JPH01246529A - 導波型光スイッチ - Google Patents
導波型光スイッチInfo
- Publication number
- JPH01246529A JPH01246529A JP7571888A JP7571888A JPH01246529A JP H01246529 A JPH01246529 A JP H01246529A JP 7571888 A JP7571888 A JP 7571888A JP 7571888 A JP7571888 A JP 7571888A JP H01246529 A JPH01246529 A JP H01246529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguides
- waveguide
- wave
- optical switch
- electrodes
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気光学結晶基板の導波路中を伝搬する光の
進行方向を電気的に制御する導波型光スイッチに関する
ものである。
進行方向を電気的に制御する導波型光スイッチに関する
ものである。
導波型光スイッチは、例えば光交換器等の構成エレメン
トとして期待されているが、Li Nb 03 にオブ
酸リチウム)異方性結晶等の電気光学結晶基板は偏光状
態に応じて屈折率が異なるという特性を有しており、こ
のことがシステム適用上の制約となっている。そこで、
Li Nb O3異方性結晶の開光依存性をなくするこ
とが重要な課題となっており、これに関する種々の提案
がなきれている。
トとして期待されているが、Li Nb 03 にオブ
酸リチウム)異方性結晶等の電気光学結晶基板は偏光状
態に応じて屈折率が異なるという特性を有しており、こ
のことがシステム適用上の制約となっている。そこで、
Li Nb O3異方性結晶の開光依存性をなくするこ
とが重要な課題となっており、これに関する種々の提案
がなきれている。
第2図は斯かる提案の一例を示すもので、昭和62年電
子情報通信学会半導体・材料部門全国大会の講演論文集
、分冊2.2−140頁(昭和62年11月15日発行
)に記載された導波型光スイッチを概略的に示す構成図
である。
子情報通信学会半導体・材料部門全国大会の講演論文集
、分冊2.2−140頁(昭和62年11月15日発行
)に記載された導波型光スイッチを概略的に示す構成図
である。
同図(a)に示されるものはZ板方向性結合型であり、
Li Nb o3結晶板1のZ板上に2本の導波路2.
3を並置し、この導波路2,3直上位置にそれぞれ電極
4.5を形成している。このようにL i N b O
3結晶板1のZ板上に導波路を形成し、Z方向に電界を
印加した場合には、TE波及びTM波に対しての屈折率
がそれぞれ電気光学定数r 及びr13”ijは三方晶
系の一軸性電気光学結晶における電気光学定数マトリク
ス中の定数を示す)に応じて変化し、r33は’13の
3倍程度大きい。そこで、ここでは、導波路2.3を形
成する際のTi(チタン)拡散濃度、導波路パターン幅
及び拡散条件を選択してTE (Traverse
Electric)波、TM(Traverse M
agnetic)波に対する結合長の一致を図っている
。
Li Nb o3結晶板1のZ板上に2本の導波路2.
3を並置し、この導波路2,3直上位置にそれぞれ電極
4.5を形成している。このようにL i N b O
3結晶板1のZ板上に導波路を形成し、Z方向に電界を
印加した場合には、TE波及びTM波に対しての屈折率
がそれぞれ電気光学定数r 及びr13”ijは三方晶
系の一軸性電気光学結晶における電気光学定数マトリク
ス中の定数を示す)に応じて変化し、r33は’13の
3倍程度大きい。そこで、ここでは、導波路2.3を形
成する際のTi(チタン)拡散濃度、導波路パターン幅
及び拡散条件を選択してTE (Traverse
Electric)波、TM(Traverse M
agnetic)波に対する結合長の一致を図っている
。
また、同図(b)に示されるものはYviZ軸伝搬方向
性結合型であり、LiNbO3結晶板1のY板上に導波
路2.3を並置し、この導波路2゜3直上位置にそれぞ
れ電極4.5を形成している。
性結合型であり、LiNbO3結晶板1のY板上に導波
路2.3を並置し、この導波路2゜3直上位置にそれぞ
れ電極4.5を形成している。
このように、Y板上に導波路を形成しZ軸伝撮方位を採
用することによりTE波、TM波に対する結合長を一致
させることができる。従って、この場合には、電極4.
