JPH01243349A - プラズマ極端紫外光発生装置 - Google Patents
プラズマ極端紫外光発生装置Info
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- JPH01243349A JPH01243349A JP63069386A JP6938688A JPH01243349A JP H01243349 A JPH01243349 A JP H01243349A JP 63069386 A JP63069386 A JP 63069386A JP 6938688 A JP6938688 A JP 6938688A JP H01243349 A JPH01243349 A JP H01243349A
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Landscapes
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- Plasma Technology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、極端紫外光を発生する装置に係り、特にバタ
ン形成(露光)、薄膜形成、酸化、エツチングをはじめ
顕微鏡等に好適な高温高密度プラズマを用いた極端紫外
光発生装置に関する。
ン形成(露光)、薄膜形成、酸化、エツチングをはじめ
顕微鏡等に好適な高温高密度プラズマを用いた極端紫外
光発生装置に関する。
従来の極端紫外光の一種のX線発生装置は、特開昭62
−206753号に記載のように、第2図のようになっ
ていた。すなわち、内側円筒電極(負極性)1と外側円
筒電極(正極性)2とは前記内側円筒電極1の表面に設
けた円筒状絶縁物3で分離されていた。ここで、4は放
電容器、5はコンデンサ、6はスイッチ、7は放電空間
、8は磁極、9はベリリウム窓、10はコイル、11は
シールド、12は露光室、13はウェハを示す。
−206753号に記載のように、第2図のようになっ
ていた。すなわち、内側円筒電極(負極性)1と外側円
筒電極(正極性)2とは前記内側円筒電極1の表面に設
けた円筒状絶縁物3で分離されていた。ここで、4は放
電容器、5はコンデンサ、6はスイッチ、7は放電空間
、8は磁極、9はベリリウム窓、10はコイル、11は
シールド、12は露光室、13はウェハを示す。
上記従来技術は、初期プラズマの立上り時間、密度、エ
ネルギーなどの物理量については十分配慮されておらず
、各パルス放電のバラツキに起因したX線強度のバラツ
キやその絶対値の不足などの問題があった。
ネルギーなどの物理量については十分配慮されておらず
、各パルス放電のバラツキに起因したX線強度のバラツ
キやその絶対値の不足などの問題があった。
本発明の目的は、上記問題点を解決した、優れたプラズ
マ極端紫外光(波長=1〜3000人程度)発生装置を
提供することにある。
マ極端紫外光(波長=1〜3000人程度)発生装置を
提供することにある。
上記目的は、第1図に示すように、ファインセラミック
スなどから成る円筒状絶縁体3oを外側円筒電極20の
内面に設けることにより達成される。
スなどから成る円筒状絶縁体3oを外側円筒電極20の
内面に設けることにより達成される。
前記円筒状絶縁体30を前記外側円筒電極(正極性)2
0の内面に設けると、前記内側円筒電極(負極性)10
の端面1O−1(仕事関数の小さい材料で形成するとよ
い)と前記外側円筒電極20との間に前記円筒状絶縁体
30を介して形成される沿面放電は順方向(第1図の中
方向、従来技術は逆方向)となり、しかも、前記円筒状
絶縁体30の表面積が大きくなる(半径比が大きくなる
ため)ように動作する。
0の内面に設けると、前記内側円筒電極(負極性)10
の端面1O−1(仕事関数の小さい材料で形成するとよ
い)と前記外側円筒電極20との間に前記円筒状絶縁体
30を介して形成される沿面放電は順方向(第1図の中
方向、従来技術は逆方向)となり、しかも、前記円筒状
絶縁体30の表面積が大きくなる(半径比が大きくなる
ため)ように動作する。
これによって、放電の立上り時間も速く、シかもそのバ
ラツキを低減され、さらに発生した電子は前記両電極間
の電位により前記円筒状絶縁体30に向は加速され、よ
り多量の2次電子を放出し、前記円筒状絶縁体30表面
上には、非常に高密度の電子層が均一に形成される。こ
のように形成された電子層は加速空間140の開放端に
向け(第2図の中方向)加速され、より高温・高密度の
初期プラズマを発生する。
ラツキを低減され、さらに発生した電子は前記両電極間
の電位により前記円筒状絶縁体30に向は加速され、よ
り多量の2次電子を放出し、前記円筒状絶縁体30表面
上には、非常に高密度の電子層が均一に形成される。こ
のように形成された電子層は加速空間140の開放端に
向け(第2図の中方向)加速され、より高温・高密度の
初期プラズマを発生する。
前記初期プラズマの成長とともに、プラズマ電流は増大
し、この電流により自己磁場も増大するので、前記プラ
ズマは自己圧縮加熱(ピンチ)され、しかも実効的な圧
縮も従来より大きくなることから、より超高温・高密度
のプラズマが放電空間7に生成される。このとき、使用
したガスの種類(質量)に応じた極端紫外光がより多量
に(高輝度)再現性よく放射される。
し、この電流により自己磁場も増大するので、前記プラ
ズマは自己圧縮加熱(ピンチ)され、しかも実効的な圧
縮も従来より大きくなることから、より超高温・高密度
のプラズマが放電空間7に生成される。このとき、使用
したガスの種類(質量)に応じた極端紫外光がより多量
に(高輝度)再現性よく放射される。
以下、本発明の実施例を第1図および第3図により説明
する。
する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す、10はW−Cu
合金などの導体から成る内側円筒電極(通常負極性)、
10−1は前記内側円筒電極に取付けたLaBe等から
