JPH01227437A - Developing device - Google Patents
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- JPH01227437A JPH01227437A JP5328588A JP5328588A JPH01227437A JP H01227437 A JPH01227437 A JP H01227437A JP 5328588 A JP5328588 A JP 5328588A JP 5328588 A JP5328588 A JP 5328588A JP H01227437 A JPH01227437 A JP H01227437A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、現像装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a developing device.
(従来の技術)
一般に、現像装置は、半導体ウェハ等の表面に形成され
た感光性膜に現像液を供給し、所定時間感光性膜と、現
像液とを接触させて、現像を行う。(Prior Art) Generally, a developing device supplies a developer to a photosensitive film formed on the surface of a semiconductor wafer or the like, and brings the photosensitive film into contact with the developer for a predetermined period of time to perform development.
ここで、上記現像液を供給する手段の一例として、現像
液をスプレー状に半導体ウェハ等に供給するものがある
。このスプレー機構ωは、第5図に示す如くスプレーチ
ップ■にオリフィス■を設け、このオリフィス■から吐
出した液が斜面に)につき当たり、扇状のスプレー液の
形状として吐出されるものである。又、スプレー液の角
度を調整可能゛とすべくスプレーチップ■は、ホルダー
〇にパツキン0を介してナツト0にて取り付けられてい
る。Here, as an example of a means for supplying the developer, there is a method that supplies the developer in the form of a spray onto a semiconductor wafer or the like. In this spray mechanism ω, as shown in FIG. 5, an orifice (2) is provided in the spray tip (2), and the liquid discharged from the orifice (2) impinges on the slope () and is discharged in the form of a fan-shaped spray liquid. Also, in order to be able to adjust the angle of the spray liquid, the spray tip (2) is attached to the holder (0) via a gasket (0) with a nut (0).
ここで上記スプレー機構ωで、現像液を供給するとスプ
レーチップ■の先端(ハ)やナツト■の下端0)に、ス
プレー液のミストや残液が付着することがあり、これら
付着物がしず< (10)となって現像液供給終了後に
、スプレー機構■から半導体ウェハ等の基板上に゛落下
することがある1例えば現像終了後や現像前の基板にこ
のしず< (10)が落下すると、その部分の現像条件
が異なることとなり現像ムラ、不良の原因となる。Here, when the developer is supplied using the spray mechanism ω, spray liquid mist or residual liquid may adhere to the tip (C) of the spray tip (C) or the lower end (0) of the nut (■), and these deposits may not drip. < (10) may fall from the spray mechanism (■) onto a substrate such as a semiconductor wafer after the developer supply is completed.1 For example, these droplets < (10) may fall onto the substrate after development or before development. Then, the developing conditions for that part will be different, causing uneven development and defects.
上記のよ□うな、スプレー機構ωに発生するしず< (
10)対策として、特公昭6G−45943号、特公昭
60−45944号、実開昭61−12232号、特開
昭61−27629号公報に開示されたものがある。As mentioned above, drops that occur in the spray mechanism ω < (
10) As countermeasures, there are those disclosed in Japanese Patent Publication No. 6G-45943, Japanese Patent Publication No. 60-45944, Japanese Utility Model Application No. 61-12232, and Japanese Patent Application Publication No. 61-27629.
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、スプレー機構■に付着したしず< (1
0)のボタ落ちを防止する対策として実開昭61−12
232号公報には、現像液滴下ノズルの下部又は゛
下方に、ボタ落ちする液をウェハ外側へ導く板、管又は
線を有すると開示されているが、このように構成すると
現像液を半導体ウェハの所望する位置に供給することが
困難になるという問題点があった。又、特開昭61−2
7629号公報のように現像液滴下ノズルを移動可能と
し、滴下後にノズルを逃がすように構成されているか、
このように構成すると、ノズルの逃避スペースを確保す
る必要があり装置自体が大型化してしまい移動中にしず
くが落下してしまうという問題があった。さらに、特公
昭60−45944号公報には現像液滴下ノズルに液だ
まり部を設けた2流体式で構成されているが、このよう
に構成しても、液だまり部からの現像液しずくのボタ落
ちは解消されなかった。(Problem to be solved by the invention) However, drops attached to the spray mechanism (1)
0) as a measure to prevent the drop of drops.