5に電圧を印加しない状態で対角方向の入出力ボートが
つながる(入力ボート2a (3a)と出カポ−1−3
b(2b))クロス状態が得られるような作製条件を容
易に調整できる。そして、電極4.5に電圧を印加した
状態で同一導波路の入出力ボートがつながるバー状態が
得られる。これは、導波路の屈折率が電気光学効果r2
゜と印加電界強度とに応じて変化し、屈折率変化の符号
は印加電界の方向によって変化するために生ずる。ここ
では、T’E波(図でX方向の偏波)及びTM波(図で
Y方向の偏波)は、互いに逆の極性で等しい大きさの屈
折率変化を感じるので、偏光に依存せず動作が行える。
用することによりTE波、TM波に対する結合長を一致
させることができる。従って、この場合には、電極4.
5に電圧を印加しない状態で対角方向の入出力ボートが
つながる(入力ボート2a (3a)と出カポ−1−3
b(2b))クロス状態が得られるような作製条件を容
易に調整できる。そして、電極4.5に電圧を印加した
状態で同一導波路の入出力ボートがつながるバー状態が
得られる。これは、導波路の屈折率が電気光学効果r2
゜と印加電界強度とに応じて変化し、屈折率変化の符号
は印加電界の方向によって変化するために生ずる。ここ
では、T’E波(図でX方向の偏波)及びTM波(図で
Y方向の偏波)は、互いに逆の極性で等しい大きさの屈
折率変化を感じるので、偏光に依存せず動作が行える。
しかしながら、上記従来例におけるZ板方向性結合型の
場合には、作製条件の選択によりTE波、TM波に対す
る結合長の一致を図る必要があり、この作製条件が厳し
いために、製作上の困難性を伴うという問題があった。
場合には、作製条件の選択によりTE波、TM波に対す
る結合長の一致を図る必要があり、この作製条件が厳し
いために、製作上の困難性を伴うという問題があった。
一方、上記従来例におけるY板Z軸伝撤方向性結合型の
場合には、1゛E波、TM波に対する結合長が一致して
いるので製作条件の厳しさはない。
場合には、1゛E波、TM波に対する結合長が一致して
いるので製作条件の厳しさはない。
しかし、Y板上にTi拡散により導波路を形成した場合
には、Tiが結晶の厚み方向だけではなく、結晶表面に
沿って拡散するサイドデイフュージョンか生じる問題が
ある。このサイドデイフュージョンによる影響をなくす
るためには、Y板上にTiを全面拡散し、その後イオン
交換により屈折率を減少させて導波路を形成しなくては
ならず、このため導波路の作製工程が複雑になるという
問題があった。
には、Tiが結晶の厚み方向だけではなく、結晶表面に
沿って拡散するサイドデイフュージョンか生じる問題が
ある。このサイドデイフュージョンによる影響をなくす
るためには、Y板上にTiを全面拡散し、その後イオン
交換により屈折率を減少させて導波路を形成しなくては
ならず、このため導波路の作製工程が複雑になるという
問題があった。
また、TE波及びTM波に対する結合長が一致するLi
NbO3結晶板のX板上に導波路を形成することも考え
られるが、この場合には導波路間に電極を設けることが
必要となる。ところが、導波路間隔は5〜8μm程度と
狭く、ここに電極を形成することは、極めて困難であり
、実用的ではないという問題があった。
NbO3結晶板のX板上に導波路を形成することも考え
られるが、この場合には導波路間に電極を設けることが
必要となる。ところが、導波路間隔は5〜8μm程度と
狭く、ここに電極を形成することは、極めて困難であり
、実用的ではないという問題があった。
そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決
するためになされたもので、その目的とするところは、
作製上の困難性がなく、偏光依存性のない特性の優れた
導波型光スイッチを提供することにある。
するためになされたもので、その目的とするところは、
作製上の困難性がなく、偏光依存性のない特性の優れた
導波型光スイッチを提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明に係る導波型光ス
イッチは、電気光学結晶基板と、上記電気光学結晶基板
のX板上に所定間隔をあけて並置された3本の導波路と
、上記3本の導波路の内、中央の導波路の直上位置に備
えられた第一の電極と、上記3本の導波路の内、両側の
導波路の直上位置外方にそれぞれ備えられ、上記両側の
導波路に沿って延びる第二及び第三の電極とを有し、T
E波及びTM波に対する上記導波路間の結合係数が互い
に略等しい値となるよう上記各々の導波路の素子長及び
上記導波路間隔を設定したことを特徴としている。
イッチは、電気光学結晶基板と、上記電気光学結晶基板
のX板上に所定間隔をあけて並置された3本の導波路と
、上記3本の導波路の内、中央の導波路の直上位置に備
えられた第一の電極と、上記3本の導波路の内、両側の
導波路の直上位置外方にそれぞれ備えられ、上記両側の
導波路に沿って延びる第二及び第三の電極とを有し、T
E波及びTM波に対する上記導波路間の結合係数が互い
に略等しい値となるよう上記各々の導波路の素子長及び
上記導波路間隔を設定したことを特徴としている。
上記の構成を有する本発明においては、電気光半結晶基
