。
［発明が解決しようとする課題］
上記電解精錬法あるいはゾーン精製法のいずれにおいて
も純度をより一層高めようとする場合には、その手法を
数回繰返すのが通常である。この繰返しにより、不純物
の含有量は減少し、金属の純度は高められる。しかしな
がら、不純物の浄化作用は回を重ねるにつれて鈍化する
。従って、経済性の点からいえばなるべく少い回数で高
い効果を上げることが望まれる。
も純度をより一層高めようとする場合には、その手法を
数回繰返すのが通常である。この繰返しにより、不純物
の含有量は減少し、金属の純度は高められる。しかしな
がら、不純物の浄化作用は回を重ねるにつれて鈍化する
。従って、経済性の点からいえばなるべく少い回数で高
い効果を上げることが望まれる。
高純疫痢中に含まれる不純物の大部分は、上記方法の繰
返しによりほぼ除去できるが、Ｓだけはなかなか除去し
切れない。
返しによりほぼ除去できるが、Ｓだけはなかなか除去し
切れない。
Ｓが不純物として残存していると、これをボンディング
ワイヤとして使用した場合、溶融ボールの表面にシェル
と呼ばれる異物層をつくる。このシェルが存在するとボ
ールが真球状とならず歪を生ずる。この結果、チップに
圧着させた際の接続の信頼性を損うことになるため、こ
のＳを除去し真球度の高いボールを形成させることが銅
ボンディングワイヤ開発の上での重要な課題とされてき
た。
ワイヤとして使用した場合、溶融ボールの表面にシェル
と呼ばれる異物層をつくる。このシェルが存在するとボ
ールが真球状とならず歪を生ずる。この結果、チップに
圧着させた際の接続の信頼性を損うことになるため、こ
のＳを除去し真球度の高いボールを形成させることが銅
ボンディングワイヤ開発の上での重要な課題とされてき
た。
しかしながら、上記シェル形成の原因となるＳは、上記
電解精錬によってもまたゾーン精製によっても、他の不
純物に比してその減少効果が最も低く、精製の必要回数
は不純物として含有しているＳの星によって決まるとさ
えいえる状況にある。
電解精錬によってもまたゾーン精製によっても、他の不
純物に比してその減少効果が最も低く、精製の必要回数
は不純物として含有しているＳの星によって決まるとさ
えいえる状況にある。
従って、コスト低減のためには、上記電解精錬に入る前
にＳをなんらかの形で除去し易い状態にしておき、上記
繰返し回数を低減できるようにすることが望まれる。
にＳをなんらかの形で除去し易い状態にしておき、上記
繰返し回数を低減できるようにすることが望まれる。
本発明は、上記したような実情にかんがみてなされたも
のであり、電解精錬あるいはゾーン精製により銅をきわ
めて高純度化するに当り、不純物中で最も除去し難かっ
たＳおよびそれに類似の性質を有する元素をより少い繰
返し回数で容易に除去し得る新規な製造方法を提供しよ
うとするものである。
のであり、電解精錬あるいはゾーン精製により銅をきわ
めて高純度化するに当り、不純物中で最も除去し難かっ
たＳおよびそれに類似の性質を有する元素をより少い繰
返し回数で容易に除去し得る新規な製造方法を提供しよ
うとするものである。
［課題を解決するための手段１
本発明は、原材料として不純物の含有量が１００００１
１以下の無酸素銅を使用し、当該無酸素銅にＳ、Ｓ（３
、Ａｓ 、Ｐと化合して化合物を生成し得る元素を添加
総量で２００００１１以下添加して母材を製造し、これ
を電解精錬し必要あらばゾーン精製するものである。
１以下の無酸素銅を使用し、当該無酸素銅にＳ、Ｓ（３
、Ａｓ 、Ｐと化合して化合物を生成し得る元素を添加
総量で２００００１１以下添加して母材を製造し、これ
を電解精錬し必要あらばゾーン精製するものである。
上記化合物を生成し得る元素としては、種々な元素が考
えられるが発明者の実験結果によれば、身近にあって比
較的入手し易く効果の大きい元素として、Ｔｉ 、Ｖ、
Ｚｒ 、Ｃａ 、ＭＯ、Ｂａ 。
えられるが発明者の実験結果によれば、身近にあって比
較的入手し易く効果の大きい元素として、Ｔｉ 、Ｖ、
Ｚｒ 、Ｃａ 、ＭＯ、Ｂａ 。
Ｌａ 、Ｓｒなどをあげることができる。
［作用］
上記化合物を生成し得る元素を電解精錬を行なう前の母
材に添加してやれば、これらの元素が原材料中のＳその
