JPH01245089A - 液晶材料 - Google Patents
液晶材料Info
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- JPH01245089A JPH01245089A JP63072248A JP7224888A JPH01245089A JP H01245089 A JPH01245089 A JP H01245089A JP 63072248 A JP63072248 A JP 63072248A JP 7224888 A JP7224888 A JP 7224888A JP H01245089 A JPH01245089 A JP H01245089A
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- Japan
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- compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１画像表示の応答性に優れた表示素子として有
用な強誘電性の液晶性化合物及びそれを含有するカイラ
ルスメクチック液晶組成物に関する。
用な強誘電性の液晶性化合物及びそれを含有するカイラ
ルスメクチック液晶組成物に関する。
現在、液晶材料による表示素子は受光型の表示方式であ
り、消費電力の少ないことや、薄型の表示装置を作成で
きる等の特長があり、広く実用忙供されている。一方発
光型の表示方式で、高速応答を特長とするＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）やプラズマデイスプレィの開発も
盛んである。
り、消費電力の少ないことや、薄型の表示装置を作成で
きる等の特長があり、広く実用忙供されている。一方発
光型の表示方式で、高速応答を特長とするＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）やプラズマデイスプレィの開発も
盛んである。
これまで表示素子に用いられてきた液晶は殆どがネマチ
ック液晶で、その主流はＴＮ（ツイスト・ネマチック（
Ｔｗｉｓｔｄ Ｎｅｍａｔｉｃ ） ］型である。この
ＴＮ型表示方式は、小型、低消費電力などの長所を有す
る反面０画像表示の応答速度が遅いという欠点も有して
いる。この点における改善は種々試みられてきたが、モ
レキュラ・クリスタルズ・アンド・リキッド・クリスタ
ルズ（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｃｒｙｓｔａｌｓａｎｄ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ）第９４巻Ｍ１５５
〜１６５頁で示された理論的限界値を実証した結果にと
どまシ。
ック液晶で、その主流はＴＮ（ツイスト・ネマチック（
Ｔｗｉｓｔｄ Ｎｅｍａｔｉｃ ） ］型である。この
ＴＮ型表示方式は、小型、低消費電力などの長所を有す
る反面０画像表示の応答速度が遅いという欠点も有して
いる。この点における改善は種々試みられてきたが、モ
レキュラ・クリスタルズ・アンド・リキッド・クリスタ
ルズ（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｃｒｙｓｔａｌｓａｎｄ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ）第９４巻Ｍ１５５
〜１６５頁で示された理論的限界値を実証した結果にと
どまシ。
ＴＮ型表示用の材料開発もほぼ限界に来ていると見られ
る。
る。
そこで上記欠点を克服するためにネマチック液晶にかわ
って近年ではカイラル液晶の開発に関心が移シ、とくに
強誘電性液晶については、かなシの進展が見られるよう
になった。
って近年ではカイラル液晶の開発に関心が移シ、とくに
強誘電性液晶については、かなシの進展が見られるよう
になった。
強誘電性液晶として最初に開発されたものは。
Ｈ３
−ＣＨ２♀ＨＣ２Ｈ。
（式中＊は不斉炭素原子を示す）で表わされる化合物（
以下ＤＯＢＡＭＢＣと略す）で、その液晶相の相系列と
相転移温度（℃）は次の通りである。
以下ＤＯＢＡＭＢＣと略す）で、その液晶相の相系列と
相転移温度（℃）は次の通りである。
（式中Ｃは結晶相、 ＳＡはスメクチックＡ相、 Ｓｃ
”はカイラルスメクチックＣ相、 ＳＨ＊はカイラルス
メクチックＨ相、■は等方性液体をそれぞれ示す）。
”はカイラルスメクチックＣ相、 ＳＨ＊はカイラルス