板に所定間隔をあけて所定の素子長の3本の導波路を並
置し、両側の導波路を入出力用とし、中間の導波路に入
出力用導波路間の橋渡し機能を担わせるている。これに
より、入出力用の両導波路間の距離を確保でき、両導波
路間に備える第一の電極の幅を大きくできる。よって、
第一の電極の形成は容易になり、導波路間隔が狭いため
に困難であったX板の使用が可能になる。
板に所定間隔をあけて所定の素子長の3本の導波路を並
置し、両側の導波路を入出力用とし、中間の導波路に入
出力用導波路間の橋渡し機能を担わせるている。これに
より、入出力用の両導波路間の距離を確保でき、両導波
路間に備える第一の電極の幅を大きくできる。よって、
第一の電極の形成は容易になり、導波路間隔が狭いため
に困難であったX板の使用が可能になる。
また、3本の導波路を並置することによって、中央の導
波路を共用した2組の導波路を直列に接続した場合と同
様にクロストークを2段階で収り除くことができ、結合
長の誤差に対して大きな許容値を持たせることができる
。
波路を共用した2組の導波路を直列に接続した場合と同
様にクロストークを2段階で収り除くことができ、結合
長の誤差に対して大きな許容値を持たせることができる
。
さらに、電気光学結晶基板のX板上に導波路を形成した
場合には、TM波及びTE波に対する結合長が一致する
ので、偏光依存性の除去が容易である。
場合には、TM波及びTE波に対する結合長が一致する
ので、偏光依存性の除去が容易である。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第1図は本発明に係る導波型光スイッチの第一実施例を
示す構成図である。
示す構成図である。
同図において、10は電気光学結晶基板としてのLi
Nb 03 X板、11.12及び13はLi Nb
03−X板10上にTiを拡散して形成された導波路
である。この内、11及び12は入出力用の導波路(入
出力導波路)、13は導波F#111及び12間の橋渡
し機能を果す導波路(中間導波路)である、また、ll
a及びllbはそれぞれ導波路11の入力ポートと出力
ポートであり、12a及び12bはそれぞれ導波路12
の入力ポートと出力ポートである。
Nb 03 X板、11.12及び13はLi Nb
03−X板10上にTiを拡散して形成された導波路
である。この内、11及び12は入出力用の導波路(入
出力導波路)、13は導波F#111及び12間の橋渡
し機能を果す導波路(中間導波路)である、また、ll
a及びllbはそれぞれ導波路11の入力ポートと出力
ポートであり、12a及び12bはそれぞれ導波路12
の入力ポートと出力ポートである。
また、14はLi Nb 03−X板10上において中
間導波路13直上位置に形成された第一の電極、15a
及び15bはLi Nb 03−X板10上において入
出力導波路11及び12直上位置の外方に形成された第
二、第三の電極である。尚、電極14は駆動電源16に
接続され、電極15aは駆動電源17に接続され、電極
15bは接地されている。
間導波路13直上位置に形成された第一の電極、15a
及び15bはLi Nb 03−X板10上において入
出力導波路11及び12直上位置の外方に形成された第
二、第三の電極である。尚、電極14は駆動電源16に
接続され、電極15aは駆動電源17に接続され、電極
15bは接地されている。
そして、本実施例では、導波fill、12を平行に配
置するとともに、導波路11.12の間に導波路13を
平行に配置している。そして、LiNb03−X板10
上において中間導波路13の直上に電極14を、導波路
11の外側に電極15aを、導波路12の外側に電極1
5bを、それぞれの電極15a、15b及び14が導波
路11゜12及び13と同一方向に延びるように形成さ
れている。
置するとともに、導波路11.12の間に導波路13を
平行に配置している。そして、LiNb03−X板10
上において中間導波路13の直上に電極14を、導波路
11の外側に電極15aを、導波路12の外側に電極1
5bを、それぞれの電極15a、15b及び14が導波
路11゜12及び13と同一方向に延びるように形成さ
れている。
また、導波路作製条件は電極14.15aに電圧を印加
しない時に、入カポ−)−11a(12a)から入った
光が出力ポート12b(11b)に出力されるクロス状
態となるように、素子長、導波路間隔及び屈折率等を設
定する。
しない時に、入カポ−)−11a(12a)から入った
光が出力ポート12b(11b)に出力されるクロス状
態となるように、素子長、導波路間隔及び屈折率等を設
定する。
電極14.15aに所定の電圧を印加した時には、Y方
向に電場が生じ、このときの電気光学定数r2□の変化
により屈折率が変化する。電源16から電極14にのみ
電圧を印加したときは、TE波及びTM波は導波路11
と12に対し同一の大きさで逆符号の屈折率変化を感じ
るので、偏光に依存しないスイッチング動作が行える。
向に電場が生じ、このときの電気光学定数r2□の変化
により屈折率が変化する。電源16から電極14にのみ
電圧を印加したときは、TE波及びTM波は導波路11