成る低仕事関数導体(なくても可)、20はCuなどの
導体から成る外側円筒電極(通常正極性)、30はアル
ミナやファインセラミックスなどから成る円筒状絶縁体
で、前記両電極間を絶縁するとともに、良好な2次電子
放出源として作用する。40はステンレスなどから成る
真空容器、50はコンデンサ(1〜10μF)で10〜
100KVの耐圧を有するエネルギー源、6は低インダ
クタンスのスイッチ(主放電エアギャップスイッチ)、
6−1はクローバ(短絡)スイッチ、7は放電空間、8
は高速電子がベリリウム窓9を衝撃するのを低減する磁
極である。100は前記磁極8を磁化させるための電磁
コイル11はシールドケース、120は反応室、130
は試料、140は加速空間を示す。
合金などの導体から成る内側円筒電極(通常負極性)、
10−1は前記内側円筒電極に取付けたLaBe等から
成る低仕事関数導体(なくても可)、20はCuなどの
導体から成る外側円筒電極(通常正極性)、30はアル
ミナやファインセラミックスなどから成る円筒状絶縁体
で、前記両電極間を絶縁するとともに、良好な2次電子
放出源として作用する。40はステンレスなどから成る
真空容器、50はコンデンサ(1〜10μF)で10〜
100KVの耐圧を有するエネルギー源、6は低インダ
クタンスのスイッチ(主放電エアギャップスイッチ)、
6−1はクローバ(短絡)スイッチ、7は放電空間、8
は高速電子がベリリウム窓9を衝撃するのを低減する磁
極である。100は前記磁極8を磁化させるための電磁
コイル11はシールドケース、120は反応室、130
は試料、140は加速空間を示す。
動作は、前記内側円筒電極10と前記外側円筒電極20
との間に前記円筒状絶縁体30を介して、前記コンデン
サ50から高電圧を印加し、コンデンサパルス放電を発
生させる。(必要に応じて、6−1のクローバスイッチ
を動作させ、回路を短絡してもよい、)なお、このとき
、前記真空容器40の内部はNe(軟X線発生のとき)
など使用目的にに応じた波長の極端紫外光を得るための
希ガスなどを0.1〜100Torr封入しである。
との間に前記円筒状絶縁体30を介して、前記コンデン
サ50から高電圧を印加し、コンデンサパルス放電を発
生させる。(必要に応じて、6−1のクローバスイッチ
を動作させ、回路を短絡してもよい、)なお、このとき
、前記真空容器40の内部はNe(軟X線発生のとき)
など使用目的にに応じた波長の極端紫外光を得るための
希ガスなどを0.1〜100Torr封入しである。
この放電により発生する大電流によって、プラズマは自
己圧縮加熱され、軟X線などの極端紫外光を発生する。
己圧縮加熱され、軟X線などの極端紫外光を発生する。
この光は、例えば前記ベリリウム窓9番通して反応室1
20に導き、試料(ウェハなと)130と反応させ、バ
タンなどを形成させる。
20に導き、試料(ウェハなと)130と反応させ、バ
タンなどを形成させる。
また、前記反応室120内を排気装置により高真空に排
気した後、エツチングやデポジションなど、目的に応じ
た反応ガスや超微粒子などを導入し、前記極端紫外光と
の光反応作用を用いて試料を加工または表面処理、さら
に新しい材料などを創製することもできる。なお、光の
波長の選定は前記反応室120の入口に、前記ベリリウ
ム窓9に代ってフィルタを設ける。ことのとき、第2図
には示してないが、前記試料130を加熱または冷却す
る手段が設けである。
気した後、エツチングやデポジションなど、目的に応じ
た反応ガスや超微粒子などを導入し、前記極端紫外光と
の光反応作用を用いて試料を加工または表面処理、さら
に新しい材料などを創製することもできる。なお、光の
波長の選定は前記反応室120の入口に、前記ベリリウ
ム窓9に代ってフィルタを設ける。ことのとき、第2図
には示してないが、前記試料130を加熱または冷却す
る手段が設けである。
第3図は別の実施例を示す1本第2の実施例は、前記真
空容器40の外側(内側でも可)にマルチカスプ磁場を
重畳したことを特徴とする。このマルチカスプ磁場は1
例えば第3図(ロ)に示す様に棒状永久磁石150を極
性が異なるように偶数本交互に配置(定常)し、上記偶
数本の導体に交互に電流の向きが逆になるように電流を
流して形成する。この時パルス電流を流してパルス磁場
を形成するとよい、このようにして、マルチカスプ磁場
を重畳すると、プラズマを安定に生成かつ保持できるの
で、極端紫外光の線量を増すことができる。その他の部
分は第2図と同じである。
空容器40の外側(内側でも可)にマルチカスプ磁場を
重畳したことを特徴とする。このマルチカスプ磁場は1
例えば第3図(ロ)に示す様に棒状永久磁石150を極
性が異なるように偶数本交互に配置(定常)し、上記偶
数本の導体に交互に電流の向きが逆になるように電流を
流して形成する。この時パルス電流を流してパルス磁場
を形成するとよい、このようにして、マルチカスプ磁場
を重畳すると、プラズマを安定に生成かつ保持できるの
で、極端紫外光の線量を増すことができる。その他の部
分は第2図と同じである。
なお、前記円筒状絶縁体30は第3図(イ)に示すよう
に、その内面が前記外側円筒電極20の内面と同一面上
にあるように埋め込んでもよく、また、形状は特に限定
するものではない。
に、その内面が前記外側円筒電極20の内面と同一面上
にあるように埋め込んでもよく、また、形状は特に限定
するものではない。
また、これら実施例において、あらかじめCH4などを
放電させて、前記真空容器40の内壁などをカーボン膜
でコーティングしておくと、前記真空容器40などの損
傷による不純物の混入を低減でき、極端紫外光の線量の
増大やそのバラツキを低減できる。
放電させて、前記真空容器40の内壁などをカーボン膜
でコーティングしておくと、前記真空容器40などの損
傷による不純物の混入を低減でき、極端紫外光の線量の
増大やそのバラツキを低減できる。
さらに、上記実施例において、内側と外側画電極の極性
を反転させても極端紫外光発生装置として用いることが
できる。
を反転させても極端紫外光発生装置として用いることが
できる。
本発明によれば1円筒状絶縁体3oを外側円筒電極20
の内面に設けることにより、放電の立上り時間の低減(
数10%以上)、電子密度の高密度化(30%以上)な
ど、初期プラズマの諸特性を向上させることができ、バ
ラツキの少ない高輝度(従来比50%以上増加)の極端
紫外光を得ることができる。
の内面に設けることにより、放電の立上り時間の低減(
数10%以上)、電子密度の高密度化(30%以上)な
ど、初期プラズマの諸特性を向上させることができ、バ
ラツキの少ない高輝度(従来比50%以上増加)の極端
紫外光を得ることができる。
また、マルチカスプ磁場を重畳することによって一層安
定した高輝度極端紫外光を得ることができる。
定した高輝度極端紫外光を得ることができる。
さらに、高輝度化にともない、フィルタと反応室を設け
、反応ガスなどと前記極端紫外光の光反応作用を用いて
、エツチングやデポジションなどによる微細加工や表面
処理はをはじめ、新しい材料の創製もできる効果がある
。
、反応ガスなどと前記極端紫外光の光反応作用を用いて
、エツチングやデポジションなどによる微細加工や表面
処理はをはじめ、新しい材料の創製もできる効果がある
。
第1図は本発明の実施例のプラズマ極端紫外光発生装置
の縦断面図、第2図は従来のプラズマ軟X線発生装置の
縦断面図、第3図は本発明の別の実施例のプラズマ極端
紫外光発生装置の(イ)部分縦断面図と(ロ)横断面図
である。 1.10・・・内側円筒電極、2.20川外側円筒電極
、3・・・絶縁物、3o・・・円筒状絶縁体、4・・・
放電容器、4o・・・真空容器、5,5o・・・コンデ
ンサ、6・・・スイッチ、6−1・・・クローバスイッ
チ、7・・・放電空間、9・・・ベリリウム窓、120
・・・反応室、130・・・試料、140・・・加速空
間、150・・・マル二111 ノ C戸(1 第 2 Σ 第 3 図 (イ2
の縦断面図、第2図は従来のプラズマ軟X線発生装置の
縦断面図、第3図は本発明の別の実施例のプラズマ極端
紫外光発生装置の(イ)部分縦断面図と(ロ)横断面図
である。 1.10・・・内側円筒電極、2.20川外側円筒電極
、3・・・絶縁物、3o・・・円筒状絶縁体、4・・・
放電容器、4o・・・真空容器、5,5o・・・コンデ
ンサ、6・・・スイッチ、6−1・・・クローバスイッ
チ、7・・・放電空間、9・・・ベリリウム窓、120
・・・反応室、130・・・試料、140・・・加速空
間、150・・・マル二111 ノ C戸(1 第 2 Σ 第 3 図 (イ2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも同軸形内側円筒電極と外側円筒電極とか
ら成るプラズマフォーカス型X線発生装置において、円
筒形絶縁体を前記外側円筒電極の内面の一端の少なくと
も一部に設け、前記内側円筒電極と前記外側円筒電極と
の間にパルス電圧を印加してプラズマを発生させて、前
記プラズマを流れる電流による自己磁場によつて前記プ
ラズマをピンチさせる手段を具え、前記ピンチプラズマ
から極端紫外光を発生させることを特徴とするプラズマ
極端紫外光発生装置。 2、第1項記載のプラズマ極端紫外光発生装置において
、マルチカスプ磁場を重畳することを特徴とする請求項
第1項記載のプラズマ極端紫外光発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63069386A JPH01243349A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | プラズマ極端紫外光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63069386A JPH01243349A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | プラズマ極端紫外光発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243349A true JPH01243349A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13401099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63069386A Pending JPH01243349A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | プラズマ極端紫外光発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01243349A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040020585A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 최대규 | 플라즈마 반응기를 이용한 극자외선 발생 장치 및 방법 |
KR100504189B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-10-21 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 원자외선광발생장치및그발생방법 |
WO2006120942A1 (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Tokyo Institute Of Technology | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
JP2007501997A (ja) * | 2003-08-07 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線及び軟x線発生器 |
JP2007502000A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-01 | イェーノプティーク ミクロテヒニーク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プラズマ放射線源およびプラズマ放射線源用のガスカーテンを形成するための装置 |
WO2011027737A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
JP2011054729A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
JP2011054730A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
JP2011222184A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Ihi Corp | プラズマ光源とプラズマ光発生方法 |
US9000402B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-04-07 | Ihi Corporation | LPP EUV light source and method for producing the same |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069386A patent/JPH01243349A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100504189B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-10-21 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 원자외선광발생장치및그발생방법 |
KR20040020585A (ko) * | 2002-08-31 | 2004-03-09 | 최대규 | 플라즈마 반응기를 이용한 극자외선 발생 장치 및 방법 |
JP4814093B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2011-11-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線及び軟x線発生器 |
JP2007501997A (ja) * | 2003-08-07 | 2007-02-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線及び軟x線発生器 |
JP4766695B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2011-09-07 | イクストリーメ テクノロジース ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プラズマ放射線源、ガスカーテンを生成するための装置および気体ジェット真空ポンプ |
JP2007502000A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-01 | イェーノプティーク ミクロテヒニーク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | プラズマ放射線源およびプラズマ放射線源用のガスカーテンを形成するための装置 |
JPWO2006120942A1 (ja) * | 2005-05-06 | 2008-12-18 | 国立大学法人東京工業大学 | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
WO2006120942A1 (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Tokyo Institute Of Technology | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
JP5114711B2 (ja) * | 2005-05-06 | 2013-01-09 | 国立大学法人東京工業大学 | プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法 |
WO2011027737A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 株式会社Ihi | プラズマ光源 |
JP2011054729A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
JP2011054730A (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Ihi Corp | プラズマ光源 |
US8648536B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-02-11 | Ihi Corporation | Plasma light source |
US9000402B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-04-07 | Ihi Corporation | LPP EUV light source and method for producing the same |
JP2011222184A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Ihi Corp | プラズマ光源とプラズマ光発生方法 |
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