メクチックＨ相、■は等方性液体をそれぞれ示す）。
強誘電性は分子配列上分類命名されているカイラルスメ
クチックＣ相（以下Ｓｃ＊と略す）もしくはカイラルス
メクチックＨ相（以下ＳＨ＊と略す）に発現し３強誘電
性に基づく応答は次式（Ａ）τ＝鴇、ＥＣλ〕 （式中τは応答時間、ηは液晶材料の粘度、 ＰＳは自
発分極、Ｅは電界を示す）として表わされるため、理論
上１μｓまでの応答のできる表示素子を得る可能性がア
ール・ビ・メイヤー（Ｒ，Ｂ、Ｍｅｙｅｒ ）等により
、ジャーナル・オプ・フィジックス・フランス（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｆｒａｎｃｅ ）
第３６巻、第６９頁（１９７５）に示された。
クチックＣ相（以下Ｓｃ＊と略す）もしくはカイラルス
メクチックＨ相（以下ＳＨ＊と略す）に発現し３強誘電
性に基づく応答は次式（Ａ）τ＝鴇、ＥＣλ〕 （式中τは応答時間、ηは液晶材料の粘度、 ＰＳは自
発分極、Ｅは電界を示す）として表わされるため、理論
上１μｓまでの応答のできる表示素子を得る可能性がア
ール・ビ・メイヤー（Ｒ，Ｂ、Ｍｅｙｅｒ ）等により
、ジャーナル・オプ・フィジックス・フランス（Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｆｒａｎｃｅ ）
第３６巻、第６９頁（１９７５）に示された。
代表的な強誘電性液晶として第１表に示される化合物が
ある。しかし、これらの化合物は光によシ短時間の内に
異性化を起こしたり゛、また水分に不安定で、加水分解
反応によシ液晶性を示さなくなシ１表示素子用材料とし
て好ましくない。
ある。しかし、これらの化合物は光によシ短時間の内に
異性化を起こしたり゛、また水分に不安定で、加水分解
反応によシ液晶性を示さなくなシ１表示素子用材料とし
て好ましくない。
最近では、第２表に示される強誘電性液晶化合物が開示
されている。
されている。
第 ２ 表
（へ）第２表中Ｒ，Ｒ’はアルキル基を、＊は不斉炭素
原子をそれぞれ示す。
原子をそれぞれ示す。
これらの化合物によって上記問題点が解決され自発分極
（Ｐｓ）の値は比較的大きい値を示しているが１強誘電
性を示すカイフルスメクチック相の温度範囲が狭く実用
的でない。
（Ｐｓ）の値は比較的大きい値を示しているが１強誘電
性を示すカイフルスメクチック相の温度範囲が狭く実用
的でない。
本発明者等は、上記観点から鋭意研究の結果。
安定性にすぐれ、Ｓ♂相もしくはＳ）１＊相に属°する
温度範囲が広＜ 、 Ｐｓ値の大きな強誘電性の液晶性
化合物及びそれを含有する液晶組成物を見出し０本発明
に到った。
温度範囲が広＜ 、 Ｐｓ値の大きな強誘電性の液晶性
化合物及びそれを含有する液晶組成物を見出し０本発明
に到った。
すなわち９本発明は、一般式［”Ｉ］
（式中Ｒは炭素数５〜１５のアルキル基を、＊は不斉炭
素原子をそれぞれ示す）で表わされるトラン骨格を有す
ることを特徴とする液晶性化合物である。
素原子をそれぞれ示す）で表わされるトラン骨格を有す
ることを特徴とする液晶性化合物である。
また本発明は、上記一般式ＣＤで表わされる化合物を少
なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物であ
る。
なくとも１種含有することを特徴とする液晶組成物であ
る。
一般式〔Ｉ〕において、トラン骨格部は次のように命名
される。
される。
したがって、上記一般式〔■〕で表わされる化合物は、
４−（ｐ−（Ｒ又は５）−２−オクチルオキシフェニル
〕オキシカルボニル−４′−アルコキシトランと命名す
ることができる。
４−（ｐ−（Ｒ又は５）−２−オクチルオキシフェニル
〕オキシカルボニル−４′−アルコキシトランと命名す
ることができる。
一般式ＣＩ）で表わされる化合物の製造法は下記に詳述
するが、製造原料の一つとして光学活性基を有するフェ
ノ−μ化合物が使用される。このフロ１−２２０５１号
公報に記載の方法で合成できるほか帝国化学産業柱から
入手することができる。
するが、製造原料の一つとして光学活性基を有するフェ
ノ−μ化合物が使用される。このフロ１−２２０５１号
公報に記載の方法で合成できるほか帝国化学産業柱から
入手することができる。
本発明の化合物の製造法の概略を示すと次式のようにな
る。
る。
ＣＨ３
ＣＨ，ＣＨ，〔Ｂ〕
ＣＩ）
（上記式中Ｒは炭素数５〜１５のアルキル基を、＊は不
斉炭素原子を、ＴＥＡはトリエチルアミンを。
斉炭素原子を、ＴＥＡはトリエチルアミンを。
ＴＨＦはテトラヒドロフランをそれぞれ示す。）〔作
用〕 本発明の化合物は次の作用及び特長を示す。
用〕 本発明の化合物は次の作用及び特長を示す。