と12に対し同一の大きさで逆符号の屈折率変化を感じ
るので、偏光に依存しないスイッチング動作が行える。
即ち、電極14に電圧を印加したときには、入力ボート
11a(12a)に入力された光が出力ポート11b
(12b)に出力されるバー状態となる。
11a(12a)に入力された光が出力ポート11b
(12b)に出力されるバー状態となる。
尚、電源17により電極15aに印加される電圧vbは
屈折率変化の非対称性を制御調整し、最適な動作を行う
ためのものである。
屈折率変化の非対称性を制御調整し、最適な動作を行う
ためのものである。
さらに、本実施例では3本の導波路を用いることにより
素子長/結合長に対するタロストークの値の変化を小さ
くできるので、TM波、TE波に対して偏光依存性をな
くするために素子長と結合長とを一致させる作製条件の
許容値が緩やかであり達成が容易である。
素子長/結合長に対するタロストークの値の変化を小さ
くできるので、TM波、TE波に対して偏光依存性をな
くするために素子長と結合長とを一致させる作製条件の
許容値が緩やかであり達成が容易である。
第3図は本発明の第二実施例を示す構成図、第4図は第
二実施例のクロストーク特性を示す特性曲線図である。
二実施例のクロストーク特性を示す特性曲線図である。
同図において、上記第一実施例と同一の部分には同一の
符号を付して説明すると、この第二実施例は導波路の形
状及びこれに沿う電極の形状が第一実施例と相違する。
符号を付して説明すると、この第二実施例は導波路の形
状及びこれに沿う電極の形状が第一実施例と相違する。
即ち、第二実施例では、導波路21.22がその中央部
付近で互いに接近するように曲線状に形成されている。
付近で互いに接近するように曲線状に形成されている。
また、電極24、電極25a及び電極25bの平面形状
は導波路に沿うように辺を曲線に形成している。ここで
、導波FRI21と13、導波路22と13の両方の結
合係数Kを伝搬距離ζに対して、次式の関係を有するよ
う作製する。
は導波路に沿うように辺を曲線に形成している。ここで
、導波FRI21と13、導波路22と13の両方の結
合係数Kを伝搬距離ζに対して、次式の関係を有するよ
う作製する。
I(= Ko e x P (−(ζ −L/
2) / 100)ここで、Koはζ=Oの
ときの結合係数、Lは導波路の素子長である。また、L
=100に対して導波路間の伝搬定数差Δβ=0のとき
に、クロス状態が得られるようにK。−0,12として
いる。
2) / 100)ここで、Koはζ=Oの
ときの結合係数、Lは導波路の素子長である。また、L
=100に対して導波路間の伝搬定数差Δβ=0のとき
に、クロス状態が得られるようにK。−0,12として
いる。
この場合には、第4図に示ずように伝搬定数差Δβが増
大するとともに、急速にクロストークが減少し、バー状
態になる。
大するとともに、急速にクロストークが減少し、バー状
態になる。
第5図は第一実施例の変形例を示す構成図、第6図は第
5図のZ方向の電界強度Ezの分布を示す説明図である
。この例は第一実施例と路間−の構成を有しているので
、同一の構成部分には同一の符号を付して説明すると、
この変形例では第二、第三の電極15a、15bの幅W
を第一の電極14の幅と等しく形成している。このよう
に形成することによって、電界強度分布を第6図に示す
ように0点を中心に対称にでき、この結果電極の取付は
位置が設計位置からずれた場合の許容値を大きくでき、
良好なスイッチング特性を有することができる。尚、こ
の変形例は第二実施例にも適用できる。
5図のZ方向の電界強度Ezの分布を示す説明図である
。この例は第一実施例と路間−の構成を有しているので
、同一の構成部分には同一の符号を付して説明すると、
この変形例では第二、第三の電極15a、15bの幅W
を第一の電極14の幅と等しく形成している。このよう
に形成することによって、電界強度分布を第6図に示す
ように0点を中心に対称にでき、この結果電極の取付は
位置が設計位置からずれた場合の許容値を大きくでき、
良好なスイッチング特性を有することができる。尚、こ
の変形例は第二実施例にも適用できる。
以上説明したように、本発明においては、電気光学結晶
基板のX板上に3本の導波路を並置することによって、
入出力用の導波路の間隔を広くできるので電極の作製を
容易に行うことができる。
基板のX板上に3本の導波路を並置することによって、
入出力用の導波路の間隔を広くできるので電極の作製を
容易に行うことができる。
また、3本の導波路を並置することによって、結合長の
誤差に対して大きな許容値を持たせることができ、この
ため導波路の作製を容易にすることができる。
誤差に対して大きな許容値を持たせることができ、この
ため導波路の作製を容易にすることができる。
さらに、電気光学結晶基板のX板上に導波路を形成した
場合には、TE波及びTM波は等しい大きさの屈折率を
感じるので、偏光依存性のない光スインチを提供できる
という効果を有する。
場合には、TE波及びTM波は等しい大きさの屈折率を
感じるので、偏光依存性のない光スインチを提供できる
という効果を有する。
第1図は本発明に係る導波型光スイッチの第一実施例を