他これに類似の性質を有する元素と結合して例えばＭＳ
（Ｍは添加元素）なる化合物となって析出する。従っ
て、このような析出物に変化させておいて電解精錬を行
なえば、析出物は電解により容易に分離除去され、少い
繰返し回数によって容易に高純度化することができる。
材に添加してやれば、これらの元素が原材料中のＳその
他これに類似の性質を有する元素と結合して例えばＭＳ
（Ｍは添加元素）なる化合物となって析出する。従っ
て、このような析出物に変化させておいて電解精錬を行
なえば、析出物は電解により容易に分離除去され、少い
繰返し回数によって容易に高純度化することができる。
［実施例コ
以下に、本発明について実施例に基いて順次説明する。
電解用母材の原材料となる無酸素胴中には通常１０１１
ｐ１１程度のＳが不純物として存在している。
ｐ１１程度のＳが不純物として存在している。
これは、無酸素銅を製造する際の原材料となる電気銅に
由来するものであり、不純物は溶解時にスラグとして分
離除去されるものの、Ｓはどうしても残留する。
由来するものであり、不純物は溶解時にスラグとして分
離除去されるものの、Ｓはどうしても残留する。
このような無酸素銅に前記Ｓと化合物を生成し得る元素
を添加することで、含有Ｓを化合物として析出させ、つ
づく電解￥？＃煉により当該化合物を除去し得ることは
先に説明した通りである。しかしながら、このような化
合物を生成させるための元素は故意に添加するものであ
り、原材料となる無酸素銅中に含有される不純物が高け
れば、添加元素もその分多く添加せねばならず、結果的
に母材中に残存する不純物としての元素がそれだけ多く
なる。その結果、これらの不純物を除去するために電解
精錬の回数を多くせざるを得す、本発明が解決課題とす
る繰返し回数の低減に背くこととなる。
を添加することで、含有Ｓを化合物として析出させ、つ
づく電解￥？＃煉により当該化合物を除去し得ることは
先に説明した通りである。しかしながら、このような化
合物を生成させるための元素は故意に添加するものであ
り、原材料となる無酸素銅中に含有される不純物が高け
れば、添加元素もその分多く添加せねばならず、結果的
に母材中に残存する不純物としての元素がそれだけ多く
なる。その結果、これらの不純物を除去するために電解
精錬の回数を多くせざるを得す、本発明が解決課題とす
る繰返し回数の低減に背くこととなる。
実験結果によれば、上記のような問題の生ずるおそれの
ない原材料として、不純物の含有量が１０００１）１１
以下であるような比較的純度の高い無酸素銅を選択する
必要があることがわかった。
ない原材料として、不純物の含有量が１０００１）１１
以下であるような比較的純度の高い無酸素銅を選択する
必要があることがわかった。
このような無酸素銅を原材料とし、これになかんずくＳ
とそしてまた当該Ｓと類似の性質を有するＳｅ 、Ａｓ
、Ｐと化合物を生成し得る元素を添加し、前記Ｓ等と
結合させて化合物として析出させる。
とそしてまた当該Ｓと類似の性質を有するＳｅ 、Ａｓ
、Ｐと化合物を生成し得る元素を添加し、前記Ｓ等と
結合させて化合物として析出させる。
本発明においては、上記添加元素は、Ｓ等との化合物を
形成し易いことは勿論であるが、化合物を生成せずに元
素として残存した場合に、つづく電解精錬あるいはゾー
ンＮ！！！において除去し易いことが前提となる。
形成し易いことは勿論であるが、化合物を生成せずに元
素として残存した場合に、つづく電解精錬あるいはゾー
ンＮ！！！において除去し易いことが前提となる。
そのような元素として、種々な実験を行なった結果、Ｔ
ｒ 、ｖ、 Ｎｂ 、ｚｒ 、ｃａ 、Ｍ（Ｊ 、Ｂａ
。
ｒ 、ｖ、 Ｎｂ 、ｚｒ 、ｃａ 、Ｍ（Ｊ 、Ｂａ
。
Ｌａ 、Ｓｒなどが適当であること、とくにＳの除去効
果の上からすると、Ｔ ｉが適当であることもわかった
。しかし、これらの添加元素の添加量については、悪影
響の最も大きいＳのみを対象とすることなく、同時にこ
れらの添加元素と反応し化合物を生成するＳｅ 、ＡＳ
、Ｐの含有量をも考慮し、これらＳ以外の不純物によ
って消費される分をも加重した添加量を選択する必要が
ある。さらに、上記添加元素は１種類のみでなく複数元
素を同時添加しても差支えはないのである。