まず水分を含有する雰囲気下において、容易に分解され
うるような基、アゾメチン基（−Ｎ＝ＣＨ−）をもたず
、光によって異性化するような基。
うるような基、アゾメチン基（−Ｎ＝ＣＨ−）をもたず
、光によって異性化するような基。
して非常に安定である。次に本発明の化合物は単独でも
強誘電性を示す温度範囲が広く１本発明の化合物どうし
を、又は本発明の化合物と既存強誘電性液晶性化合物１
例えばエステ／Ｖ系、ビフエニρ系、ピリミジン系等を
混合することによ９１強誘電性を示す温度範囲の下限を
室温以下にすることも可能である。
強誘電性を示す温度範囲が広く１本発明の化合物どうし
を、又は本発明の化合物と既存強誘電性液晶性化合物１
例えばエステ／Ｖ系、ビフエニρ系、ピリミジン系等を
混合することによ９１強誘電性を示す温度範囲の下限を
室温以下にすることも可能である。
また本発明の化合物のＰｓ（自発分極）値は４０ｎＣＡ
以上と大きいため、混合系のブレンド材料として用いた
場合に、融点の降下の目的を達すると共に混合系のＰｓ
値を向上させることが可能である。
以上と大きいため、混合系のブレンド材料として用いた
場合に、融点の降下の目的を達すると共に混合系のＰｓ
値を向上させることが可能である。
以下に実施例を例示して本発明を説明するが。
実施例中の％は重量％を示すものとする。
製造例１ ４−アルコキシフェニルアセチレンＣＢ）の
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｃｃの三
ツロフラスコに、窒素気流中で４−アルコキシブロムベ
ンゼン０．２３４ｍｏｌ、 ３−メｆｉＶ−１−フチ
ン − ３− オ − ル ２９．５７ ｔ （０
，８５２ｍｏｌ ） 、 ト リ フェニルホ
スフィン１．０（１，ジクロロビス（トリフェ二〜ホス
フィン）パラジウム触媒０．５２ｆ（０，７３拌溶解し
、ヨウ化銅１６０ ｒＩＩｙを加えた。室温で３時間攪
拌後、徐々に加熱し、３０分要して内温を９０℃とした
。この温度で２０時間反応させた。反応後は室温に戻し
、トリエチルアミンを減圧上留去し、残留物にエーゾ／
’ ３００ ｍｌを加えて水洗、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。ｔ６過後、エーテルを留去し、残留物をシリ
カゲルカラムクロマトクラフィー（２００メツシエのシ
リカゲ＃４００Ｆ、展開溶謀：ベンゼン）にかけて１次
式の化合物を中間化合物として得た。
合成 攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた５００ｃｃの三
ツロフラスコに、窒素気流中で４−アルコキシブロムベ
ンゼン０．２３４ｍｏｌ、 ３−メｆｉＶ−１−フチ
ン − ３− オ − ル ２９．５７ ｔ （０
，８５２ｍｏｌ ） 、 ト リ フェニルホ
スフィン１．０（１，ジクロロビス（トリフェ二〜ホス
フィン）パラジウム触媒０．５２ｆ（０，７３拌溶解し
、ヨウ化銅１６０ ｒＩＩｙを加えた。室温で３時間攪
拌後、徐々に加熱し、３０分要して内温を９０℃とした
。この温度で２０時間反応させた。反応後は室温に戻し
、トリエチルアミンを減圧上留去し、残留物にエーゾ／
’ ３００ ｍｌを加えて水洗、無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。ｔ６過後、エーテルを留去し、残留物をシリ
カゲルカラムクロマトクラフィー（２００メツシエのシ
リカゲ＃４００Ｆ、展開溶謀：ベンゼン）にかけて１次
式の化合物を中間化合物として得た。
攪拌器、温度計及び蒸留装置を備えた３００ｃｃの三ツ
ロフラスコに、窒素気流中で上記中間化合物５８．４
ｍｍｏｌ 、無水トルエン１２０ｍｔ及びナトリウムハ
イドライド（６０％ヌジュール分散剤）３１０■を仕込
み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し３０分要し
て内温を７０℃とした。アセトン（副生物）の還流が始
まシ、トルエンと共に留出しはじめるが、さらに加熱し
て留出温度がトルエンの沸点となるまで反応を続けた。
ロフラスコに、窒素気流中で上記中間化合物５８．４
ｍｍｏｌ 、無水トルエン１２０ｍｔ及びナトリウムハ
イドライド（６０％ヌジュール分散剤）３１０■を仕込
み、室温で３０分間攪拌した。徐々に加熱し３０分要し
て内温を７０℃とした。アセトン（副生物）の還流が始
まシ、トルエンと共に留出しはじめるが、さらに加熱し
て留出温度がトルエンの沸点となるまで反応を続けた。
この間２時間を要し、留出した溶媒は６０ｍ１であった
