JPH01220300A - 不揮発性半導体メモリ - Google Patents
不揮発性半導体メモリInfo
- Publication number
- JPH01220300A JPH01220300A JP63046013A JP4601388A JPH01220300A JP H01220300 A JPH01220300 A JP H01220300A JP 63046013 A JP63046013 A JP 63046013A JP 4601388 A JP4601388 A JP 4601388A JP H01220300 A JPH01220300 A JP H01220300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- counter
- nonvolatile memory
- write
- semiconductor memory
- count value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気的に消去可能な不揮発性半導体メモリに関
し、特にその書き込み回数による寿命を外部よりモニタ
する機能を有するメモリに関する。
し、特にその書き込み回数による寿命を外部よりモニタ
する機能を有するメモリに関する。
従来、この種の不揮発性半導体メモリは消去回数、書き
込み回数に制限があるが、外部から知る手段がなかった
。
込み回数に制限があるが、外部から知る手段がなかった
。
従って実際に使用して不具合が生じるまでわからないと
いう欠点がある６ 本発明の目的は前記課題を解決した不揮発性半導体メモ
リを提供することにある。
いう欠点がある６ 本発明の目的は前記課題を解決した不揮発性半導体メモ
リを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の不揮発性半導体メモ
リにおいては、書き込み回数を計数する計数器と、該計
数値を記憶する不揮発性記憶部と、外部から所定の計数
値を超えたことをモニタする手段とを含むものである。
リにおいては、書き込み回数を計数する計数器と、該計
数値を記憶する不揮発性記憶部と、外部から所定の計数
値を超えたことをモニタする手段とを含むものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のブロック図である。
１は本来の不揮発性メモリ（記憶部）、２は書き込み回
数を計数するカウンタ、３はカウンタ２の出力を記憶す
る不揮発性メモリ（記憶部）で、その出力３２はカウン
タ２の入力２１に接続されている。
数を計数するカウンタ、３はカウンタ２の出力を記憶す
る不揮発性メモリ（記憶部）で、その出力３２はカウン
タ２の入力２１に接続されている。
また４は消去回路、５はコンパレータである。カウンタ
２の出力２２は不揮発性メモリ３の入力３１と同時にコ
ンパレータ５の入力５２に接続されている。
２の出力２２は不揮発性メモリ３の入力３１と同時にコ
ンパレータ５の入力５２に接続されている。
ただし１本数はｎ本とする。そして不揮発性メモリ３の
消去人力３３には消去回路４の出力４２が接続され、消
去回路４の入力４１は内部端子に接続されている。
消去人力３３には消去回路４の出力４２が接続され、消
去回路４の入力４１は内部端子に接続されている。
コンパレータ５の他の入力５１にはこの不揮発性メモリ
の限界保証値を設定しておく。コンパレータ５の出力は
、外部から所定の計数値をモニタするための外部出力端
子２３に接続しである。
の限界保証値を設定しておく。コンパレータ５の出力は
、外部から所定の計数値をモニタするための外部出力端
子２３に接続しである。
次にその動作について説明する。
まず内部端子４１から消去回路４を駆動し、不揮発性メ
モリ３を初°期設定する。これは−回のみ実施するので
、外部出力端子２３に出して誤操作により再び消去する
ことを避けることが望ましい。そして不揮発性メモリ１
を消去するときも不揮発性メモリ３は消去されない。
モリ３を初°期設定する。これは−回のみ実施するので
、外部出力端子２３に出して誤操作により再び消去する
ことを避けることが望ましい。そして不揮発性メモリ１
を消去するときも不揮発性メモリ３は消去されない。
次に不揮発性メモリ３の出力（現在０に初期設定されて
いる）をカウンタ２にロードする。その後、不揮発性メ
モリ１を消去、書き込みを行うたびにカウンタ２を１回
づつアップする。然る後、電源がｒＯＦＦ Ｊになるこ
とを検出した場合はカウンタ２の内容を不揮発性メモリ
３に書き込む。逆に電源が「ＯＮ」になることを検出し
たら、不揮発性メモリ３の内容をカウンタ２にロードす
る。後は同様にして不揮発性メモリ１を消去、書き込み
するたびに１回カウンタ２をアップする。このようにし
て不揮発性メモリ１に対する総書き込み回数、すなわち
累積書き込み回数が不揮発性メモリ３に記憶される。ま
た最新の累積書き込み回数はカウンタ２に入っているが
、この値が限界値を超えたとき、コンパレータ５の出力
が変化するので、この変化を出力端子２３からモニタす
れば容易に外部から知ることができる。
いる）をカウンタ２にロードする。その後、不揮発性メ
モリ１を消去、書き込みを行うたびにカウンタ２を１回
づつアップする。然る後、電源がｒＯＦＦ Ｊになるこ
とを検出した場合はカウンタ２の内容を不揮発性メモリ
３に書き込む。逆に電源が「ＯＮ」になることを検出し
たら、不揮発性メモリ３の内容をカウンタ２にロードす
る。後は同様にして不揮発性メモリ１を消去、書き込み
するたびに１回カウンタ２をアップする。このようにし
て不揮発性メモリ１に対する総書き込み回数、すなわち
累積書き込み回数が不揮発性メモリ３に記憶される。ま
た最新の累積書き込み回数はカウンタ２に入っているが
、この値が限界値を超えたとき、コンパレータ５の出力
が変化するので、この変化を出力端子２３からモニタす
れば容易に外部から知ることができる。
以上説明したように本発明は、累積書き込み回数を超え
たことを出力端子からモニタすることにより電気的に有
効な書き込みであることを保証できる。
たことを出力端子からモニタすることにより電気的に有
効な書き込みであることを保証できる。
従って、実際に不良になる前に取り換え等の手を打つこ
とで事前に事故を防止できる効果を有する。
とで事前に事故を防止できる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図である。
Claims (1)
- １、電気的に消去可能な不揮発性半導体メモリにおいて
、書き込み回数を計数する計数器と、その計数値を記憶
する不揮発性記憶部と、外部から所定の計数値を超えた
ことをモニタする手段とを含むことを特徴とする不揮発
性半導体メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046013A JPH01220300A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 不揮発性半導体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046013A JPH01220300A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 不揮発性半導体メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220300A true JPH01220300A (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12735174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046013A Pending JPH01220300A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | 不揮発性半導体メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220300A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04115398U (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-13 | シヤープ株式会社 | フラツシユ・メモリ |
| JPH0527924A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046013A patent/JPH01220300A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04115398U (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-13 | シヤープ株式会社 | フラツシユ・メモリ |
| JPH0527924A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法 |
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