果の上からすると、Ｔ ｉが適当であることもわかった
。しかし、これらの添加元素の添加量については、悪影
響の最も大きいＳのみを対象とすることなく、同時にこ
れらの添加元素と反応し化合物を生成するＳｅ 、ＡＳ
、Ｐの含有量をも考慮し、これらＳ以外の不純物によ
って消費される分をも加重した添加量を選択する必要が
ある。さらに、上記添加元素は１種類のみでなく複数元
素を同時添加しても差支えはないのである。
金属中の不純物元素は、これが単体で固溶していればそ
の金属の導電率を低下させる。しかして、添加元素の添
加により金属マトリックス中の不純物がこれと化合し、
化合物として析出すれば金属マトリックスは浄化され、
導電率が向上する。そして、不純物と添加物の添加量と
が均衡し、過不足なく化合物を生成したとき導電率は最
大値を示ず、さらに添加量を増せば、過剰に添加された
添加元素が逆にマトリックス中に残存し再び導電率は低
下を示す。
の金属の導電率を低下させる。しかして、添加元素の添
加により金属マトリックス中の不純物がこれと化合し、
化合物として析出すれば金属マトリックスは浄化され、
導電率が向上する。そして、不純物と添加物の添加量と
が均衡し、過不足なく化合物を生成したとき導電率は最
大値を示ず、さらに添加量を増せば、過剰に添加された
添加元素が逆にマトリックス中に残存し再び導電率は低
下を示す。
上記のようにして、導電率の変化を観察することにより
、添加元素のｉａ添加量を知ることができる。このよう
にして添加元素の添加量について種々な実験を行なった
結果によれば、添加元素により差はあるが、最大添加量
として総量で２００ ＋）Ｉ）１以下に止めることが望
ましいことも確認できた。
、添加元素のｉａ添加量を知ることができる。このよう
にして添加元素の添加量について種々な実験を行なった
結果によれば、添加元素により差はあるが、最大添加量
として総量で２００ ＋）Ｉ）１以下に止めることが望
ましいことも確認できた。
つぎに、具体的な４■成による実験結果を説明し、本発
明の効用について明らかにする。
明の効用について明らかにする。
第１表に示す組成の無酸素銅を原材料とし、これに添加
元素としてＴ１を１０．２０，３０゜５０．１０００Ｏ
Ｒ添加したものおよびＴ ｉ無添加のもの３１６通りの
試料を用意した。
元素としてＴ１を１０．２０，３０゜５０．１０００Ｏ
Ｒ添加したものおよびＴ ｉ無添加のもの３１６通りの
試料を用意した。
高周波誘導加熱による真空溶解炉を用い、上記第１表の
無酸素銅を黒ＩＨするつぼ内で再溶解し、この再溶解し
た時点でＣｕ−１５重量％１゛ｉの母合金を添加し、無
酸素銅ベース母材を製造した。
無酸素銅を黒ＩＨするつぼ内で再溶解し、この再溶解し
た時点でＣｕ−１５重量％１゛ｉの母合金を添加し、無
酸素銅ベース母材を製造した。
溶解後、重量的５ ｋｇの溶湯を鋳型に鋳造し、３００
１１１１１’Ｘ２００關ｖ×１０關ｔの板状インゴット
とした。
１１１１１’Ｘ２００關ｖ×１０關ｔの板状インゴット
とした。
各インゴットより１０關ｖ×１０市’ Ｘ２００Ｂ１の
角材を切出し、これを線引き加工して２市径の線材とし
、５００°ＣＸ３（Ｄｉｎの焼鈍を行なって導電率測定
用サンプルとした。
角材を切出し、これを線引き加工して２市径の線材とし
、５００°ＣＸ３（Ｄｉｎの焼鈍を行なって導電率測定
用サンプルとした。
残りの各インゴットは、電解精錬を行ない、Ｓ濃度が０
．５＋１１）１ｍ以下となるまで再電解を繰返した。電
解液は硫酸系のものを使用し、再電解の度に新しい液と
交換した。
．５＋１１）１ｍ以下となるまで再電解を繰返した。電
解液は硫酸系のものを使用し、再電解の度に新しい液と
交換した。
第 １ 表
第１図は、Ｓｉ度が０．５０Ｄｒａ以下になるよでの電
解回数とＴ１添加呈との関係を示す線図である。
解回数とＴ１添加呈との関係を示す線図である。
図よりわかるように、′■゛１を２０ ｔ）０１以上添
加した試料では１回の電解精錬によりいずれもＳが０．
５００偵以下となるまで除去できたのに対し、′「１の
添加量が１０１）ｌ）ｌの試料では２回の電解を要した
。しかし、Ｔｉ添加をしなかった試料では、４回の電解
を行なってようやく分析下限に近づけることができたの