。反応修了後、室温に戻し、ベンゼン１００ｍ！加えて
水洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。評過後、有機溶
媒を留去し。
。反応修了後、室温に戻し、ベンゼン１００ｍ！加えて
水洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。評過後、有機溶
媒を留去し。
残留物をシリカゲルカラムクロマトクラフィー（２００
メツシユのシリカゲル１５０ ｆ 、展開溶媒：ヘキサ
ン） Ｋ カケて、第３表の４−アルコキシフェニルア
セチレンを８５〜９５％の収率で得た。その構造はＩＲ
及びＮＭＲスペクトルで確認した。
メツシユのシリカゲル１５０ ｆ 、展開溶媒：ヘキサ
ン） Ｋ カケて、第３表の４−アルコキシフェニルア
セチレンを８５〜９５％の収率で得た。その構造はＩＲ
及びＮＭＲスペクトルで確認した。
結果を第３表に示す。
ｆｌｕ造例２ ｐ −（２−オクチルオキシ）フェニ
ル−攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃ
三ツロフラスコに、ｐ−（（ｓ）−２−オクチμオキシ
〕フェノ−／Ｌ／（帝国化学産業社製） ３．００ ｆ
（１３，５ｍｍｏｌ ）と無水ピリジン２０ ｍｌを仕
込み、攪拌下に溶解した。このピリジン溶液に、４−ブ
ロモベンシイＮクロライド３．２６ ｆ （１４９ｍｍ
ｏｌ ）を含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍ１を水冷
下加えた。反応温度を室温に戻した後、還流温度とし、
８時間攪拌した。
ル−攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた１００ｃｃ
三ツロフラスコに、ｐ−（（ｓ）−２−オクチμオキシ
〕フェノ−／Ｌ／（帝国化学産業社製） ３．００ ｆ
（１３，５ｍｍｏｌ ）と無水ピリジン２０ ｍｌを仕
込み、攪拌下に溶解した。このピリジン溶液に、４−ブ
ロモベンシイＮクロライド３．２６ ｆ （１４９ｍｍ
ｏｌ ）を含むテトラヒドロフラン溶液２０ｍ１を水冷
下加えた。反応温度を室温に戻した後、還流温度とし、
８時間攪拌した。
反応修了後、エーテルを加え、水洗、１０％苛性ソーダ
のアルカリ水洗、水洗の順で洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去シ、残留物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（２００メツシユの
シリカゲｉｖ １００ ｆ 、展開溶媒：ヘキサン−ベ
ンゼンの傾斜）にかけて単離精製し、融点７１．４〜７
２．３℃を有するｐ−（２−オクチルオキシ）フェニ／
Ｌ／−４−７”ロモベンゾエート〔Ｃ〕を９８％の収率
で得た。
のアルカリ水洗、水洗の順で洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。溶媒を減圧下に留去シ、残留物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（２００メツシユの
シリカゲｉｖ １００ ｆ 、展開溶媒：ヘキサン−ベ
ンゼンの傾斜）にかけて単離精製し、融点７１．４〜７
２．３℃を有するｐ−（２−オクチルオキシ）フェニ／
Ｌ／−４−７”ロモベンゾエート〔Ｃ〕を９８％の収率
で得た。
この化合物のスベク）／レデータは次の通シであった。
ＩＲ、ｖｆｆｉ、ｘ ２９３２． １７２８． １
５０６゜ １２５０゜１２０４、 １０８２． ７４８
ｃｍ−”ＮＭＲ：δ宅’３ ７．８（Ｑ、 ４Ｈ）
、 ６．９（ｑ、 ４Ｈ）。
５０６゜ １２５０゜１２０４、 １０８２． ７４８
ｃｍ−”ＮＭＲ：δ宅’３ ７．８（Ｑ、 ４Ｈ）
、 ６．９（ｑ、 ４Ｈ）。
４８（ｍ、 ＩＨ）、 １．８〜０．７（ｍ、 １６
Ｈ）ｐｐｆｉｌ攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた
三ツロフラスコに、窒素気流中で製造例２で得られたｐ
−（２−オクチルオキシ）フェニ／Ｌ’−４−ブロモベ
ンゾニー） ５ ｍｍｏｌ 、製造例１で得られた４−
アルコキシフェニルアセチレン５．５ｍｍｏｌ 、
）リフエニ〜ホスフィン１００ｍ ｍｏ ＋ 、 ジ
クロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒
６０１１９及ヒドリエチルアミン６０ｍ１を仕込み、攪
拌溶解し、ヨウ化銅６１９を加えた。室温で２時間攪拌
後、徐々に加熱し、３０分要して内温を７０℃とした。
