JPH01214096A

JPH01214096A - フレキシブルプリント回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH01214096A
Application number: JP3904688A
Authority: JP
Inventors: Kinya Kumazawa; 金也熊沢; Osamu Seki; 関　収; Nobumitsu Yamanaka; 信光山中; Masaya Komatsu; 雅也小松
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 1988-02-22
Filing date: 1988-02-22
Publication date: 1989-08-28

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はフレキシブルプリント回路基板、特に密着性、
寸法安定性の優れたフレキシブルプリント回路基板の製
造方法に関するものである。

（従来技術）従来のフレキシブルプリント回路基板は、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）やポリイミド（ＰＩ）等のフ
ィルム上に、厚さ３５４ｍもしくは１８μｍの圧延銅箔
や電解銅箔を接着剤を介して貼り合せて形成されていた
。

しかしながらこれらのフレキシブルプリント回路基板に
は次のような問題点があった。

（１）接着剤を使用しているため熱的、化学的特性が劣
る。

（２）銅箔が厚いため微細回路パターンの形成が困難で
ある。

これらの問題を解決するため、最近はプラスチックフィ
ルム上に接着剤を介することなく、直接、物理蒸着（Ｐ
ＶＤ）法、特に蒸発粒子エネルギーが比較的大であるス
パッタリング法やイオンブレーティング法、或はクラス
タイオンビーム法などによって、１〜５ＩＬｍ厚の銅薄
膜を密着性良く付着形成させるフレキシブルプリント回
路基板の製造方法が開発され、実用化が進められている
。

（従来技術の問題点）しかしながら上記の方法によって形成されたフレキシブ
ルプリント＠路基板も導体との密着性は充分でなく、特
に微細回路パターンを形成する際の各工程での熱履歴、
薬品浸漬（特にエツチング後）などにより、密着強度が
大きく低下することが明らかとなっている。

特にフレキシブルプリント基板用ベースフィルムの大部
分を占めるポリイミド（ＫＡＰＴＯＮ）フィルムにおい
ては、導体である銅との密着性が劣り、また寸法安定性
も芳しくなく（吸水率２゜９％、ＡＳＴＭ−５７０）、
そのためフレキシブルプリント回路基板上に形成された
微細回路パターンと接続される相手側（例えばＩ　、７
．０ガラス）との整合が、微細回路パターンになればな
るほど取れない状況になっている。

そこで最近は各フィルム、メーカーが、密着性に優れ、
しかも寸法安定性に優れたフィルムの開発を活発に行な
っているが、まだ十分とはいえないのが実情である。

（発明の目的）本発明は上記の諸問題を解決すべく開発されたものであ
り、密着性に優れ、しかも寸法安定性に優れたフレキシ
ブルプリント回路基板を得る、ことができるフレキシブ
ルプリント回路基板の製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明のフレキシブルプリント回路基板の製造は、吸水
による寸法変化の少ない液晶高分子からなるフィルム、
もしくはシート基板ｌの片面或は両面を、１０−３Ｔｏ
　ｒ　ｒ　〜１０Ｔｏ　ｒ　ｒノ圧力下において酸化性
気体の低温プラズマで処理し、その後、この処理面上に
物理蒸着（ＰＶＤ）法により導体層２を形成するように
したことを特徴とするものである。

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は液晶高分子からなるフィルム、もしくはシート
基板ｌの片面に、第２図は両面に導体層２を形成したも
のである。

本発明における液晶高分子からなるフィルム、もしくは
シートｌは、バラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）を含む
ポリエステル系の共重合体であり、具体的にはＰＨＢ、
ビフェノール、テレフタル酸の共重合体である０本発明
においてこの系からなる液晶高分子を用いる理由は、そ
れはポリイミドフィルムと同様に優れた耐熱性を示し、
しかも吸水率が０．１％以下であるためフレキシブルプ
リント基板の製造工程、実装時の各種環境に充分分耐え
得るからである。

そして本発明ではこの液晶高分子からなるフィルムもし
くはシート１を、導体との密着性向上を意図して、１０
ＪＴｏ　ｒ　ｒＮＩＯＴｏ　ｒ　ｒの圧力下において、
酸化性気体による低温プラズマで処理する。この場合の
酸化性気体としては例えば酸素、もしくは酸素を含有す
る気体、空気、−酸化炭素、二酸化炭素、或は酸素と不
活性気体、例えばアルゴン、キセノン、ネオンなどの混
合気体などが、また、好ましくは、これらと有機物とか
らなる混合気体などがとげられる。

本発明では前記プラズマ処理の後、スパッタリング法、
イオンブレーティング法、クラスタイオンビーム法など
の物理蒸着（ＰＶＤ）法により、所望の導体金属を厚さ
０．ＩＩＬｍ−１０ｇｍ好ましくは１ｇｍ〜５ｇｍに密
着性良く付着形成させテ導体層２とし、フレキシブルプ
リント回路基板を製造するものである。この場合、酸化
性気体と有機物とからなる混合気体を用いると、プラズ
マ処理によるエツチング効果、極性基の導入のみならず
、グラフト化、プラズマ重合化が起こり、より一層密着
性が向上する。この有機物はプラズマ重合を発生させる
物質であればよく、例えばエチレン、ベンゼン、スチレ
ン、ジベンジル等が有効である。

ちなみに、本発明で使用される液晶高分子フィルムｌを
、非酸化性気体、例えば、アルゴン、キセノンなどの単
一の不活性気体や窒素などの気体による低温プラズマで
処理したのでは密着性向上にはあまり効果がない。

低温プラズマの発生、は一般には電極間に１０〜５００
Ｗ（７）高周波電力（周波＊Ｌ３．５８　ＭＨＺ）を印
加することによって行なわれ、また、その処理時間も数
秒から数十カ行なえば充分である。また、その際の放電
周波数としては前記高周波のほか低周波、マイクロ波、
さらには直流などを用いても差し支えない。

また、低温プラズマの発生に用いられるガス圧力は、目
的の低温プラズマが容易に発生する圧力、即ち、１　（
１３Ｔｏ　ｒ　ｒ　〜１０Ｔｏ　ｒ　ｒ、好ましくは１
０−２〜Ｉ　Ｔｏ　ｒ　ｒが望ましい。

革着される導体金属は一般には、導体抵抗、その他の点
から、銅、もしくは、それらの合金からなるものが好ま
しいが、特に限定されるものではない。

（実施例）以下に本発明の実施例を具体的に示す。

基板として厚さ５０ｇｍの液晶高分子フィルム（バラヒ
ドロキシ安息香酸を含むポリエステル系共重合体、吸水
率：０．１％以下会・・ＡＳＴＭ−５７０）をプラズマ
処理機構を有するスパッタ装置内にセットし、同装置内
を充分排気した後、同装置内に酸化性気体として酸素ガ
スを導入し、ガス圧；　３Ｘ　１　（１２Ｔｏ　ｒ　ｒ
、高周波電力Ｚｏ。

Ｗにて、１０秒間プラズマ処理を行なった。

その後、スパッタ装置内にアルゴンガスを導入して、ガ
ス圧；　３Ｘ　１０−３Ｔｏ　ｒ　ｒ、高周波電力１０
０Ｗにて銅を１２０秒スパッタリングして液晶高分子フ
ィルム１にＩｇｍの導体層２を形成した。

（比較例１）基板として実施例で用いたと同一のフィルムを使用し、
それをプラズマ処理機構を有するスパッタ装置内にセッ
トし、同装置内を充分排気した後、低温プラズマ処理を
行なわずに、同装置内にフルブンガスを導入して、ガス
圧；３Ｘ１０−３Ｔ。

ｒｒ、高周波電力１００Ｗにて銅を１２０秒スパッタリ
ングして、実施例１と同様にＩｇｍの導体層２を形成し
た。

（比較例２）基板として実施例で用いたと同一のフィルムを使用し、
それをプラズマ処理機構を有するスパッタ装置内にセッ
トし、同装置内を充分排気した後、間装を内に非酸化性
気体として窒素ガスを導入して、ガス圧；　３ＸｌＯ−
２Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗにて１０秒間プラズマ
処理を行なった。

その後、前記装置内にアルゴンガスを導入して、ガス圧
；３Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ、高周波電力１００Ｗにて銅を
１２０秒スパッタリングして、Ｉｇｍの導体層２を形成
した。

前記実施例、比較例１、比較例２により形成されたフレ
キシブルプリント基板について、フィルム１と導体２と
の密着力を把握するため第４図に示す１８０度ビール強
度法（剥離速度；５０ｍｍ／ｍ１ｎ）によってその密着
強度を測定した。即ち、アルミニウム補強板４上に、エ
ポキシ系接着剤３を介して本発明の製造方法で製造され
たフレキシブルプリント基板５の導体層２を接着させ、
前記補強板４を固定して導体層２とフィルム１との間の
剥離状態を測定した。

またエツチング法によって１０本／ｍｍの微細回路パタ
ーンを１２０ｍｍ幅内に形成し、その寸法変化を測定し
た。さらに同基板１のカールの状況（第３図参照）も測
定した。

これらの各種測定結果は表１の通りであった。

表１（備考）１、カール率は（Ｌｉ−Ｌｃ）／ＬｉＸ１００（％）で
表わす。

但しＬｉ；導体形成前のフィルムの長さＬＣ；導体形成
（カール）後のフィルムの長さ２、密着強度値はＮ＝５の平均値である。

（発明の効果）本発明のフレキシブルプリント回路基板の製造方法は次
のような効果がある。

（１）表１から明らかなように、フィルムと導体との密
着力に優れ、しかも、寸法変化も少ないフレキシブルプ
リント回路基板が得られる。

（２）熱収縮率、線膨張係数も小であるため、導体形成
後の基板のカールも極めて小さいフレキシブルプリント
回路基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は本発明の一実施例であるフレキシブル
プリント基板の異なる例の概略図、第３図は導体形成前
後のフィルムのカール状態の説明図、第４図は１８０度
ビール強度試験方法の概略図、である。ｌは液晶高分子フィルムまたはシート２は導体層

Claims

【特許請求の範囲】

液晶高分子からなるフィルム、もしくはシート基板の片
面或は両面を、１０＾−＾３Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒの
圧力下において、酸化性気体の低温プラズマで処理し、
その後、この処理面上に、物理蒸着（ＰＶＤ）法により
導体層２を形成することを特徴とするフレキシブルプリ
ント回路基板の製造方法。