であり、Ｔｉ添加の効果は明白である。
加した試料では１回の電解精錬によりいずれもＳが０．
５００偵以下となるまで除去できたのに対し、′「１の
添加量が１０１）ｌ）ｌの試料では２回の電解を要した
。しかし、Ｔｉ添加をしなかった試料では、４回の電解
を行なってようやく分析下限に近づけることができたの
であり、Ｔｉ添加の効果は明白である。
また、第２図は、添加したＴ１が電解により除去される
様子を示す線図であり、Ｔｉ添加が多い１００１）Ｈの
試料でＴＩ濃度が分析下限以下まで低減するのに２回の
電解を要しているが、他の試料では上記Ｓの除去に効果
のあった１回の電解ですべて分析下限以下にまで低減し
得ることがわかる。すなわち、添加した］１は電解によ
ってＳと共に十分に除去され、素材中に残存して後のボ
ンディングにおいて悪影響を与えるおそれのないことが
よくわかるのである。
様子を示す線図であり、Ｔｉ添加が多い１００１）Ｈの
試料でＴＩ濃度が分析下限以下まで低減するのに２回の
電解を要しているが、他の試料では上記Ｓの除去に効果
のあった１回の電解ですべて分析下限以下にまで低減し
得ることがわかる。すなわち、添加した］１は電解によ
ってＳと共に十分に除去され、素材中に残存して後のボ
ンディングにおいて悪影響を与えるおそれのないことが
よくわかるのである。
このように添加元素が除去されるのは、化合物が電解精
錬の際に分離し沈澱除去されるほかに、添加元素がマト
リックスの銅に比べてイオン化傾向が高いため、銅イオ
ンのみが選択的に析出し添加元素はイオンのまま残存除
去されるためと考えられる。
錬の際に分離し沈澱除去されるほかに、添加元素がマト
リックスの銅に比べてイオン化傾向が高いため、銅イオ
ンのみが選択的に析出し添加元素はイオンのまま残存除
去されるためと考えられる。
上記電解を行なった材イ１をさらに高純度化するために
ゾーン精製を行なった。
ゾーン精製を行なった。
電解工程を終了した材料を水洗し真空乾燥の後、材料中
に残留したガス成分等を除くことと、ゾーン精製炉に適
した寸法に形成するため真空溶解し、２０＋ｗｍ’ Ｘ
２０ｎｍｅ Ｘ２００ｍ−のインゴットを製造した。こ
のインゴットを用い、１０４Ｔｏｒｒの真空中で黒鉛製
のボートに入れ、高周波誘導により帯域加熱しな、溶融
帯の巾は約２５ｍｔｒ、溶融帯の移動速度は１＋ｗｉ＋
／ｌ１ｉｎに設定した。上記によってゾーン精製を５バ
ス行なった後、凝固した材ｆｔの全長を５等分し、各部
位の中央部分をｒ（Ｊ ５１’ｎ１ｌｌに切り出してＳ
およびＴＩの濃度分析を行なった。
に残留したガス成分等を除くことと、ゾーン精製炉に適
した寸法に形成するため真空溶解し、２０＋ｗｍ’ Ｘ
２０ｎｍｅ Ｘ２００ｍ−のインゴットを製造した。こ
のインゴットを用い、１０４Ｔｏｒｒの真空中で黒鉛製
のボートに入れ、高周波誘導により帯域加熱しな、溶融
帯の巾は約２５ｍｔｒ、溶融帯の移動速度は１＋ｗｉ＋
／ｌ１ｉｎに設定した。上記によってゾーン精製を５バ
ス行なった後、凝固した材ｆｔの全長を５等分し、各部
位の中央部分をｒ（Ｊ ５１’ｎ１ｌｌに切り出してＳ
およびＴＩの濃度分析を行なった。
第３図は上記によりＳ濃度を分析した結果を、まな第４
図はＴ ｉ濃度を分析した結果をそれぞれ示す線図であ
り、各ブロワｌ−記号は先の第１および２図に示したも
のと同じである。なお、各元素の分析下限を下廻る値で
ある場合にはプロットの記入は省略しである。
図はＴ ｉ濃度を分析した結果をそれぞれ示す線図であ
り、各ブロワｌ−記号は先の第１および２図に示したも
のと同じである。なお、各元素の分析下限を下廻る値で
ある場合にはプロットの記入は省略しである。
これらの図により、Ｓに関しては電解前に１゛１を１０
００Ｉｎ添加したものと、添加しなかったものでわずか
に残留が認められるものの、１゛１２０ｐｐ１１以上の
添加では少くとも全長の７０％においてＳか分析下限の
０．２１）Ｉｌｌ以下となっており、脱硫効果のきわめ
て高いことがわかる。また１゛１に関しても１００ Ｄ
Ｉ）１１と多量に添加したちの以外は少くとも全長の９
０％において分析下限である０、６ｐｐｎ以下にあり、
残留１゛ｉが問題となるおそれのないことがわかる。
００Ｉｎ添加したものと、添加しなかったものでわずか
に残留が認められるものの、１゛１２０ｐｐ１１以上の
添加では少くとも全長の７０％においてＳか分析下限の
０．２１）Ｉｌｌ以下となっており、脱硫効果のきわめ
て高いことがわかる。また１゛１に関しても１００ Ｄ
Ｉ）１１と多量に添加したちの以外は少くとも全長の９
０％において分析下限である０、６ｐｐｎ以下にあり、
残留１゛ｉが問題となるおそれのないことがわかる。
第５図は′ｒ１添加量と導電率の関係をプロットした線
図である。これによれば、添加量２００ｐ１にピークが
あり、この付近にマトリックス浄化効果の最大値がある
ことがわかる。しかし、Ｔ１を過剰に添加してもその後
の電解あるいはゾーン精製により除去し得ることは、す
でに説明した通りである。しかし、余りにも過剰な添加
をすれば除去し切れずに残存するおそれかあり、総添加
最において２００１）Ｉｌｌを越えないことが必要であ
ることも種々な実験により確認できた。
図である。これによれば、添加量２００ｐ１にピークが
あり、この付近にマトリックス浄化効果の最大値がある
ことがわかる。しかし、Ｔ１を過剰に添加してもその後
の電解あるいはゾーン精製により除去し得ることは、す
でに説明した通りである。しかし、余りにも過剰な添加
をすれば除去し切れずに残存するおそれかあり、総添加
最において２００１）Ｉｌｌを越えないことが必要であ
ることも種々な実験により確認できた。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、無酸素胴中の不純物とく
に従来除去が困難であったＳを効率よく除去することか
できるものであり、それによって銅を高純度化し、ボン
ディングワイヤとして使用可能ならしめるものであり、
その工業上に及ぼす意義はまことに大きなものがある。
に従来除去が困難であったＳを効率よく除去することか
できるものであり、それによって銅を高純度化し、ボン
ディングワイヤとして使用可能ならしめるものであり、
その工業上に及ぼす意義はまことに大きなものがある。
第１図はＴ１添加量とＳの除去効果を示す線図、第２図
は電解精錬における′ｒ゛１の残存状況を示す線図、第
３および４図はゾーン精製後のＳおよびｉ’ ｉの分布
状況を示す線図、第５図はＴ１添加量と導電率の関係を
示す線図である。 代理人 弁理士 佐 藤 不二雄 第１図 ２ ３ 番 室針ｇ欽 （ロ） 第２図 ０２ゴ４゜ 奄解口数 （ＥＪ） 第３図 １４図 ０１０ ＪＯ１６７０９０ｏ１０５０ ５０ ７１１
９６蚤さ（％ ） 長之
（外）第５図
は電解精錬における′ｒ゛１の残存状況を示す線図、第
３および４図はゾーン精製後のＳおよびｉ’ ｉの分布
状況を示す線図、第５図はＴ１添加量と導電率の関係を
示す線図である。 代理人 弁理士 佐 藤 不二雄 第１図 ２ ３ 番 室針ｇ欽 （ロ） 第２図 ０２ゴ４゜ 奄解口数 （ＥＪ） 第３図 １４図 ０１０ ＪＯ１６７０９０ｏ１０５０ ５０ ７１１
９６蚤さ（％ ） 長之
（外）第５図
Claims (3)
- （１）不純物の含有量が１００ｐｐｍ以下である無酸素
銅にＳ、Ｓｅ、Ａｓ、Ｐと化合して化合物を生成し得る
元素を添加総量で２００ｐｐｍ以下添加して母材を製造
し、ついでこれを電解精錬する高純度無酸素銅の製造方
法。 - （２）添加元素がＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｂａ、Ｌａ、Ｓｒのいずれか１またはその複数である請
求項１記載の製造方法。 - （３）電解精錬を行なったのち、さらにゾーン精製を行
なう請求項１または２記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63090572A JPH01263289A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 高純度無酸素銅の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63090572A JPH01263289A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 高純度無酸素銅の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01263289A true JPH01263289A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=14002139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63090572A Pending JPH01263289A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 高純度無酸素銅の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01263289A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10236272B2 (en) | 2015-05-26 | 2019-03-19 | Nippon Micrometal Corporation | Cu alloy core bonding wire with Pd coating for semiconductor device |
| CN110241326A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-09-17 | 中南大学 | 合金化无氧铜及其制备方法 |
| CN112322924A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-02-05 | 中南大学 | 一种无氧铜、制备方法及应用 |
| CN116837422A (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-03 | 扬中凯悦铜材有限公司 | 一种高纯无氧铜材的生产工艺及系统 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP63090572A patent/JPH01263289A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10236272B2 (en) | 2015-05-26 | 2019-03-19 | Nippon Micrometal Corporation | Cu alloy core bonding wire with Pd coating for semiconductor device |
| US10497663B2 (en) | 2015-05-26 | 2019-12-03 | Nippon Micrometal Corporation | Cu alloy core bonding wire with Pd coating for semiconductor device |
| US10672733B2 (en) | 2015-05-26 | 2020-06-02 | Nippon Micrometal Corporation | Cu alloy core bonding wire with Pd coating for semiconductor device |
| CN110241326A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-09-17 | 中南大学 | 合金化无氧铜及其制备方法 |
| CN112322924A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-02-05 | 中南大学 | 一种无氧铜、制备方法及应用 |
| CN116837422A (zh) * | 2023-07-24 | 2023-10-03 | 扬中凯悦铜材有限公司 | 一种高纯无氧铜材的生产工艺及系统 |
| CN116837422B (zh) * | 2023-07-24 | 2024-01-26 | 扬中凯悦铜材有限公司 | 一种高纯无氧铜材的生产工艺及系统 |
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