JPH01221175A - 治療装置 - Google Patents
治療装置Info
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- JPH01221175A JPH01221175A JP63048264A JP4826488A JPH01221175A JP H01221175 A JPH01221175 A JP H01221175A JP 63048264 A JP63048264 A JP 63048264A JP 4826488 A JP4826488 A JP 4826488A JP H01221175 A JPH01221175 A JP H01221175A
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Landscapes
- Magnetic Treatment Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁場、特に局所的に急峻な勾配を有し、そ
の焦点で疾患部位を取り囲みその代謝を抑制する分子の
障壁を形成する勾配磁場を用いた治療装置に関するもの
である。
の焦点で疾患部位を取り囲みその代謝を抑制する分子の
障壁を形成する勾配磁場を用いた治療装置に関するもの
である。
生体内での急速な代謝を伴なう疾患としてガンを例にと
り説明する。
り説明する。
第２図は、例えば「計測と制御」、２２巻、１０号。
昭和５８年、８６３頁に記載されている従来の磁場を用
いたガン治療装置の一つである高周波磁気式ハイパーサ
ーミア（温熱療法または加温療法）と呼ばれるガン治療
装置の構成の概念を示す図であり、（１）は生体（人体
） 、 （２）は人体（１）内部のガン部位。
いたガン治療装置の一つである高周波磁気式ハイパーサ
ーミア（温熱療法または加温療法）と呼ばれるガン治療
装置の構成の概念を示す図であり、（１）は生体（人体
） 、 （２）は人体（１）内部のガン部位。
（３）はガン部位（２）を加温するための高周波コイル
である。
である。
従来の磁場を用いたガン治療装置は上記のように構成さ
れ、例えば、高周波コイル（３）に高周波電流を流して
高周波磁場を発生させれば人体（１）内のガン部位（２
）周辺にうず電流が流れその近傍が加熱される。このと
き、ガン細胞は４２〜４３℃の温度に保持されればその
成長が止まり、最終的には壊死状態に陥ることは上記雑
誌にも記載されているように周知である。
れ、例えば、高周波コイル（３）に高周波電流を流して
高周波磁場を発生させれば人体（１）内のガン部位（２
）周辺にうず電流が流れその近傍が加熱される。このと
き、ガン細胞は４２〜４３℃の温度に保持されればその
成長が止まり、最終的には壊死状態に陥ることは上記雑
誌にも記載されているように周知である。
上記のような従来の磁場を用いた治療装置では、高周波
磁場により疾患部位を加熱していたが、この温度制御が
重要であり、生体の不均質性などのためこれを精度よく
行うのが難かしいという課題があった。
磁場により疾患部位を加熱していたが、この温度制御が
重要であり、生体の不均質性などのためこれを精度よく
行うのが難かしいという課題があった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、疾患部位の細胞の代謝を抑制してそれを壊死させる
ことができる治療装置を得ることを目的とする。
で、疾患部位の細胞の代謝を抑制してそれを壊死させる
ことができる治療装置を得ることを目的とする。
この発明に係る磁場を用いた治療装置は、その内部に急
速な代謝を伴なう疾患部位を有する生体を含む空間にほ
ぼ一様な直流磁場と、局所的に急峻な勾配を有しその焦
点を疾患部位近傍に印加しこれを囲繞する分子の障壁を
所定期間形成する勾配磁場とを、直交する３軸方向にそ
れぞれ発生する磁場発生手段を備えたものである。
速な代謝を伴なう疾患部位を有する生体を含む空間にほ
ぼ一様な直流磁場と、局所的に急峻な勾配を有しその焦
点を疾患部位近傍に印加しこれを囲繞する分子の障壁を
所定期間形成する勾配磁場とを、直交する３軸方向にそ
れぞれ発生する磁場発生手段を備えたものである。
この発明においては、急峻な勾配磁場により疾患部位を
取り囲む酸素分子の障壁を形成し、疾患部位の代謝を抑
制する。
取り囲む酸素分子の障壁を形成し、疾患部位の代謝を抑
制する。
第１図はこの発明の一実施例の磁場を用いたガン治療装
置の構成の概念を示す図であり、（１） 、 （２）は
従来例と同様のものである。（４Ｘ） 、 （４７）、
（４Ｚ）はｘ、 ｙ、 ｚ各軸上にそれぞれ設けられ
、各軸方向にほぼ一様な直流磁場を発生するコイル対で
あり、通常へルムホルツコイルと呼ばれるものである。
置の構成の概念を示す図であり、（１） 、 （２）は