No. 232 discloses that the lower part of the developer dripping nozzle or
Although it is disclosed that there is a plate, tube, or line at the bottom that guides the dripping liquid to the outside of the wafer, there is a problem that such a configuration makes it difficult to supply the developer to a desired position on the semiconductor wafer. There was a point. Also, JP-A-61-2
Is the developing solution dripping nozzle movable and constructed so that the nozzle escapes after dripping, as in Publication No. 7629?
With this configuration, it is necessary to secure an escape space for the nozzle, which increases the size of the device itself, and there is a problem that droplets may fall during movement. Furthermore, Japanese Patent Publication No. 60-45944 discloses a two-fluid system in which a developer dripping nozzle is provided with a liquid pool, but even with this configuration, the developer droplets from the liquid pool cannot be removed. The drop was not resolved.
又、上記特公昭60−45944号の対策として特公昭
60−45943号に開示されているように2流体スプ
レーノズルにおいて、液体の供給を停止した後に、一定
期間後に気体の供給を停止するとあるが、このように構
成すると、気体のみを半導体ウェハ等に供給することと
なり、時間的なロスや現像ムラが発生するという問題点
があった。さらに、スプレーノズル先端にしずくを除去
するブローノズルを取付けたものがあるが、この方法だ
と、しずくの問題は解決されるがミストやパーティクル
を発生するという問題があった。Furthermore, as a countermeasure to the above-mentioned Japanese Patent Publication No. 60-45944, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 60-45943, in a two-fluid spray nozzle, after stopping the supply of liquid, the supply of gas is stopped after a certain period of time. With this configuration, only gas is supplied to the semiconductor wafer, etc., which causes problems such as time loss and development unevenness. Furthermore, there is a method in which a blow nozzle for removing droplets is attached to the tip of the spray nozzle, but although this method solves the problem of droplets, it has the problem of generating mist and particles.
この発明は上記点に対処してなされたもので、スプレー
機構からの液落下を防止でき、ミストやパーティクルの
発生をなくし正確な現像処理を実行できる現像装置を提
供するものである。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a developing device that can prevent liquid from falling from the spray mechanism, eliminate the generation of mist and particles, and perform accurate developing processing.
(課題を解決するための手段)
この発明は、感光性膜が形成された被処理体に現像液供
給手段から現像液を供給して現像を行なう現像装置にお
いて、上記現像液供給手段の少なくとも現像液を供給す
る位置の近傍に真空引き機構を設けたことを特徴とする
。(Means for Solving the Problems) The present invention provides a developing device that performs development by supplying a developer from a developer supply means to an object to be processed on which a photosensitive film is formed. A feature is that a vacuum mechanism is provided near the position where the liquid is supplied.
(作用効果)
現像液供給手段の少なくとも現像液を供給する位置の近
傍に真空引き機構を設けたことにより、現像液供給手段
からの液落下を防止でき、ミストやパーティクルの発生
をなくし、正確な現像処理を実行できる効果が得られる
。(Effect) By providing a vacuum mechanism at least near the position of the developer supply means, it is possible to prevent the liquid from falling from the developer supply means, eliminate the generation of mist and particles, and provide accurate The effect of being able to perform development processing can be obtained.
(実施例)
次に、本発明装置の一実施例を図面を参照して説明する
。(Example) Next, an example of the apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.
この現像装置(11)は、被処理体例えば半導体ウェハ
(12)上に塗布されたフォトレジストにパターンを露
光した後に現像するための装置であり、第2図に示すよ
うに、主に、現像液を被処理体にスプレー状に供給する
現像液供給部(13)と、この供給部(13)から被処
理体に供給された現像処理を行なう処理部(14)から
構成されている。This developing device (11) is a device for developing a pattern after exposing a photoresist coated on an object to be processed, such as a semiconductor wafer (12), and as shown in FIG. It is comprised of a developer supply section (13) that supplies liquid to the object to be processed in a spray form, and a processing section (14) that performs development processing supplied from the supply section (13) to the object to be processed.
上記現像液供給部(13)には、例えば強アルカリ性溶
液や引火性の有機溶剤の現像液(15)を貯蔵する密閉
した現像液タンク(16)が設けられている。The developer supply section (13) is provided with a closed developer tank (16) that stores a developer (15) of, for example, a strong alkaline solution or a flammable organic solvent.
この現像液タンク(16)の上側には、現像液(15)
を加圧する為に、圧力調整弁(17)で加圧された気体
例えば窒素(18)が供給される如く、ガス供給管(1
9)が接続されている。又、上記現像液タンク(16)
から貯蔵された現像液(15)を被処理体例えば半導体
ウェハ(12)に供給するスプレーユニット(20)ま
では、流導管(zl)により配管されていて、この流導
管(21)の一端は、現像液タンク(16)の現像液(
15)に浸漬している。上記流導管(21)の所定の位
置には、現像液(15)の供給量を制御するフローメー
ター(22)が設けられていて、さらに、開閉弁(23
)により現像液(15)の供給および停止が可能なよう
に構成されている。又、流導管(21)には、現像液(
15)を所望の温度に調節可能なように温度調節機構(
24)がスプレーユニット(20)と接するように設け
られている。上記スプレーユニット(20)は、第1図
に示すように、流導管(21)と接続する如く内部配管
(25)がされたホルダー(26)が設けられている。A developer (15) is placed above the developer tank (16).
In order to pressurize the gas, the gas supply pipe (1
9) is connected. Also, the developer tank (16)
A flow conduit (zl) connects the spray unit (20) that supplies the stored developer (15) to an object to be processed, such as a semiconductor wafer (12), and one end of this flow conduit (21) , the developer in the developer tank (16) (
15). A flow meter (22) for controlling the supply amount of the developer (15) is provided at a predetermined position of the flow conduit (21), and an on-off valve (23) is provided at a predetermined position of the flow conduit (21).
) is configured to be able to supply and stop the developer (15). In addition, the flow conduit (21) contains a developer (
15) to a desired temperature.
24) is provided in contact with the spray unit (20). As shown in FIG. 1, the spray unit (20) is provided with a holder (26) having internal piping (25) connected to the flow conduit (21).
又、このホルダー(26)の配管(25)とパツキン(
27)を介して接続するオリフィス(28)が設けられ
たスプレーチップ(29)が角度調節可能なようにナツ
ト(30)によりホルダー(26)に取付けられている
。上記スプレーチップ(29)のオリフィス(28)の
直線延長上には、上記オリフィス(28)から供給され
た現像液(15)を噴霧状に即ちスプレー状に形成する
ように斜面からなる拡散壁(31)が設けられている。Also, the piping (25) of this holder (26) and the packing (
A spray tip (29), provided with an orifice (28) connected via an orifice (27), is attached to the holder (26) in an angle-adjustable manner by means of a nut (30). On the linear extension of the orifice (28) of the spray chip (29), there is a diffusion wall ( 31) is provided.
上記のようなスプレーユニット(20)から現像液(1
5)を吐出すると現像液(15)のミストや残液による
しずくが、スプレーチップ(29)の液だまりである先
端(29a)やナツト(30)の液だまりである下端(
30a)に付着することがあるので、このしずくの付着
の防止をするように構成されている。つまり、スプレー
チップ(29)の先端(29a)およびナツト(30)
の下端(30a)の近傍に、ミストや残液を吸入するよ
うに真空引きノズル(32a) (32b)が設けられ
ている。又、真空引きノズル(32a)(32b)の先
端には所望に応じて受皿(33)を設けても良く、この
実施例の場合、ナツト(30)の下端(30a)近傍の
ノズル(32b)の先端に受皿(33)を設け、より液
しずくを取り易くしている。上記各ノズル(32a)
(32b)を集合した真空引きノズル(32)は、空気
圧式真空装置(34)に接続されている。この空気圧式
真空装置!(34)は、圧力空気源(35)より供給口
(36)に圧力空気が供給され、内部のベンチュリー効
果により真空が発生し、真空引きノズル(32)に接続
している真空口(37)より吸入される。又、真空引き
ノズル(32)より真空装置I(34)に真空引きされ
た気液混合体は、供給空気と混合され正圧の気液混合体
として、排気口(38)より排気される。□この排気口
(38)より排気された気液混合体は、気液分離装置(
39)により、気体と液体に分離され。From the spray unit (20) as described above, the developer (1
When discharging 5), the mist of the developer (15) and drops of residual liquid will be deposited on the tip (29a) which is the liquid pool of the spray tip (29) and the bottom end (which is the liquid pool of the nut (30)).
30a), so the structure is designed to prevent this droplet from adhering. That is, the tip (29a) of the spray tip (29) and the nut (30)
Vacuum nozzles (32a) (32b) are provided near the lower end (30a) of the nozzle to suck in mist and residual liquid. Further, a saucer (33) may be provided at the tip of the vacuum nozzle (32a) (32b) as desired. In this embodiment, the nozzle (32b) near the lower end (30a) of the nut (30) A saucer (33) is provided at the tip of the container to make it easier to collect liquid drops. Each of the above nozzles (32a)
The vacuum nozzle (32) that collects the vacuum nozzles (32b) is connected to a pneumatic vacuum device (34). This pneumatic vacuum device! (34) is a vacuum port (37) that is connected to a vacuum nozzle (32) when pressurized air is supplied from a pressure air source (35) to a supply port (36), and a vacuum is generated by the internal Venturi effect. more inhaled. Further, the gas-liquid mixture evacuated from the vacuum nozzle (32) to the vacuum device I (34) is mixed with the supplied air and exhausted from the exhaust port (38) as a positive-pressure gas-liquid mixture. □The gas-liquid mixture exhausted from this exhaust port (38) is sent to the gas-liquid separator (
39), it is separated into gas and liquid.
液体分は、排液管(40)より排出され、気体分は、排
気処理装置(41)により処理される。上記のように、
現像液供給部(13)が供給されている。The liquid component is discharged from the drain pipe (40), and the gas component is treated by the exhaust treatment device (41). As described above,
A developer supply section (13) is supplied.
次に、上記供給部(13)より供給された現像液(15
)を処理する処理部(14)について説明する。Next, the developer (15) supplied from the supply section (13)
) will now be described.
処理部(14)には、被処理体例えば半導体ウェハ(1
2)を真空吸着して固定可能なようにチャック(42)
が設けられている。このチャック(42)は、スピンモ
ータ(43)に係合されていて、所望に応じて回転可能
とされている。上記チャック(42)に載置された半導
体ウェハ(12)を囲むように有底円筒形の処理槽が構
成される。この処理槽は、上方が開放された上カップ(
44)と、この上カップ(44)と連続して断面U字型
の下カップ(45)とからなる、この下カップ(45)
底面には、外側に排液口(46)および内側に排気口(
47)が接続して設けられ、これら排液と排気を分離す
るために所定の位置に゛分離壁(48)が設けられてい
る。又、下カップ(45)には、半導体ウェハ(12)
の裏面への排液のはね返りを防止するように、なおかつ
排気口(47)に排液が流入しないように排気流路を形
成する如く内カップ(49)が固定されている。さらに
、半導体ウェハ(12)をチャック(42)に搬出入可
能なように、上カップ(44)および下カップ(45)
が夫々独立して、図示しない昇降機構により昇降自在と
されている。The processing section (14) has an object to be processed, such as a semiconductor wafer (1
2) Chuck (42) so that it can be fixed by vacuum suction
is provided. This chuck (42) is engaged with a spin motor (43) and can be rotated as desired. A cylindrical processing tank with a bottom is configured to surround the semiconductor wafer (12) placed on the chuck (42). This processing tank has an upper cup with an open top (
44), and a lower cup (45) that is continuous with the upper cup (44) and has a U-shaped cross section.
The bottom has a drain port (46) on the outside and an exhaust port (46) on the inside.
47) are connected to each other, and a separation wall (48) is provided at a predetermined position to separate these drained liquid and exhaust gas. In addition, the lower cup (45) contains a semiconductor wafer (12).
The inner cup (49) is fixed to form an exhaust flow path to prevent the drained liquid from splashing back to the back surface of the cup and to prevent the drained liquid from flowing into the exhaust port (47). Further, an upper cup (44) and a lower cup (45) are provided so that the semiconductor wafer (12) can be loaded into and taken out of the chuck (42).
They are each independently movable up and down by a lifting mechanism (not shown).
上記したような処理部(14)と現像液供給部(13)
により現像装置(11)が構成されている。次に、上記
現像装置(11)の動作作用を説明する。Processing section (14) and developer supply section (13) as described above
A developing device (11) is constituted by the above. Next, the operation of the developing device (11) will be explained.
まず、処理槽を構成する上カップ(44)および下カッ
プ(45)を夫々図示しない昇降機構により下降して下
状態とする。ここで、図示しない搬送機構例えばハンド
リングアーム等で被処理体例えば半導体ウェハ(12)
をチャック(42)上に搬送する。この搬送された半導
体ウェハ(12)をチャック(42)で真空吸着すると
ともに、上カップ(44)および下カップ(45)を上
昇して所定の位置で処理槽を構成する0次に、スピンモ
ータ(43)により、例えば11000rp程度で半導
体ウェハ(12)を回転させながら、スプレーユニット
(20)から半導体ウェハ(12)に向けて現像液(1
5)を例えば0.3秒間スプレーする。First, the upper cup (44) and lower cup (45) constituting the processing tank are lowered to a lower state by a lifting mechanism (not shown), respectively. Here, the object to be processed, such as a semiconductor wafer (12), is transported by a transport mechanism (not shown), such as a handling arm, etc.
is conveyed onto the chuck (42). This transported semiconductor wafer (12) is vacuum-chucking with a chuck (42), and the upper cup (44) and lower cup (45) are raised to a predetermined position to form a processing tank. (43), while rotating the semiconductor wafer (12) at, for example, about 11,000 rpm, the developer (1) is sprayed from the spray unit (20) toward the semiconductor wafer (12).
5), for example, for 0.3 seconds.
この後回転速度を例えば30rpm程度として例えば3
秒間程度スプレーし、しかる後、回転を停止して所定の
時間例えば60秒現像を行なう。上記スプレーユニット
(20)による現像液(15)のスプレーは、加圧調整
弁(17)で加圧した気体例えば窒素(18)を、ガス
供給管(19)から現像液タンク(16)に供給する。After this, the rotation speed is set to about 30 rpm, for example,
The spray is applied for about a second, and then the rotation is stopped and development is carried out for a predetermined period of time, for example, 60 seconds. The developer (15) is sprayed by the spray unit (20) by supplying a gas such as nitrogen (18) pressurized by the pressure adjustment valve (17) to the developer tank (16) from the gas supply pipe (19). do.
このことにより現像液タンク(16)に貯蔵している現
像液(15)を流導管(21)に押し出し、開閉弁(2
3)を開いた状態にしてフローメータ(22)により流
量を調節し、なおかつ温度調節機構(24)で所望の温
度番こ制御した現像液(15)をスプレーユニット(2
0)に供給する。この供給された現像液(15)をスプ
レーチップ(29)のオリフィス(28)から拡散壁(
21)に噴射し、この拡散壁(31)で現像液(15)
を扇状のスプレー液として半導体ウェハ(12)に供給
する。ここで、現像液(15)の供給を停止すると同時
に、スプレーユニット(20)に付着した現像液(15
)の残液等を取り除く。即ち、スプレーユニット(20
)のスプレーチップ(29)の先端(29a)の近傍に
設置された真空引きノズル(32a)と、ナツト(30
)の下端(30a)の近傍に設置された真空引きノズル
(32b)とが集合した真空引きノズル(32)に接続
している空気圧式真空装置(34)を作動して、各ノズ
ル(32a)(32b)で真空引きし、残液等を含む気
液混合体を吸入する。ここで吸入した気液混合体を気液
分離装置(39)で気体と液体に分離して、液体は排気
管(40)より排出し、気体は排気処理装置I(41)
による処理を行なう。As a result, the developer (15) stored in the developer tank (16) is pushed out to the flow pipe (21), and the on-off valve (2
3) in the open state, the flow rate is adjusted by the flow meter (22), and the developer (15) whose temperature is controlled to the desired temperature by the temperature adjustment mechanism (24) is sprayed into the spray unit (2).
0). The supplied developer (15) is passed through the orifice (28) of the spray chip (29) to the diffusion wall (
21), and this diffusion wall (31) spreads the developer (15).
is supplied to the semiconductor wafer (12) as a fan-shaped spray liquid. At this point, the supply of the developer (15) is stopped, and at the same time, the developer (15) attached to the spray unit (20) is stopped.
) Remove remaining liquid, etc. That is, the spray unit (20
) and a vacuum nozzle (32a) installed near the tip (29a) of the spray tip (29) of the
) The pneumatic vacuum device (34) connected to the vacuum nozzle (32), which is a collection of vacuum nozzles (32b) installed near the lower end (30a) of (32b) to evacuate and suck in the gas-liquid mixture containing residual liquid and the like. The gas-liquid mixture inhaled here is separated into gas and liquid by the gas-liquid separation device (39), the liquid is discharged from the exhaust pipe (40), and the gas is transferred to the exhaust treatment device I (41).
Processing is performed by
次に現像時間が経過した後、再び半導体ウェハ(12)
を回転させ、図示しないリンス液供給ノズルから純水等
のリンス液を供給し、リンス操作を行ない、この後、リ
ンス液の供給を停止して、半導体ウェハ(12)を回転
させることにより乾燥を行なう。上記のようにして、半
導体ウェハ(12)の現像処理を実行する。Next, after the development time has elapsed, the semiconductor wafer (12) is
The semiconductor wafer (12) is rotated and a rinsing liquid such as pure water is supplied from a rinsing liquid supply nozzle (not shown) to perform a rinsing operation.After this, the supply of the rinsing liquid is stopped and the semiconductor wafer (12) is rotated to perform drying. Let's do it. Development processing of the semiconductor wafer (12) is performed as described above.
以上説明したように本実施例によると、スプレーユニッ
トに付着する液体を真空引きにより取り除くことが可能
であり、スプレーユニットからの液落下の問題を解決す
るとともに、液しずくを周囲に飛び散らせないためミス
トの発生などもなく、現像処理における。しずくの落下
やミストの発生等の欠陥・不良をなくすことが可能とな
る。As explained above, according to this embodiment, it is possible to remove the liquid adhering to the spray unit by vacuuming, which solves the problem of liquid falling from the spray unit, and also prevents liquid droplets from scattering around. There was no generation of mist during the development process. It becomes possible to eliminate defects and defects such as falling drops and generation of mist.
この発明は上記実施例に限定されるものではなく、被処
理体は半導体ウェハでなくともLCD基板などでも良く
現像処理をするものなら何れでも良い、又、現像液を供
給するものはスプレーユニットでなくともノズル等の液
体を吐出するものなら何れでも良く、吐出する液体も現
像液でなくともリンス液として用いる純水などでも何れ
でも良く、例えば半導体ウェハにフォトレジストを塗布
する場合でも、残液等を真空引きすることにより上記実
施例と同様な効果が得られる。さらに、残液等の真空引
きの時期も、現像液をスプレー中に行なっても良く、真
空引きする真空源として真空ポンプ等を用いた一般的な
ものでも何れでも良いが、通常現像液は強アルカリ性溶
液や引火性の有機溶剤であり危険性が高いので連続処理
の優れている空気圧式真空装置とするのが望ましく、又
。The present invention is not limited to the above embodiments, and the object to be processed may be anything other than a semiconductor wafer, such as an LCD substrate, as long as it can be developed, and the device that supplies the developer may be a spray unit. Any device that discharges a liquid, such as a nozzle, may be used, and the liquid to be discharged may not be a developer, but may be pure water used as a rinsing liquid.For example, when applying photoresist to a semiconductor wafer, residual liquid may be used. The same effect as in the above embodiment can be obtained by evacuating the above. Furthermore, the timing of vacuuming the remaining liquid may be done while the developer is being sprayed, or it may be done using a general vacuum source such as a vacuum pump, but usually the developer is Since it is an alkaline solution or a flammable organic solvent and is highly dangerous, it is desirable to use a pneumatic vacuum device that can perform continuous processing.
現像方法としてチャックの回転数や現像液の供給量など
は適宜任意に選択して良いことは言うまでもない。It goes without saying that the number of rotations of the chuck, the amount of developer supplied, etc. as the developing method may be arbitrarily selected as appropriate.
さらにスプレーユニットにおける他の実施例を説明する
。Furthermore, other embodiments of the spray unit will be described.
このスプレーユニット(50)は第3図に示すように、
真空引きノズル(51a)がスプレーチップ(52)の
内部に形成され、このスプレーチップ(52)の先端(
52a)に、真空引きノズル(51a)の開口が設けら
れている6又、ナツト(53)は、ロックナツト(54
)との締め込みによりスプレーチップ(52)をホルダ
ー(55)に取付けるもので、ナツト(53)の回転は
不要であり、ナツト(53)の下端(53a)にも真空
引ノズル(51b)が設けられている。上記各真空引き
ノズル(51a) (51b)は、スプレーチップ(5
2)、ナツト(53)、ロクナット(54)、パツキン
(56)及びホルダ(55)で囲まれた空間(57)で
集合され、この空間(57)に接続する如く真空引きノ
ズル(51)がナツト(53)に取付けられている。こ
の真空引きノズル(51)で真空引きすることにより、
しずく等の除去が行なわれる。As shown in FIG. 3, this spray unit (50)
A vacuum nozzle (51a) is formed inside the spray tip (52), and a tip (
The six-pronged nut (53), in which the opening of the vacuum nozzle (51a) is provided, is connected to the lock nut (54).
) to attach the spray tip (52) to the holder (55), there is no need to rotate the nut (53), and the lower end (53a) of the nut (53) also has a vacuum nozzle (51b). It is provided. Each of the vacuum nozzles (51a) (51b) has a spray tip (5
2), a space (57) surrounded by a nut (53), a locking nut (54), a packing (56), and a holder (55) is assembled, and a vacuum nozzle (51) is connected to this space (57). It is attached to the nut (53). By vacuuming with this vacuum nozzle (51),
Drops, etc. are removed.
上記のようにスプレーユニットを構成すると。If you configure the spray unit as above.
上述した第1の実施例と同様な効果が得られることはも
ちろんのこと、なおかっ、外部ノズルを設ける必要がな
いため、ノズルの位置合わせを不要とし、構成要素数が
少なくなるため、スプレーユニットを小型(ヒ可能とし
、スプレーユニットの動作の安定性が向上する。Not only can the same effects as the first embodiment described above be obtained, but also, since there is no need to provide an external nozzle, there is no need to align the nozzle, and the number of components is reduced, so the spray unit This makes it possible to reduce the size of the spray unit and improve the stability of the spray unit's operation.
さらに又、現像液の温調手段として現像液を所望の設定
温度に保つため、現像液を外部に供給する寸前まで温調
することが望ましい。この手段として例えば第4図に示
すように、現像液の流導管(58)をコイル状に形成し
、このコイル状の流導管(58)を囲むように材質例え
ばSUS製のウォータージャケット(59)を配設し、
このウォータージャケット(59)内を温調器(60)
で温調した恒温水を循環させるように構成する。又、こ
のウォータージャケット(59)からスプレーユニット
(61)までは、二重管構造で、内管を現像液の流導管
(58)として、この流導管(58)を囲むように、材
質例えばゴム製の外管(62)で構成し、この外管(6
2)内を温調器(60)で温調した恒温水を循環させる
ようにする。Furthermore, in order to maintain the developer at a desired set temperature as a temperature control means for the developer, it is desirable to adjust the temperature of the developer to the point just before supplying it to the outside. As a means for this, for example, as shown in FIG. 4, a developer flow conduit (58) is formed in a coil shape, and a water jacket (59) made of a material such as SUS is placed around the coiled flow conduit (58). and
Inside this water jacket (59) there is a temperature controller (60)
It is configured to circulate constant-temperature water whose temperature is controlled by The water jacket (59) to the spray unit (61) has a double-tube structure, with the inner tube serving as a flow conduit (58) for the developer, and the flow conduit (58) being surrounded by a material such as rubber. It consists of an outer tube (62) made of
2) Constant temperature water whose temperature is controlled by a temperature controller (60) is circulated inside.
このように、恒温水によるウォータージャケット及び二
重管による二段階間接温調を実行すると、スプレーユニ
ットに至るまで現像液を温調できるので、現像液の温度
変化を防止でき、所望の温度で現像液を提供できる。又
、この温調゛方法は、現像液のみならず例えばフォトレ
ジスト塗布装置におけるフォトレジストの温調にも適宜
応用できる。In this way, by performing two-stage indirect temperature control using a water jacket with constant temperature water and a double pipe, it is possible to control the temperature of the developer up to the spray unit, which prevents temperature changes in the developer and allows development to be performed at the desired temperature. liquid can be provided. Further, this temperature control method can be appropriately applied not only to the developer but also to, for example, the temperature control of the photoresist in a photoresist coating apparatus.
第1図は本発明の一実施例を説明するためのスプレーユ
ニットの構成図、第2図は第1図のスプレーユニットを
使用した現像装置の構成図第3図は第1図の他の実施例
の説明図、第4図は第2図の温調機構の説明図、第5図
は従来例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a spray unit for explaining one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a developing device using the spray unit shown in FIG. An explanatory diagram of an example, FIG. 4 is an explanatory diagram of the temperature control mechanism of FIG. 2, and FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional example.
Claims (1)
現像液を供給して現像を行なう現像装置において、上記
現像液供給手段の少なくとも現像液を供給する位置の近
傍に真空引き機構を設けたことを特徴とする現像装置。In a developing device that performs development by supplying a developer from a developer supply means to an object to be processed on which a photosensitive film is formed, a vacuum mechanism is provided at least in the vicinity of a position of the developer supply means to which the developer is supplied. A developing device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63053285A JP2558490B2 (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Development device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP63053285A JP2558490B2 (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Development device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01227437A true JPH01227437A (en) | 1989-09-11 |
JP2558490B2 JP2558490B2 (en) | 1996-11-27 |
Family
ID=12938458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63053285A Expired - Lifetime JP2558490B2 (en) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | Development device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2558490B2 (en) |
Cited By (2)
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1988
- 1988-03-07 JP JP63053285A patent/JP2558490B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2558490B2 (en) | 1996-11-27 |
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