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JPH01252667A - 帯電防止性組成物 - Google Patents

帯電防止性組成物

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Publication number
JPH01252667A
JPH01252667A JP63080455A JP8045588A JPH01252667A JP H01252667 A JPH01252667 A JP H01252667A JP 63080455 A JP63080455 A JP 63080455A JP 8045588 A JP8045588 A JP 8045588A JP H01252667 A JPH01252667 A JP H01252667A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
antistatic
semiconductor device
composition
resins
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63080455A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Inaba
稲葉 洋志
Teru Okunoyama
奥野山 輝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Corp filed Critical Toshiba Chemical Corp
Priority to JP63080455A priority Critical patent/JPH01252667A/ja
Publication of JPH01252667A publication Critical patent/JPH01252667A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置の封止樹脂表面に被覆形成する半
導体装置被覆用の帯電防止性組成物に関する。
(従来の技術) 従来、樹脂封止型半導体装置は、第2図に示したように
、半導体素子12が接着剤16を介してリードフレーム
の半導体素子搭載部11に裕載され、半導体素子12の
電極とリードフレームのリード端子13とがボンディン
グワイヤー14によって電気的に接続され、半4体素子
12と、ボンディングワイヤー14と、リード端子13
の一部とはトランスファー成形をした封止樹脂15によ
って、半導体素子12を外部雰囲気から保護するような
@造が採られている。
(発明が解決しようとする課題) このような構造の樹脂封止型半導体装置は、静電気等の
外部からの微弱電流によって半導体装置内部の半導体素
子が破壊されるという欠点がある。
また、トランスファー成形で封止した半導体装置表面は
、成形の後工程で傷がつき商品価値が低下するなどの欠
点があった。
本発明は上記の欠点を解消するためになされたもので、
静電気等の外部からの微弱電流によっても半導体素子が
破壊されずに、かつ半導体製造の後半工程において、傷
がつき商品価値が低下することのないような半導体装置
被覆用の帯電防止性組成物を提供しようとするものであ
る。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明者らは、上記の欠点を解決しようと種々検討を行
った結果、帯電防止剤を配合した樹脂組成物を被覆すれ
ば、上記目的が達成されることを見いだし、本発明を完
成させたものである。 すなわち、本発明は、 有機樹脂100重量部に対し、帯電防止剤0.1〜20
重量部配合したことを特徴とする半導体用の帯電防止性
組成物である。
本発明に用いる有機樹脂としては、エポキシ樹脂、アク
リル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシアクリレ
ート樹脂、ポリイミド樹脂等の熱又は電子線によって硬
化する樹脂やポリフェニレンサルファイド樹脂等の耐熱
性の高い熱可塑性樹脂等が挙げられ、これらは単独もし
くは2種以上混合して使用することができる。 熱硬化
の場合G二角虫媒としてイミダゾール、メラミン、パー
オキサイド等を使用することができるが、用いるベース
樹脂の種類によって触媒を選択することが必要である。
 同様に電子線(光)で硬化する場合の触媒としては、
2−エチルアントラキノン、アセトフェノン、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ホスホニウム塩系等を、使用するベ
ース樹脂によって選択することが必要である。
本発明に用いる帯電防止剤としては、従来、プラスチッ
ク、繊維、紙等に使用されているものをそのまま使用す
ることができ、特に限定されるものではない。 帯電防
止剤としては、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポ
リオキシエチレンアルキルアミド、ポリオキシエチレン
アルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニ
ルエーテル、グリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂
肪酸エステル等の非イオン系の帯電防止剤、アルキルス
ルホネート、アルキルベンゼンスルホネート、アルキル
サルフェート、アルキルホスフェート等のアニオン系の
帯電防止剤、第4級アンモニウムクロライド、第4級ア
ンモニウムサルフェート、第4級アンモニウムナイトレ
ート等のカチオン系の帯電防止剤、アルキルベタイン型
、アルキルイミダシリン型、アルキルアラニン型等の両
性系の帯電防止剤、ポリビニルベンジル型カチオン、ポ
リアクリル酸型カチオン等の導電性樹脂帯電防止剤等が
挙げられる。 これらのうち工業的に生産されている帯
電防止剤としては、エレクトロストリッパーN、エレク
トロストリッパーK、アルヒトール24B(花王アトラ
ス社製、商品名)、デートロンN、ナイスポールTF−
27、ナイスポールTF−53(日華化学工業社製、商
品名)、プリオンに−5、プリオンA−01,プリオン
A−160(竹本油脂社製、商品名) 、 Texno
lR2、Newco120、Newcol 40、Ne
vcolloooFCP<日本乳化剤社製、商品名)、
ニューニレガンA S K ’(日本油脂社製、商品名
)等が挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混合し
て使用することができる。 帯電防止剤の配合割合は、
有機樹脂100重量部に対して0.1〜20重量部を配
合する。 より好ましくは、0.2〜10重量部である
。 帯電防止剤の配合割合が0,1重量部未満では十分
な帯電防止効果を得ることができず、また20重量部を
超えると有機樹脂の反応性を低下させ好ましくない。
本発明の帯電防止性組成物は粘度調整用とじて各種の溶
剤を使用することができる。 例えば、ブチルセロソル
ブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、
ブチルカルピトールアセテート、ブチルカルピトール、
N−メチルピロリドン等が挙げられ、これらは単独もし
くは2種以上混合して使用することができる。 また、
無ン容剤型にするには、使用するベース樹脂に応じてモ
ノマーを選定使用することができる。
さらに、本発明の主旨に反しない限度において、必要に
応じて組成物の作業性を調整するために、シリカ粉末、
炭酸カルシウム等の無機フィラーを添加配合することも
できる。
本発明の帯電防止性組成物は、以上の前述した各成分を
配合し、デイスパー等によって均一に分散して容易に製
造することができる。 こうして得られた組成物をスク
リーン、ロールコータ−等によって塗布した後、数秒か
ら数時間熱又は電子線によって硬化されることができる
が、熱硬化では150°Cで1時間オーブン硬化、電子
線では80W/C1l、  1〜3灯で10〜20秒紫
外線硬化することが好ましい。
(作用) 半導体装置に帯電防止性組成物を被覆したことによって
、帯電防止効果によってゴミ等の付着や静電気から半導
体素子を保護することができるし、また封止後の損傷を
防止することができる。
(実施例) 次に本発明を実施例によって説明する。
実施例 1 エポキシ樹脂95重量部、硬化触媒イミダゾール5重量
部、帯電防止剤ニューニレガンASK (日本油脂社製
、商品名)1重量部、およびシリカ粉末10重量部をデ
イスパーによって分散させて帯電防止性組成物を製造し
た。 この組成物を第1図に示したように樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂表面に塗布硬化させた。 この樹脂
封止型半導体装置は、半導体素子2が接着剤7を介して
リードフレーム搭載部1に搭載され、リードフレームの
リード端子3と電極とがボンディングワイヤー4で接続
され、それらは封止樹脂5によって封止されでいる。 
封止樹脂5の表面に帯電防止性組成物6が被覆されてい
る。 この樹脂封止型半導体装置について、表面抵抗値
による帯電防止効果および封止後の損傷試験を行ったの
で、その結果を第1表に示した。 本発明の組成物を塗
布した半導体装置は、帯電防止効果がよく、損傷もなく
、本発明の効果が確認できた。
実施例 2〜5 第1表に示した組成によって実施例1と同様にして帯電
防止性組成物をつくり、樹脂封止型半導体装置の封止樹
脂表面に塗布硬化させ、また実施例1と同様に特性試験
を行ったので、その結果を第1表にしな、 いずれも本
発明の効果を確認することができた。
比較例 1 第1表に示した組成によって樹脂組成物をつくり、以下
実施例1と同様にして半導体装置の封止樹脂表面に塗布
硬化させ、また同様に試験を行ったので、その結果を第
1表に示しな。
「発明の効果コ 以上の説明および第1表から明らかなように、本発明の
帯電防止性組成物は、優れた帯電防止効果を有するため
、これを塗布することによって、静電気等の外部からの
微弱電流による半導体素子の破壊を防止し、封止後の後
工程による傷を防止することができ商品価値の低下を防
ぐことができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の組成物を被覆形成した樹脂封止型半導
体装置の断面図、第2図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図である。 1.11・・・半導体素子搭載部、 2.12・・・半
導体素子、 3.13・・・リード端子、 4,14・
・・ボンディングワイヤ、 5,15・・・封止樹脂、
6・・・帯電防止性組成物、 7.16・・・接着剤。 特許出願人 東芝ケミカル株式会社 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 有機樹脂100重量部に対し、帯電防止剤0.1〜
    20重量部を配合することを特徴とする半導体装置被覆
    用の帯電防止性組成物。
JP63080455A 1988-04-01 1988-04-01 帯電防止性組成物 Pending JPH01252667A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0536147A1 (en) * 1990-06-25 1993-04-14 Dow Chemical Co ANTISTATIC POLYOLEFINE FOAMS AND FILMS AND METHOD FOR PRODUCING THE FOAM AND THE ANTISTATIC COMPOSITION.
EP0971000A1 (en) * 1997-03-25 2000-01-12 Tokyo Electron Limited Electronic/electric components used in clean room and substrate treatment apparatus
JP2012186634A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Murata Mfg Co Ltd 電子部品

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50740A (ja) * 1973-05-02 1975-01-07
JPS5437A (en) * 1977-06-03 1979-01-05 Kohkoku Chem Ind Antistatic coating composition
JPS5578072A (en) * 1978-12-05 1980-06-12 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Antistatic corrosion-resistant paint
JPS6041051B2 (ja) * 1975-11-03 1985-09-13 リサ−チ コ−ポレ−シヨン 腸の固有運動性制御用ペプチド
JPS6131476A (ja) * 1984-07-20 1986-02-13 Sekisui Chem Co Ltd 導電性塗料組成物
JPS62112670A (ja) * 1985-11-11 1987-05-23 Fujikura Ltd 導電性紫外線硬化塗料

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50740A (ja) * 1973-05-02 1975-01-07
JPS6041051B2 (ja) * 1975-11-03 1985-09-13 リサ−チ コ−ポレ−シヨン 腸の固有運動性制御用ペプチド
JPS5437A (en) * 1977-06-03 1979-01-05 Kohkoku Chem Ind Antistatic coating composition
JPS5578072A (en) * 1978-12-05 1980-06-12 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Antistatic corrosion-resistant paint
JPS6131476A (ja) * 1984-07-20 1986-02-13 Sekisui Chem Co Ltd 導電性塗料組成物
JPS62112670A (ja) * 1985-11-11 1987-05-23 Fujikura Ltd 導電性紫外線硬化塗料

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0536147A1 (en) * 1990-06-25 1993-04-14 Dow Chemical Co ANTISTATIC POLYOLEFINE FOAMS AND FILMS AND METHOD FOR PRODUCING THE FOAM AND THE ANTISTATIC COMPOSITION.
EP0971000A1 (en) * 1997-03-25 2000-01-12 Tokyo Electron Limited Electronic/electric components used in clean room and substrate treatment apparatus
EP0971000A4 (en) * 1997-03-25 2000-07-19 Tokyo Electron Ltd ELECTRONIC / ELECTRICAL COMPONENTS FOR USE IN CLEANROOM AND DEVICE FOR TREATING SUBSTRATES
US6337365B1 (en) 1997-03-25 2002-01-08 Tokyo Electron Limited Electronic/electric components used in clean room and substrate treatment apparatus
JP2012186634A (ja) * 2011-03-04 2012-09-27 Murata Mfg Co Ltd 電子部品

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