従来例と同様のものである。（４Ｘ） 、 （４７）、
（４Ｚ）はｘ、 ｙ、 ｚ各軸上にそれぞれ設けられ
、各軸方向にほぼ一様な直流磁場を発生するコイル対で
あり、通常へルムホルツコイルと呼ばれるものである。
（５ｘ）、 （５ｙ） 、 （ｓｚ）はｘ、ｙ、ｚ各
軸上にそれぞれ設けられた複数の円形ループコイル対よ
り成り各軸方向に局所的に急峻な勾配を有する磁場を発
生するものであり、例えば同一出願人による特開昭６１
−１７２３０７号公報に記載されている高次のシムコイ
ルを用いることができる。この高次のシムコイルでは、
各々の円形ループコイル対に所定の電流比と方向を持つ
電流を流せば特定次数の磁場が発生でき、例えば５対の
円形ループコイルにより原点近傍に８次関数状の急峻な
勾配磁場を発生することができる。上記コイルとしては
、超電導、常電導のいずれも用いることができ、特に（
４ｘ）ないしく４ｚ）は直流磁場発生用であるので永久
磁石型でもよい。
軸上にそれぞれ設けられた複数の円形ループコイル対よ
り成り各軸方向に局所的に急峻な勾配を有する磁場を発
生するものであり、例えば同一出願人による特開昭６１
−１７２３０７号公報に記載されている高次のシムコイ
ルを用いることができる。この高次のシムコイルでは、
各々の円形ループコイル対に所定の電流比と方向を持つ
電流を流せば特定次数の磁場が発生でき、例えば５対の
円形ループコイルにより原点近傍に８次関数状の急峻な
勾配磁場を発生することができる。上記コイルとしては
、超電導、常電導のいずれも用いることができ、特に（
４ｘ）ないしく４ｚ）は直流磁場発生用であるので永久
磁石型でもよい。
次に、上記のように構成された磁気を用いたガン治療装
置の動作について説明する。まず、［日本応用磁気学会
誌Ｊ １１巻、２号、 １９８７ 、４４５頁に記載さ
れているように、急峻な勾配磁場の下では、常磁性であ
る酸素分子の障壁が形成され、炭酸ガスなどの流れが防
げられる。一方、一般に常磁性体に働く力は、磁場の強
度と勾配磁場の大きさとの積に比例する。従って、第１
図に示すように、コイル（４ｘ）ないしく４ｚ）により
ほぼ一様な直流磁場と、コイル（５ｘ）ないしく５ｚ）
によりガン部位近傍に急峻な勾配磁場の焦点をそれぞれ
直交する３軸方向に印加すれば、ガン部位を取り囲むよ
うに３次元的な酸素分子の障壁が形成される。このとき
、ガン部位に勾配磁場の焦点を合わせるには、人体（１
）を移動させるか、またはコイル（３ｘ）ないしく３ｚ
）、 （４ｘ）ないしく４ｚ）に流す電流を制御して
ガン部位にまで勾配磁場の焦点を移動させてもよい。
置の動作について説明する。まず、［日本応用磁気学会
誌Ｊ １１巻、２号、 １９８７ 、４４５頁に記載さ
れているように、急峻な勾配磁場の下では、常磁性であ
る酸素分子の障壁が形成され、炭酸ガスなどの流れが防
げられる。一方、一般に常磁性体に働く力は、磁場の強
度と勾配磁場の大きさとの積に比例する。従って、第１
図に示すように、コイル（４ｘ）ないしく４ｚ）により
ほぼ一様な直流磁場と、コイル（５ｘ）ないしく５ｚ）
によりガン部位近傍に急峻な勾配磁場の焦点をそれぞれ
直交する３軸方向に印加すれば、ガン部位を取り囲むよ
うに３次元的な酸素分子の障壁が形成される。このとき
、ガン部位に勾配磁場の焦点を合わせるには、人体（１
）を移動させるか、またはコイル（３ｘ）ないしく３ｚ
）、 （４ｘ）ないしく４ｚ）に流す電流を制御して
ガン部位にまで勾配磁場の焦点を移動させてもよい。
このようにして形成さｎた酸素分子の障壁のため、ガン
細胞へは新しい酸素の補給ができなくなるとともに、代
謝の産物である炭酸ガスを外部へ運び出せなくなるため
にガン細胞は酸性になるとともに代謝サイクルが維持で
きなくなる。この代謝が抑制された状態が所定期間続け
ば、最終的には壊死に至らしめることができる。ここで
、ガン細胞の細胞分裂は正常細胞のそれよりも激しいた
め、ガン細胞はより多くの酸素を必要とし、より早く炭
酸ガスを運び出す必要があるので上述の分子の障壁によ
る代謝の抑制は効力が大きい。
細胞へは新しい酸素の補給ができなくなるとともに、代
謝の産物である炭酸ガスを外部へ運び出せなくなるため
にガン細胞は酸性になるとともに代謝サイクルが維持で
きなくなる。この代謝が抑制された状態が所定期間続け
ば、最終的には壊死に至らしめることができる。ここで
、ガン細胞の細胞分裂は正常細胞のそれよりも激しいた
め、ガン細胞はより多くの酸素を必要とし、より早く炭
酸ガスを運び出す必要があるので上述の分子の障壁によ
る代謝の抑制は効力が大きい。
なお、ガン細胞周辺の正常組織を傷めないように、磁場
の発生はガン部位周辺に限るようにしてお（方がよいの
は言うまでもない。
の発生はガン部位周辺に限るようにしてお（方がよいの
は言うまでもない。
また、ガンに限らず、生体内での急速な代謝を伴なう疾
患に対しても本発明は同様の効果を奏する。