Ｈ）ｐｐｆｉｌ攪拌器、温度計及び還流冷却器を備えた
三ツロフラスコに、窒素気流中で製造例２で得られたｐ
−（２−オクチルオキシ）フェニ／Ｌ’−４−ブロモベ
ンゾニー） ５ ｍｍｏｌ 、製造例１で得られた４−
アルコキシフェニルアセチレン５．５ｍｍｏｌ 、
）リフエニ〜ホスフィン１００ｍ ｍｏ ＋ 、 ジ
クロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム触媒
６０１１９及ヒドリエチルアミン６０ｍ１を仕込み、攪
拌溶解し、ヨウ化銅６１９を加えた。室温で２時間攪拌
後、徐々に加熱し、３０分要して内温を７０℃とした。
この温度で８時間反応させた。反応後は室温に戻し。
トリエチルアミンを減圧下留去し、残留物にエーテ／’
１００ ｙｄを加えて水洗、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。濾過後、エーテルを留去し、残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカ
ゲ／ｖ１００？、展開溶媒ベンゼン：ヘキサン＝１：１
）にかけて単離精製した。ヘキサンかう再結晶化して４
−（ｐ−２−オクチルオキシフェニル）オキシカルポニ
／Ｌ／−４’−アルコキシトラン〔■〕を８１〜９４％
の収率で得た。各化合物の構造はＩＲ，ＮＭＲスペクト
ルデータで確認した。
１００ ｙｄを加えて水洗、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。濾過後、エーテルを留去し、残留物をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（２００メツシユのシリカ
ゲ／ｖ１００？、展開溶媒ベンゼン：ヘキサン＝１：１
）にかけて単離精製した。ヘキサンかう再結晶化して４
−（ｐ−２−オクチルオキシフェニル）オキシカルポニ
／Ｌ／−４’−アルコキシトラン〔■〕を８１〜９４％
の収率で得た。各化合物の構造はＩＲ，ＮＭＲスペクト
ルデータで確認した。
例 〔化合物随５〕
ＩＲ： ｖ県： ”” ２９２０．２２１６．１７３
６．１２４８．７６２ ｃｍ ”ＮＭＲ：δ！ｉ’昆３
８．２〜６．８（ｍ、１２Ｈ）、４３（ｍ、ＩＨ）。
６．１２４８．７６２ ｃｍ ”ＮＭＲ：δ！ｉ’昆３
８．２〜６．８（ｍ、１２Ｈ）、４３（ｍ、ＩＨ）。
４．０ （ｔ、 ２Ｈ）、 ２．０〜０．６ （ｍ、
３８〜４０Ｈ）ｐｐｍ得られた各化合物の相転移温度と
共に結果を第４表に示す。
３８〜４０Ｈ）ｐｐｍ得られた各化合物の相転移温度と
共に結果を第４表に示す。
実施例２
第４表の化合物ＮＱ２．３及び４００本発明液晶性化合
物を用いて、下記第５表の液晶組成物を調製し、その相
転移温度を測定した結果、第５表に示す通りであった。
物を用いて、下記第５表の液晶組成物を調製し、その相
転移温度を測定した結果、第５表に示す通りであった。
第 ５ 表
この液晶組成物を、ポリイミド膜を塗布し１表面をラビ
ングして平行配向処理を施し、セル厚を２μｍに制御し
た透明電極を有するセルに注入したところ、 Ｓｃ＊で
均一な配向の七μが得られた。
ングして平行配向処理を施し、セル厚を２μｍに制御し
た透明電極を有するセルに注入したところ、 Ｓｃ＊で
均一な配向の七μが得られた。
また７８℃の温度下±１０ Ｖの矩形波電圧を印加する
と、応答時間０．６９ｍ５．コントラスト１０の表示素
子が得られた。
と、応答時間０．６９ｍ５．コントラスト１０の表示素
子が得られた。
実施例３
実施例２の液晶組成物８０％と次の構造式で表わされる
化合物２０％とからなる液晶組成物を調製し、その相転
移温度を測定した結果０次の通りであった。
化合物２０％とからなる液晶組成物を調製し、その相転
移温度を測定した結果０次の通りであった。
２５℃ ２８℃ ７７℃ １１０℃ １１５℃Ｃ−→
Ｓｘ−→Ｓ♂−→ＳＡ−→Ｃｈ−→Ｉこの液晶組成物を
実施例２で用いたセルと同様のセルに注入したところＳ
Ｃ＊で均一な配向のセルを得ることができた。このセル
の３０℃での応答時間１．３ ｍｓ 、コントラスト１
３であった。エヌテル系材料の他にビフェニル系、ピリ
ミジン系液晶化合物などとの混合によっても融点を下げ
、Ｓｃ＊の温度範囲を拡大することが可能であった。
Ｓｘ−→Ｓ♂−→ＳＡ−→Ｃｈ−→Ｉこの液晶組成物を
実施例２で用いたセルと同様のセルに注入したところＳ
Ｃ＊で均一な配向のセルを得ることができた。このセル
の３０℃での応答時間１．３ ｍｓ 、コントラスト１
３であった。エヌテル系材料の他にビフェニル系、ピリ
ミジン系液晶化合物などとの混合によっても融点を下げ