示す構成図、 第2図(a)、(b)は従来の導波型光スイッチの構成
図、 第3図は本発明の第二実施例を示す構成図、第4図は第
二実施例の特性を示す特性曲線図、第5図は第一実施例
の変形例を示す構成図、第6図は第5図の電界強度分布
を示す説明図である。 10・・化+ Nb o3−x板(電気光学結晶基板)
11.12.13・・・導波路、 14・・・第一の電極、 15a・・・第二の電極、15b・・・第三の電極。 特許出願0人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 1) 実 ネ6二9ご炸(多り、λiλさ七iン]第3図 第4U!jJ
示す構成図、 第2図(a)、(b)は従来の導波型光スイッチの構成
図、 第3図は本発明の第二実施例を示す構成図、第4図は第
二実施例の特性を示す特性曲線図、第5図は第一実施例
の変形例を示す構成図、第6図は第5図の電界強度分布
を示す説明図である。 10・・化+ Nb o3−x板(電気光学結晶基板)
11.12.13・・・導波路、 14・・・第一の電極、 15a・・・第二の電極、15b・・・第三の電極。 特許出願0人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 1) 実 ネ6二9ご炸(多り、λiλさ七iン]第3図 第4U!jJ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電気光学結晶基板と、 上記電気光学結晶基板のX板上に所定間隔をあけて並置
された3本の導波路と、 上記3本の導波路の内、中央の導波路の直上位置に備え
られた第一の電極と、 上記3本の導波路の内、両側の導波路の直上位置外方に
それぞれ備えられ、上記両側の導波路に沿って延びる第
二及び第三の電極とを有し、TE波及びTM波に対する
上記導波路間の結合係数が互いに略等しい値となるよう
上記各々の導波路の素子長及び上記導波路間隔を設定し
たことを特徴とする導波型光スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7571888A JPH01246529A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 導波型光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7571888A JPH01246529A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 導波型光スイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01246529A true JPH01246529A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13584315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7571888A Pending JPH01246529A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 導波型光スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01246529A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0436346A2 (en) * | 1990-01-04 | 1991-07-10 | SMITHS INDUSTRIES AEROSPACE & DEFENSE SYSTEMS INC. | Optical switches |
US5111517A (en) * | 1990-02-14 | 1992-05-05 | France Telecom Etablissment Autonome De Droit Public (Centre National D'etudes Des Telecommunications | Polarization beam splitter for guided light |
US5151957A (en) * | 1990-10-31 | 1992-09-29 | France Telecom Etablissement Autonome De Droit Public (Centre National D'etudes Des Telecommunications) | Polarization beam splitter for guided light |
KR100357629B1 (ko) * | 2000-05-03 | 2002-10-25 | 삼성전자 주식회사 | 다분기 열광학 스위치 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7571888A patent/JPH01246529A/ja active Pending
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