患に対しても本発明は同様の効果を奏する。
この発明は以上説明したとおり、その内部に急速な代謝
を伴なう疾患部位を有する生体を含む空間にほぼ一様な
直流磁場と、局所的に急峻な勾配を有しその焦点を疾患
部位近傍に印加しこれを囲繞する分子の障壁を所定期間
形成する勾配磁場とを、直交する３軸方向にそれぞれ発
生する磁場発土手段を備える構成にしたので、疾患部位
の細胞の代謝を抑制してそれを壊死させることができる
という効果がある。
を伴なう疾患部位を有する生体を含む空間にほぼ一様な
直流磁場と、局所的に急峻な勾配を有しその焦点を疾患
部位近傍に印加しこれを囲繞する分子の障壁を所定期間
形成する勾配磁場とを、直交する３軸方向にそれぞれ発
生する磁場発土手段を備える構成にしたので、疾患部位
の細胞の代謝を抑制してそれを壊死させることができる
という効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の磁場を用いたガン治療装
置の構成の概念を示す図、第２図は従来の磁場を用いた
ガン治療装置の構成の概念を示す図である。 図において、（１）は生体く人体’） 、 （２）は疾
患（ガン）部位、 （４ｘ）ないしく４ｚ）は直流磁場
発生手段。 （５ｘ）ないしく５ｚ）は勾配磁場発生手段である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
置の構成の概念を示す図、第２図は従来の磁場を用いた
ガン治療装置の構成の概念を示す図である。 図において、（１）は生体く人体’） 、 （２）は疾
患（ガン）部位、 （４ｘ）ないしく４ｚ）は直流磁場
発生手段。 （５ｘ）ないしく５ｚ）は勾配磁場発生手段である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- その内部に急速な代謝を伴なう疾患部位を有する生体を
含む空間にほぼ一様な直流磁場と、局所的に急峻な勾配
を有しその焦点を前記生体の疾患部位近傍に印加しこれ
を囲繞する分子の障壁を所定期間形成する勾配磁場とを
、直交する３軸方向にそれぞれ発生する磁場発生手段を
備えたことを特徴とする治療装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048264A JP2518003B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 治療装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048264A JP2518003B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 治療装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01221175A true JPH01221175A (ja) | 1989-09-04 |
| JP2518003B2 JP2518003B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=12798576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048264A Expired - Fee Related JP2518003B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 治療装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518003B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009004989A1 (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Tokyo Institute Of Technology | 高周波用配線材料 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63048264A patent/JP2518003B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009004989A1 (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Tokyo Institute Of Technology | 高周波用配線材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2518003B2 (ja) | 1996-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |