JPH01239914A - 枚葉処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、枚葉処理装置に関する。

（従来の技術） 半導体の製造工程において、生産効率を向上させるため
の一手段として、複数の処理機構１例えば半導体ウェハ
のレジスト塗布、加熱処理、現像機構等を連続して配置
して処理する装置を使用し、また複数の半導体ウェハを
１単位すなわち１０ツトとして取扱い処理することが行
われている。

そして、各ロットを構成する半導体ウェハの処理条件を
、各ロフトおよび各処理機構毎に設定し直すようにして
いる。

（発明が解決、しようとする課題） しかしながら、連続して配置した処理機構の数が多くな
るとロット毎に全処理機構の処理条件を設定し直すのに
は時間がかかり、装置の稼動率を著しく低下させるばか
りではなく、条件設定を誤るおそれがある。

また、近年の傾向として、多品種少量生産が通常となり
つつある。したがって、ロットを構成する半導体ウェハ
の数も減少し、半導体ウェハ１枚毎に処理条件が異なる
こともあり、上記点を考慮した処理装置が要望されてい
た。

本発明は上述の従来事情に対処してなされたもので、稼
動率を低下させることなく半導体ウェハ毎に処理条件が
自動的に設定可能な枚葉処理装置を堤供しようとするも
のである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） すなわち本発明は、レジスト塗布・現４ｇ＜などの複数
の処理機溝を備え、この処理機構に半導体ウェハを１枚
ずつ移送して処理する枚葉処理装置において、各半導体
ウェハに対応した処理条件を記憶する記憶手段と、この
記憶手段から移送された半導体ウェハに対応する処理条
件を読出し、この処理条件により上記各処理機構を制御
して上記半導体ウェハを処理する制御手段を備えたこと
を特徴とする。

（作　用） 本発明枚葉処理装置では、各半導体ウェハに対応した処
理条件を記憶する記憶手段と、この記憶手段から移送さ
れた半導体ウェハに対応する処理条件を読出し、この処
理条件により各処理機構を制御して半導体ウェハを処理
する制御手段を備えているので、半導体ウェハの各処理
条件を自動的に設定して処理することができる。

（実施例） 以下、本発明枚葉処理装置の一実施例を図面を参照して
説明する。

装置本体（１）の−六個には、半導体ウェハ■を例えば
２５枚程度収納するウェハカセット（図示せず）を載置
し、上記半導体ウェハ■を１枚ずつウェハカセット（図
示せず）から取り出して搬出するローダ−（■と、複数
の処理機構例えばこのローダ−■から搬出された半導体
ウェハ■をレジストコータの載置台に保持し、第１の処
理例えばスピンコーティング法等によりこの半導体ウェ
ハ０表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程０）、
このレジスト塗布機構＠）により塗布されたレジスト中
に残留する溶剤を加熱蒸発させるプリベーク機構■と、
このプリベーク機構■によって熱処理された半導体ウェ
ハ０を他の処理装置例えば露光装置（図示せず）に搬送
して渡すセンダー■が直列状に並置されている。

一方、装置本体０）の他方側には、上述の各機構と並ぶ
ように、上記露光装置（図示せず）によって露光処理さ
れた半導体ウェハ（８）を受取った後に次の処理機構に
渡すレシーバ−（９）と、このレシーバ−（９）から渡
された上記半導体ウェハ（８）を第２の処理例えばスピ
ン法等により現像処理する現像機ｔＪ（１０）、この現
像機構（ｌＯ）によってパターン形成されたレジストに
残留する現像液を蒸発除去し半導体ウェハ（８）とレジ
ストどの密着性を強化するためのボストベーク機４ｉ！
（１１）と、このポストベーク機構（１１）によって熱
処理された半導体ウェハ（１２）をウェハカセット（図
示せず）に収納するアンローダ−（１３）が直列状に夫
夫−框体上に配置されている。

また、半導体ウェハ■の予め定められた位置に形成され
た識別表示記号例えばアルファベット、数字、バーコー
ドなどのＩＤマーク（図示せず）および各半導体ウェハ
に対応する上記夫夫の処理機構における各処理条件を予
めＩＣメモリーなどの記憶素子に入力することにより、
夫夫の半導体ウェハの処理条件を記憶しておく記憶手段
（１４）と、この記憶手段（１４）から上記ＩＤマーク
（図示せず）に対応する各処理条件を引き出して上記複
数の処理機構に指示するマイクロコンピュータ等を使用
した制御手段（１５）が設けられている。そして、例え
ば、ローダ−（３）において読取り手段（図示せず）に
より半導体ウェハ■のＩＤマーク（図示せず）の内容を
読取って制御手段（１５）に伝送する如く構成されてい
る。処理条件の記憶は半導体ウェハ毎でなくとも種別単
位で処理条件を記憶してもよい。

この方がメモリ容量が少くて済む利点がある。

次に、動作作用について説明する。

先ず、予め、半導体ウェハ■のＩＤマーク（図示せず）
と、このＩＤマーク（図示せず）に対応する各処理条件
に関する情報を記憶手段（１４）に記憶させておく。ロ
ーダ−■でウェハカセット（図示せず）に収納されてい
る半導体ウェハ（２）を１枚取出して、読取り手段（図
示せず）により半導体ウェハ■のＩＤマーク（図示せず
）の情報内容を読取りこの内容を制御手段（１５）に伝
送する。そして、上記半導体ウェハ■をレジスト塗布工
程であるレジスト塗布機構０）に搬送する。

ＩＤマーク（図示せず）の内容を受けた制御手段（１５
）により記憶手段（１４）内に記憶されている内容のう
ち、上記ＩＤマーク（図示せず）に対応する各処理条件
を自動的に読出し、この読出した処理に応じた制御を制
御系に指示する。

なお、記憶手段（１４）内における記憶は、例えば第２
図に示すように上記ＩＤマーク（図示せず）に対応する
各半導体ウェハｍ（２１）、ｍ　＋　１　（２２）、ｍ
　＋２　（２３）、・・・についてのデータ領域（２４
）、　（２５）、（２６）、・・・が確保されている。

各処理機構における各処理条件例えばレジスト塗布条件
ｍ（２７）、ｍ＋１　（２８）、ｍ　＋　２　（２９）
、・・・は、同一アドレスに記憶されている。

したがって、今、レジスト塗布処理しようとする半導体
ウェハ■が、ＩＤマーク（図示せず）によって、記憶手
段（１４）内に記憶されている内容のうち半導体ウェハ
ｍ（２１）に該当する処理条件で処理すべき旨指定され
ると、この処理条件を制御手段（１５）によって読出す
。そして、例えば、レジスト塗布条件ｍ（２７）をレジ
スト塗布機構（４）に指示して、この条件で枚葉処理す
るように制御する。

上記レジスト塗布処理が終了するとレジスト塗布機構（
１）から処理終了の旨制御手段（１５）に伝達される。

この後、上記半導体ウェハ（２）は次の処理工程である
プリベーク機構０に搬送されてプリベーク処理されるこ
とになるが、その処理条件は上記の場合と同じ半導体ウ
ェハｍ　（２］）に該当するプリベーク処理条件にて処
理するように上記プリベーク機構■に指示される。

一方、次の半導体ウェハ■は、ローダ−■にて上記同様
にＩＤマーク（図示せず）が読取られ、例えば半導体ウ
ェハｍ　＋　１　（２２）に対応するデータ領域（２５
）の内容に従って処理するように、制御手段（１５）が
レジスト塗布機構（イ）他の各機構に自動的に指示する
。以下、上述の手順に従って、処理を行う。

なお、上記実施例では半導体ウェハ■のＩＤマークの読
取りをローダ−（３）にて読取ることで説明したが、他
の各処理機構において読取りその情報を制御手段（１５
）に伝達するように構成してもよい。

また、各処理機構における処理条件の記憶は、上記実施
例のようにＩＤマーク別すなわち半導体ウェハ別に設け
たデータ領域に各処理条件をすべて記憶する方法の他、
各処理別にデータ領域を設けてＩＤマークに対応した処
理条件を記憶するようにしてもよい。

レジスト塗布現像工程は、レジスト量１回転数、回転時
間、加熱時間、加熱温度、現像時間等の条件設定項目が
多いので１本発明は非常に有効である。

〔発明の効果〕

上述したように本発明枚葉処理装置によれば、処理条件
が変っても稼動率を低下させることなく自動的に枚葉処
理することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明枚葉処理装置の一実施例を説明するため
の植成図、第２図は第１図の部分説明図である。 ２・・・半導体ウェハ、　　４・・・レジスト塗布機構
、１０・・・現像機構、　　　　１４・・・記憶手段、
１５・・・制御手段。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　レジスト塗布・現像などの複数の処理機構を備え、こ
   の処理機構に半導体ウェハを１枚ずつ移送して処理する
   枚葉処理装置において、各半導体ウェハに対応した処理
   条件を記憶する記憶手段と、この記憶手段から移送され
   た半導体ウェハに対応する処理条件を読出し、この処理
   条件により上記各処理機構を制御して上記半導体ウェハ
   を処理する制御手段を備えたことを特徴とする枚葉処理
   装置。