、Ｓｃ＊の温度範囲を拡大することが可能であった。
上記実施例１で示したように１本発明の化合物は、 Ｓ
ｃ＊相を呈し１強誘電性を有する化合物でありまた実施
例２及び３の結果から室温を含む広い温度範囲のカイラ
ルスメクチック液晶組成物を得ていく上で、有効な成分
となることは明らかである。
ｃ＊相を呈し１強誘電性を有する化合物でありまた実施
例２及び３の結果から室温を含む広い温度範囲のカイラ
ルスメクチック液晶組成物を得ていく上で、有効な成分
となることは明らかである。
このような効果は本発明によシはじめて達成される。
Claims (2)
- （１）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中Ｒは炭素数５〜１５のアルキル基を、＊は不斉炭
素原子をそれぞれ示す）で表わされるトラン骨格を有す
ることを特徴とする液晶性化合物。 - （２）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 （式中Ｒは炭素数５〜１５のアルキル基を、＊は不斉炭
素原子をそれぞれ示す）で表わされるトラン骨格を有す
る液晶性化合物を少なくとも１種含有することを特徴と
する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072248A JPH01245089A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 液晶材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072248A JPH01245089A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 液晶材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245089A true JPH01245089A (ja) | 1989-09-29 |
Family
ID=13483806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63072248A Pending JPH01245089A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 液晶材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01245089A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5626792A (en) * | 1994-09-06 | 1997-05-06 | Displaytech, Inc. | High birefringence liquid crystal compounds |
| US5866036A (en) * | 1989-06-01 | 1999-02-02 | Displaytech, Inc. | High tilt ferroelectric liquid crystal compounds and compositions |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01221352A (ja) * | 1988-02-27 | 1989-09-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | トラン化合物および液晶組成物 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072248A patent/JPH01245089A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01221352A (ja) * | 1988-02-27 | 1989-09-04 | Sanyo Chem Ind Ltd | トラン化合物および液晶組成物 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| US5866036A (en) * | 1989-06-01 | 1999-02-02 | Displaytech, Inc. | High tilt ferroelectric liquid crystal compounds and compositions |
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